半导体专业名词解释
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
半导体部分名词解释
1.单电子近似：即假设每个电子是周期性排列且在固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期势场。
2.电子共有化运动：电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去。
因而电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
电子的共有化运动只发生在能量相同的壳层，其中最外层电子的公有化运动最显著。
3.电子在晶体内的共有化运动：晶体中电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其它晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子在晶体内的共有化运动。
4.准自由电子：组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子近似，称为准自由电子。
5.本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子。
亦即价带电子激发成为导带电子的过程称为本征激发。
6.有效质量的意义：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。
7.间隙式杂质：杂质原子进入半导体后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置称为间隙式杂质。
通常外来杂质半径臂、比原晶格原子半径小很多。
8.替位式杂质：杂志原子进入半导体后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质。
通常外来杂质半径与原晶格原子半径大小比较相近。
9.杂质电离：电子脱离杂志电子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。
10.施主电离：施主杂质释放电子的过程叫做施主电离。
11.受主电离：空穴挣脱受主杂志束缚的过程称为受主电离。
12.施主杂质：杂质电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
13.n型半导体：通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。
14.受主杂质：杂质在纯净半导体中能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称它们为受主杂质或p型杂质。
15.施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。
半导体专业名词
tapeout 流片fabout 产出半导体英语词汇5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准32. Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。
半导体物理(名词解释)
共有化运动:在半导体中，由于原子之间的相互作用，电子不再局限于某个原子，而是可以在整个晶体中自由运动的现象能带特点：分裂的每一个能带称为允带。
允带间的能量范围称为禁带内层原子受到的束缚强，共有化运动弱，能级分裂小，能带窄，外层原子受束缚弱，共有化运动强，能级分裂明显，能带宽价带是指晶体中最低能量的，能带其中的电子通常被束缚在原子或分子中，不能自由移动导带是指晶体中能量较高的，能带其中的电子可以自由移动并参与导电禁带是指晶体中价带和导带之间的能量区域，其中不存在允许的电子能量状态允带是指晶体中允许电子存在的能量状态所组成的能带本征激发：价带上的电子被激发成为准自由电子，即价带电子激发成为导带电子的过程有效质量体现了晶格周期性势场的影响能带底部的有效质量大于零，能带顶部的有效质量小于零有效质量具有方向性能带宽，有效质量小，能带窄，有效质量大空穴:半导体中，由于电子的运动而形成的空位满带中的电子不导电施主杂质:为半导体材料提供导电电子的杂质受主杂质:为半导体材料提供导电空穴的杂质杂质电离:价电子脱离杂质原子成为自由电子的过程施主能级：被失主杂质束缚的电子的能量状态（多余电子的杂质能级）受主能级:被受主杂质所束缚的空穴的能量状态(多余空穴的杂质能级)N型半导体:依靠导带电子导电的半导体P型半导体:依靠空穴导电的半导体浅能级杂质:施主或受主能级离导带底或价带顶很近,杂质电离能很小深能级杂质:杂质电离能大,施主能级远离导带底,受主能级远离价带顶。
杂质的补偿作用：半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，施主杂质和受主杂质之间有相互抵消的作用ND＞NA，ND-NA为有效施主浓度ND＜NA，NA-ND为有效受主浓度弗伦克尔缺陷:间隙，原子和空位是成对出现的肖特基缺陷:只在晶体内形成空穴而无间隙原子空穴和替位原子都是点缺陷位错是线缺陷状态密度:在能带中能量E附近，每单位能量间隔内的量子态数有效质量大的能带状态密度大费米分布函数f（E）:描述每个量子态被电子占据的几率随E的变化，f（E）＝1/［1+exp（（E-EF）/k0T）］费米能级EF是系统的化学势：指温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级载流子的复合:电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少热平衡状态:在一定的温度下，电子从低能量的量子态跃迁到高能量的量子状态及电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态这两个相反过程之间建立起动态平衡。
半导体技术名词解释题
半导体技术名词解释题1、半导体：半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2、本征半导体：本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。
3、直接带隙半导体：直接带隙半导体是导带底和价带顶在k空间中处于同一位置的半导体。
4、间接带隙半导体：间接带隙半导体材料导带底和价带顶在k空间中处于不同位置。
5、极性半导体：在共价键化合物半导体中，含有离子键成分的半导体为极性半导体。
6、能带、允带、禁带：当N个原子相互靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带。
此时电子不再属于某个原子而是在晶体中做共有化运动，分裂的每个能带都称为允带，允带包含价带和导带两种。
允带间因为没有能级称为禁带。
7、半导体的导带：半导体的导带是由自由电子形成的能量空间。
