高电压复习总结
高电压技术概念总结
高电压技术概念总结篇一：高电压技术重点知识整理1.电介质的极化：1.）电子位移极化电介质中的带点质点在电场作用下沿电场方向做有限位移，无能量损耗2.）离子位移极化有极微量的能量损耗3.）转向极化4.）空间电荷极化2.电介质的介电常数代表电介质极化程度（气体d=1水d=81蓖麻油d=4.2）3.电介质的电导与金属电导的区别：1.）形成电导电流的带电粒子不同（金属导体：自由电子，电介质：离子）2.）带电粒子数量上的区别4.影响液体介质电导的因素：温度，电场强度。
5.电介质中的能量损耗：P?pV?E2??tg?V?U2?ctg?6.tgδ：介质损耗角，绝缘在交变电压作用下比损耗大小的特征参数7.四种形式电离的产生：撞击电离光电离热电离表面电离8.气体中带电质点的消失：1.）带电质点收电场力的作用流入电极并中和电量2.）带电质点的扩散3.）带电质点的复合9.自持放电：当场强超过临界场强Ecr值时，这种电子崩已可仅由电场的作用而自行维持和发展，不必再有赖于电离因素，这种性质的放电称为自持放电。
10.汤森德理论只是对较均匀电场和??S较小的情况下适用。
11.物理意义：一个电子从阴极到阳极途中因为电子崩（ɑ过程）而造成的正离子数为e这批正离子在阴极上造成的二次自由电子数（r过程）应为：r(e味着那个初始电子有了一个后继电子从而使放电得以自持。
12.帕邢定律：在均匀电场中，击穿电压Ub与气体相对密度?，极间距离S并不具有单独的函数关系，而是仅与他们的积有函数关系，只要??S的乘积不变，Ub 也就不变。
13.流柱放电流程：有效电子（经碰撞游离）——电子崩（畸变电场）——发射光子（在强电场作用下）——产生新的电子崩（二次崩）——形成混质通道（流柱）——由阳极向阴极（阳极流柱）或由阴极向阳极（阴极流柱）击穿14.电晕放电：电晕放电是极不均匀电场所特有的一种自持放电形式，他与其他形式的放电有本质的区别，电晕放电的电流强度并不取决于电源电路中的阻抗，而取决于电极外气体空间的电导，即取决于外施电压的大小，电极形状，极间距离，气体的性质和密度等。
高电压知识总结(简明版)
1、局部放电：在极不均匀电场中，在间隙击穿之前，只在局部场强很强的地方放电，但在整个间隙并未发生击穿，这种放电称为局部放电2、沿面放电：在气体介质和固体介质的交界面上沿着固体介质表面而发生在气体介质中的放电，称为沿面放电。
当沿面放电发展到使整个极间发生沿面击穿时称为沿面闪烁。
3、吸附效应：某些气体的中性分子或原子对电子具有较强的亲合力，当电子与其碰撞时，便吸附其上形成负离子，同时放出能量，这种现象称为吸附效应。
4、自持放电：不依靠外界电离因素，仅由电场作用维持放电的过程，这种过程称为自持放电。
5、极性效应：对于电极形状不对称的棒板间隙，击穿电压与棒的极性有很大的关系，即极性效应，极性效应是不对称的不均匀电场中的一个明显的特性。
6、电击穿：电击穿是指仅仅由于电场的作用而直接造成固体绝缘击穿的现象。
7、“小桥理论”：杂质、气泡在电场作用下，在电极之间形成小桥，击穿沿着小桥发生。
8、电子崩：是指电子在电场作用下从阴极奔向阳极的过程中与中性分碰撞发生电离，电离的结果产生出新的电子，新的电子又与初始电子仪器继续参与碰撞电离，使电离电子剧增犹于高山雪崩。
9、电晕放电：电晕放电是极不均匀电场中特有的一种自持放电形式10、吸收现象：直流电压Ｕ加在固体电介质时，通过介质中的电流将随时间而衰减最终达到某一稳态值，这种现象称为吸收现象。
11、临界波头时间：在气隙的５０％操作冲击电压Ｕ５０％与波前时间Ｔｃｒ的关系曲线中，存在最不利的波前时间Ｔｃ，称为临界波前时间。
（此时击穿电压最小）12、绝缘老化：电介质在电场的长时间作用下，会逐渐发生某些物理化学变化，从而使物理、化学性能产生不可逆转的劣化，导致电介质的电气及机械强度下降，介质损耗及电导增大等，这一现象称为绝缘老化。
13、滑闪放电：当电压超过某一临界值后，放电的性质发生变化，个别火花细线则会突然迅速伸长，转变为分叉的树状明亮火花通道在不同的位置上交替出现，称为滑闪放电。
高电压技术复习
高电压技术复习《高电压技术》复习一.气体的绝缘强度了解气体放电的一般现象和概念；理解持续电压作用下均匀电场气体放电理论、不均匀电场中的气体放电特性；理解冲击电压下的气体放电特性；了解大气条件对气隙击穿电压的影响，掌握提高气隙击穿电压的具体措施。
1.基本概念自持放电:不需其它任何外加电离因素而仅由电场的作用就能维持的放电称为自持放电。
非自持放电:必须借助外加电离因素才能维持的放电则称之为非自持放电。
电晕放电:当所加电压达到某一临界值时，在靠近两个球极的表面出现蓝紫色的晕头，并发出“咝咝”的响声，这种局部放电现象称为电晕放电。
极性效应：在极不均匀电场中，高场强电极的不同，空间电荷的极性也不同，对放电发展的影响也不同，这就造成了不同极性的高场强电极的电晕起始电压的不同，以及间隙击穿电压的不同，称为极性效应。
50%冲击击穿电压（U50%）：用间隙击穿概率为50％的电压值来反映间隙的耐受冲击电压的特性。
汤逊放电理论和流柱理论的异同以及各自的适用范围：汤逊放电理论：当外施电压足够高时，一个电子从阴极出发向阳极运动，由于碰撞游离形成电子崩，则到达阳极并进入阳极的电子数为ea个(α为一个电子在电场作用下移动单位行程所发生的碰撞游离数；为间隙距离)。
因碰撞游离而产生的新的电子数或正离子数为(ea-1)个。
这些正离子在电场作用下向阴极运动，并撞击阴极．若1个正离子撞击阴极能从阴极表面释放r个(r为正离子的表面游离系数)有效电子，则(ea-1)个正离子撞击阴极表面时，至少能从阴极表面释放出一个有效电子，以弥补原来那个产生电子崩并进入阳极的电子，则放电达到自持放电。
