第六章 脱溶沉淀及时效

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2、固溶处理和时效参数对材料性能的影响
在不发生过烧或过热的前提下,提高固溶处理 温度可以加速时效过程。
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3、固溶处理规程的选择
1)固溶处理温度可在T1T2之间选择。 2)固溶处理温度越高,保温时间越短。 3)合金冷却速度须大于临界速度Vc。
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3、脱溶过程中显微组织变化序列
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第四节 脱溶沉淀过程动力学
1、脱溶沉淀等温动力学图的特点
1)存在孕育期; 2)亚稳相的数目与过饱 合度及温度有关。过饱和 度高、过冷度大,则亚稳 相的数目多。 3)孕育期的长短也取决 与母相的过饱和度。高 温时母相过饱和度小,则 孕育期长。
调幅分解是固溶体分解的一种特殊形式。调幅 分解的产物只有溶质的富化区和贫化区,且二 者之间没有清晰的相界面。
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1、调幅分解的热力学条件
发生增幅分解的热力学条件: 合金成分必须位于自由能− 成分曲线的两个拐点之间。
Co Ca + Cb
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4、时效规程的选择
合金经固溶处理后,可在等温时效(单级时 效)、多级时效、回归再时效、形变时效等工 艺中选择。
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5、主要合金的固溶处理—时效规程
选择铝合金固溶时效加热温度的原则是 1)防止过烧; 2)使强化相最大限度地溶入固溶体。
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产生调幅分解的合金必 须具有均匀固溶体分解 为两相固溶体的状态图, 且这两相固溶体具有相 同的晶体结构,成分−自 由能曲线是连续的。 除此之外,发生调幅分 解的另一个条件是合金 中可以进行扩散。
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2、调幅分解过程
调幅分解过程中,富B元素的区域进一步富化,贫B元 素区域进一步贫化,两区域间没有明显分界线; 上坡扩散。
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第六节 调幅分解
在具有固溶度间隔和拐点曲线的合金体系中, 通过上坡扩散,不经形核,按扩散−偏聚机制转 变,进行溶质原子的聚集,由单相固溶体自发、 连续地分解成结构与原固溶体相同但成分有明 显差别的亚稳共格固溶体的转变,称为调幅分 解,又称为增幅分解、拐点分解等。
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2、脱溶沉淀过程
以Al-Cu合金为例,平衡脱溶相为Al2Cu ( ) 1)G.P. 区的形成 溶质原子偏聚区,与母相共格。
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2)的形成 G.P. 区沿直径和厚度方向长大 形成相。正方点阵,与母相保 持共格。
3、脱溶相的粗化
脱溶相形核后,溶质原子的聚集使得脱溶相不 断长大。进一步的长大是通过大质点长大、小质 点消失的方式进行,称为奥斯特华德熟化 (Ostwald ripening)。
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Al2CuMg Al2CuMg
Al2CuMg
Al
Al
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不连续脱溶和连续脱溶相比,除界面浓度变化 之外,还存在三点区别:
1)不连续脱溶伴生再结晶,而连续脱溶则没有。
2)不连续脱溶的脱溶物集中在晶界上,至少析 出的初期如此,并形成胞状物。而连续脱溶析 出相则分散于晶粒内部,且分布较均匀。
3)不连续脱溶属于短程扩散,而连续脱溶则属 于长程扩散。
3)的形成 时效温度进一步提高将形成相,不均匀形核, 薄片状,正方点阵,与母相保持部分共格。
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4)的形成 一般认为,由长大而成。相也具有正方点 阵,与母相非共格。平衡相形成后合金硬度下降。
