ME2802系列电压检测器

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ME2802系列 电压检测复位IC

ME2802系列 电压检测复位IC

Ver 03TYPE POSTFIX PACKAGEOUTPUT CONFIGURATIONM3 SOT23-3 P SOT89-3T TO-92 ME2802AxxT1 TO-92NMOSME2802 Seriesare highlyprecise ,low power consumption voltage detectors,manufactured using CMOS technologies. Detect voltage is extremely accurate with minimal temperature drift.NMOS output configurations are available.• Microprocessor reset circuitry ; • Memory battery back-up circuits ; • Power-on reset circuits ; • Power failure detection ;• System battery life and charge voltage monitors 。

Features• Highly accurate : ±1%;• Low power consumption :TYP 0.7uA (Vin=1.5V);• Detect voltage range :2.0V~4.8V in 0.1V increments ; • Operating voltage range :0.7V~7V ;• Detect voltage temperature characteristics :TYP ±100ppm/℃;• Output configuration : NMOS ;• PACKAGE : SOT23-3,SOT89-3,TO-92。

ApplicationsME2802 Series Voltage Detectors Selection GuideVer 03 Pin ConfigurationPin AssignmentME2802AxxPIN NumberPINNAMEFUNCTIONSOT23-3 SOT89-3 TO-92(T)TO-92(T1)2 3 3 2 Vss Ground1 1 1 3 Vout Output3 2 2 1 Vin Input Block DiagramVer 03Absolute Maximum RatingsPARAMETER SYMBAL RATINGS UNITS V IN Input Voltage V IN 8 V Output Current Iout 50 mANMOS Vss-0.3~Vin+0.3Output Voltage N-ch open drain Vout Vss-0.3~12VSOT23 150 mW SOT89 500 mW Continuous TotalPower Dissipation TO92 Pd 300 mW Operating Ambient Temperature T Opr -40~+85 ℃Storage Temperature T stg -40~+125 ℃ Soldering temperature and time T solder 260℃, 10sElectrical Characteristics (V DF (T)=2.0V to 4.8V ±1% Ta=25℃)SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS V DF Detect Voltage V DF * 0.99 V DFV DF *1.01V V HYSHysteresisRangeV DF *0.02 V DF * 0.05 V DF * 0.08 V0.7 2.7 0.8 3.2 0.9 3.6 1.0 3.8 Iss Supply Current Vin=1.5V =2.0V=3.0V=4.0V =5.0V 1.1 4.3 uAV INOperatingVoltageV DF (T)=1.6V to6.0V0.7 7 VI OUT Output CurrentN-ch VDS=0.5V VIN=1.0V=2.0V=3.0V =4.0V =5.0V1.0 3.0 5.0 6.0 7.02.2 7.7 10.1 11.5 13.0 mAΔV DF /(Δtopr*V DF ) Temperature characteristics -40℃≤Topr ≤ 85℃±100ppm/℃Note :1、VDF(T) :Established Detect Voltage value2、Release Voltage :V DR =V DF +V HYSVer 03Functional DescriptionTiming ChartDirections for useNotes on Use1、 Please use this IC within the stated maximum ratings. Operation beyond these limits may cause degradingor permanent damage to the device. 2、In order to stabilize the IC’s operations, please ensure that V IN pin’s input frequency’s rise and fall times aremore than several u Sec/V.Functional Description1、 When input voltage (V IN ) rises above detect voltage (V DF ), output voltage (V OUT ) will be equal to V IN .2、 When input voltage (V IN ) falls below detect voltage (VDF ), output voltage (V OUT ) will be equal to the ground voltage (V SS ) level.3、 When input voltage (V IN ) falls to a level below that of the minimum operating voltage (V MIN ), output will become unstable. In this condition, V IN will equal the pulled-up output ( should output be pulled-up.)4、 When input voltage (V IN ) rises above the ground voltage (V SS ) level, output will be unstable at levelsbelow the minimum operating voltage (V MIN ). Between the VMIN and detect release voltage (V DR ) levels, the ground voltage (V SS ) level will be maintained.5、 When input voltage (V IN ) rises above detect release voltage (V DR ), output voltage (V OUT ) will be equal toV IN .6、 The difference between V DR and V DF represents the hysteresis range.Ver 03 Typical ApplicationsType Characteristics1、SUPPLY CURRENT vs. INPUT VOLTAGEVer 03 2、DETECT,RELEASE VOLTAGE vs. AMBIENT TEMPERATURE3、OUTPUT VOLTAGE vs. INPUT VOLTAGEVer 03Ver 03 Package DiomensionsVer 03·The information described herein is subject to change without notice.·Nanjing Micro One Electronics Inc is not responsible for any problems caused by circuits or diagrams described herein whose related industrial properties, patents, or other rights belong to third parties. The application circuit examples explain typical applications of the products, and do not guarantee the success of any specific mass-production design.·Use of the information described herein for other purposes and/or reproduction or copying without the express permission of Nanjing Micro One Electronics Inc is strictly prohibited.·The products described herein cannot be used as part of any device or equipment affecting the human body, such as exercise equipment, medical equipment, security systems, gas equipment, or any apparatus installed in airplanes and other vehicles, without prior written permission of Nanjing Micro One Electronics Inc.·Although Nanjing Micro One Electronics Inc exerts the greatest possible effort to ensure high quality and reliability, the failure or malfunction of semiconductor products may occur. The user of these products should therefore give thorough consideration to safety design, including redundancy, fire-prevention measures, and malfunction prevention, to prevent any accidents, fires, or community damage that may ensue.。

常用小型稳压LDO等芯片推荐参考.

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ME2109 16
ME2111 17
ME2115 18
ME2206 19
ME2209 20 3.降压DC/DC转换器
ME3101 21
ME3102 22
ME3110 23 4.功率MOSFET
MEM2301 24
MEM2303 25
MEM2307 26
MEM2309 27
MEM2311 28
MEM2302 29
-输入电压:达6.5V
-输出电压范围:1.5V到5.0V
-最大输出电流:300mA(e.g.:Vin=4.3V,Vout=3.3V -低静态电流:8uA ( TYP.
-输入输出压差:200mV @100mA,400mV @ 200mA -高纹波抑制比:50dB(1KHz
-高精度:± 2%
-热关断保护
ME6211 500mA -6.5V 1.2-5V ±2% 50uA 75dB SOT-23-5LL/
SOT-89/DFN
量产
ME6219 300mA-6.5V 1.2-5V ±2% 65uA 62dB SOT-23-5LL量产ME1084 5A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1085 3A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1117 800mA -20V 1.25-12V ±2% 2mA 50dB SOT223/TO252 2009/Q2 ME3206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 16uA 50dB SOT-23-5LL量产ME6401 200mA -6.5V 1.2-5V ±2% 130uA 62dB SOT-23-6LL量产