即汤逊理论的自持放电条件可表达为r(ea-1)=1。
它的适用范围：汤逊理论是在低气压、Pd较小的条件下在放电实验的基础上建立的。
Pd过小或过大，放电机理将出现变化，汤逊理论就不再适用了。
通常认为，Pd>200cm·mmHg时，击穿过程将发生变化，汤逊理论的计算结果不再适用，但其碰撞电离的基本原理仍是普遍有效的。
高电压技术_自考复习重点总结
第二章液体和固体电介质的绝缘特性电子式极化:电介质中的带电质点在电场作用下沿电场方向作有限位移。
夹层式极化：由两层或多层不同材料组成的不均匀电介质，叫做夹层电介质。
电介质的电导:介质在电场作用下,使其内部联系较弱的带电粒子作有规律的运动形成电流，即泄漏电流.这种物理现象称为电导。
“吸收现象”:固体电介质在直流电压作用下，观察到电路中的电流从大到小随时间衰减,最终稳定于某一数值,称为“吸收现象”。
吸收电流:有损极化所对应的电流，即夹层极化和偶极子极化时的电流，它随时间而衰减。
泄漏电流:绝缘介质中少量离子定向移动所形成的电导电流,它不随时间而变化.绝缘电阻:介质的电阻R=U/I是随时间而变化的。
通常以到达稳定的泄漏电流的电阻作为介质的绝缘电阻。
介质损耗角正切tgδ衡量材料本身在电场损耗能量并转变为热能的一个宏观的物理参数称之为介质损耗角正切。
绝缘的老化：固体和液体介质在长期运行过程中会发生一些物理和化学变化，导致其机械和电气性能的劣化。
1、提高液体电介质击穿电压的措施（1）过滤（2）防潮（3）脱气（4）覆盖层（5）绝缘层（6）屏障2、2.固体电介质的击穿影响因素(1).电压作用时间(2).电场均匀程度与介质厚度(3).电压种类(4).电压作用的累积效应(5).受潮3、提高固体电介质击穿电压的措施(1).改进制造工艺:尽可能清除介质中的杂质,可以通过精选材料、改善工艺、真空干燥、加强浸渍等方法。
(2).改进绝缘设计:尽可能使电场均匀(3).改善运行条件:注意防潮、尘污，加强散热冷却4、电介质绝缘老化的原因(1)局部放电老化 (2)热老化 (3)机械力的作用 (4)环境的影响5、为什么用介质损耗角的正切tgδ来表示介损答：由于:(1).P值与试验电压U的高低等因素有关;(2).tgδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量，而仅取决于电介质的损耗特性。
(3)tgδ可以用高压电桥等仪器直接测量.所以表征介损用介质损失角的正切tgδ来表示，而不是用有功损耗P来表示.第3章电气设备绝缘试验耐压试验(破坏性试验):试验所加电压等价于或高于设备运行中可能受到的各种电压.1、西林电桥测量时的两种接线正接线适用：体积小，重量轻反接线适用：体积大，重量大，外壳接地2、西林电桥测量时防止外界电磁场对电桥的干扰措施有哪些？（1）加设屏蔽(消除电容的影响) （2）采用移相电源（3）倒相法3、西林电桥测量时注意事项有哪些(1)电桥本体必须加以屏蔽(2)被试品和标准无损电容器连到电桥本体的引线也要使用屏蔽导线(3)电桥本体接地良好(4)反接法时,三根引线处于高压,必须悬空(5)能分开测的试品尽量分开测(6)应保持试品表面干燥(7)试品设备有绕阻时,应首尾短接起来试验变压器得特点电压等级比电力变压器更高、容量不大，仅单相；工作在电容性负荷下；允许发生短时短路；工作时间短；漏磁通较大；温度比较低、无散热要求；绝缘裕度小工频高电压的测试方法有哪些用静电电压表测量工频电压的有效值用球隙进行测量工频电压的幅值用电容分压器配用低压仪表用电压互感器测量.直流高压的获得有：半波整流回路，倍压整流回路，串接直流发生器。
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6、 影响固体电介质击穿电压的主要因素
电压作用时间 温度
电场均匀程度受潮来自累积效应 机械负荷第二篇 电气设备绝缘试验
第3章 绝缘的预防性试验
1、绝缘电阻与吸收比的测量
?用兆欧表来测量电气设备的绝缘电阻
?吸收比K定义为加压 60s时的绝缘电阻与 15s时的绝 缘电阻比值。
?K恒大于 1，且越大表示绝缘性能越好。
?大容量电气设备中，吸收现象延续很长时间，吸收 比不能很好地反映绝缘的真实状态，可用极化指数 再判断。
?测量绝缘电阻能有效地发现总体绝缘质量欠佳；绝 缘受潮；两极间有贯穿性的导电通道；绝缘表面情 况不良。
2、泄漏电流的测量
测量泄漏电流从原理上来说，与测量绝缘电阻是 相似的，能发现一些尚未完全贯通的集中性缺陷， 原因在于 :
若个别试验项目不合格，达不到规程的要求，可使 用三比较方法。 ?与同类型设备作比较
同类型设备在同样条件下所得的试验结果应该大 致相同 ,若差别很大就可能存在问题 ?在同一设备的三相试验结果之间进行比较
若有一相结果相差达 50%以上,该相很可能存在缺陷 ?与该设备技术档案中的历年试验数据进行比较
若性能指标有明显下降情况 ,即可能出现新的缺陷
11、气体的状态对放电电压的影响 湿度、密度、海拔高度的影响
12、气体的性质对放电电压的影响 在间隙中加入高电强度气体 ,可大大提高击穿电 压，主要指 一些含卤族元素的强电负性气体， 如SF6
13、提高气体放电电压的措施 ?电极形状的改进 ?空间电荷对原电场的畸变作用 ?极不均匀场中屏障的采用 ?提高气体压力的作用 ?高真空 ?高电气强度气体 SF6的采用
高电压技术各章 知识点
高电压技术复习资料要点
第一章电介质的电气强度1.1气体放电的基本物理过程1.高压电气设备中的绝缘介质有气体、液体、固体以及其他复合介质。
2.气体放电是对气体中流通电流的各种形式统称。
