模电-童诗白课后题全解
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第5章 放大电路的频率响应
第5章 放大电路的频率响应习题5.1在图P5.1所示电路中,已知晶体管的'bb r、C μ、C π,i be R r ≈。
填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1)在空载情况下,下限频率的表达式L f ≈(112(//)s b be R R r C π+ )。
当R S 减小时,L f 将( ① );当带上负载电阻后,L f 将( ② )。
(2)在空载情况下,若b-e 间等效电容为'C π,则上限频率的表达式H f ≈('''12[//(//)]b e bb b s r r R R C ππ+ );当R S 为零时,H f 将( ① );当R b 减小时, g m 将( ① ),'C π将( ① ), H f 将( ③ )。
图P 5.1 图P 5.25. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示,试写出uA 的表达式。
解:设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5532 3.210(1)(1)(1)(1)101010ujfA ff f j j j jf --≈≈++++5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出uA 的表达式。
图P5.3 图P5.4解:观察波特图可知,中频电压增益为40dB ,即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率为1Hz 和10Hz ,上限截止频率为250kHz 。
故电路uA 的表达式为: 25510010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010uf A f f f j jf j j jf jf -+==++++++⨯5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问:(1)该电路的耦合方式;(2)该电路由几级放大电路组成;(3)当f =104H Z 时,附加相移为多少?当f =105H Z 时,附加相移又约为多少?(4)该电路的上限频率Hf 为多少?解:(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路;(2)因为在高频段幅频特性为−60dB /十倍频,所以电路为三级放大电路;(3)当f =104Hz 时,'00453135φ=-⨯=-; 当f =105Hz 时,'903270o o φ=-⨯=-。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS 大的特点。
( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确�用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素�可将其改型为P型半导体。
(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子�所以它带负电。
(×)(3)P N结在无光照、无外加电压时�结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管�集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压�才能保证R大的特点。
(√)其G S(6)若耗尽型N沟道M O S管的G S U大于零�则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)P N结加正向电压时�空间电荷区将A。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时�发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G S=0V时�能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
A.结型管B.增强型M O S管C.耗尽型M O S管三、写出图T l.3所示各电路的输出电压值�设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解�U O1=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4=2V,U O5=1.3V,U O6=-2V。
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解:(1)× (2)√ √ (3)√ × (4)× (5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui &&&=,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。
( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第5章
则上限频率的表达 , Cπ 将
'
; 当 Rb 减 小 时 , gm 将
,
1 。①;①。 2 π ( Rs + Rb ∥ rbe ) C1
;①;①,①,③。
( 2)
1 2π [rb'e ∥ (rbb' + Rb ∥ Rs )]Cπ'
第五章题解-5
& 的表达式。 5.2 已 知 某 电 路 的 波 特 图 如 图 P5.2 所 示 , 试 写 出 A u
图 P5.3
解 :观 察 波 特 图 可 知 ,中 频 电 压 增 益 为 40dB ,即 中 频 放 大 倍 数 为 - 1 00 ;
& 的表达式 下 限 截 止 频 率 为 1 Hz 和 10 Hz , 上 限 截 止 频 率 为 250kHz 。 故 电 路 A u
为
第五章题解-6
& = A u
− 100 1 10 f (1 + )(1 + )(1 + j ) jf jf 2.5 × 105 + 10 f 2 f f (1 + jf )(1 + j )(1 + j ) 10 2.5 × 105
或
& = A u
5.4 已 知 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5.4 所 示 , 试 问 : ( 1) 该 电 路 的 耦 合 方 式 ; ( 2) 该 电 路 由 几 级 放 大 电 路 组 成 ; ( 3 )当 f = 10 4 Hz 时 ,附 加 相 移 为 多 少 ? 当 f = 10 5 时 ,附 加 相 移 又 约 为 多 少? 解 :( 1) 因 为 下 限 截 止 频 率 为 0, 所以电路为直接耦合电路; ( 2) 因 为 在 高 频 段 幅 频 特 性 为 - 60dB/ 十 倍 频 , 所 以 电 路 为 三 级 放 大 电 路 ; ( 3 ) 当 f = 10 4 Hz 时 , φ ' = - 135 o ; 当 f = 10 5 Hz 时 , φ ' ≈ - 270 o 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案
模拟电子技术根底第1章 常用半导体器件选择适宜答案填入空内。
(l)在本征半导体中参加( A )元素可形成N 型半导体,参加( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 电路如图P1.2 所示,10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8VV 。
试问: (1)假设将它们串联相接,那么可得到几种稳压值?各为多少? (2)假设将它们并联相接,那么又可得到几种稳压值?各为多少?解:V ;14VVV 。
V ;6V 。
1.6 图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =,最小稳定电流min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。
模拟电子技术基础第四版课后答案_童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时,I C从l mA变为2mA,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案__第3章_多级放大电路
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案__第3章_多级放大电路本页仅作为文档封面,使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March第3章 多级放大电路习题判断图所示各两级放大电路中T 1和T 2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