其他时效硬化合金与Al-Cu合金类似,出现中 间过渡相,但不一定有四个阶段。
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绕 = 2Gb/L
G: 切变模量; b: 柏氏矢量;L: 相邻析出相颗粒间距。
绕过机制使得合金强化的增量大致为:
绕 f ½ r −1
1)相邻析出相颗粒间距越小,则强化效应越大; 2)当颗粒体积分数一定时,脱溶相颗粒半径越 小,则强化效应越显著,并按 r−1变化; 3)当脱溶相半径一定时,其体积分数越大,则 强化效应越高,并按 f ½变化。
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脱溶或沉淀:从过饱和固溶体中析出沉淀相或形 成溶质原子聚集区以及亚稳定过渡相的过程。 是一种扩散型相变。弥散新相的沉淀将使合金的 硬度升高,称为沉淀硬化。
时效处理:合金经固溶处理后在室温或高于室温 的适当温度保温,以达到沉淀硬化目的的热处理 工艺,称为时效。分为自然时效和人工时效。
2)切过颗粒强化 当析出相位于位错的滑移面上,且析出相比 较软时,位错线就可切过析出相而通过。
切 f 1/2−1/6 r1/2
f: 脱溶相颗粒的体积分数;r: 脱溶相半径。
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3)绕过析出相强化(奥罗万机制) 当析出相位于位错的滑移面上,且析出相很 硬时,位错线无法切过析出相。
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第二节 脱溶沉淀热力学及 脱溶沉淀过程
1、脱溶沉淀热力学
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实际的过饱和固溶体脱溶,并不直接析出平衡 相,而使先形成溶质原子偏聚区(G.P.区)、过渡 相、最后形成平衡脱溶沉淀相。 过饱和固溶体 偏聚区(G.P.区) 过渡相(亚 稳相) 平衡脱溶沉淀相。
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2、等温脱溶沉淀动力学图的影响因素
1)晶体缺陷影响 空位多,则脱溶沉淀的速度快。晶界、位错 等具有与空位相似的作用。 不同缺陷对不同脱溶沉淀相的影响不同。空 位促进G.P.区的形成;位错促进相的形成。 2)合金成分的影响 合金熔点低,则脱溶沉淀速度快;熔点高, 则脱溶沉淀速度慢。 溶质原子与溶剂原子的性能差别大,则沉淀 速度快,过饱和度大,沉淀速度快。 Yuxi Chen
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3、回归现象
若把经过低温时效硬化的合金放在固溶处理温 度之下比较高的温度下短期加热并迅速冷却, 时效硬化现象会立即消除,硬度基本恢复到固 溶处理状态,称为回归。
产生原因:通过时效形成的G.P.区在加热到稍高 于G.P.区固溶度曲线温度时,G.P.区会溶解,因 而导致硬化现象消失。而过渡相和平衡相则由 于保温时间短来不及析出。
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不连续脱溶机制:
过饱和固溶体中,溶质原子首先在晶界处偏聚, 接着以质点形式脱溶析出相,并将部分晶界固 定,随后相呈片状 长入与其无位向关系的母 相基体中。片状的两侧 出现溶质原子贫化区(1) 相,而在1相外侧,沿母 相晶界又可形成新的相。
第三节 脱溶沉淀后的显微组织
1、连续脱溶的显微组织
普遍脱溶:整个固溶体中普遍地发生脱溶并析出 均匀分布的脱溶沉淀相,而与晶界、位错线等无 关。一般会对合金性能产生较好的影响。
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局部脱溶:普遍脱溶前,较早地从晶界、亚晶界、 滑移面、位错线、夹杂物界面及其它晶体缺陷处 优先形核,使该处较早地出现脱溶相质点的脱溶。 是一种不均匀形核。
第六章 脱溶沉淀及时效
概述 脱溶沉淀热力学及脱溶沉淀过程 脱溶沉淀后的显微组织 脱溶沉淀过程动力学 脱溶沉淀时性能的变化 调幅分解 固溶处理及时效工艺
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第一节 概述
固溶:合金在加热时,其过剩相可以溶解到固 溶体基体中,称为固溶。 固溶处理:将合金加热至 适当温度并保温,使过剩 相充分溶解,然后快速冷 却以获得过饱和固溶体的 热处理工艺。