3.电离：指电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和正离子的过程。
4.带电质点的方式可分热电离、光电离、碰撞电离、分级电离。
5.带电质点的能量来源可分正离子撞击阴极表面、光电子发射、强场发射、热电子发射。
6.带电质点的消失可分带电质点受电场力的作用流入电极、带电质点的扩散、带电质点的复合。
7.附着：电子与气体分子碰撞时，不但有可能引起碰撞电离而产生出正离子和新电子，也可能发生电子附着过程而形成负离子。
8.复合：当气体中带异号电荷的粒子相遇时，有可能发生电荷的传递与中和，这种现象称为复合。
（1）复合可能发生在电子和正离子之间，称为电子复合，其结果是产生一个中性分子；（2）复合也可能发生在正离子和负离子之间，称为离子复合，其结果是产生两个中性分子。
9.1、放电的电子崩阶段（1）非自持放电和自持放电的不同特点宇宙射线和放射性物质的射线会使气体发生微弱的电离而产生少量带电质点；另一方面、负带电质点又在不断复合，使气体空间存在一定浓度的带电质点。
因此，在气隙的电极间施加电压时，可检测到微小的电流。
由图1-3可知：（1）在I-U 曲线的OA 段： 气隙电流随外施电压的提高而增大，这是因为带电质点向电极运动的速度加快导致复合率减小。
当电压接近 时，电流趋于饱和，因为此时由外电离因素产生的带电质点全部进入电极，所以电流值仅取决于外电离因素的强弱而与电压无关。
（2）在I-U 曲线的B 、C 点：电压升高至 时，电流又开始增大，这是由于电子碰撞电离引起的，因为此时电子在电场作用下已积累起足以引起碰撞电离的动能。
电压继续升高至 时，电流急剧上升，说明放电过程又进入了一个新的阶段。
此时气隙转入良好的导电状态，即气体发生了击穿。
（3）在I-U 曲线的BC 段：虽然电流增长很快，但电流值仍很小，一般在微安级，且此时气体中的电流仍要靠外电离因素来维持，一旦去除外电离因素，气隙电流将消失。
高电压技术复习总
一：填空题1.电离是指电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和正离子过程。
2.碰撞电离是气体放电过程中产生带电质点最重要的方式。
3.气体发生放电时，除不断形成带电质点的电离过程外，还存在相反的过程，即带电质点的消失过程，则带电质点的消失情况有：带电质点受电场力的作用流入电极；带电质点的扩散；带电质点的复合4.新电子在向阳极行进过程中会发生碰撞电离，产生两个新电子，电子总数增加到4个。
第三次碰撞增加到8个，即按几何数不断增加，因此将这一剧增的电子流称为：电子崩5.自持放电的条件为：r(ead-1)=1或read=16.汤逊放电理论的适用范围低电压、pd较小。
7.棒-板间隙中棒为正极性时电晕起始电压比负极性时略高。
8.在均匀电场中的击穿，若电极布置称，则无<有,无>击穿极性效应，当间隙距离d在1到10cm范围内时，击穿强度比约等于30kv/cm。
9.由于高场强下电极性不同，空间电荷极性不同，对放电发展的影响也不同，这就造成不同极性的高场强电极的电晕起始电压的不同以及间隙击穿电压的不同，称为极性效应。
10.解决电晕放的途径是限制导线的表面场强，最好解决方法是采用分裂导线。
1.国际上大多数国家对于不同极性的标准雷电波形可表示为+1.2|50us或-1.2|50us 。
2.空间电荷对原电场有畸变作用。
3.沿整个固体绝缘表面产生的放电称为闪络。
4.输电线路采用钢化玻璃绝缘子是由于它具有损坏后自爆的特性。
5.引入固体介质的闪络电压比气体的闪络电压低。
6.具有强垂直分量时的沿面放电对绝缘的危害比具有弱垂直分量时的沿面放电对绝缘的危害大。
7.出现滑闪放电的条件: 电场必须有足够的垂直分量, 电场必须有足够的水平分量,电压必须是交变的。
8.目前在世界范围内应用最广泛的划分污秽等级的方法是等值盐密法。
9.采用高电气强度气体 SF6 可削弱气体中的电离强度。
10.石蜡的闪络电压比电瓷高，因为石蜡具有憎水性质。
1.液体电介质有矿物绝缘油、合成绝缘油、植物油三大类。
高电压知识点汇总
高电压知识点汇总一、气体放电的基本概念。
1. 气体放电。
- 气体中流通电流的各种形式统称为气体放电。
在正常状态下，气体是良好的绝缘体，但在一定条件下（如高电压、强电场等），气体中会出现导电现象。
- 气体放电可分为自持放电和非自持放电。
非自持放电需要依靠外界电离因素（如紫外线、宇宙射线等）才能维持导电；自持放电一旦形成，即使外界电离因素消失，放电仍能持续。
2. 汤逊理论。
- 适用于低气压、短间隙均匀电场中的气体放电。
- 主要观点：电子崩和正离子撞击阴极产生二次电子发射是气体自持放电的主要机制。
- 汤逊第一电离系数α：表示一个电子在沿电场方向运动1cm的过程中与气体分子发生碰撞电离的次数。
- 汤逊第二电离系数β：表示一个正离子撞击阴极表面时产生的二次电子数。
- 根据汤逊理论，自持放电的条件为：e^α d=1+(α)/(β)（d为电极间距）。
3. 流注理论。
- 适用于高气压、长间隙、不均匀电场中的气体放电。
- 主要观点：电子崩发展到足够强时，电子崩中的空间电荷会使电场发生畸变，产生局部强电场，从而引发光电离，形成流注。
流注不断发展贯穿两极间的间隙，导致气体击穿。
- 与汤逊理论的区别：汤逊理论没有考虑空间电荷对电场的畸变作用，而流注理论强调了空间电荷和光电离在放电过程中的重要性。
二、液体和固体介质的电气特性。
1. 液体介质的电气特性。
- 极化。
- 液体介质在电场作用下会发生极化现象。
极化类型主要有电子式极化、离子式极化和偶极子极化。
- 电子式极化：电子云相对于原子核的位移产生的极化，其特点是极化建立时间极短（10^-15sim10^-16s），极化过程中不消耗能量。
