《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案
晶体二极管及应用电路1 图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v的波形。
2在T=300K时，某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。
图P1-23在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：I=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
（1）若反向饱和电流10S（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8输入正半周时，D 1导通，D 2截止。
输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。
输入负半周时，D 2导通，D 1截止。
输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。
（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>，两管已充分导通，故VA 关系为/T V V S I I e =，由此lnT S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
O图P1-8-13在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10SI=μA，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1．-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整？⑶若 , 和 的 ， ，
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ，图d的输入电阻为60k ，输出电阻为50 ，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200 的电压源信号，输出端带4k 负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空16分1．半导体二极管的主要特性是___________ ;2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6．在串联型稳压电路中,引入了——负反馈；为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分1．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为 ;A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;A．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;B．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;C．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;D．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A．减小C,减小Ri B．减小C,增大RiC．增大C,减小Ri D．增大C,增大 Ri6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和 ; A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路;1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率8分六、分析图示两个电路的级间反馈;回答：12分1．它们是正反馈还是负反馈2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3．它们属于何种组态4．各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示;试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2．如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3．在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少 10分八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF;求：8分1．整流滤波后的直流电压UIAV 约为多少伏2．当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空：18分1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式;2．在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器;3．单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W,整流二极管IDAV =___A;4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数即传输系数、jF = ;5．在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器；有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器;6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为 ;二、选择正确答案填空9分1．图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W;当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔通常带正电接A点,红表笔通常带负电接B点,则万用表的指示值为 ;a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W ;2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下测得A的输出电压小;这说明A 的 ;a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V;这说明放大电路的输出电阻为 ;a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW ;三、判断下列管子的工作状态10分1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态饱和、截止、倒置;设所有的三极管和二极管均为硅管;2．电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区饱和区、夹断区、可变电阻区;四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0.7 V,其它参数如图所示;1．