EMS208用户手册 V1.01

EMS208用户手册 V1.01

2 杭州远方仪器有限公司版权所有,未经许可不得复制和传播
EMS-208 半导体器件静电放电发生试仪器,为了确保您的人身安全和保护本仪器,务必注 意以下事项: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 本仪器的工作电源为AC100~240V,50Hz/60Hz。 仪器内有高压,切勿拆卸或敞开机壳工作。 当仪器有高压输出时,切勿触摸仪器的接线端子以及测试线,防止被电击。 在试验前须仔细检查连线,确保正确无误后方可进行试验。 为保证试验的正确性,配置试验时务必严格遵守相关测试标准要求。 测试前确保仪器的接地端良好接地。 请保持仪器清洁,为确保良好的通风散热,切勿堵塞机箱下盖板和后面板 上的通风孔,也勿放置障碍物,严禁覆盖。 8. 9. 仪器搬运时务必谨慎小心,防止碰撞、倒置、震动。 如发现表面较潮或存在污物,请马上停止操作,并做清理。
本用户手册及包括的任何资料, 其版权归远方公司所有, 受中华人民共和国 著作权法或国际相关法律保护。 未经本公司书面许可, 任何单位或个人不得以任 何方式或形式对本手册部分或全部内容进行复制、修改、传播、摘录、备份、翻 译成其他语言。 否则将构成对本公司著作权的侵犯, 侵权者将承担相关的法律后 果以及本公司的全部损失。 如果本公司与用户签有其他的书面协议, 且协议中涉及的本文档所含材料的 担保条款与上述条款有冲突,则该书面协议中的担保条款具有优先法律效力。
10. 测试完成后,保持相关设备运行一段时间,确保内部器件完全放电。 11. 当设置和更改连接其他设备时请切断发生器输出电源。 12. 正确使用探针说明及探针安放的角度,按探针上的箭头方向(“↑向上方向”) 把探针向上安置并且保持探针垂直(倾斜角度在 15°以内)。否则,可能会 引起电击或者难以操作发生器。 13. 操作时,不要碰触探针的放电端子部分,否则,可能会导致电击或者刺伤。 14. 请安全地把探针安装到探针平台上, 如果探针从平台上掉下来, 可能会损坏。 15. 请勿在发生器操作的时候更换探针,否则可能会导致电击造成严重的损坏。 16. 请勿把金属或者易燃物品放进部件、连接器及进气孔里面。 17. 请将仪器放在安全且易操作的地方,以免在紧急情况下难以操作仪器,导致 火灾或电击。 18. HBM、MM探针内部含有重金属汞,处理时请遵守当地相关法律。

2802说明书

2802说明书

2802型控制器A板:控制器A板正面电位器:控制器上一共有六个电位器(旋转按钮),我们把顺时针旋转定义为加大,把逆时针旋转定义为减小。

为了后面叙述的便捷,我们把电机全额转动速度以Full Speed表示。

下面我们介绍每个电位器的功能。

1号电位器:控制快速开门速度,总共分为10挡具体数据:2号电位器:控制快速关门速度,总共分为10挡具体数据:3号电位器:控制缓冲速度,总共分为10挡具体数据:4号电位器:控制开门角度,总共分为10挡具体数据:5号电位器:控制开门到底的等待时间,总共分为10挡具体数据:4档14秒5档12秒6档10秒7档8秒8档6秒9档4秒10档2秒6号电位器:控制电机允许的电流(即扭距),总共分为10挡具体数据:档位允许电流1档1A2档 1.5A3档2A4档 2.5A5档3A6档 3.5A7档4A8档 4.5A9档5A10档 5.5A由于开关门速度,是由控制器控制电机运行所产生的。

为保护控制器免受过流过压的损害,电机的电压电流相互牵制,不让电机受损。

电源LED:电源指示灯,等灯光绿光闪亮的时候表明有外部电压进入,当外部电源断电或保险丝烧断,即指示灯熄灭。

复位按钮:当此按钮按下此按钮后,无论控制器处于什么状态,都将直接运行程序第一步。

拨位开关:此黑色插件为一个两位的拨位开关,拨位选项1,2共两个选项。

图片现在的位置为OFF状态,如需要开通某一功能,把其相对应的拨位开关向上拨到ON的位置。

其功能如下:1号拨位开关:顺/逆时针选择开关。

当1号拨位开关在OFF状态,为逆时针开启。

当2号拨位开关在ON状态,为顺时针开启。

2号拨位开关:每次/遥控上锁选择开关。

当2号拨位开关在OFF状态。

每次关门后自动上锁。

当2号拨位开关在ON状态,每次关门将不在上锁,只有遥控按钮按“止”当门关闭时,自动上锁。

排针:排针分排针头与排针座,排针头在线路A板,排针座在线路B板。

控制器为7芯排针,连接时需上下对齐。

遥控器如下图所示,遥控器一共有四个按钮,分别为“关”“常”“止”“开”。

TI PGA280 高精度仪表放大器数据手册说明书

TI PGA280 高精度仪表放大器数据手册说明书

ProductFolderOrderNowTechnicalDocumentsTools &SoftwareSupport &CommunityPGA280ZHCSL30B–JUNE2009–REVISED MARCH2020 PGA280零漂移、高电压、可编程增益仪表放大器1特性•宽输入电压范围:在±18V电源下,为±15.5V•二进制增益步长:128V/V至1/8V/V•额外比例缩放因子:1V/V和1⅜V/V•低失调电压:在G=128时为3μV•失调电压的近零长期漂移•近零增益温漂:0.5ppm/°C•出色的线性度:1.5ppm•出色的共模抑制比(CMRR):140dB•高输入阻抗•超低的1/f噪声•差分信号输出•过载检测•输入配置开关矩阵•断线测试电流•可扩展SPI™(具有校验和)•通用I/O端口•TSSOP-24封装2应用•模拟输入模块•数据采集(DAQ)•飞机发动机控制•电池测试3说明PGA280是一款高精度仪表放大器,具有数字控制增益和信号完整性测试功能。