- 离子式极化：离子晶体中正负离子在电场作用下的相对位移产生的极化，建立时间约为10^-13s，极化过程中也基本不消耗能量。
- 偶极子极化：极性分子在电场作用下沿电场方向取向产生的极化，建立时间较长（10^-10sim10^-2s），极化过程中消耗能量。
高电压技术总结复习
⾼电压技术总结复习⼀、填空和概念解释1、电介质：电⽓设备中作为绝缘使⽤的绝缘材料。
2、击穿：在电压的作⽤下，介质由绝缘状态变为导电状态的过程。
3、击穿电压：击穿时对应的电压。
4、绝缘强度：电介质在单位长度或厚度上承受的最⼩的击穿电压。
5、耐电强度：电介质在单位长度上或厚度所承受的最⼤安全电压。
6、游离：电介质中带电质点增加的过程。
7、去游离：电介质中带电质点减少的过程。
8、碰撞游离：在电场作⽤下带电质点碰撞中性分⼦产⽣的游离。
9、光游离：中性分⼦接收光能产⽣的游离。
101112131415161718192021222324252627282930313233、雷击跳闸率：每百公⾥线路每年在雷暴⽇为40天的标准条件下由雷击引起的跳闸的次数。
34、击杆率：雷击事故中雷击塔顶的次数与雷击输电线路的总次数之⽐。
35、绕击率：雷击绕过避雷线击中导线的概率。
36、建弧率：线路中绝缘由冲击闪络变为⼯频闪络的概率。
37、进线段：输电线路中距离变电站1—2公⾥的线段。
⼆、简答1、采⽤⾼电压输电的优点。
①提⾼系统的输电能⼒②增加输电距离③降低线路功率损耗④降低电⽹传输单位容量的造价。
2、汤森德理论和游离的条件。
汤森德理论：①电⼦碰撞游离产⽣电⼦崩的过程是⽓体放电的主要过程②⼆次放射是⽓体⾃持放电的必要条件。
游离条件：运动质点所具有的总能量⼀定要⼤于被撞质点在正常状态下的游离能。
3、巴申定律。
⽓体的放电电压是⽓体间隙距离和⽓体相对密度乘积的函数U f=f（δ·s）。
4、在多介质绝缘结构中极化和电场分布的关系。
电场分布的静向分量与绝缘的相对介质常数成反⽐。
5、在交流作⽤下固体介质中电流有哪些成分？直流电压作⽤下电流⼜是如何变化的？①有损极化电流②⽆损极化电流③电导电流直流电压作⽤的⼀瞬间三种电压都存在，当到达稳态时只存在电导电流。
6、固体介质的击穿形式。
没有13、波在传播过程中的能量关系。
电场能=磁场能14、波在节点折返射的实质。
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第一章 电介质的电气强度第一节平均自由行程长度：单位行程中的碰撞次数Z 的倒数λ。
影响因素：气体分子的半径、温度、气压。
迁移率：E vk =，表示带电粒子在单位场强（m /1V ）下沿电场方向的漂移速度。
电离：产生带电粒子的物理过程，气体放电的首要前提。
使基态原子或分子中结合最松弛的那个电子电离出来所需的最小能量称为电离能，外界能量必须大于电离能才能使电离发生。
四种电离方式：光电离、热电离、碰撞电离、电极表面的电离其中引起碰撞电离的条件为i e W Ex q ≥。
电极表面的电离的四种方式：正离子撞击阴极表面、光电子发射、热电子发射、强场发射。
负离子的形成：当电子与气体分子碰撞时，有可能引起碰撞电离而产生出正离子和新电子，也可能会发生电子和中性分子结合形成负离子（称为附着）。
对放电的形成起什么作用及其原因：负离子的形成并没有使气体中的带电粒子数改变，但却能使自由电子数减少，因而对气体放电的发展起抑制作用。
带电粒子的消失三种形式：1.在电场驱动下作定向运动，到达电极时消失于电极上而形成外电路中的电流2.因扩散现象而逸出气体放电空间3.带电粒子的复合第二节发生电子崩后抵达阳极的电子数：d a e n n α0= 电子碰撞电离系数E BPApe -=α，表明该系数与场强和气压有关。
场强很大时，α急剧增大，气压过大或过小时α都较小。
（电子碰撞电离系数越大击穿电压越低）第三节汤逊放电的γ过程及汤逊放电全过程：（1）正离子撞击到阴极表面发生表面电离，使阴极释放出二次自由电子的过程称为γ过程（2）在电极的气隙中，因外界电离因子产生出自由电子，这些自由电子在电极两端电压的作用下向阳极移动，当空间的电场强度足够大，这些电子将引起碰撞电离，产生出新的电子，新的电子又将引发碰撞电离，如此持续就会产生电子崩。
在碰撞电离过程中产生的正离子在电场的作用下撞击阴极，当场强足够大时，初始电子崩的正离子能在阴极上产生的新电子数大于或等于由外界电离因子产生的电子，那么即使除去外界电离因子的作用，放电也能够自持。
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二：电介质的极化、电导和损耗1 电介质的极化①概念：电介质在电场作用下产生的束缚电荷的弹性位移和偶极子的转向位移现象，称为电介质的极化。
②效果：消弱外电场，使电介质的等值电容增大。
电介质极化种类及比较极化类型产生场合所需时间能量损耗产生原因电子式极化任何电介质10-14~10-15S无束缚电子运行轨道偏移离子式极化离子式结构电介质10-12~10-13S几乎没有离子的相对偏移偶极子极化极性电介质10-10~10-2S有偶极子的定向排列夹层极化多层介质的交界面10-1S～数小时有自由电荷的移动2.电介质的介电常数：气体：①一切气体的相对介电常数都接近于1。
②任何气体的相对介电常数均随温度的升高而减小，随压力的增大而增大，但影响都很小。
3.电介质的电导（了解）：①与金属电导的本质区别：金属导电的原因是自由电子移动；电介质通常不导电，是在特定情况下电离、化学分解或热离解出来的带电质点移动导致。