求静态工作点IB、IC、UCE；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = 12分五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率;8分六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值;10分七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件;1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf; 10分八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA;1．写出图a中的I0的表达式,并算出具体数值；2．写出图b中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能;9分九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值;设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V;12分模拟试卷三一、填空26分1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种;2．图中二极管为理想器件,V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V;3．三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V,则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管;4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA;图中电压表中流过的电流忽略不计;当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、 ;5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍;6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ ;7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V;一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5.1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V;试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro;12分三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 8分四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V;1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3．若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大 12分五、电路如图所示;1．正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少3．若R1 = 2 kW,求Rf的最小值;12分六、图为一高通有源滤波电路;设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uojw/Uijw 的表达式,并求出截止频率fp;8分七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax; 1．指出这是两个什么类型的电路；2．画出它们的电压传输特性;10分八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V;1．为稳定输出电压uO,正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3．求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少 12分模拟试卷四一、填空20分1．在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V; 2．场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件;3．某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是 N或P沟道增强或耗尽型的结型或绝缘栅场效应管,图中UGS = －2 V称为该管的电压;4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____,上限频率为 ,中频的电压增益为__dB,输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ ;5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压 DUI1 = DUI2,则输出电压 DUo = ;若 DUI1 = +1500 mV,DUI2 = +500 mV,则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ,差模输入信号分别为 DUId1 = ,DUId2 = ,共模输入信号 DUIc = ;6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选至少为 W的功率管两个;二、两级放大电路如图所示,已知三极管 b1 =b2 =50,rbe1 = 1.6 kW,rbe2 = 1.3 kW,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路; 共14分1．试说明V1和V2各组成什么电路组态2．画出中频区的H参数微变等效电路；3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4．计算中频区源电压放大倍数Aus;三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件;10分1．为对运算放大器形成负反馈,应对uI2的极性有何限制2．推导uo与uI1、uI2之间的关系式,指出该电路具有何种运算功能;3．设K = 0.1 V-1,R1 = 10 kW,R2 = 1 kW,uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V,问输出电压uo =四、电路如图所示,设满足深度负反馈条件,电容C1、C2的容抗很小,可以忽略不计;10分1．试判断级间反馈的极性和组态；2．估算其闭环电压放大倍数;五、图示电路为一阶低通有源滤波器;设A为理想运算放大器,试推导该电路的传递函数,并求出通带截止频率fp;8分六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡;如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等,并估算其振荡频率;已知这两个电路中的L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF;10分七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示;已知W7805的输出电压为5 V,IQ = 8 mA,晶体管的 b = 50,|UBE| = 0.7 V,电路的输入电压UI = 16 V,求输出电压Uo是多少伏 6分八、在图示电路中,设运算放大器是理想的,电阻R1 = 33 kW,R2 = 50 kW,R3 = 300 kW,R4 = Rf = 100 kW,电容C = 100 mF;试计算下列各值：1．