该器件具有低失调电压,且失调电压、增益温漂和1/f噪声近乎为零,还具有出色的线性度、共模抑制比和电源抑制比,可支持高分辨率的精密测量。

36V电源电压和宽、高阻抗输入范围符合通用信号测量的要求。

特殊电路可防止多路复用器(MUX)开关产生浪涌电流。

另外,输入开关矩阵可实现在过载条件下轻松进行重新配置和系统级诊断。

可配置的通用输入/输出(GPIO)提供数种控制和通信功能。

SPI经扩展可与更多器件通信,仅需四个ISO耦合器即可实现隔离。

PGA280采用TSSOP-24封装,额定工作温度范围为–40°C至+105°C。

如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。

器件比较特性产品23位分辨率Δ-Σ模数转换器ADS1259斩波稳定仪表放大器,RR I/O,5V单电源INA333高精度PGA,G=1、10、100、1000PGA204高精度PGA,JFET输入,G=1、2、4、8PGA206典型应用PGA280ZHCSL30B–JUNE2009–REVISED 目录1特性 (1)2应用 (1)3说明 (1)4修订历史记录 (2)5Pin Configuration and Functions (3)6Specifications (4)6.1Absolute Maximum Ratings (4)6.2Electrical Characteristics (4)6.3Timing Requirements:Serial Interface (7)6.4Typical Characteristics (8)7Detailed Description (15)7.1Overview (15)7.2Functional Block Diagram (15)7.3Feature Description (16)7.4Device Functional Modes (24)7.5Programming (26)7.6Register Map (31)8Application and Implementation (38)8.1Application Information (38)9Power Supply Recommendations (39)10器件和文档支持 (41)10.1接收文档更新通知 (41)10.2支持资源 (41)10.3商标 (41)10.4静电放电警告 (41)10.5Glossary (41)11机械、封装和可订购信息 (41)4修订历史记录注:之前版本的页码可能与当前版本有所不同。

ET2670A耐压测试仪操作规程

ET2670A耐压测试仪操作规程

ET2670A耐压测试仪操作规程一、设备介绍二、设备结构及工作原理1.设备结构2.工作原理三、操作步骤1.安全操作(1)在操作前,确认设备的电源已接地并符合安全要求。