②气体电导：自由电子、正离子、负离子，液体电导：杂质电导、自身离解，固体电导：杂质、离子。
③与温度关系：温度升高时，液体介质的黏度降低，离子受电场力作用而移动时所受的阻力减小，离子的迁移率增大，使电导增大；另一方面，温度升高时，液体介质分子热离解度增加，这也使电导增大。
4：损耗：①概念：在电场的作用下，电介质由于电导引起的损耗和有损极化（如偶极子极化、夹层极化等）引起的损耗，总称为电介质的损耗。
②③损耗功率的表达式：rεεε=δωδCtgUtgUIUIPCR2===三：气体放电的物理过程：1. 气体中带电介质的的产生和消失：①单位行程中的碰撞次数Z 的倒数λ即为该粒子的平均自由行程长度。
②电离的几种形式：(1)光电离：发生空间光电离的条件为光子的能量应不小于气体的电离能。
(2)撞击电离：主要是电子碰撞电离。
原因：1.电子小，自由程长，可以加速到很大的速度。
2.电子的质量小，可以加速到很大。
（3）热电离 ：（4）表面电离 ：电子从金属表面逸出需要一定的能量，称为逸出功。
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第二章液体和固体电介质的绝缘特性电子式极化:电介质中的带电质点在电场作用下沿电场方向作有限位移。
夹层式极化：由两层或多层不同材料组成的不均匀电介质，叫做夹层电介质。
电介质的电导:介质在电场作用下,使其内部联系较弱的带电粒子作有规律的运动形成电流，即泄漏电流.这种物理现象称为电导。
“吸收现象”:固体电介质在直流电压作用下，观察到电路中的电流从大到小随时间衰减,最终稳定于某一数值,称为“吸收现象”。
吸收电流:有损极化所对应的电流，即夹层极化和偶极子极化时的电流，它随时间而衰减。
泄漏电流:绝缘介质中少量离子定向移动所形成的电导电流,它不随时间而变化.绝缘电阻:介质的电阻R=U/I是随时间而变化的。
通常以到达稳定的泄漏电流的电阻作为介质的绝缘电阻。
介质损耗角正切tgδ 衡量材料本身在电场损耗能量并转变为热能的一个宏观的物理参数称之为介质损耗角正切。
绝缘的老化：固体和液体介质在长期运行过程中会发生一些物理和化学变化，导致其机械和电气性能的劣化。
一、提高液体电介质击穿电压的措施（1）过滤（2）防潮（3）脱气（4）覆盖层（5）绝缘层（6）屏障二、2.固体电介质的击穿影响因素(1).电压作用时间(2).电场均匀程度与介质厚度(3).电压种类(4).电压作用的累积效应(5).受潮三、提高固体电介质击穿电压的措施(1).改进制造工艺:尽可能清除介质中的杂质,可以通过精选材料、改善工艺、真空干燥、加强浸渍等方法。
(2).改进绝缘设计:尽可能使电场均匀(3).改善运行条件:注意防潮、尘污，加强散热冷却四、电介质绝缘老化的原因(1)局部放电老化(2)热老化(3)机械力的作用(4)环境的影响五、为什么用介质损耗角的正切tgδ来表示介损答：由于:(1).P值与试验电压U的高低等因素有关;(2).t gδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量，而仅取决于电介质的损耗特性。
(3)tgδ可以用高压电桥等仪器直接测量.所以表征介损用介质损失角的正切tgδ来表示，而不是用有功损耗P来表示.第三章电气设备绝缘试验耐压试验(破坏性试验):试验所加电压等价于或高于设备运行中可能受到的各种电压.一、西林电桥测量时的两种接线正接线适用：体积小，重量轻反接线适用：体积大，重量大，外壳接地二、西林电桥测量时防止外界电磁场对电桥的干扰措施有哪些？三、西林电桥测量时注意事项有哪些(1)电桥本体必须加以屏蔽(2)被试品和标准无损电容器连到电桥本体的引线也要使用屏蔽导线(3)电桥本体接地良好(4)反接法时,三根引线处于高压,必须悬空(5)能分开测的试品尽量分开测(6)应保持试品表面干燥(7)试品设备有绕阻时,应首尾短接起来试验变压器得特点电压等级比电力变压器更高、容量不大，仅单相；工作在电容性负荷下；允许发生短时短路；工作时间短；漏磁通较大；温度比较低、无散热要求；绝缘裕度小工频高电压的测试方法有哪些用静电电压表测量工频电压的有效值用球隙进行测量工频电压的幅值用电容分压器配用低压仪表用电压互感器测量.直流高压的获得有：半波整流回路，倍压整流回路，串接直流发生器。
高电压复习
4.4 受潮表面的沿面放电
· 表面凝露对沿面放电的影响：（1）在介质表面未发生凝露时，空气相对湿度 增大，绝缘子沿面闪络电压会略有提高（2）介质表面发生凝露时，沿面闪络电 压将明显下降 · 表面淋雨对沿面放电的影响：介质表面淋湿时，雨水形成连续的导电层，会 使泄露电流增大，闪络电压大大降低
2.3 电极表面的电子逸出获得能量的途径
（1）正离子撞击阴极 （3）强场发射
（2）光电子发射 （4）热电子发射
2.4 气体中负离子的形成过程：电子逸出后附着某一中性原子上后形成负
离子。
负离子形成途径：
2.5 带电质点的消失
（1）带电质点的扩散 带电质点从浓度较大的区域向浓度较小的区域的移动，从而使浓度变得
·极不均匀电场中的击穿 不对称布置的极不均匀场间隙的极性效应很明显， 而且其击穿的极性效应与稍不均匀场间隙相反。
3.2 标准雷电波的波形： T1=1.2μs±30％，T2=50μs±20％
对于不同极性：+1.2/50μs 或-1.2/50μs
3.3 操作冲击波的波形： T1=250μs±20％， T2=2500μs±60％
2.6 非自持放电和自持放电的概念
外施电压小于 U0 时的放电是非自持放电。 外施电压到达 U0 后的放电是自持放电。 U0 称为放电的起始电压。
2.7 电子崩的形成过程：电子碰撞电离，电子数如雪崩式增长，将这一剧增
的电子流称为电子崩。
n n n0 n0 (ed 1)