当uI1 = 1 V时,uo1 =2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V,uI2应为多大设电容两端的初始电压uc = 0;设t = 0时uI1 = 1 V,uI2 = -2 V,uc = 0 V,求t = 10 s时uo = 12分九、OCL电路如图所示,负载电阻RL = 50 kW,设晶体管的饱和管压降可以忽略;10分1．若输入电压有效值Ui = 12 V,求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC；2．如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出,求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC；3．求两管总的最大管耗PCM;模拟试卷五一、填空题20分1．处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ；2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出电阻为___；工作在线性区时,运放两个输入端电压___,称做___；流入输入端的电流为___,称做___;3．如果变压器二次即副边电压的有效值为10 V,桥式整流后不滤波的输出电压为___V,经过电容滤波后为___ V,二极管所承受的最大反向电压为______ V; 4．差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO =___；若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___；共摸电压uIc =____;5．某晶体管的极限参数PCM = 200 mW,ICM = 100 mA,UBRCEO = 30 V,若它的工作电压UCE为10 V,则工作电流不得超过___mA；若工作电流IC = 1 mA,则工作电压不得超过________ V;6．某放大电路的电压增益为80 dB,相当电压放大倍数为______ 倍;7．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是___ ;二、选择题7分1．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在 ;a．开环或正反馈状态 b．深度负反馈状态 c．放大状态 d．线性工作状态2．某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用 ;a．低通滤波器 b．高通滤波器 c．带通滤波器 d．带阻滤波器3．某传感器产生的是电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,电路形式应选 ;a．电流串联负反馈 b．电流并联负反馈 c．电压串联负反馈 d．电压并联负反馈4．与甲类功率放大方式相比,OCL互补对称功放的主要优点是 ;a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真5．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以 ;a．增大放大倍数 b．减小温漂 c．提高输入电阻6．稳压二极管稳压时,其工作在 ,发光二极管发光时,其工作在 ;a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知：VCC = 12 V,RB1 = 120 kW,RB2 = 39 kW,RC = 3.9 kW,RE = 2.1 kW,RL = 3.9 kW,rbb = 200 W,电流放大系数 b = 50,电路中电容容量足够大,要求：1．求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ 设UBEQ = 0.6 V ；2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro ;4．去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri ; 14分四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值;12分五、题图四个中间级电路,假设各电路都设置有合适的静态工作点图中未画出;12分1．指出其级间反馈的极性,若为负反馈说明组态；2．写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式;六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路,请说出每个振荡电路的类型,并判断它们是否都能振荡起来 6分七、题图电路,A1,A2为理想运放;1．说明电路由哪些基本单元电路组成；2．画出u0与u01的电压传输特性曲线；3．设t = 0时,uc0 = 0,u0 = 12 V,现接入uI = -10 V,经过多长时间u0 翻转到 -12 V4．若uI 输入如图所示的矩形波,请画出u01和u0的波形; 14分八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路;已知IQ = 9 mA,电路的输入电压为16 V,求电路的输出电压UO = 5分九、图示电路中,输入信号是正弦电压,V1,V2管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小,VCC = VEE = 15 V,RL = 8 W;1．请说明该功放电路的类型；2．负载上可能得到的最大输出功率；3．每个管子的最大管耗PCM为多少电路的最大效率是多大 10分模拟试卷一答案一、填空16分1．单向导电性;2．正向、反向；正向、正向;3．0.707、3dB、±45°;4．交流串联负反馈、交流电压负反馈;5．0、0、78.5%、交越;6．电压串联负反馈,放大;二、24分1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A三、12分1．V1组成共射放大电路,V2组成共集电极放大电路；2．图略；3．四、10分五、8分电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz六、12分图a：负反馈,交、直流反馈兼有,电压并联组态,；图b：负反馈,交、直流反馈兼有,电压串联组态,;七、10分1．满足相位平衡条件；2．电容三点式正弦波振荡电路；3．八、8分1．U IAV " 24 V;2．故求得100 W ￡ RL ￡ 133 W ;模拟试卷二答案一、填空18分1．直接、变压器;2．-200,共基极,共发射极,共集电极;3．27 V,0.135 A;4．RC串并联、1/3、0°;5．低通,高通,带阻,带通;6．2p,p,大于 p 小于2p;二、9分a、b、c ;三、10分1．V1截止,V2倒置,V3饱和；2．V4工作在饱和区放大区,V5工作在可变电阻区;四、13分1．, , UCE1 = UC - UE = 8.7 V；2．图略；3．,, uo = -548 mV;五、8分fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz , fH = BWG/Auf = 20 kHz ;六、10分a Uo = 0.45 V；b Uo = 0.15 V;七、10分1．a为电压并联负反馈,b为电流串联负反馈；2．八、10分1．IO = U23 / R + IQ " 1 A ；2．UO = U231 + R2 / R1 + IQR2 " 10 V ；3．a 为恒流源电路,b 为可调的稳压电源;九、12分模拟试卷三答案一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、12分1．