即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
8、半导体的价带：价带是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。
9、禁带宽度：禁带宽度是指导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。
10、带隙：带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。
11、宽禁带半导体材料：一般把禁带宽度E g≥ 2.3 eV的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。
12、绝缘体的能带结构：绝缘体中导带和价带之间的禁带宽度比较大，价带电子难以激发并跃迁到导带上去，导带成为电子空带，而价带成为电子满带，电子在导带和价带中都不能迁移。
13、杂质能级：杂质能级是指半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态,称为杂质能级。
14、替位式杂质：杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。
15、间隙式杂质：杂质原子进入半导体以后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
16、施主杂质比晶格主体原子多一个价电子的替位式杂质，它们在适当的温度下能够释放多余的价电子，从而在半导体中产生非本征自由电子并使自身电离。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是专门用于描述和解释半导体技术和相关概念的专业词汇。
在描述半导体行业的相关术语时，需要确保清晰度和准确性。
以下是一些常见的半导体行业术语及其解释：1.半导体：半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。
半导体材料通常可以控制电流的流动，是构成电子器件和集成电路的基本元件。
2.集成电路（IC）：集成电路是一种由多个电子元件（如晶体管、电容、电阻等）以及连接器件（如导线、金属线等）组成的电路系统。
集成电路可用于执行各种计算、存储和处理任务。
3.晶体管：晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
晶体管由三层材料组成，其中包括一个控制区域、一个输入区域和一个输出区域。
晶体管被广泛用于电子设备和电路中。
4.功耗：功耗是指半导体器件在正常运行时消耗的电能。
功耗通常以瓦特（W）为单位进行衡量，是半导体行业中一个重要的考虑因素。
5.时钟频率：时钟频率是计量半导体器件工作速度的指标，通常以赫兹（Hz）为单位。
时钟频率越高，半导体器件的数据处理和运行速度越快。
6.互连：互连是指将不同的半导体器件或电子组件连接在一起的过程。
互连通常使用导线、金属线、连接器等来完成。
7.工艺技术：工艺技术是指用于制造半导体器件和集成电路的特定技术过程。
包括一系列的步骤，如沉积、蚀刻、掩膜制备等，用于制造和构建电子器件。
8.掩膜：掩膜是一种用于制造半导体器件的模板。
掩膜通常是由光刻工艺制备的，可以在半导体材料上形成特定的图案和结构，用于制造电子器件的特定组件。
9.封装：封装是将半导体芯片和连接线封装在外壳中的过程。
封装有助于保护芯片和电路，并提供适当的物理连接和支持。
10.微纳加工技术：微纳加工技术是一种用于制造微小尺度结构和器件的技术。
在半导体行业中，微纳加工技术被广泛应用于制造芯片和集成电路，以及其他微小尺度的器件。
以上是一些常见的半导体行业术语及其解释。
了解和熟悉这些术语对于了解半导体技术和行业发展趋势非常重要。
半导体名词解释
第七章突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。
内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。
耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。
耗尽区：空间电荷区的另一种表达。
超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。
势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容。
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。
冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。
单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。
反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。
空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。
空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数。
变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。
第八章雪崩击穿：电子和（或）空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子-空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就成为雪崩击穿。
载流子注入：外加偏压时，pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程。
临界电场：发生击穿时pn结空间电荷区的最大电场强度。
扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。
扩散电导：正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值。
扩散电阻：扩散电导的倒数。
正偏：p区相对于n区加正电压。
此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值。
产生电流：pn结空间电荷区内由于电子-空穴对热产生效应形成的反偏电流。
长二极管：电中性p区与n区的长度大小少子扩散长度的二极管。
复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流。
反向饱和电流：pn结体内的理想反向电流。
短二极管：电中性p区与n区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn结二极管。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体物理学名词解释.
