模拟电子技术基础考试试题答案知识讲解
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础答案完整版
模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ )(3）放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ）（5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;（ )（6）由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；（ )（7）只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）【解答】 (1）×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2）√。
放大的特征就是功率的放大。
（3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4）×。
．(5）√。
设置合适的静态工作点.(6）×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7）×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 （a)不能。
因为输人信号被VBB所影响.（a）例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极？【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术题库-答案分解
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子技术试题及答1
放大电路的稳定性问题及其解决措施
放大电路的稳定性问题：由于电路参数的变化，导致放大电路的性能不稳定，出现自激振荡等问题。 解决措施：采用补偿电路、加入去耦电路、调整电路参数等方法，提高放大电路的稳定性。
模拟电子技术常见问题的总结与解决方案
解决方案：选用合适的放大 器，调整输入信号幅度和频 率
模拟电子技术实验
实验设备与器材
信号发生器
示波器
晶体管测试仪
电源
电阻、电容、电 感等电子元件
实验原理与方法
实验目的：掌握模拟电子技术的基本原理和应用 实验原理：通过实验操作，验证模拟电子技术的基本理论，加深对理论知识的理解 实验步骤：按照实验指导书的要求，逐步完成实验操作，记录实验数据并进行分析 实验结果：根据实验数据，分析实验结果，得出结论并与理论进行比较
放大电路的基本原理
放大电路的作用 是将微弱的电信 号放大成较强的
输出信号
放大电路由输入 电阻、输出电阻 和放大倍数三个
主要参数组成
放大电路的基本 原理是通过输入 信号控制晶体管 的基极电流，从 而控制集电极电 流或发射极电流， 实现信号的放大
放大电路的分类 包括共射、共基 和共集三种基本
类型
放大电路的组成与性能指标
模拟电子技术常见问题及解决 方案
放大电路噪声的来源与抑制方法
放大电路噪声的来源：内部 电子热运动、晶体管参数的 不稳定性、电源电压波动等
放大电路噪声的抑制方法： 选择低噪声器件、合理设计 偏置电路、采用负反馈技术 等
放大电路的失真及其消除方法
放大电路的失真类型：饱和失真、截止失真、频率失真 失真的原因：晶体管参数的非线性、电路设计不当、元件参数不匹配等 消除方法：调整静态工作点、改变电路参数、采用负反馈技术等 实例分析：针对不同失真类型，给出相应的消除方法及电路图
模拟电子技术答案详解
某某农业大学网络教育课程考试模拟电子技术试卷注意：答案直接填写在word试卷上，保存后再上传到机考平台，点交卷完成考试。
一、问答题〔每题4分，共24分〕1、PN结是如何形成的？答：在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质〔离子〕是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡. 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,如此空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性. PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,如此电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.根本的击穿机构有两种,即隧道击穿〔也叫齐纳击穿〕和雪崩击穿,前者击穿电压小于0.6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于0.6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.2、二极管正、负极性的判断方法？答：(1)观察法查看管壳上的符号标记,通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。
对于点接触型玻璃外壳二极管,可透过玻璃看触针,金属触针的一头为正极。
模拟电子技术基础试题与答案
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4)×。
．(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础试题及答案