IB = 18.5 mA,IC = 1.11 mA,UCE = 6.25 V；2．图略；3．,Ri = 1.58 kW, Ro = 4.9 kW;三、8分电压串联负反馈； ;四、12分1．A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电压跟随器；2．A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区；3．uO1 = -10 V,uO2 = 12 V,uO3 = 6 V;五、12分1．A与P、B与N分别相连；2．；3．Rf > 4 kW;六、8分七、10分1．图a为反相迟滞比较器,图b为同相比例运算电路;2．见图：八、12分1．电压串联负反馈；2．, Rf = 90 kW；3．,最大输出时Uom = VCC = AufUim,Uim = 1.5V;模拟试卷四答案一、填空20分1．0.5 V,0.7 V；0.1 V,0.2 V;2．电压,电流;3．P,增强,绝缘栅,开启电压;4．10 Hz,106 Hz,60 dB,-180°;5．0,1 000 mV,500 mV,-500 mV,1 000 mV;6．4 W;二、14分1．V1组成共射电路；V2组成共集电极电路2．图略;3．4． ,Au2 " 1,Au = Au1Au2 " -27.5,;三、10分1．要求uI2 > 0,即为正极性;2．u o = KuI2 uo,且,故得到该电路具有除法运算功能;3．uo = -1 V;四、10分1．电压并联负反馈；2． ;五、8分六、10分图a不能振荡;图b可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路;振荡频率为七、6分答Uo ＝9 V也算正确;八、12分1．u o1 = 3 V；2．令,得uI2 = -1 V；3．;九、10分1．PC = PDC - PO " 32 W ；2．PC = PDC - POmax " 22 W ；3．PCM = 0.4POmax " 31.2 W ;模拟试卷五答案一、填空题20分1．UC > UB > UE ；UB> UC > UE 或UB > UC、UB > UE ;2．∞,∞,0；相等,虚短；零,虚断;3．9 V,12 V,14.1 V;4．0,20 mV,90 mV;5．20 mA；30 V;6．104 ;7．AF = 1,j A + jF = 2np ;二、选择题7分1．a； 2．c； 3．c； 4．c； 5．b； 6．c,a三、14分四、12分U01 = 6 V, U02 = 6 V, U03 = 4 V, U04 = 10 V, U05 = 2 V, U06 = 2 V;五、10分1．a 电压串联负反馈； b 正反馈； c 电流并联负反馈； d 正反馈;2．六、6分a能振荡,为电感三点式；b不能振荡;七、14分1．由积分电路和具有滞回特性的电压比较器组成； 2．传输特性曲线;3．∴ t = 20 mV; 4．波形八、5分九、10分1．OCL；2．；3．PCM = 0.2Pmax = 2.8 W, hmax = 78.5%;。
《模拟电子技术》复习试题10套与答案解析
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A 空穴B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P 沟道增强型MOS 型B P 沟道耗尽型MOS 型C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型 图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R 1.4 U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻等于26 Q。
1. 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（V ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
（X ）1.4分析计算题1.电路如图TL 1所示，设二极管的导通电压仄丽）二，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0= （6—V= Vo（b）令二极管断开，可得5=6 V、U N=10 V, IUU N,所以二极管反向偏压而截止，Uo=10 Vo（c）令1、V,2均断开，U N尸0V、U N2=6V、U P=10V,U P—UQUp—LU,故％优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo= V o2.电路如图TL 2所示，二极管具有理想特性，已知ui=（sin3t）V,试对应画出口、U。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
《电子技术基础模拟部分》习题答案全解2
（2）负载电阻RL上电流的最大值；
（3）最大输出功率Pom和效率η。
图题6.6
解：（1）最大不失真输出电压有效值
（2）负载电流最大值
（3）最大输出功率和效率分别为 ，
6.7在图题6.6所示电路中，R4和R5可起短路保护作用。试问：当输出因故障而短路时，晶体管的最大集电极电流和功耗各为多少？
5.11电路如图5.11所示，双向稳压二极管为理想的，画出传输特性，并说明电路的功能，
图题5.11
解：传输特性如图解5.11所示，电路为一个带有限幅功能的过零比较器。
图解5.11
5.12一个比较器电路如图题5.12所示，UZ＝6V，求门限电压值，画出传输特性。
图题2
解：
传输特性如图解5.12所示。
电感滤波电路输出电压较低，整流二极管导通角较大，冲击电流小，输出特性较平坦，当负载变化时，对输出电压的影响不大。但由于使用电感，体积大，成本高，制作复杂，并且存在较大的电磁干扰，电感滤波电路适用于输出电压较低、负载电流较大、负载变化大的场合。
8.6．如图题8.6所示稳压管稳压电路中，输入电压UI=15V，波动范围±10%，负载变化范围1kΩ~2kΩ，已知稳压管稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=40mA，试确定限流电阻R的取值范围。
（4）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是：
1）都是输出电压大于输入电压；（）
2）都是输出电流大于输入电流；（）
3）都是输出功率大于信号源提供的输入功率。（）
（5）功率放大电路与电压放大电路的区别是：
1）前者比后者电源电压高；（）
2）前者比后者电压放大倍数数值大；（）
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模拟电子技术例题习题ppt课件
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
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项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图1.56 题10图解：11. 为什么场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻要高很多？解：栅、源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻。
12. 图1.57 所示符号各表示哪种沟道JFET？其箭头方向代表什么？图1.57 题12图解：（a）N沟道JFET，（b）P沟道JFET箭头的方向表示PN结正偏的方向，即由P指向N13. 试分别画出N沟道增强型和耗尽型MOS管、P沟道增强型和耗尽型MOS管的电路符号。
