《模拟电子技术基础》课后答案(童诗白,第四版)第1章

（ 1） 若 将 它 们 串 联 相 接 ， 则 可 得 到 几 种 稳 压 值 ？ 各 为 多 少 ？ （ 2） 若 将 它 们 并 联 相 接 ， 则 又 可 得 到 几 种 稳 压 值 ？ 各 为 多 少 ？ 解 ：（ 1） 两 只 稳 压 管 串 联 时 可 得 1 .4V、 6 .7 V、 8 .7 V 和 14V 等 四 种 稳 压 值。 （2）两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。
试问二极管中流过的交流电流有效值
为多少？
解：二极管的直流电流
ID＝ （ V－ UD） /R＝ 2.6mA 其动态电阻
rD≈ UT/ID＝ 10Ω 故动态电流有效值
Id＝ Ui/rD≈ 1mA
图 P1.6
1.7 现 有两只稳 压管，它 们的稳定 电压分别 为 6V 和 8V，正向 导通 电 压 为 0.7V。试问：
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将
。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（2）设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是
。
A. ISeU
B . ISeU UT
C . IS(eU UT－1)
（ 3） 稳 压 管 的 稳 压 区 是 其 工 作 在
。
A. 正向导通
B.反 向 截 止
1.14 已 知 两 只 晶 体 管 的 电 流 放 大 系 数 β 分 别 为 50 和 100，现 测 得 放 大 电 路中这两只管子两个电极的电流如图 P1.14 所示。分别求另一电极的电流， 标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图 P1.14
解 ： 答案如解图 P1.14 所示。
解 图 P1.14
六 、 电 路 如 图 T1.6 所 示 ， VCC＝ 15V， β ＝ 100， UBE＝ 0.7V。 试 问 ： （ 1） Rb＝ 50kΩ 时 ， uO＝ ？ （2）若 T 临界饱和，则 Rb≈？ 解 ：（ 1 ） Rb ＝ 5 0k Ω 时 ， 基 极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为
坏。
1.10 在 图 P1.10 所示电路 中，发光 二极管导 通电压 UD ＝ 1.5V， 正 向 电 流 在 5～ 15mA 时 才 能 正 常 工 作 。 试 问 ：
（1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解 ：（ 1） S 闭 合 。 （2）R 的范围为
C.反 向 击 穿
（ 4） 当 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 ， 发 射 结 电 压 和 集 电 结 电 压 应 为
。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（ 5） UGS＝ 0V 时 ， 能 够 工 作 在 恒 流 区 的 场 效 应 管 有
。
A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
（） （5）结型场效应管外加的栅 -源电压应使栅 -源间的耗尽层承受反 向 电 压 ， 才 能 保 证 其 R GS 大 的 特 点 。（ ） （ 6）若 耗 尽 型 N 沟 道 M OS 管 的 UGS 大 于 零 ，则 其 输 入 电 阻 会 明 显 变 小 。 （） 解 ：（ 1） √ （ 2） × （ 3） √ （ 4 ） × （ 5 ） √ （ 6） ×
解 ：（ 1 ） A （ 2 ） C （ 3 ） C （ 4） B （ 5 ） A C
第一章题解－1
三 、写 出 图 T1.3 所 示 各 电 路 的 输 出 电 压 值 ，设 二 极 管 导 通 电 压 UD＝ 0 .7 V。
图 T1.3
解 ： UO1≈ 1.3V， UO2＝ 0， UO3≈ － 1.3V， UO4≈ 2V， UO5≈ 1.3V， UO6≈ － 2V。
IB
= VBB −U BE Rb
= 26 μ A
I C = β I B = 2.6mA U CE = VCC − I C RC = 2V
所 以 输 出 电 压 UO＝ UCE＝ 2V。 （ 2） 设 临 界 饱 和 时 UCES＝ UBE＝ 0.7V， 所 以
图 T1.6
IC
= VCC
− U CES Rc
1.8 已 知 稳 压 管 的 稳 定 电 压 UZ＝ 6V， 稳 定 电 流 的 最 小 值 IZmin＝ 5mA， 最 大 功 耗 PZM＝ 150mW。 试 求 图 P1.8 所 示电路中电阻 R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流
IZM＝ PZM/UZ＝ 25mA 电 阻 R 的 电 流 为 I ZM ～ I Z mi n ，所 以 其 取值范围为