(2)使用前,请先关闭设备的电源开关,确保设备处于停机状态。

(3)在使用设备前,请戴好绝缘手套,确保人身安全。

2.设备准备(1)检查设备的电源线是否完好,电源插座是否与电网连接稳定。

(2)检查高压输出终端是否良好连接、无松动现象。

(3)检查设备的控制面板是否完好,并确保控制按钮可以正常操作。

(4)将被测试绝缘材料或电器设备连接到设备的高压输出终端。

3.设备操作(1)打开设备的电源开关,设备进入工作状态。

(2)通过设备的控制面板设置预定电压值,并选择测试持续时间。

(3)按下“开始测试”按钮,设备开始向被测试物体施加高电压。

(4)设备会自动检测被测试物体是否出现击穿或漏电现象,并记录测试结果。

(5)测试完成后,设备会自动停止输出高电压。

将被测试物体与设备的高压输出终端分离。

4.数据记录(1)测试过程中设备会自动记录被测试物体是否出现击穿或漏电现象。

(2)测试完成后,设备可以通过USB接口将测试数据导出到计算机或打印机进行保存。

四、设备维护1.设备定期维护(1)每月对设备进行一次全面检查,包括检查电源线、插座、控制面板等是否完好。

(2)定期检查设备的高压输出终端是否有松动现象,确保其连接正常稳固。

(3)定期清理设备外部灰尘,保持设备的通风良好。

2.设备故障处理(1)在设备故障时,请关闭设备的电源开关,并在没有电源的情况下进行维修。

以上为ET2670A耐压测试仪的操作规程,希望能对操作人员有所帮助。

在操作过程中,请务必注意安全,并按照规程进行操作,以保障设备的正常运行和人身安全。

ME2805型号高精度电压检测器说明书

ME2805型号高精度电压检测器说明书

ME2805Ultra-small package High-precision Voltage Detector with delaycircuit, ME2805 SeriesGeneral Description FeaturesME2805 Series is a series of high-precision voltage detectors with a built-in delay time generator of fixed time developed using CMOS process. Internal oscillator and counter timer can delay the release signal without external parts. Detect voltage is extremely accurate with minimal temperature drift. CMOS output configurations are available. ● Highly accuracy : ±1%● Low power consumption :TYP 0.9uA (V DD =3V) ● Detect voltage range :1.0V~6.5V in 0.1Vincrements● Operating voltage range :0.7V~7V● Detect voltage temperature characteristics :TYP±100ppm/℃● Output configuration : CMOSTypical Application● Power monitor for portable equipment such as notebook computers, digital still cameras, PDA, and cellular phones● Constant voltage power monitor for cameras, videoequipmentandcommunicationdevices.● Power monitor for microcomputers and resetfor CPUs.● System battery life and charge voltagemonitorsTypical Application CircuitPackage● 3-pin SOT23-3、SOT23Selection GuideME 2805X X GEnvironment markPackage:X Function Product Type Product Series MicroneX X Output Voltage X-SOT23M3-SOT23-3NOTE: If you need other voltage and package, please contact our sales staff.product series product descriptionME2805A263M3G V OUT =2.63V ;Rising edge detection ;Package :SOT23-3 ME2805A263XG V OUT =2.63V ;Rising edge detection ;Package :SOT23 ME2805A293M3G V OUT =2.93V ;Rising edge detection ;Package :SOT23-3 ME2805A293XG V OUT =2.93V ;Rising edge detection ;Package :SOT23 ME2805A308XGV OUT =3.08V ;Rising edge detection ;Package :SOT23 ME2805A463XG V OUT =4.63V ;Rising edge detection ;Package :SOT23Pin Configuration123123SOT-23SOT-23-3Pin AssignmentPIN Number Pin Name Function SOT-23-3/SOT-231 VSS Ground2 VOUT Output Voltage 3VDDInput VoltageBlock DiagramAbsolute Maximum RatingsPARAMETER SYMBAL RATINGSUNITS V IN Input Voltage V IN 8 V Output CurrentI OUT 50mA Output Voltage CMOS V OUT GND-0.3~V IN +0.3V Continuous Total PowerDissipationSOT-23-3 Pd 300 mW SOT-23250 Operating Ambient TemperatureT Opr -40~+85 ℃ Storage Temperature T stg -40~+125 ℃ Soldering temperature and timeT solder 260℃, 10sESDMM 400 V HBM4000VElectrical Characteristics(-V DET(S)=1.0V to 6.5V±2% ,Ta=25O C , unless otherwise noted)Parameter Symbol Conditions Min. Typ Max.UnitsTest circuitDetect Voltage (Output Voltage)-VDET --VDET(S)×0.99-VDET(S)-VDET(S)×1.01V1 HysteresisRangeVHYS - 0.03 0.06 0.1 VSupply Current ISSVDD=3V (below 2.5V) - 0.9 1.5uA2VDD=5V (2.5V-4.5V) - 1.4 2.8VDD=7V (4.5V-6.5V) - 1.8 3.6Output CurrentIoutN-chVDS=0.5V VDD=0.7V 0.01 0.19 --mA3IoutP-ch VDS=0.5V VDD=7V 1.7 3.4 --mA4OperatingvoltageVDD - 0.7 - 7 V 1 Delay timeTd1 VDD=-VDET+1V DS low 130 200 290 ms 1Td2 VDD=-VDET+1V DS high 110 220 330 us 5 Temperaturecharacteristics VDETTaVDET-∙∆-∆Ta∆=-40℃~ 85℃- ±100 ±350 ppm/℃ 1 Note:1、-VDET(S) :Specified Detection Voltage value2、-VDET :Actual Detection Voltage value3、Release Voltage:+VDET=-VDET+VHYSTest Circuits:1. 2.3. 4.5.Functional Description :1. Basic Operation: CMOS Output (Active Low)1-1. When the power supply voltage (VDD) is higher than the release voltage (+VDET), the Nch transistor is OFF andthe Pch transistor is ON to provide VDD (high) at the output. Since the Nch transistor N1 in Figure 1 is OFF, thecomparator input voltage isC B A C B R R R VDD R R ++∙+)(.1-2. When the VDD goes below +VDET, the output provides the VDD level, as long as VDD remains above thedetection voltage (–VDET). When the VDD falls below –VDET (point A in Figure 2), the Nch transistor becomes ON, the Pch transistor becomes OFF, and the VSS level appears at the output. At this time the Nchtransistor N1 in Figure 1 becomes ON, the comparator input voltage is changed to B AB R R VDD R +∙.1-3. When the VDD falls below the minimum operating voltage, the output becomes undefined, or goes to VDD whenthe output is pulled up to VDD.1-4. The VSS level appears when VDD rises above the minimum operating voltage. The VSS level still appearseven when VDD surpasses the –VDET, as long as it does not exceed the release voltage +VDET.1-5. When VDD rises above +VDET (point B in Figure 2), the Nch transistor becomes OFF and the Pch transistorbecomes ON to provide VDD at the output. The VDD at the OUT pin is delayed for Td due to the delay circuit.2. Delay Circuit2-1. Delay TimeThe delay circuit delays the output signal from the time at which the power voltage (VDD) exceeds the release voltage (+VDET) when VDD is turned on. The output signal is not delayed when the VDD goes below the detection voltage (–VDET). (Refer to Figure 2.) The delay time (t D) is a fixed value that is determined by a built-in oscillation circuit and counter.2-2. DS Pin (ON/OFF Switch Pin for Delay Time)The DS pin should be connected to Low or High. When the DS pin is High, the output delay time becomes short since the output signal is taken from the middle of counter circuit (Refer to Figure 3).Directions for use:1、Please use this IC within the stated maximum ratings. Operation beyond these limits may cause degrading orpermanent damage to the device.2、When a resistor is connected between the V DD pin and the input with CMOS output configurations, oscillation mayoccur as a result of voltage drops at R IN if load current(I OUT) exists.(refer to the Oscillation Description(1) below)3、When a resistor is connected between the V DD pin and the input with CMOS output configurations, oscillation mayoccur as a result of through current at the time of voltage release even if load current(I OUT) does not exist. (refer to the Oscillation Description(2) below)4、With a resistor connected between the V DD and the input, detect and release voltage will rise as a result of the IC’ssupply current flowing through the V DD pin.5、In order to stabilize the IC’s operations, please ensure that V DD pin’s input frequency’s rise and fall times are morethan several u Sec/V.Oscillation Description:1、 Output current oscillation with the CMOS output configurationWhen the voltage applied at IN rises, release operations commence and the detector’s output voltage increase.Load current(I OUT) will flow at R L. Because a voltage drop(R IN*I OUT) is produces at the R IN resistor, located between the input(IN) and the V DD pin. The load current will flow via the IC’s pin. The voltage drop will also lead toa fall in the voltage level at the V DD pin. When the V DD pin voltage level falls below the detect voltage level, detectoperations will commence. Fllowing detect operations, load current flow will cease and since voltage drop at R IN will disapper, the voltage level at the V DD pin will rise and release operations will begin over again. Oscillation may occur with this “release-detect-release” repetition. Further, this condition will also appear via means of a similar mechanism during detect operations.2、 Oscillation as a result of through currentSince the ME2805 series are CMOS IC’s, through current will flow when the IC’s internal circuit switching operates(during release and detect operations). Consequently, oscillation is liable to occur as a result of drops in voltage at the through current’s resistor(R IN) during release voltage operations.(refer to diagram 2) since hysteresis exists during detect operations, oscillation is unlikely to occur.Type Characteristics1、SUPPLY CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATUREVDD=5V,-VDET=2.63V VDD=2.5V,-VDET=2.63VIss VS.TEMP0.30.60.91.21.51.82.12.42.7-16102030405060708090100110120TEMP(℃)I s s (u A )Iss VS.TEMP0.20.40.60.811.2-16102030405060708090100110120TEMP(℃)I s s (u A )2、SUPPLY CURRENT VS. INPUT VOLTAGE3、DETECT,RELEASE VOLTAGE VS. AMBIENTTEMPERATURE-VDET=2.63V (T=25℃) -VDET=2.63VIss VS VDD0.511.522.500.511.52 2.53 3.54 4.55 5.566.577.5VDD(V)I s s (u A )VDET VS TEMP2.542.562.582.62.622.642.662.682.72.72-16102030405060708090100110120TEMP(℃)V D E T (V )-VDET +VDE T4、 OUTPUT CURRENT VS. INPUT VOLTAGEN-ch VDS=0.5V,-VDET=2.63V P-ch VDS=0.5V,-VDET=2.63VIout(N) VS. VDD0246810120.20.50.71 1.2 1.7 2.2 2.5VDD(V)I o u t (m A )T=85℃T=-15℃T=23℃I o u t (P ) V S. V00.511.522.533.542.73.2 3.544.555.56V D D (V )I o u t (mT =-15℃T =23℃T =85℃Packaging Information● SOT23DIMMillimetersInchesMinMax Min Max A 0.9 1.2 0.0354 0.0472 A1 0 0.14 0.0000 0.0055 A2 0.9 1.05 0.0354 0.0413 b 0.28 0.52 0.0110 0.0205 c 0.07 0.23 0.0028 0.0091 D 2.8 3.0 0.1102 0.1181 e1 1.8 2.0 0.0709 0.0787 E 1.2 1.4 0.0472 0.0551 E1 2.22.60.08660.1024e 0.95(TYP) 0.0374(TYP) L 0.55(TYP)0.0217(TYP)L1 0.25 0.55 0.0098 0.0217θ 08° 0.00008°c10.25(TYP)0.0098(TYP)● SOT23-3DIMMillimetersInchesMinMax Min Max A 0.9 1.2 0.0354 0.0472 A1 0 0.14 0.0000 0.0055 A2 0.9 1.05 0.0354 0.0413 b 0.28 0.52 0.0110 0.0205 c 0.07 0.23 0.0028 0.0091 D 2.8 3.0 0.1102 0.1181 e1 1.8 2.0 0.0709 0.0787 E 1.2 1.4 0.0472 0.0551 E1 2.22.60.08660.1024e 0.95(TYP) 0.0374(TYP) L 0.55(TYP)0.0217(TYP)L1 0.25 0.55 0.0098 0.0217 θ 08° 0.00008°c1 0.25(TYP)0.0098(TYP)V04 Page 11 of 11 ME2805● The information described herein is subject to change without notice.● Nanjing Micro One Electronics Inc is not responsible for any problems caused by circuits or diagrams described herein whose related industrial properties, patents, or other rights belong to third parties. The application circuit examples explain typical applications of the products, and do not guarantee the success of any specific mass-production design.● Use of the information described herein for other purposes and/or reproduction or copying without the express permission of Nanjing Micro One Electronics Inc is strictly prohibited.● The products described herein cannot be used as part of any device or equipment affecting the human body, such as exercise equipment, medical equipment, security systems, gas equipment, or any apparatus installed in airplanes and other vehicles, without prior written permission of Nanjing Micro One Electronics Inc.● Although Nanjing Micro One Electronics Inc exerts the greatest possible effort to ensure high quality and reliability, the failure or malfunction of semiconductor products may occur. The user of these products should therefore give thorough consideration to safety design, including redundancy, fire-prevention measures, and malfunction prevention, to prevent any accidents, fires, or community damage that may ensue.。