半导体物理学名词解释1.能带：在晶体中可以容纳电子的一系列能2.允带：分裂的每一个能带都称为允带。
3.直接带隙半导体：导带底和价带顶对应的电子波矢相同间接带隙半导体：导带底和价带顶对应的电子波矢不相同4、施主杂质：能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心的杂质，称为施主杂质。
施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。
5、受主杂质：能够能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质。
受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
6、本征半导体：本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。
7、禁带宽度：导带底与价带顶之间的能量差。
8、禁带：（导带底与价带顶之间能带）9、价带：（0K 条件下被电子填充的能量最高的能带）10、导带：（0K 条件下未被电子填充的能量最低的能带）11、迁移率：表示单位场强下电子的平均漂移速度，单位cm^2/(V ·s)。
12、有效质量：的作用。
有效质量表达式为：，速度：13、电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位14、费米分布：大量电子在不同能量量子态上的统计分布。
费米分布函数为：15、漂移运动：载流子在电场作用下的运动。
扩散运动：载流子在浓度梯度下发生的定向运动。
16、本征载流子：就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的。
17、产生：电子和空穴被形成的过程222*dk Ed h m n =E E Fe Ef 011)(-+=直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
复合率：单位时间单位体积内复合的电子-空穴对数。
18、散射：载流子与其它粒子发生弹性或非弹性碰撞，碰撞后载流子的速度的大小和方向发生了改变。
半导体相关的名词解释
半导体相关的名词解释引言在当今高科技时代，半导体技术得到了广泛应用，成为现代社会的重要支柱。
然而，对于普通大众来说，半导体技术可能还比较陌生。
因此，本文将为您解释一些半导体相关的名词，帮助您更好地了解这一领域的知识。
一、半导体半导体是指电阻介于导体与绝缘体之间的物质，其电导率介于导体与绝缘体之间。
它的特殊之处在于，其导电性能可以通过施加外加电场或温度的改变而发生显著变化。
半导体材料常用的有硅（Silicon）和锗（Germanium），其在电子学和光电子学等领域具有广泛的应用。
二、PN结PN结是半导体器件中常见的一种结构，由P型（正型）半导体和N型（负型）半导体结合而成。
P型半导体中的“P”代表的是正电荷载体空穴（holes），而N型半导体中的“N”代表的是负电荷载体电子。
PN结的作用是将半导体划分为两个区域，形成电场和不同的导电性质，常用于二极管和晶体管等电子元件中。
三、二极管二极管是半导体器件中最简单也是最基本的一种。
它由PN结组成，电流在正向偏置（即P端为正，N端为负）时能够被导通，而在反向偏置时则能够阻断电流的流动。
二极管常用于电路中的整流和信号检测等功能。
四、晶体管晶体管是一种三端的半导体器件，由PNP或NPN三层结构组成。
它是电子技术领域的重要基石，被广泛应用于放大、开关、模拟信号处理和数字信号处理等电路中。
晶体管的工作原理是利用电场和电子流控制电流的放大和传输。
五、集成电路集成电路是将大量的晶体管、二极管和其他元件集成在一起的电路。
与传统的离散式电路相比，集成电路具有体积小、功耗低和可靠性高的优点。
它是现代电子设备的核心组成部分，广泛应用于计算机、手机、电视等电子产品中。
六、半导体光电子学半导体光电子学是指将半导体材料应用于光电子技术的领域。
在半导体材料中，电子和空穴之间的能级距离较小，因此半导体具有良好的光电转换特性。
半导体激光器、光电二极管和太阳能电池等都是半导体光电子学领域的重要应用。
半导体行业的名词解释
半导体行业的名词解释半导体行业是当今科技领域中最为重要和繁荣的行业之一。
在日常生活和工业中，我们无时无刻不在接触和使用各种半导体设备和产品。
然而，对于非专业人士来说，半导体行业的术语和名词可能会让人感到迷惑。
在本文中，我将解释一些常见的半导体行业术语，以帮助读者更好地了解这个行业。
1.半导体半导体是指电阻和导体之间导电性能介于两者之间的固态材料。
它具备当外界电压或电流作用时，具有可控电阻特性的独特材料。
半导体的电子行为可以在常温下进行自由转换，这使得半导体成为现代电子器件的基础。
2.集成电路集成电路是在半导体材料上由大量电子器件（如晶体管、电阻器和电容器等）组成的一个整体。
它的功能可以达到现有电子器件总和的几十倍，大大提高了电路的性能和可靠性。
集成电路被广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。
3.芯片芯片是集成电路的核心部件，是将晶圆上千亿级的器件制作于一个微小的硅片上。
它具有超高密度和微小尺寸的特点，可以嵌入各种电子设备中。
芯片的制造过程包括层叠、刻蚀、电镀和切割等工序。
4.硅晶圆硅晶圆是制备芯片的基础材料。
它通常由单晶硅制成，外形呈圆盘状。
硅晶圆的直径越大，可以容纳的芯片数量越多，生产效率也就越高。
制备硅晶圆需要经过多道工艺，如涂胶、曝光和腐蚀等。
5.光刻光刻是制备芯片的关键工艺之一。
它使用特殊的掩膜和紫外光源，将芯片上设计好的电路图案复制到硅晶圆上。
通过多次光刻步骤，可以形成电路的不同层次和结构。
光刻技术的高分辨率和精度对芯片性能起着至关重要的作用。
6.掩膜在光刻过程中，掩膜是用来遮挡或传递光线的透明薄膜。
它是按照芯片上的电路图案制作和定制的。
通过逐层堆叠和对位，掩膜可以准确地传递电路图案，并起到保护和光刻目的。
7.晶体管晶体管是半导体行业中最为重要的器件之一。
它是一种控制电流流动的装置，可以将输入信号转换为输出信号。
晶体管在计算机、通信和消费电子等领域中广泛应用，如微处理器、放大器和开关等。
半导体物理名词解释
1、离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。
共价晶体：由共价键结合形成的晶体。
2、布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。
把基元看作是一个几何点，按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵。
3、原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。
4、施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。
受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。
5、量子态密度：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度。
状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。
有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。