解：(a) N沟道增强型MOS管(b) P沟道增强型MOS管(a) N沟道耗尽型MOS管(b) P沟道耗尽型MOS管14. 一个场效应管的转移特性曲线如图1.58所示，试问：(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？(2) 它的夹断电压u P和饱和漏极电流I DSS各是多少？图1.58 题14图解：（1）N沟道JFET（2）u P=-3V，I DSS=3mA15. 图1.59所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。
如果是增强型，说明它的开启电压u T=？如果是耗尽型，说明它的夹断电压u P =？其中i D的参考方向为流进漏极。
图1.59 题15图解：（a）N沟道耗尽型MOS管，u P=-3V。
（b）P沟道耗尽型MOS管，u P=2V。
（c）P沟道增强型MOS管，u T=-4V。
16. 在图1.60所示电路中，已知发光二极管导通电压为1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问：(1) 开关S在什么位置时发光二极管才能发光？(2) R的取值范围是多少？解：（1）开关S闭合时，发光二极管才能发光。
（2）R min=（5-1.5）/15=0.23KΩR max=（5-1.5）/5=0.7KΩR的取值范围是0.23KΩ~0.7KΩ。
17. 已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA，求图1.61所示电路中U o1和U o2各为多少伏。
图1.60 题16图图1.61 题17图解：（a）因为：2×10/(2+0.5)=8V>6V，所以稳压管工作在反向击穿状态，U o1=6V。
（b）因为：2×10/(2+2)=5V<6V，所以稳压管工作在反向截止状态，U o2=5V。
项目二习题参考答案1. 判断下列说法是否正确(在括号中打“√”或“×”)。
(1) 在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。
( √)(2) 在放大电路中，若静态工作点选得过高，则容易产生截止失真。
( ×)(3) 测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( ×)(4) 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
( √)(5) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
( ×)(6) 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
( ×)(7) 既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
( ×)2. 图2.42所示电路能否起正常的放大作用？若不能请加以改正。
(a) (b) (c)图2.42 题2图解：（a）不能；（b）不能；（c）不能改为：3. 判断在图2.43所示的各两级放大电路中，VT1和VT2管分别组成哪种接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
图2.43 题3图解：（a）VT1：共发射极接法，VT2：共集电极接法；（b）VT1共集电极接法，VT2：共发射极接法；（c）VT1：共发射极接法，VT2：共发射极接法；（d）VT1：共源极接法，VT2：共发射极接法。
4. 图 2.44所示为某放大电路及三极管输出特性曲线。
其中V CC=12V，R C=5kΩ，R B=560kΩ，R L=5kΩ，三极管U BE=0.7V。
(1) 用图解法确定静态工作点(I B、I C、U CE)。
(2) 画出直流负载线和交流负载线。
(3) 确定最大输出电压幅值U omax。
图2.44 题4图解：（1）I B =（12-0.7）/560K=0.02mA直流负载线：M (12V, 0)，N (0, V CC /R C =2.4mA)，由下图可读出：I C =1mA ，U CE =7V 。
（2）交流负载线：A (U CE + I C R L '=9.5V ，0)，B (0，I C +U CE / R L '=3.8mA)，如下图所示：（3）取（9.5-7=2.5V ）和（7-0.3=6.7V ）中的最小值，所以U omax =2.5V 。
5. 电路如图2.45所示，其中V CC =12V ，R s =1k Ω，R C =4k Ω，R B =560k Ω，R L =4k Ω，三极管的U BE =0.7V ，β =50。
(1) 画出直流通路，并估算静态工作点I B 、I C 、U CE 。
(2) 画出微变等效电路，并试求A u 、R i 、R o 。
图2.45 题5图解：（1）直流通路：CC BEB B-=V U I R =0.02mA I C =βI B =1mA U CE = V CC － I C R C =8V (2) 微变等效电路：R 'L =R C //R L =2k Ωr be =100+mA)(mV)(26B I =1400ΩA u =-β R 'L / r be =-71 R i ≈ r be =1400Ω R o =R C =4k Ω6. 分压式偏置电路如图2.46所示，已知三极管的U BE =0.7V ，β=60。
(1) 画出直流通路，估算静态工作点I B 、I C 、U CE 。
(2) 画出微变等效电路，求A u 、R i 、R o 。
图2.46 题6图图2.47 题7图解：(1) 直流通路：B U ≈CC B2B1B2B V R R R U +≈=4VC I ≈ EBE BE B E C R U R U U I I ≈-=≈=1.65mA I B = I C /β=0.0275 mA U CE ≈V CC - I C (R C + R E )=7.75V (2) 微变等效电路：R 'L =R C //R L =2k Ω r be =100+mA)(mV)(26B I =1045ΩA u =-β R 'L / r be =-115 R i ≈ r be =1045Ω R o =R C =3k Ω7. 在图2.47所示的电路中，三极管的β =50。
(1) 求静态电流I C 。
(2) 画出微变等效电路，求A u 、R i 、R o 。
解： （1）B U ≈CC B2B1B2B V R R R U +≈=3.7VI C =（U B -U BE ）/ (R f + R E )=2 mA I B = I C /β=0.04 mA （2）微变等效电路：r be =100+mA)(mV)(26B I =750ΩR 'L =R C //R L =2K ΩA u =-β R 'L /[ r be +(1+β) R f ]=-9 R i ≈ R B1// R B2//[ r be +(1+β) R f ] =4.5 K Ω R o =R C =3.3K Ω8. 电路如图2.48所示，其中V CC =12V ，R s =1k Ω，R B =240k Ω，R E =4.7k Ω，R L =4.7k Ω，三极管的U BE =0.7V ，β =50。
(1) 估算静态工作点I B 、I C 、U CE 。
(2) 画出微变等效电路，求A u 、R i 、R o 。
图2.48 题8图图2.49 题9图解：(1) I B = (V CC -0.7) /[R B +(1+β) R E ] =0.024mA I C =βI B =1.2mA U CE ≈V CC - I C R E =6.36V (2) 微变等效电路：r be =100+mA)(mV)(26B I =1183ΩR 'L =R E //R L =2.35K ΩA u =(1+β）R 'L /[ r be +(1+β) R 'L ]=0.99 R i ≈ RB //[ r be +(1+β) R 'L ] = 80.6K Ω R o =[(R S // R B + r be )/( 1+β)]// R E ≈ 0.043Ω9. 设图2.49所示电路所加输入电压为正弦波。