ME8320 原边控制芯片

ME8320 原边控制芯片

典型应用图
ME8320
C1 R1
T1
D6
Np
Ns
C3
深圳市国兴顺电子有限公司 R4 D5 R3 C2 Na
R2 MOS
ME8320
Rs
图.1 5V1A充电器系统应用图
深圳市国兴顺电子有限公司
QQ:514789807 手机:13926511192
Page 2 of 12
选购指南 芯片脚位图
ME8320
最大线损补偿电流
电流检测部分 (CS 管脚)
CS前沿消隐时间
芯片关断延迟
CL=1nF at GATE
恒流控制部分 (CC管脚)
内部CC基准电压
栅极驱动输出(GATE管脚)
输出低电平
Io=20mA(sink)
输出高电平
Io=20mA(source)
输出钳位电压
VDD=24V
输出上升时间
CL=0.5nF
尺寸(mm)
最小值
最大值
0.9
1.45
0
0.15
0.9
1.3
0.2
0.5
0.09
0.26
2.7
3.10
2.2
3.2
1.30
1.80
0.95REF
1.90REF
0.10 00
0.60 300
最小值 0.0354
0 0.0354 0.0078 0.0035 0.1062 0.0866 0.0511
0.0039 00
输出下降时间
CL=0.5nF
过热保护温度
14 15.5 16.5 V 31 33 35 V 33 35 37 V
1.98 2.0 2.02 V

ME-268A离子风机测试仪使用说明书

ME-268A离子风机测试仪使用说明书

ME-268A离子风机测试仪使用说明书目录第一部分技术参数第一页第二部分概述第二页第三部分操作第四页第四部分维修第六页附录1 可调计时器综合静电测试仪第七页充电板/探头组合件:按照EOS/ESD协会标准设计标准三脚架安装尺寸:6“*6”容量:整个充电测试电路带一个20皮法的充电板(±2皮法)充电板自动放电:在25℃,50%RH条件下,能在5分钟内将设定的静电压降至原来的10%以上电源:静电测试仪:范围:0-±7500伏;0-±2000伏开关可调精度:高于2%偏移值:10分钟到90%满刻度变化仅需不到100ms时间输出:将输入值分成1000份,电容阻抗为100W计时器:满刻度的999.9%(>16分钟),0.1秒,清晰度电源:117或220伏±10%(工厂预设),50/60Hz,5磅第二部分概述268A型综合静电测试仪分成两个部分,每个部分均采用十脚线缆连接,附加在充电板上的顶部结构就是测试仪的部分,使用时需放在测试现场,带控制及显示器的下面部分需放在便于操作的位置,不过,操作位置需远离监测器。

要分开这两个部分只需松开中间的两个插销,两个插销在测试仪背面附近位置,只需从顶部后侧位置提起插销即可分开。

1/4-20号螺纹接口方便测试仪内顶部位置安装三角支架。

两个支角用在控制部件低部下方,方便提升前面的小格子,这样操作人员更方便地阅读测试读数。

面板正前方的开关有一可选按钮,带有三个不得同时使用的“充电板控制件”。

它们相互为机械互锁,以便一次只能选择一项功能。

控制件必需接地良好。

三个按钮可在“充电板电压”读数下面直接接通,直接显示出测试仪的量程和功能等。

标有“充电板控制”的充电板中央下方设置了三个开关,它将直接决定其充电/放电状态。

高压控制旋钮,“高压通”显示器和与两极有关的“极性”按钮开关,及其初次充静电量“计时器极限”开关可以设置出计时器的初始/终末静电压极限值。

电源监测芯片ISL28022中文资料

电源监测芯片ISL28022中文资料
特点: l 总线电压范围:0 ̄60V l 16位西格玛-得塔模数转换器监控电流和电压 l 电压测量误差:<0.3% l 电流测量误差:<0.3% l 支持负的系统电压 l 过压、欠压和电流故障监控 l I2C总线接口 l 宽电源电压范围:3.0 ̄5.5V l 静电防护:8KV l 支持高速 I2C:3.4MHz
SIGN SMX6 SMX5 SMX4 SMX3 SMX2 SMX1 SMX0 SIGN SMN6
-128 64 32 16



1 -128 64
D5 SMN5 32
D4 SMN4 16
D3 SMN3

D2 SMN2

D1 SMN1

D0 SMN0

l 直流电压阈值寄存器(BUSVoltageThresholdRegister)(R/W)




BRNG1=0BRNG0=113位宽度 量程 32V
D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8 Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0