模拟电子技术基础试题及答案一、选择题1. 以下哪个元器件用于将交流信号转换为直流信号？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻2. 以下哪个元器件用于放大电流或电压？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器3. 以下哪个元器件用于储存电荷并释放电荷？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器4. 以下哪个元器件用于控制电流的流动？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电感5. 以下哪个元器件用于将直流信号转换为交流信号？A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 变压器二、填空题1. NPN晶体管有_三层_和_两个PN结_。
2. 集成电路是将多个_电子元器件_集成到一块_半导体_芯片上。
3. 交流信号的频率是指单位时间内信号_周期_的个数。
三、判断题1. 电压是指电流通过导体时导体两端的电势差。
(正确/错误)2. 电容器可以储存电荷并释放电荷。
(正确/错误)3. 二极管可以放大电流或电压。
(正确/错误)4. 集成电路是将多个电子元器件集成到一块半导体芯片上。
(正确/错误)5. 交流信号是指电流方向和大小都随时间变化的信号。
(正确/错误)四、简答题1. 请简要解释PN结和作用。
PN结是一种由P型半导体和N型半导体结合而成的二极管结构。
它的作用是可以实现单向导电性，即只允许电流在一个方向上通过。
在正向偏置时，电流可以流过PN结；而在反向偏置时，电流基本上无法流过PN结。
2. 请简要介绍晶体管的工作原理。
晶体管由三个区域（发射区、基区和集电区）的半导体材料组成。
当在基区加上一小电流时（基电流），可以控制从发射区到集电区的大电流（集电电流）的流动。
晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来控制集电区的电流，实现信号的放大。
五、综合题请根据以下电路图，回答问题。
电路图：[图片未提供]1. 请标注图中所示电子元器件的名称和性质。
- 元件1: 二极管，用于将交流信号转换为直流信号。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础试题与答案解析
电子电工专业试卷说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。
两卷满分为100分，考试时间120分钟。
Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。
第Ⅰ卷（选择题，共35分）注意事项：每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。
一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。
每小题只有一个正确答案。
）1、半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态3、三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏4、三极管电流源电路的特点是（）A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（）A、短路B、开路C、保留不变D、电流源6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）图2A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍9、电流源的特点是直流等效电阻( )A、大B、小C、恒定D、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（）A、U0=0.45U2B、U0=1.2U2C、U0=0.9U2D、U0=1.4U2二、判断题（本大题共5小题，每小题1分，共计5分。
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一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究 。
9、理想运放的两个输入端虚短是指 。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。
二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。
A ：稳压效果变差B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C ：反向截止D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。
A ：饱和状态B ：截止状态C ：放大状态D ：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是 。
图1(a) 图1(b) 图2A ：（b ）图中电流为5.1mA 的电极为发射极。
B ：（a ）图中电流为10µA 的电极为集电极。
C ：（a ）图中电流为1mA 的电极为发射极。
D ：（b ）图中没有标电流的电极为基极。
4、电路如图2所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，下列说法正确的是 。
A ：若21U U =二极管D1和D2一定同时导通。
B ：若21U U ≠二极管D1和D2不可能同时导通。
C ：若21U U ≠输出电压将不唯一。
D ：输出电压与输出端是否接负载无关。
5、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从20μA 变化到10μA ，I C 从2mA 变为1mA ，那么它的β约为 。