2.8 流注
·概念：pd 值较大时放电过程也是从电子崩开始的，但是当电子崩发展到一定 阶段后会产生电离特强，发展速度更快的新的放电区，这种过程称为流注放电。 ·流注的形成条件： 形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子 崩中的空间电荷使原电场明显畸变，大大加强了崩头及崩尾处的电场。 电子崩 中电荷密度很大，所以复合过程频繁，放射出的光子在崩头或崩尾强电场区很容 易引起光电离。二次电子的主要来源是空间的光电离。
高电压考试总结（推荐五篇）
高电压考试总结（推荐五篇）第一篇：高电压考试总结名词解释：1、电晕放电在极不均匀场中，随着间隙上所加电压的升高，在大曲率电极附近很小范围的电场足以使空气发生游离，而间隙中大部分曲域电场仍然很小。
在大曲率电极附近很薄的一层空气中将具有自持放电条件，而放电仅局限在大曲率电极周围很小范围内，整个间隙沿未被击穿。
这种放电现象称为电晕放电。
2、伏秒特性用气隙上出现的电压最大值与放电时间的关系来表征气隙冲击电压击穿特性。
3、沿面放电（沿面闪络)：固体介质和空气的分界面上出现沿着固体介质表面发展的气体放电现象。
（多发生在绝缘子、套管与空气的分界面上）4、局部放电：高压电气设备的绝缘内部总是存在一些缺陷, 如气泡空隙、杂质等。
由于这些异物的电导和介电常数不同于绝缘物，故在外加电场作用下，这些异物附近将具有比周围更高的场强，有可能引起该处物质产生电离放电现象，称为局部放电。
5、电气设备绝缘水平：可以承受(不发生闪络、击穿或其他损坏）的试验电压标准。
6、彼德逊法则：要计算节点A 的电流电压，可把线路1 等值成一个电压源，其电动势是入射电压的2 倍2u 1q(t)，其波形不限，电源内阻抗是 Z 1 ；7、雷电日（雷电小时）是指一年中有雷电的日数（小时数），在一天或一小时内只要听到雷声就作为一个雷电日活一个雷电小时8、地面落雷密度：每一雷电日每平方公里地面遭受雷击的次数。
9、残压：指雷电流通过避雷器时在阀片电阻上产生的压降残压。
应低于被保护设备冲击绝缘水平的 20%-25%，太低容易产生截波。
10、灭弧电压：保证能够在工频续流第一次经过零值时灭弧的条件下允许加在避雷器上的最高工频电压。
11、保护接地：为了保证人身安全，无论在发、配电还是用电系统中都将电气设备的金属外壳接地，以保证金属外壳固定为地电位。
12、工作接地：工作接地是根据电力系统正常运行方式的需要而设置的接地，如中性点接地。
13、防雷接地：针对防雷需要而设置的装置14、跨步电压：人的两脚着地点之间的电位差15、接触电压是指人所站立的地点与设备之间的电位差16、耐雷水平：雷击线路绝缘不发生闪络的最大雷电流幅值, 以kA 为单位。
高电压技术复习总结
第2章 气体放点得基本物理过程（这章比较重要，要记得知识点很多，要认其瞧） 在第二幸标题下面方一句话“与固体与液体粕比 ............................ *' （仁电离就是指电子脱离原子得束埒而形成自由电子.正离子得过程.电离就是需要能量得, 所需能童称为电离能Wi （用电子伏eV 衷示•也可用电离电位Ui=Wi/e 示）2、 根据外界给予原子或分子得能量形式得不同，电离方式可分为热电离、光电离、碰拽电离 （置磴要）与分级电离。
3、 阴极表面得电子溢出：（1） 正离子拽击阴极:正离子位能大于2倍金属表面逸出功。
（2） 光电子发射；用能量大于金属逸出功得光照射阴极板。
光子得能量大于金属逸出功。
（3） 强场发射：阴极表面场强达到WF/cm （高真空中决定性）（4） 热电子发射；阴极高温4、 乞体中负离子得形成：电子与％体分子或原子型撞时，也有可能发生电子附為过程而形成负离子，并释放出能量（电 子亲合能）。
电子亲合能得大小可用来衡量原子捕获一个电子得难易•越大则趙易形成负离 子.负离子得形成使自由电子数减少，因而对放电发展毘抑制作用.SFa %体含F,其分子俘获电 子得能力很强，属强电负性气体，因而具有很离得电乞强度.5、 带点质点得消失：（1） 带电质点得扩散:带电质点从浓度较大得区域向浓度较小得区域得移动，使带电质点浓度 变得均匀。
电子得热运动速度髙、自由行程大，所以其扩散比离子得扩散快得多。
（2） 带电质点得复合：带异号电荷得质点相遇，发生电荷得传递与中与而还原为中性质点得过 程，祢为复合•带电质点复合时会以光辐射得形式将电离吋获得得能量释放出来•这种光辐射 在一定条件下能导致间晾中其她中性原子或分子得电离。
6、 ％体间隙中电流与外施电压得关系；第一阶较：电流随外施电压得提离而增大，因为带电质点向电极运动得速度加快复合率减小 第二阶強：电流饱与，带电质点全部进入电极，电流 仅取决于外电离因素得强弱（良好得绝缘状态） 第三阶段：电流开始增大，由于电子越技电离引起得电子効 第四阶投自持放电：电流急剧上什放电过程进入了一个新得阶段（击穿）外施电压小于弘时得放电就是非自持放电. 电压到达a 后，电流剧增，间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素.自持放电7、 电子碰投电离系数"代表一个电子沿电力线方向行经1cm 时平均发生得碰拴电离次自持放电得条伴：必须在气晾内初始电子沏消失之前产生新得电子（二次电子）来取代 外电离因素产生得初始电子；实脸表明：二次电子得产生与气压气隙长度得乘枳（pd ）有关： Pd 较小，自持放电可由汤逊理论（与巴申定律）解释；Pd 较大，自持放电可由流注理论解释。