(a)(b)(c) (d)(e) (f)图解:(a)共射,共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射(d)共集,共基 (e)共源,共集 (f)共基,共集设图所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出u A 、i R 和o R 的表达式。
(a) (b)(c) (d)图解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图所示。
(2)各电路的u A 、i R 和o R 的表达式分别为:(a):[]{}122232311223//(1)(1)(1)be ube be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅+++;11i be R R r =+; 2232//1be o r R R R β+=+(b):123224112322(1)(////)()(1)(////)be u be be be R R r RA r R R r r βββ+=+⋅-++111232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++; 4o R R = (c):1222231122{//[(1)]}[](1)be d ube be dR r r R A r R r r ββββ++=-⋅-+++11i be R R r =+; 3o R R =(d):2846722[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-123//i R R R R =+; 8o R R =(a)(b)(c)(d)解图基本放大电路如图(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。
模电-童诗白课后题全解
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2) 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
(1)S闭合。
(2)
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图
解:(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。
解:由于 ,所以 。
空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故
时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故
电路如图所示,晶体管β=100, =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ;
(2)若改用β=200的晶体管,则Q点如何变化?
(3)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?
ID=(V-UD)/R=,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
(1)两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=~Ω。
(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
RL=∞时; 图
RL=3kΩ时;
输出电阻:
电路如图所示,晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和
模拟电子技术基础(童诗白)课后答案.
模拟电子技术基础第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l (l))在本征半导体中加入(A )元素可形成N 型半导体,加入(C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价(2(2))当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)。
A.增大B.不变C.减小(3(3))工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12uA 增大到22uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为(C )。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将(A )。
A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.P1.22所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.P1.22解图P1.P1.22解:i u 与o u 的波形如解图Pl.Pl.22所示。
1.1.33电路如图P1.P1.33所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.P1.33解图P1.P1.331.1.44电路如图P1.P1.44所示,二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA=−=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω图P1.P1.44故动态电流的有效值:/1di D I U r mA=≈1.1.55现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案
解:(a)将-VCC 改为+VCC。
(b)在+VCC 与基极之间加 Rb。
(c)将 VBB 反接,且在输入端串联一个电阻。
(d)在 VBB 支路加 Rb,在-VCC 与集电极之间加 Rc。
2.2 画出图 P2.2 所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a)
(b)
(c)
(d)
A.83
B.91
C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将( A ) 。
A.增大;
B.不变;
C.减小
1.2 电路如图 P1.2 所示,已知 ui = 10sin ωt (V),试画出 ui 与 uo 的波形。设二极管导通电
压可忽略不计。
图 P1.2
− U CES Rc
= 11.3mA ,
所以 T 处于饱和状态。
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE = 0.2V ,饱和管压降 UCES = 0.1V ;稳压
管 的 稳 定 电 压 UZ = 5V , 正 向 导 通 电压 UD = 0.5V 。 试 问 : 当 uI = 0V 时 uO = ? ; 当
分别求出 RL = ∞ 和 RL = 3kΩ 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom (有效值)。
10
(a)
(b)
图 P2.4
解:空载时: IBQ = 20µ A, ICQ = 2mA,UCEQ = 6V ;
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ,有效值约为 3.75V 。
带载时: IBQ = 20µ A, ICQ = 2mA,UCEQ = 3V ;
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】本页仅作为文档封面,使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
.91 C(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 电路如图 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解:i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示,已知t u iωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少解:二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值各为多少解:(1)串联相接可得4种:;14V ;;。
(2)并联相接可得2种:;6V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
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模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈ U O2=0 U O3≈- U O4≈2V U O5≈ U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C=20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题(1)A C (2)A (3)C (4)A不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。