Ａ：90 B ：－90 Ｃ：100 D ：－1006、图3中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q 3点移动到Q 4点可能的原因是 。
A ：集电极电源+V CC 电压变高B ：集电极负载电阻RC 变高 C ：基极电源+V BB 电压变高D ：基极回路电阻R b 变高。
7、关于单管放大电路的三种基本接法，正确的说法是 。
A ：共射放大电路只能放大电压，不能放大电流。
B ：共集放大电路既能放大电流，又能放大电压。
C ：共基放大电路只能放大电压，不能放大电流。
D ：共集放大电路和共基放大电路都能放大电压。
8、图4所示各电路有可能能够放大正弦交流信号的是 。
图4A ：(a)图B ：(b)图C ：(c)图D ：(d)图9、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
Ａ：输入电阻增大Ｂ：输出量增大Ｃ：净输入量增大Ｄ：净输入量减小10、为了稳定放大电路的输出电流，应当引入反馈。
Ａ：电压反馈Ｂ：电流反馈Ｃ：串联反馈Ｄ：并联反馈四、判断图5所示各电路引入的负反馈的类型,从四个备选项中选择正确的选项, 将正确选项的标号填在答题纸上，答在试卷上的无效；(共4题，每题 2 分，共 8 分)本题的备选答案如下：A：电压并联负反馈B：电压串联负反馈C：电流串联负反馈D：电流并联负反馈1、图5（a）引入的反馈的类型为。
2、图5（b）引入的反馈的类型为。
3、图5（c）引入的反馈的类型为。
4、图5（d）引入的反馈的类型为。
图5(a) 图5(b) 图5(c) 图5(d)五、分析图6所示放大电路中T1和T2及其周边元件组成的放大电路的组态，并画出其交流通路和微变等效电路（第1至2小题每题2分，第3小题8分，共12分，将答案做在答题纸的相应位置）1、图6中T1组成放大电路。
2、图6中T2组成放大电路。
3、画出图6所示放大电路的交流通路和微变等效电路。
图6 图7六、分析计算题（共3题，每题10分，共30分，答案一律写在答题纸的指定位置处）1、（本题10分）电路如图7所示,已知电路中晶体管的 ＝100，r be=1kΩ，R L=1.5kΩ, R c=3kΩ, V CC＝12V。
（1）现已测得静态管压降U CEQ＝6V，估算R b约为多少千欧；（4分）（2）求动态参数A 、R i和R o；（6分）u2、（本题10分）实验电路如图8(a)所示，示波器（已校准）X 轴扫描档位为0.25ms/div ，输入、输出信号对应通道的Y 轴档位分别为10mV/div 和1V/div ，图8(b)是甲同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i （上）和输出信号u o （下）；图8(c)是乙同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i （上）和输出信号u o （下）。
（1）甲、乙两同学哪个同学实验电路参数调整的合理？并根据该同学观察到的波形求输入信号的频率f 及电压放大倍数u A 。
（6分）（2）电路参数调整的不合理的同学所观察到的输出波形出现了何种失真？如何调整ωR 才能消除这种失真？（4分）图8(a) 图8(b) 图8(c)3、（本题10分）已知V u V u V u V u I I I I 4,3,2,14321====，分别求图9(a)和图9(b)中的输出电压o u 。
图9(a) 图9(b)参考答案一、填空题（每空1分，共20分）1、晶体管中自由电子和空穴两种载流子同时参与导电。
2、放大。
3、绝缘栅型（或MOS）。
4、射。
5、容量大的电容；直流电源。
6、直接耦合；阻容耦合。
7、栅；源。
8、静态工作点。
9、集成运放的两个输入端的电位无穷接近，但又不是真正短路的特点。
10、电流反馈。
11、直流反馈。
12、输出级；偏置电路。
13、输入端；输出端。
14、恒流区；饱和区。
二、单项选择题（每小题2分，共20分）题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10答案 A C A B C A C B D B四、判断负反馈类型 (每小题 2 分，共 8 分)1、 B2、 C3、 A4、 D五、分析题（第1至2小题每题3分，第3小题6分，共12分）1、图6中T1组成共射放大电路。
2、图6中T2组成共射放大电路。
3、图6所示电路的交流通路和微变等效电路如下：图6所示电路的交流通路图6所示电路的微变等效电路六、分析计算题（每题10分，共30分）1、（本题共10分）解：（1）求解R b （共4分）Ω≈-====-=k 565μA20mA2BQBEQCC b CQBQ c CEQCC CQ I U V R I I R U V I β（2）求动态参数uA 、R i 和：R o ：（共6分） 图七所示放大电路的微变等效电路为：1001)5.1//3(100)//( -=-=-=be L C u r R R A βΩ≈==K r R R be b i 11//565//Ω==K R R c o 32、（本题共10分） 解：（1） 甲同学电路参数调整的合理；（共6分）由图知：mS T 5.025.02=⨯=，mV U ipp 15105.1=⨯=，V U opp 2.312.3=⨯= 信号的频率Z KH mS T f 25.011===3.21152.3-==-=mVV Ui U A ppopp u（2）电路参数调整的不合理的同学，也就是乙同学，观察到的输出波形发生了截止失真；调整ωR 使之减小可以消除该失真。
（共4分） 3、（本题共10分） 解：（每小题5分，不要求详细步骤）（a ）V u u u u R R u 8)12(8)( 8)(I1I2I1I21fO =-=-=-=（b ）I44f I33f I22f I11f O u R Ru R R u R R u R R u ⋅+⋅+⋅-⋅-=Vu u u u 6443402201204020201413I2I1=+⨯+⨯-⨯-=++--=。