6、深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。
将其引入半导体中，形成一个或多个能级。
该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。
浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。
在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。
7、空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。
8、有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。
有效质量表达式为：9、理想半导体：晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，纯净不含杂质的，晶格结构是完整的。
实际半导体：原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动，含有若干杂质，存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
10、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。
间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
11、复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
非平衡载流子的复合率（净复合率）：产生率：单位时间单位体积内所产生的电子-空穴对数。
半导体物理名词解释
(1)晶态:固体材料中的原子有规律的周期性排列,或称为长程有序。
(2)非晶态:固体材料中的原子不是长程有序地排列,但在几个原子的范围内保持着有序性,或称为短程有序。
(3)准晶态:介于晶态和非晶态之间的固体材料,其特点是原子有序排列,但不具有平移周期性。
(4)单晶:原子呈周期性排列的晶体。
(5)多晶:由许多取向不同的单晶体颗粒无规则堆积而成的固体材料。
(6)原子价键:主要的原子价键有共价键、离子键、π键和金属键。
(7)共价键与非极性共价键:共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相反的电子对电子云重叠)与原子核间的静电作用形成的,成键的条件是成键原子得失电子的能力相或是差别较小,或者是成键原子一方有孤对电子(配位体),另一方有空轨道(中心离如果相邻原子吸引电子的能力是一样的,则共用电子对不会发生偏移,这样的共价就是非极性共价键。
共价键的数目遵从8-N原则(8)空穴:光激发或热激发等激发因素会使原子键断裂而释放出电子,在断键处少掉1个电子,等效于留下一个带(+q)电量的正电荷在键电子原来所在的位置,这就是空穴（9）半导体的载流子:有两种载流子,带负电的电子和带正电的空穴。
（10)基态:在0K下,半导体中的电子空穴对产生之前的固体所处的状态。
（11）激发态:电子空穴对产生之后的固体所处的状态（12）光激发:光照产生电子空穴对的过程。
(1)量子:热辐射的粒子形态。
(2)德布罗意波长:普朗克常量与粒子的动量p的比值。
(3)海森伯堡测不准原理:对于同一粒子,不可能同时确定其坐标和动量。
(4)量子化能级:束缚态粒子的分立的能级。
(5)波粒二象性:微观粒子有时表现为波动形态,而电磁波有时表现为粒子形态。
(6)光生载流子:光照产生的载流子。
(7)热生载流子:热激发产生的载流子(8)半导体能带结构:分为E-k图和E-x图。
(9)导带:价带上能量最低的允带(10)价带:价电子所在的允带。
(11)禁带:导带底与价带顶之间的能量区域(12)禁带宽度:导带底与价带顶之间的能量差。
半导体名词解释
5.所谓的um 的工艺能力（technology）代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到um 的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6.从>>>> 的technology 改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7.一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N,P两种类型（type ），何谓N, P-type wafer?答：N-type wafer是指掺杂negative 元素（5价电荷元素，例如：P、As）的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive 元素（3价电荷元素,例如：B、In）的硅片。
8.工厂中硅片（wafer ）的制造过程可分哪几个工艺过程（module）？答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF（薄膜）、PHOTO光刻）、ETCH（刻蚀）。
其中DIFF又包括FURNACES管）、WET湿刻）、IMP（离子注入）、RTP快速热处理）。
TF包括PVD物理气相淀积）、CVD化学气相淀积）、CMP化学机械研磨）。
硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。
9.一般硅片的制造常以几P 几M 及光罩层数（mask layer）来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数（mask layer）代表什幺意义？答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly（多晶硅）和几层的metal（金属导线）. 一般的逻辑产品为1P6M（ 1层的Poly 和6层的metal）。
而光罩层数（mask layer ）代表硅片的制造必需经过几次的PHOT Q光刻）.10.Wafer 下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。
半导体物理学名词解释
半导体物理学名词解释1、直接复合：电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。
2、间接复合：指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。
3、俄歇复合：载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回到低能级时，多余的能量常以声子的形式放出，这种复合称为俄歇复合，显然这是一种非辐射复合。
4、施主杂质：V族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
5、受主杂质：Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负点中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。
6、多数载流子：半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
在N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