u i 和u o 的波形如图所示。
u i 和u o 的波形如图所示。
u o 的波形如图所示。
I D =(V -U D )/R =,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
(1)两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。
ttttI ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =~Ω。
(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。
当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。
(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
(1)S 闭合。
(2)。
,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R波形如图所示。
60℃时I CBO ≈32μA 。
选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表当V BB =0时,T 截止,u O =12V 。
当VBB =1V 时,T 处于放大状态。
因为V 9u mA 3 μA 60C CQ O BQ CQ bBEQBB BQ =-====-=R I V I I R U V I CC ,,β当V BB =3V 时,T 处于饱和状态。
因为BE C CQ O BQ CQ bBEQBB BQ mA 8 A μ160U R I V u I I R U V I CC <,,-====-=β取U CES =U BE ,若管子饱和,则管子饱和。
,所以,100 Cb C b C BE CC b BE CC =≥=-=-⋅R R R R R U V R U V βββ当u I =0时,晶体管截止,稳压管击穿,u O =-U Z =-5V 。
当u I =-5V 时,晶体管饱和,u O =。
因为mA24μA 480B Cb BEI B ===-=I I R U u I βCC C C CC EC V R I V U <-=(a )可能 (b )可能 (c )不能 (d )不能,T 会损坏。
(e )可能 根据方程2GS(th)GS DSS D )1(U u I i -=逐点求出确定的u GS 下的i D ,可近似画出转移特性和输出特性。
在输出特性中,将各条曲线上u GD =U GS (off )的点连接起来,便为予夹断线。
过u DS 为某一确定值(如15V )作垂线,读出它与各条输出特性的交点的i D 值;建立i D =f (u GS )坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。
u I =4V 时T 夹断,u I =8V 时T 工作在恒流区,u I =12V 时T 工作在可变电阻区。
(a )可能 (b )不能 (c )不能 (d )可能第2章 基本放大电路自测题一.在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二.试分析图各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图解:图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三.在图 所示电路中,已知12CC V V =, 晶体管β=100,'100b R k =Ω。
填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0iU V =&时,测得0.7BEQ U V =,若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω;而若测得6CEQ U V =,则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时,输出电压有效值'0.6o U V =,则电压放大倍数u A =&( /o iU U - )≈( -120 )。
若负载电阻L R 值与c R 相等,则带上 图负载后输出电压有效值o U =('L o L cR U R R ⋅+ )=( )V 。
四、已知图 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω,静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ,其阻值为3k Ω。
选择一个合适的答案填入空内。
(1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A );(2)当1iU mV =&时,若在不失真的条件下,减小R w ,则输出电压的幅值将( C ); A.减小 B.不变 C.增大(3)在1iU mV =&时,将R w 调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将( B );A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将( B )。
减小 B.c R 减小 C. CC V 减小五、现有直接耦合基本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路它们的电路分别如图 、、 (a)、 和. 9(a)所示;设图中e b R R <,且CQ I 、DQ I 均相等。
选择正确答案填入空内,只需填A 、B 、… …(l)输入电阻最小的电路是( C ),最大的是( D 、E ); (2)输出电阻最小的电路是( B );(3)有电压放大作用的电路是( A 、C 、D );(4)有电流放大作用的电路是( A、B、D、E );(5)高频特性最好的电路是( C );(6)输入电压与输出电压同相的电路是( B、C、E );反相的电路是( A、D )。
六、未画完的场效应管放大电路如图所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常放大。
要求给出两种方案。
解:根据电路接法,可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管,如解图所示。
图解图习题分别改正图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(a) (b)(c) (d)图解:(a)将-V CC改为+V CC。
(b)在+V CC与基极之间加R b。
(c)将V BB反接,且在输入端串联一个电阻。
(d)在V BB支路加R b,在-V CC与集电极之间加R c。
画出图所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b)(c) (d)图解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。
图所示各电路的交流通路如解图所示;(a) (b)(c) (d) 解图分别判断图(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路,并写出u i oQ A R R &、、和的表达式。
解:图 (a): 123(1)CC BEQ BQ V U I R R R β-=+++,CQ BQ I I β=,(1)CEQ CC BQ c U V I R β=-+。
23//ubeR R A r β=-&,1//i be R r R =,23//o R R R = 图(b):[]223123()///(1)BQ CC BEQ R I V U R R R R R β=-+++,CQ BQ I I β=,41CEQ CC CQ EQ U V I R I R =--。
4u be R A r β=&,1//1be i r R R β=+,4o R R =。
电路如图 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时0.7BEQ U V =。
利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U (有效值)。
(a) (b)图解:空载时:20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===; 最大不失真输出电压峰值约为 ,有效值约为 。
带载时:20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===; 最大不失真输出电压峰值约为 ,有效值约为 。
如解图 所示。
解图 图在图所示电路中,已知晶体管的β=80, be r =1kΩ,20iU mV =&,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。