VCC
10
GND
11
VBUS
12
VINM
13VIBiblioteka P6、7、8、 NC14、15、16
散热盘
GND
描述 I2C地址位 1 I2C地址位 0 外部时钟输入/中断输出(集电极开路输出) I2C串行数据输入/输出 I2C串行时钟输入
电源正极 电源负极 直流电压检测输入 电流感应器负端输入 电流感应器正端输入

sgm2028工作原理

sgm2028工作原理

sgm2028工作原理SGM2028是一款用于电源管理的集成电路,它的工作原理基于一系列精密的电路和算法。

本文将详细介绍SGM2028的工作原理,包括其内部结构、功能模块和工作流程。

SGM2028的内部结构由多个功能模块组成,包括电压检测模块、电流检测模块、电源开关模块和控制器模块。

这些模块相互配合,实现对电源的精确管理和控制。

电压检测模块用于测量输入电源的电压并进行精确的采样。

它采用了高精度的模拟-数字转换器(ADC)来将电压信号转换为数字信号,并通过内部的比较器对电压进行比较和判断。

当输入电压超过设定的阈值时,电压检测模块将触发相应的保护机制,以保证系统的安全运行。

电流检测模块用于实时监测系统的电流状况。

它利用电阻分压原理将电流转换为电压信号,并通过高精度的ADC进行采样和转换。

电流检测模块可以提供准确的电流信息,以便后续的电源管理和保护措施。

接下来,电源开关模块负责对电源进行开关控制。

它基于MOSFET 等器件实现了高效的电源开关功能。

电源开关模块可以根据控制信号的输入,实现对电源的开启和关闭,从而对系统进行电源管理和保护。

此外,电源开关模块还可以通过PWM调制技术实现对输出电压的精确调节,以满足不同应用场景的需求。

控制器模块是SGM2028的核心部分,它对其他功能模块进行整合和控制。

控制器模块采用了先进的数字信号处理技术和算法,实现了对输入电压、输出电压和电流的精确控制和管理。

它可以根据系统需求进行智能调节,并提供多种保护机制,如过压保护、过流保护和过温保护等。

总结起来,SGM2028的工作原理是通过电压检测模块、电流检测模块、电源开关模块和控制器模块等多个功能模块的协同工作,实现对电源的精确管理和控制。

这些功能模块相互配合,通过精密的电路和算法,确保电源的稳定输出和系统的安全运行。

SGM2028在电源管理领域发挥着重要的作用,被广泛应用于各种电子设备和系统中。

编程器说明

编程器说明

多功能编程器:支持AT89系列芯片、AVR芯片、EPROM、EEPROM、FLASH和串行EEPROM系列芯片,常用的PIC单片机芯片;价格较低,性价比很高;既适合于汽车电子和电脑爱好者使用,也适合于电子电脑维修人员和单片机开发人员使用。

编程器通过数据线与计算机并口(打印机接口)联接,独立的外接电源,使用操作更方便,编程更稳定;采用 WINDOWS下的图形界面,使用鼠标进行操作,支持 Windows ME/98/95/2000系统,具有编程指示!控制程序工作界面友好,对芯片的各种操作变得十分简单,无论是电子还是电脑爱好者都可轻松掌握。

不用添加适配器就可以支持200多种器件,在添加适配器后,可以支持51系列单片机的全系列型号,和最新的大容量程序芯片!支持3.3V及2.9V电压的芯片。

使用FWH(PLCC32)转换座,可以支持最新Intel810、815、845主板上使用的N82802AB、SST49LF002、SST49LF004等3.3V电压的芯片,也就是说,目前几乎所有主板上的BIOS芯片,多功能BIOS编程器都可以支持,真正是一款性价比较高的编程器。

一、编程器支持的芯片:27C64、 27C128、 27C256、27C512、27C010、 27C020 、27C040、27C1001M27C1001、 M27C2001、 M27C400127C080 、M27C801、M87C2572716(Vpp25V)、27322764、27128、 27256、27512、 27010,EEPROM28C65、28C64、 28C128、 28C256、28C512、 28C010、28C020 28C040M28C16A/17A (DIP28) 、 28C16、XLS2816 (DIP24)FLASH Memory28F64、 28F128、28F256、 28F512、28F010、 28F020MX26C1000、 MX26C2000、 MX28F1000、 MX28F2000Am28F256A、 Am28F512A、 Am28F010A、 Am28F020A-- intel ---i28F001BX、 28F004、 28F008、 28F016 29F64、 29F128、 29F256 29F512、29F010、 29F020、 29F040、 29F08029F001、29F002、 29F004、 29F008、 29F016、 29F032Serial (I2C) EEPROM24C系列:24C02、24C04、24C08、24C16、85C72、 85C82、 85C92--- page write ----24C32、24C64、24C128、24C256、24C512Microwire EEPROM93C系列:<------ Data 8bit -----> (pin 6 ->ORG. [Schematic connect to GND])93C06、 93C46、 93LC46、 93C56、 93C57、93C66、 93C76、 93C86 (8bit)、 AT59C11、 AT59C22、 AT59C13 CAT35C102、 CAT35C104、 CAT35C108 (pullup pin7)<------Data 16bit------> (pin 6 ->NC [No Connect])93C06A 、93C46X、93C56、93C66、93C76、93C86 (NS) MicroChip PIC16C84、 16F84、 16F84A 、16F627、16F62812C508/A、 12C509/A、 12CE518、 12CE519、 16C50516C620、 16C621、 16C622、 16CE623、 16CE624、 16CE625、16C710/711---ICSP connector----16F870、 16F871、 16F872、 16F873、 16F874、 16F876、 16F877 PIC16F873A、 PIC16F874A、 PIC16F876A、 PIC16F877AAtmel Flash MemoryAT29C256、 AT29C512、AT29C010A、 AT29C020, AT29C040、AT29C040AW29EE512、W29EE011、 W29EE012、 W29C020(128)、W29C040 PH29EE010(W29EE011)ASD AE29F1008 (AT29C010)、 AE29F2008 (AT29C020)Command seq. 5555/AA、2AAA/55、 5555/A0AT49F512、 AT49F010 、AT49F020、 AT49F040SST39SF010、 SST3S9F020 、SST39SF040AT49F001、AT49F002 、 AT49F008ACommand seq. 555/AA、 2AA/55、 555/A0Am29F512、 Am29F010、 Am29F020、 Am29F040、HY29F080 29F002、 29F002T、 Pm29F002TSerial Peripheral Interface (SPI) EEPROM Mode0 (0,0)AT25系列、 W95系列:[Atmel] AT25010、020、 040 (A8-A0)AT25080、 160、 320、 640、 128、 256 (A15-A0) [ST] W95010....256、 Microchip 25x010 - 25x640--- Byte programming25010、25020、25040--- Page programming25C080、25C160、25C320、25C640、25C128、25C256、25C512 AT25HP256、AT25HP512AT25HP1024 (24bit address)-- CAT64LCxxx (16bit DATA IN/OUT) use Socket 93CxxxCAT64LC010、CAT64LC020、 CAT64LC040Atmel EEPROM (page prog.)(Software Data Protection)AT28C256、 AT28C010、 AT28C040Nonvaltile SRAM (DS12xx)DS1220、DS1225Y、 DS1230Y/AB、 DS1245Y/AB、 DS1249Y/AB static RAM (Test RAM)6116、 6264、 62256、 62512、 628128EPROM winbond,SSTElectrical Erase ChipW27E512、 W27E010、 W27C010、 W27C020、 W27C040SST27SF256、 SST27SF512、 SST27SF010、 SST27SF020MX26C4000Vcc = 3.3-3.6V SST37VF512、 SST37VF010、 SST37VF020、SST37VF040Flash Memory SST,SanyoSST28SF040A、 LE28F4001①32PIN零插拔力集成电路插座(ZIF32):用于27系列、28系列、29系列、39\49系列等存储器芯片及该系列芯片PLCC适配器、ATMEL 89系列单片机适配器。