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第一章1一般的，电介质极化分为以下四种基本类型：电子位移极化、离子位移极化、空间电荷极化、转向极化2. 极化的概念：在外电场作用下，电介质的表面出现束缚电荷的现象叫做电介质极化。
3. 极化的形式：电子位移极化：由于电子发生相对位移而发生的极化。
时间短，弹性极化，无能量损耗离子位移极化：时间短，弹性极化，无能量损耗转向极化：时间较长，非弹性极化，有能量损耗。
空间电荷极化特点：时间很长，非弹性极化，有能量损耗。
第二章1.气体中带电质点的产生方式有：电子或正离子与气体分子的撞击电离、各种光辐射光电离和，高温下气体中的热能热电离和表面电离。
2．气体中带电质点的消失： 1 场力的作用流入电极并中和电量。
2 带电质点的扩散。
3 带电质点的复合1、自持放电：当外施电压达到某一临界值U0后，不依靠外界电离因素，依靠外施电压就能维持气体放电，称为自持放电2、汤逊理论：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因。
二次电子主要来源于正离子碰撞阴极，而阴极逸出电子。
二次电子的出现是气体自持放电的必要条件。
二次电子能否接替起始电子的作用是气体放电的判据。
汤逊理论主要用于解释短气隙、低气压的气体放电。
3、流注理论：流注理论认为气体放电的必要条件是电子崩达到某一程度后，电子崩产生的空间电荷使原有电场发生畸变，大大加强崩头和崩尾处的电场。
另一方面气隙间正负电荷密度大，复合作用频繁，复合后的光子在如此强的电场中很容易形成产生新的光电离的辐射源，二次电子主要来源于光电离4、请问汤逊理论的实质是什么，汤逊理论与流注理论在解释气体放电方面有什么区别？1）汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因。
二次电子主要来源于正离子碰撞阴极，而阴极逸出电子。
二次电子的出现是气体自持放电的必要条件。
二次电子能否接替起始电子的作用是气体放电的判据。
流注理论认为气体放电的必要条件是电子崩达到某一程度后，电子崩产生的空间电荷使原有电场发生畸变，大大加强崩头和崩尾处的电场。
另一方面气隙间正负电荷密度大，复合作用频繁，复合后的光子在如此强的电场中很容易形成产生新的光电离的辐射源，二次电子主要来源于光电离。
2）汤逊理论主要解释低气压、短气隙的气体放电现象。
流注理论主要解释高气压、长气隙的气体放电现像5.气体击穿：气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿6.沿面闪络：若气体间隙存在固体或液体电介质，由于固体和液体的交界面处是绝缘薄弱环节，击穿常常发生在固体和液体的交界面上，这种现象称为沿面闪络7 极性效应对于电极形状不对称的极不均匀电场间隙，如棒-板间隙，棒的极性不同时，间隙的起晕电压和击穿电压各不相同，这种现象称为极性效应(1).正棒---负板,分析： a.由于捧极附近积聚起正空间电荷，削弱了电离，使电晕放电难以形成，造成电晕起始电压提高。
b.由于捧极附近积聚起正空间电荷在间隙深处产生电场加强了朝向板极的电场，有利于流注发展，故降低了击穿电压(2).负棒---正板,分析： a.捧附近正空间电荷产生附加电场加强了朝向棒端的电场强度，容易形成自持放电，所以其电晕起始电压较低。
b.在间隙深处，正空间电荷产生的附加电场与原电场方向相反，使放电的发展比较困难，因而击穿电压较高。
结论：在相同间隙下正捧-----负板负捧-----正板电晕起始高低间隙击穿压低高8 流注放电理论认为，碰撞游离和正离子撞击阴极造成的表面电离是形成自持放电的主要因素9气体放电的汤森德机理与流注机理的主要区别及各自的适用范围？答：汤森德机理认为电子的碰撞电离和正离子撞击表面的电离对自持放电起主要作用；流注机理认为电子的撞击电离和空间光电离是自持放电的主要因素。
汤森德理论只适用于均匀电场和气压较低δS＜0.26的情况，流注理论适用于δs＞0.26的情况。
10 汤森德理论的不足：汤森德放电理论是在气压较低，δS值较小的条件下，进行放电试验的基础上建立起来的，只在一定的δS范围内反映实际情况，在空气中，当δS>0.26cm 时，放电理论就不能用该理论来说明了。
原因是：①汤森德理论没有考虑电离出来的空间电荷会使电场畸变，从而对放电过程产生影响。
②汤森德理论没有考虑光子在放电过程中的作用。
14气体放电的机理：纯净的中性状态的气体是不导电的，只有在气体中出现了带电质点后，才可能导电，并在电场的作用下，发展成各种形式的气体放电现象。
气体中带电质点的来源、形式及消失：气体分子本身发生电离；气体中的固体或液体金属发生表面电离。
形式：撞击电离；光电离；热电离；表面电离；负离子的形成。
消失：带电质点受电场力的作用流入电极并中和电量；带电质点的扩散；带电质点的复合。
15帕邢、流注、汤森德机理的区别及各自适用范围：帕邢定律提出在均匀电场中，击穿电压Ub与气体相对密度δ、极间距离S并不具有单独的函数关系，而是仅于它们的积有函数关系，只要δ?S乘积不变，Ub就不变。
现在，汤森德理论给这个定律以理论上的论证，他以碰撞电离和正离子撞击阴极表面为基础提出，但它没有考虑电离出来的空间电荷会使电场畸变，也没考虑光子在放电过程中的作用。
而流注定理认为电子的撞击电离和空间光电离是自持放电的主要因素，并充分注意到了空间电荷对电场畸变的作用。
它是对汤森德理论的补充。
帕邢定律适用于均匀电场中，汤森德理论适用于气压较低（小于大气压），δS值较小的均匀电场中，流注定理使用于δS较大（δS）0.26）的均匀、不均匀电场中17 气体击穿：气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿。