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具有脱溶沉淀转变的条件:合金在平衡相图上 有固溶度的变化,且固溶度随温度降低而减少。
可分为连续脱溶与不连续脱溶: 连续脱溶:脱溶时,随新相的形成,母相成分 连续地、平缓地有过饱和转变为饱和状态。 不连续脱溶:脱溶相一旦形成,则其周围一定 距离内的固溶体立即由过饱和达到饱和状态, 并与原始成分的固溶体形成截然的分界面。
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3、调幅分解组织与性能
固溶体按扩散—偏聚机制分解时,脱溶相与基体 始终保持共格关系,因为新相与母相仅在化学成 分上有差异,而晶体结构是相同的。
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调幅分解时,成分按正弦规律变化,故调幅分 解组织具有规律性。溶质原子与溶剂原子半径 存在差异,为维持共格,降低弹性能,析出相 总是沿着弹性应变阻力小的晶向进行,形成定 向排列的特征。 调幅分解组织的方向性易受应力场和磁场的影 响,利用这点可以调整调幅分解的组织结构。
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第七节 固溶处理及时效工艺
1、合金固溶处理后性能的变化
合金固溶处理后性能的变化与相成分、合金原 始组织、固溶处理状态组织特征、固溶处理条 件、预先热处理等一系列因素有关。
与铸态相比,铸造合金固溶处理后强度与塑性 均提高。
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2、不连续脱溶的显微组织
不连续脱溶的显微组织类似珠光体,固溶体的 浓度分布类似双相分解 o 1 + 。其中为 原始相;平衡脱溶相;1胞状脱溶区的相。
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不连续脱溶的显微组织特征是脱溶相沿晶界不 均匀形核,脱溶相与周围基体两相耦合成长, 逐步向晶内扩展,在晶界附近形成界限明显的 脱溶组织区域,称为胞状或瘤状物。胞状物一 般由两相组成,一为平衡脱溶相;另一相为基 体,系贫化的固溶体。 不连续脱溶时,脱溶胞与基体间是非共格的大 角度晶界;脱溶胞内的和片都与原始基体 形成非共格界面。
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无沉淀带:某些铝基、钛基、铁基、镍基等时效 型合金在晶界处的局部脱溶往往在紧靠晶界附近 形成一条无沉淀带。
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目前有两种机制解释无沉淀带的产生:贫溶质机 制和贫空位机制。 1)贫溶质机制:晶界处脱溶较快,较早地析出 脱溶相,因而吸收了附近的溶质原子,使周围基 体溶质原子贫乏而无法析出脱溶相,造成无沉淀 带。 2)贫空位机制:无析出带的成因,是因为该区 域内的空位密度低,使溶质原子的扩散变得困难, 因此使G.P.区及亚稳中间相等均难以析出。空位 密度低是因为固溶处理冷却时靠近晶界的空位扩 散到晶界而消失。
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时效时硬度发生变化的原因: 1)固溶体的贫化; 2)基体的回复与再结晶; 3)脱溶沉淀相的析出。
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2、时效硬化机制
1)内应变强化 脱溶沉淀相或溶质原子与母相金属之间存在 一定错配度时,便产生了应力场,阻碍位错运 动。
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3)温度的影响 温度高,原子活动能力大,则脱溶沉淀速度 快;但温度高时,过饱和度及自由能差减小, 又会导致脱溶沉淀速度减慢。
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第五节 脱溶沉淀时性能的变化
1、冷时效与温时效
冷时效:较低温度下进行的时
峰时效 过时效
效,其硬度曲线变化的特点是硬 欠时效 度一开始迅速上升,达到一定值 后硬度缓慢上升或者基本保持不 变。一般Al合金或Cu合金冷时效 只形成G.P.区。 温时效:在较高温度下进行的时效,其硬度曲线变化 的特点是,在初期有一孕育期,以后硬度迅速升高, 达到一极大值后,硬度又随时间延长而下降。一般认 为温时效析出的是过渡相与平衡相。 23 Yuxi Chen
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