。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
（3）工 作在放大 区的某三 极管，如 果当 IB 从 12μ A 增 大到 22μ A 时 ，
IC 从 1mA 变 为 2mA， 那 么 它 的 β 约 为
。
A. 83
B. 91
C. 100
（ 4） 当 场 效 应 管 的 漏 极 直 流 电 流 ID 从 2mA 变 为 4mA 时 ， 它 的 低 频 跨
第 一 章 题 解 － 10
1.15 测 得放大电 路中六只 晶体管的 直流电位 如图 P1.15 所 示。在 圆圈 中 画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
表 T1.7
管号 T1
U G S（ t h ）/ V 4
US/V －5
UG/V 1
UD/V 3
工作状态
T2
－4
3
3
10
T3
－4
6
0
5
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS 管。根据 表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表 T1.7 所示。
管号 T1 T2 T3
U G S（ t h ）/ V 4
图 P1.5
解 ： uO 的波形如解图 P1.5 所示。
解 图 P1.5
第一章题解－6
1.6 电 路 如 图 P1 .6 所 示 ，二 极 管 导 通 电 压 UD＝ 0 .7 V，常 温 下 UT≈ 26 mV， 电 容 C 对 交 流 信 号 可 视 为 短 路 ； ui 为 正 弦 波 ， 有 效 值 为 10mV。
四 、 已 知 稳 压 管 的 稳 压 值 UZ＝ 6V， 稳 定 电 流 的 最 小 值 IZmin＝ 5mA。 求 图 T1.4 所 示 电 路 中 UO1 和 UO2 各 为 多 少 伏 。
图 T1.4
解 ： UO1＝ 6V， UO2＝ 5V。
第一章题解－2
五、某晶体管的输出特性曲线如图 T1.5 所示，其集电极最大耗散功率 PCM＝ 200mW， 试 画 出 它 的 过 损 耗 区 。
第一章 常用半导体器件
自测题
一、判 断下列说 法是否正 确，用“√ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。 （1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型 半 导 体 。（ ） （ 2 ） 因 为 N 型 半 导 体 的 多 子 是 自 由 电 子 ， 所 以 它 带 负 电 。（ ） （ 3） PN 结 在 无 光 照 、 无 外 加 电 压 时 ， 结 电 流 为 零 。（ ） （ 4） 处 于 放 大 状 态 的 晶 体 管 ， 集 电 极 电 流 是 多 子 漂 移 运 动 形 成 的 。
－4 －4
解 表 T1.7
US/V －5
UG/V 1
3
3
6
0
UD/V 3 10 5
工作状态 恒流区 截止区
可变电阻区
习
题
1.1 选择合适答案填入空内。
（ 1 ）在 本 征 半 导 体 中 加 入
元 素 可 形 成 N 型 半 导 体 ，加 入
元素
可形成 P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
（ 2） 当 温 度 升 高 时 ， 二 极 管 的 反 向 饱 和 电 流 将
图 P1.4
解 ： 波形如解图 P1.4 所示。
解 图 P1.4 第一章题解－5
1.5 电 路 如 图 P1.5（ a） 所 示 ， 其 输 入 电 压 uI1 和 uI2 的 波 形 如 图 （ b） 所 示 ， 二 极 管 导 通 电 压 UD＝ 0.7V。 试 画 出 输 出 电 压 uO 的 波 形 ， 并 标 出 幅 值 。
图 T1.5
解 图 T1.5
解 ： 根 据 PCM＝ 200mW 可 得 ： UCE＝ 40V 时 IC＝ 5mA， UCE＝ 30V 时 IC ≈ 6.67mA， UCE＝ 20V 时 IC＝ 10mA， UCE＝ 10V 时 IC＝ 20mA， 将 各 点 连 接 成 曲 线，即为 临界过损 耗线，如 解图 T1.5 所示。临界 过损耗线 的左边为 过损 耗 区。
Rmin = (V − U D ) I Dmax ≈ 233Ω Rmax = (V − U D ) I Dmin = 700Ω。
图 P1.10
第一章题解－8
1 .11 电 路 如 图 P1.11（ a）、（ b ） 所 示 ， 稳 压 管 的 稳 定 电 压 UZ＝ 3 V， R 的 取 值 合 适 ， uI 的 波 形 如 图 （ c） 所 示 。 试 分 别 画 出 uO1 和 uO2 的 波 形 。
导 gm 将
。
A.增 大
B.不 变
C.减 小
解 ：（ 1 ） A ， C （ 2 ） A （ 3 ） C （ 4 ） A
第一章题解－4
1.2 能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。