击穿电压：击穿时最低临界电压。
击穿场强：均匀电场中击穿电压与间隙距离之比，也称为气体的电气强度。
平均击穿场强：不均匀电场中击穿电压与间隙距离之比。
18 汤逊理论：(1)汤逊理论是在低气压、短间隙(pd<26.66kPa·cm)条件下建立起来的。
(2) 均匀电场中，气体间隙的击穿主要由电子的碰撞游离和正离子撞击阴极表面造成的表面游离所引起的。
(3)电子碰撞游离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极表面使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。
汤逊理论的适用于pd<26.6 6kPa·cm19电子崩：电离出来的电子和离子在电场驱引下又参加到撞击电离的过程中，于是电离过程就像雪崩似的增长起来，称为电子崩20 临界场强：与非自持放电转入自持放电的场强。
相应的电压为临界电压21 沿面放电：沿着气体与固体（或液体）介质的分界面上发展的放电现象称为气隙的沿面放电。
闪络：当沿面放电发展为贯穿两级，使整个气隙沿面击穿，称为闪络。
沿面闪络时的临界电压称闪络电压22 沿面放电按性质分为两类：1，分界面气隙场强中法线分量较弱。
2，··较强23 沿面闪络电压低于纯气隙击穿电压原因：1，固体介质表面不可能绝对光滑，总有一定的粗糙性，致使贴近固体介质表面薄层气体中的微观电场有一定程度的不均匀，局部场强增大。
2，固体介质表面吸附气体中水分，引起介质表面电场畸变。
3，固体介质表面电导不均匀，局部场强备增大。
4，固体介质与电极的接触不紧密，留有缝隙，沿面闪络将降低较多24 滑闪放电：电压升高超过临界值时，电压的性质发生变化，其中某些细线的长度迅速增长，并转变为树枝状火花，树枝状火花具有较强的不稳定性，不断改变放电通道路径，并有轻的爆炸声。
沿面闪络：电压再升高时，滑闪放电火花中有的突发的增长，得以贯穿到对面电极，形成沿面闪络。
刷形放电：电压升高时，放电向外发展，形成许多向四周辐射的细线状流注性质的放电称为刷形放电第三章1老化：电气设备中的绝缘材料在运行过程中，由于受到各种因素的长期作用，会发生一系列的不可逆的变化，从而导致其物理，化学，电和机械等性能的劣化，这种不可逆的变化通称老化1 50%击穿电压：气隙被击穿的概率为50%的冲击电压峰值2 2μs冲击电压：气隙击穿时，击穿前时间小于和大于2μs的概率各为50%的击穿电压5影响气隙沿面闪络电压的因素：1电场状况和电压波形的影响；2气体条件的影响；3介质表面状态的影响：表面粗糙度的影响，雨水的影响，污秽的影响。
7大气条件对气隙击穿电压的影响：气隙的击穿电压随着大气密度或大气中湿度的增加而升高，大气条件对外绝缘的沿面闪络电压也有类似的影响。
密度原因：空气密度增大，空气中自由电子的平均自由程缩短，不易造成撞击电离。
湿度原因：水蒸气是电负性气体，易获自由电子形成负离子，自由电子减少，阻碍电离的发展8提高气隙击穿电压的方法及原理?答：①改善电场分布。
原理：气隙电场分布越均匀，气隙的击穿电压就越高，适当的改进电极形状，增大电极的曲率半径，改善电场分布，就能提高气隙的击穿电压和预放电电压。
②采用高度真空。
原理：采用高度真空，削弱气隙中撞击电离过程，提高气隙的击穿电压。
③增高气压。
原理：增高气体的压强可以减小电子的平均自由程，阻碍撞击电离的发展，提高气隙的击穿电压。
④采用高耐电强度气体。
原理：SF6，CCL2F2，CCL4等气体耐电强度比空气高得多，采用这类气体或在其他气体总混入一定比例的这类气体，可以大大提高气隙的击穿电压。
9 SF6为何可以作为高压绝缘气体？答：从SF6的物理化学特性知，SF6稳定性高，要使SF6分子电离，不仅要供给电离能，而且还要供给离解能，绝缘性好。
SF6气体密度大，电子在其中的自由程小，不易从电场积累足够的动能，减小了电子撞击电离的概率。
从而在SF6气体中，单个电子崩中带电粒子的分布与在空气中有很大不同，不利于流注的发展，从而使击穿场强提高10 伏秒特性对某一冲击电压波形，间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性。
3 气隙的伏秒特性及作用：对于非持续做作用的电压来说，气隙的击穿电压就不能简单地用单一的击穿电压值来表示了，对于某一定的电压波形，必须用电压峰值和延续时间共同表示，这就是气隙在该电压波形下的伏秒特性。
作用：保护设备的伏秒特性低于被保护的，当有电压作用在两设备时，总是保护设备先击穿，进而限制电压幅值，保护被保护设备第五章0 绝缘电阻：绝缘物在规定条件下的直流电阻，反应绝缘性的最基本的指标之一1．测量绝缘电阻试验中，为什么在绝缘表面受潮时要求装上屏蔽环?因为在绝缘表面受潮时，沿绝缘表面的泄漏电流将增大，若此泄漏电流流入电流线圈中，将使绝缘电阻读数显著降低，引起错误的判断。
装上屏蔽环后，表现泄漏电流不再流入电流线圈，而流过电流线圈的只是绝缘体的泄漏电流，因此加上屏蔽环后测得的值能较真实地反映绝缘电阻的大小。
2绝缘电阻试验不能发现设备的下列绝缘缺陷：1，绝缘中的局部缺陷、2，绝缘的老化。
3测量绝缘电阻能有效发现下列缺陷(1)总体绝缘质量欠佳(2)绝缘受潮(3)两极间有贯穿性的导电通道(4)绝缘表面情况不良（比较有或无屏蔽极时所测得的值即可知4吸收比：指绝缘体加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比 K=R60S/R15S极化指数：绝缘体在加压后10min和1min所测得的绝缘电阻值之比P=R10min/R1min5 测绝缘电阻应注意：1试验前将被试品接地放电一定时间。