7、能谷间散射：8、本征半导体：本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。
9、准费米能级：半导体中的非平衡载流子，可以认为它们都处于准平衡状态（即导带所有的电子和价带所有的空穴分别处于准平衡状态）。
对于处于准平衡状态的非平衡载流子，可以近似地引入与Fermi能级相类似的物理量——准Fermi能级来分析其统计分布；当然，采用准Fermi能级这个概念，是一种近似，但确是一种较好的近似。
基于这种近似，对于导带中的非平衡电子，即可引入电子的准Fermi能级；对于价带中的非平衡空穴，即可引入空穴的准Fermi能级。
10、禁带：能带结构中能态密度为零的能量区间。
11、价带：半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
12、导带：导带是自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
13、束缚激子：等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一中心由于库仑作用又能俘获另一种带电符号相反的载流子从而成为定域激子，称为束缚激子。
14、浅能级杂质：在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子（电子或空穴）的施主、受主杂质，它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其为浅能级杂质。
半导体常用术语
半导体常用术语1. PN结：两种不同材料的半导体晶体形成的界面，其中一侧为正电荷载体（P区），另一侧为负电荷载体（N区）。
2. 栅极：在MOSFET器件中，用于控制电流和开关的电极。
3. 基极：在双极型晶体管中，用于控制电流和放大信号的电极。
4. 门极：在MOSFET器件中，类似于基极的功能，用于控制电流和信号。
5. 整流器：将交流电转换为直流电的电子器件。
6. 极化：在半导体器件中，通过施加电压或电流来改变材料的电特性。
7. 导电性：半导体材料具有可变的电导率，可以是n型（负载体）或p型（正载体）。
8. 掺杂：在半导体材料中添加杂质以改变其电导率或电特性。
9. 流明：用于衡量光通量的单位，表示单位面积上通过的光的总量。
10. 电子迁移率：表示材料中电子在电场中移动的能力，是衡量材料导电性能的指标。
11. 集成电路：将多个电子元件集成到一个芯片上的电路。
12. 噪声：随机电信号中的不规则波动，对电子设备和电路性能产生不利影响。
13. 功耗：电子器件或电路从电源耗电的功率。
14. 延迟：在电子器件或电路中，信号传播的时间延迟。
15. 反向偏置：对PN结施加电场，使电流不流过结的过程。
16. 正向偏置：对PN结施加电场，使电流流过结的过程。
17. 散射：电子或光子在材料中碰撞并改变方向或能量的过程。
18. 热传导：通过材料中原子或分子之间的振动转移热量的机制。
19. 量子效应：在纳米尺度下，量子力学效应对材料电子行为的影响。
20. 功能集成：将多个不同功能的电子元件或系统集成到一个芯片上的过程。
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ADT applied diagnostic technique
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BGA ball grid array
BHT Brinell hardness test
ATDF Advanced ToolDevelopment Facility
ATE automatic test equipment
ATG automatic test generation
ATLAS abbreviated test language for all systems
BAW bulk acoustic wave
BC bias contrast
BDEV behavior-level deviation
BDS Brownian Dynamics Simulation
Be beryllium
BEOL back end of line
BESOI bonded and etchback silicon on insulator
ARPA Advanced Research Projects Agency (see DARPA)
ARS angle-resolved scattering
As arsenic
AS/RS automated storage and retrieval system
ASAP Advanced Stepper Application Program
BPSG boron phosphosilicate glass
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Br bromine
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===C===
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CAB Competitive Analysis Benchmarking
CAD computer-aided design
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CAE computer-aided engineering
CAI computer-assisted instruction
CAM computer-aided manufacturing
APCFI Advanced Process Control Framework Initiative
APCVD atmospheric pressure chemical vapor deposition
APEC advanced process equipment control
API application programming interface; atmospheric pressure ionization
AE atomic emission; acousticemission; absolute ellipsometry
AEC advanced equipment controller
AECS Advanced Equipment ControlSystem; Automated Equipment Control System
ANOVA analysis of variance
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APA advanced performance algorithm
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APCD add-on pollution control device
CAT computer-aided testing
CAW Construction Analysis Workgroup
CAWC cryogenic aerosol wafer cleaning
CBGA ceramic ball grid array
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