电压检测器

电压检测器

V
IDD
运行电流
8V
无负载
1.5
2.5
uA
VDD
运行电压
1.5
18
V
IOL
输出灌电流
2V
VOUT=0.2V
1.5
2.5
mA
△VDET △TA
温度系数
HT7050 表3-7
符号
参数
20℃ <Ta<110℃
测试条件
最小
VDD
条件
±0.73
mV/℃
典型值
最大
单位
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------6-
2V
VOUT=0.2V
1.5
2.5
mA
△VDET △TA
温度系数
20℃ <Ta<110℃
±0.55
mV/℃
HT7039A 表3-5
符号
参数
测试条件
VDD
条件
最小
典型值
最大
单位
VDET
高-低可检测电压
3.822
3.9
3.978
V
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------5-

奥的斯电梯故障代码

奥的斯电梯故障代码

奥的斯电梯故障代码1100 SOFTWARE RESET 软件复位1101 RING SOFTWARE RESET 群控软件复位1200 SIO MESSAGE FRAMING ERROR 从MCSS接受到的数据信息中检测到结构错误1201 SIO TIMEOUT ERROR 与MCSS通讯超时1300 RSL1 LOSS OFSYNCHRONISATION 轿厢通讯收发不同步1301 RSL2 LOSS OF SYNCHRONISATION 厅外通讯收发不同步1302 RSL3 LOSS OF SYNCHRONISATION 群控通讯收发不同步1400 RSL1 TOTAL PARITY ERRORS 轿厢通讯出现奇偶校验错误1401 RSL2 TOTAL PARITY ERRORS 厅外通讯出现奇偶校验错误1402 RSL3 TOTAL PARITY ERRORS 群控通讯出现奇偶校验错误1500 RING1 CHECKSUM ERROR 群控环1通讯有检测故障1501 RING1 TIMEOUT ERROR 群控环1通讯有超时故障1700 MCSS NOT AVAILABLE MCSS通讯故障1701 CAR SHUTDOWN WHILE IN EPO 备用电源操作时出现故障1702 DTC PROTECTION COUNT DTC关门保护1703 DTO PROTECTION COUNT DTO关门保护1704 DELAY CAR PROTECTION DCP保护1800 EFO-P AND EFO-CK ARE INVALID OR DO NOT MATCH 消防楼层参数错误或EFO-P与EFO-CK不一致或该层门被封1801 ASL-P AND ASL-CK ARE INVALID OR DO NOT MATCH 消防可选楼层参数错误或ASL-P与ASL-CK不一致或该层门被封EFS AND EFS-CK ARE INVALID OR DO NOT MATCH 消防类型参数错误或EFS与EFS-CK不一致ASL2-P AND ASL2-CK ARE INVALID OR DO NOT MATCH 消防第二可选楼层参数错误或ASL2-P与ASL2-CK不一致或该层门被封1804 RCBII电池电压不足1805 EQO HOISTWAY SENSOR FAILED 地震井道传感器故障1806 INVALID EQO PARAMETERSETUP 无效的地震参数1807 CAR IS CONFIGURED FOR RANDOMCALLS 电梯由随机内外呼控制运行故障代码服务器显示说明2000 STM softwarereset 电子板软件运行错误,引起CPU复位。

德鲁克最新样本

德鲁克最新样本

压力标准
PACE 1000精密压力指示仪/气压计......................................................................................................................................................... 64 PACE 模块化压力控制器 .............................................................................................................................................................................. 68
应用案例
产品应用 ............................................................................................................................................................................................................... 73
kPa kPa kg/cm2 bar psi mmHg mH2O inH2O
20
kg/cm2 0.0101972 1.00000 1.01972 0.0703070 0.00135951 0.100000 0.00253544
/zh
GE GE
1
校准产品综合手册
GE DRUCK
HART HART

att7022e的电压采样的计算

att7022e的电压采样的计算

att7022e的电压采样的计算【实用版】目录1.引言2.att7022e 的基本介绍3.电压采样原理4.计算方法5.应用实例6.结论正文1.引言在电子电路设计中,电压采样器是一种重要的组件,它可以将高电压信号转换为低电压信号,以便于后续的信号处理。

att7022e 是一款广泛应用的电压采样器,本文将对其电压采样计算方法进行详细解析。

2.att7022e 的基本介绍att7022e 是一款 12 位精度的电压采样器,其输入电压范围为 0-5v,输出电压范围为 0-4.095v。

它具有输入阻抗高、输出阻抗低、响应速度快等特点,广泛应用于模拟信号处理、数据转换等领域。

3.电压采样原理电压采样器的原理是基于采样定理,即在采样频率高于信号带宽的 2 倍时,可以准确地恢复原始信号。

对于 att7022e,其采样频率为 12 位,即 4096 个采样点,因此,其输入信号的带宽应小于 2048Hz。

4.计算方法在使用 att7022e 进行电压采样时,需要先确定采样频率和采样位数。

采样频率应根据输入信号的带宽来确定,采样位数则决定了输出电压的精度。

以输入电压为 5v,输出电压为 4.095v 为例,其计算方法如下:采样频率:f=1/T,其中 T 为采样时间,假设 T=1us,则 f=1000Hz。

采样位数:n=log2(Vin/Vout),其中 Vin 为输入电压,Vout 为输出电压,代入数值得 n=12。

5.应用实例以模拟信号处理为例,假设输入信号为正弦波,峰值为 5v,周期为10ms,则其带宽为 1000Hz,低于 att7022e 的采样频率,可以准确地恢复原始信号。

6.结论att7022e 是一款性能优越的电压采样器,其采样计算方法简单,应用广泛。

chroma 19032参数 -回复

chroma 19032参数 -回复

chroma 19032参数-回复关于chroma 19032参数的详细介绍文章长度:1838字引言:在今天的电子领域中,测试设备是非常重要的一部分。

测试设备可以提供对电子产品的精确测试和分析数据,帮助制造商和技术人员确保产品的质量和性能。

在众多测试设备中,Chroma 19032是一种功能强大的测试设备,本文将为您详细介绍它的参数及其功能。

一、Chroma 19032的基本介绍Chroma 19032是一款多功能数字电力测试仪,主要用于对电力设备的电气特性进行测试和分析。

它具有精确测量、多种测试功能和友好的用户界面,可以广泛应用于电力、电子、电器、电动工具和照明行业。

二、Chroma 19032的参数和功能1. 测量范围:Chroma 19032可以对电压、电流、功率因素、频率和能量进行精确测量。

其电压测量范围为0-600V,电流测量范围为0-20A,功率因素测量范围为0-1,频率测量范围为45Hz-65Hz。

这个宽广的测量范围使得Chroma 19032适用于不同类型的电力设备。

2. 仪表精确度:Chroma 19032具有很高的仪表精确度,其电压和电流的测量精确度为0.05+0.05FS,功率因素测量精确度为0.1,频率的测量精确度为0.1+0.1FS。

这个高精确度可以确保测试结果的准确性。

3. 特殊测量功能:Chroma 19032还具有一些特殊的测量功能,例如电能测试、次谐波测量和液晶屏显示。

电能测试功能可以用于计算电力设备的能耗,次谐波测量可以用于分析电力设备的稳定性,液晶屏显示可以直观地展示测试结果。

4. 可编程控制:Chroma 19032还支持可编程控制,可以通过外部接口进行远程控制和数据采集。

这为用户提供了方便和灵活的操作方式,同时也可以与其他测试设备进行数据传输和共享。

5. 安全和防护:Chroma 19032具备完善的安全和防护功能,包括过载保护、短路保护和过热保护。

这些保护机制可以有效保障用户的安全,并确保设备的稳定和可靠运行。

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Ver 03
TYPE POSTFIX PACKAGE
OUTPUT CONFIGURATION
M3 SOT23-3 P SOT89-3
T TO-92 ME2802Axx
T1 TO-92
NMOS
ME2802 Series
are highly
precise ,low power consumption voltage detectors,manufactured using CMOS technologies. Detect voltage is extremely accurate with minimal temperature drift.NMOS output configurations are available.
• Microprocessor reset circuitry ; • Memory battery back-up circuits ; • Power-on reset circuits ; • Power failure detection ;
• System battery life and charge voltage monitors 。

Features
• Highly accurate : ±1%;
• Low power consumption :
TYP 0.7uA (Vin=1.5V);
• Detect voltage range :
2.0V~4.8V in 0.1V increments ; • Operating voltage range :0.7V~7V ;
• Detect voltage temperature characteristics :
TYP ±100ppm/℃;
• Output configuration : NMOS ;
• PACKAGE : SOT23-3,SOT89-3,TO-92。

Applications
ME2802 Series Voltage Detectors Selection Guide
Ver 03 Pin Configuration
Pin Assignment
ME2802Axx
PIN Number
PIN
NAME
FUNCTION
SOT23-3 SOT89-3 TO-92(T)TO-92(T1)
2 3 3 2 Vss Ground
1 1 1 3 Vout Output
3 2 2 1 Vin Input Block Diagram
Ver 03
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER SYMBAL RATINGS UNITS V IN Input Voltage V IN 8 V Output Current Iout 50 mA
NMOS Vss-0.3~Vin+0.3
Output Voltage N-ch open drain Vout Vss-0.3~12
V
SOT23 150 mW SOT89 500 mW Continuous Total
Power Dissipation TO92 Pd 300 mW Operating Ambient Temperature T Opr -40~+85 ℃
Storage Temperature T stg -40~+125 ℃ Soldering temperature and time T solder 260℃, 10s
Electrical Characteristics (V DF (T)=2.0V to 4.8V ±1% Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS V DF Detect Voltage V DF * 0.99 V DF
V DF *
1.01
V V HYS
Hysteresis
Range
V DF *
0.02 V DF * 0.05 V DF * 0.08 V
0.7 2.7 0.8 3.2 0.9 3.6 1.0 3.8 Iss Supply Current Vin=1.5V =2.0V
=3.0V
=4.0V =5.0V 1.1 4.3 uA
V IN
Operating
Voltage
V DF (T)=1.6V to
6.0V
0.7 7 V
I OUT Output Current
N-ch VDS=0.5V VIN=1.0V
=2.0V
=3.0V =4.0V =5.0V
1.0 3.0 5.0 6.0 7.0
2.2 7.7 10.1 11.5 1
3.0 mA
ΔV DF /(
Δtopr*V DF ) Temperature characteristics -40℃≤Topr ≤ 85℃
±100
ppm/℃
Note :1、VDF(T) :Established Detect Voltage value
2、Release Voltage :V DR =V DF +V HYS
Ver 03
Functional Description
Timing Chart
Directions for use
Notes on Use
1、 Please use this IC within the stated maximum ratings. Operation beyond these limits may cause degrading
or permanent damage to the device. 2、In order to stabilize the IC’s operations, please ensure that V IN pin’s input frequency’s rise and fall times are
more than several u Sec/V.
Functional Description
1、 When input voltage (V IN ) rises above detect voltage (V DF ), output voltage (V OUT ) will be equal to V IN .
2、 When input voltage (V IN ) falls below detect voltage (V
DF ), output voltage (V OUT ) will be equal to the ground voltage (V SS ) level.
3、 When input voltage (V IN ) falls to a level below that of the minimum operating voltage (V MIN ), output will become unstable. In this condition, V IN will equal the pulled-up output ( should output be pulled-up.)
4、 When input voltage (V IN ) rises above the ground voltage (V SS ) level, output will be unstable at levels
below the minimum operating voltage (V MIN ). Between the VMIN and detect release voltage (V DR ) levels, the ground voltage (V SS ) level will be maintained.
5、 When input voltage (V IN ) rises above detect release voltage (V DR ), output voltage (V OUT ) will be equal to
V IN .
6、 The difference between V DR and V DF represents the hysteresis range.
Ver 03 Typical Applications
Type Characteristics
1、SUPPLY CURRENT vs. INPUT VOLTAGE
Ver 03 2、DETECT,RELEASE VOLTAGE vs. AMBIENT TEMPERATURE
3、OUTPUT VOLTAGE vs. INPUT VOLTAGE
Ver 03
Ver 03 Package Diomensions。

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