半导体器件基础测试题
半导体器件基础习题答案(完美版)
p n ND N A n / 2 n ND 0 N D n / 2 ni / 2 0.707 1013 / cm 3
2.17 Q: 求在下列条件下，均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度： 1. T 300K , N A N D , N D 1015 / cm3 A: T 300 K , ni 1010 / cm 3
可认为是本征半导体 n p ni 1016 / cm 3
2.21 Q:编写计算机程序, 画出类似图 2.21 的 Ef－Ei 与 NA 或 ND 的变量关系。
（注：本题及以下相关题目的 matlab 程序不是标准答案，仅供参考！ ）
1062109053 杨旭一整理 （仅供参考）
3
gv ( E )[1 f ( E )]
f (E)
1 1 e
( E E F ) / kT
e ( E EF ) / kT , E EF 3kT
gc (E) f (E)
* * mn 2mn ( E Ec ) ( E EF ) / kT e 2 3 * * mn 2mn 2 3
1062109053 杨旭一整理 （仅供参考） 2
半导体器件习题答案
(e) Q: 非简并锗样品，在平衡条件下温度保持在接近室温时，已知： ni 1013 / cm3 , n 2 p, N A 0 求 n 和 ND A: 由非简并，得 n 2 np n 2 / 2 n 2n 1.414 1013 / cm3
(f) 温度趋向于 0 K 时，受主对多数载流子空穴的冻结 (g) 在不同能带上载流子的能量分布 (h) 本征半导体
(i) n 型半导体
(j) p 型半导体
第1章测试题第1章半导体基础
第1章半导体基础 测试题 班级 学号 姓名第一题 单项选择题（每题2分）1．要形成N 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）三价硼元素 （D ）五价磷元素2．场效应管是（ ）控制器件。
（A ）电流 （B ）电压 （C ）电磁 （D ）电场3．要形成P 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）五价磷元素 （D ）三价硼元素4．某三极管的I E =1mA ，I B =20μA ，则I C =（ ）。
（A ）0.98 mA （B ）1.02 mA （C ）0.8 mA （D ）1.2 mA5．在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（ ）。
（A ）掺杂工艺 （B ）杂质浓度 （C ）温度 （D ）晶体缺陷6．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
（A ）杂质浓度 （B ）温度 （C ）掺杂工艺 （D ）电压7．二极管的电流方程是（ ）。
（A ）u S e I （B ）T U u S e I / （C ）)1(/-T U u S e I （D ）)1(/T U u S e I -8．半导体中的载流子为（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）正离子 （D ）电子和空穴9．PN 结外加正向电压时，其空间电荷区将（ ）。
（A ）变窄 （B ）基本不变 （C ）变宽 （D ）视掺杂浓度而定10．当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（ ）。
（A ）相同金属 （B ）相同绝缘体 （C ）相同室温下的半导体 （D ）视制作材料而定11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。
（A ）稳压二极管与负载电阻串联 （B ）稳压二极管与负载电阻并联。
（C ）限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 （D ）以上都可以12．与双极型晶体管相比，场效应管不具有的特点是（ ）。
（A ）放大作用大 （B ）输入阻抗高 （C ）抗辐射能力强 （D ）功耗小13．下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体基础知识习题
半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。
2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。
3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。
4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。
二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。
( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。
( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。
三、选择题1．半导体内的载流子是（）。
A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。
A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。
A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。
A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变四、问答题1．半导体材料有那些特性？2．Ｐ型半导体与Ｎ型半导体中的多数载流子各是什么？参考答案半导体基础知识一、填空题1．导体，绝缘体，硅，锗2．电子，空穴3．正，负4．单向导电，导通，截止二、判断题1．（√）2．（√）3．（×）三、选择题1．(C) 2．(B) 3．（B） 4．（B ） 5．(B)四、问答题1．答：半导体物质的重要特性是：（1）导电能力介于导体和绝缘体之间；（2）在温度低到绝对零度且没有外界的能量激发时，相当于绝缘体。
（3）掺杂性和热激发性。
2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。
N型半导体中多数载流子为自由电子。
3．答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，所以在N区中的多数载流子电子向P区扩散；同时，P区的多数载流子也要向N区扩散，当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正负离子所组成的空间电荷区，也就是PN结。
常用半导体材料测试卷
常用半导体材料测试卷一、单项选择题：（本大题共85个小题，每小题2分，共170分）1.在焊接过程中要使用助焊剂，关于助焊剂的作用，下列说法错误的是A．去除氧化物B．使焊点不出现尖角C．防止工件和焊料加热时氧化D．减小焊料熔化后的表面张力，增加其流动性，有利于浸润2.钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是A．25W B．75W C．100W D．150W3.共晶焊锡的熔点为A．327℃B．232℃C．183℃D．212℃4.焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成A．虚焊B．夹生焊C．漏焊D．预焊5.焊接电子元件最适合的焊剂是A．焊锡膏B．松香C．稀盐酸D．氯化锌6.下面关于虚焊的说法错误的是A．虚焊就是假焊B．焊料与被焊物的表面没有互相扩散C．虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的D．虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的7.下面关于镀锡的说法错误的是A．上锡B．预焊C．搪锡D．焊件表面处理8.下列关于焊接说法错误的是A．电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象 B．焊接时不能甩动电烙铁，以免锡液伤人C．电烙铁的金属外壳必须接地 D．焊锡膏适用于电子器件的焊接9.关于手工焊接，下列说法不正确的是A．常用的焊锡丝的材料是锡铅合金B．焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化C．焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生D．焊接时，先用烙铁头加热工件，然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化10.信号发生器的输出幅度每衰减20dB，输出信号的电压值即变为原来的A．0.5 B．0.1 C．31.6% D．1/211.信号发生器输出信号时，输出衰减选40dB ，当电压表示数值为5V 时，则输出为A．5V B．0.5V C．0.05V D．50V 12.信号发生器的输出衰减有20dB和40dB，当按下20dB时，输出相对衰减10倍，当按下40dB 时，输出相对衰减为A．10 B．100 C．20 D．4013.用示波器观察某标准正弦波的电压波形，若一个周期的距离为4div，示波器的扫描时间选择开关置于50ms／div，且使用了“扩展×10”，则该电压的频率是A．5Hz B．20Hz C．50Hz D．500Hz14.要使示波器的显示波形向上移动，应调节旋钮A．Y轴移位B．Y轴增幅C．X轴移位D．X轴增幅15.要使示波器显示波形亮度适中，应调节旋钮A．聚焦B．辉度C．辅助聚焦D．X轴衰减16.若Y轴输入信号频率为200Hz，要在荧光屏上看到4个完整的波形，则扫描频率范围要置于A．10――100Hz B．1kHz C．10 kHz D．100 kHz17.用示波器观察一正弦电压的波形，现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div，档位为5V／div，探头不衰减，则正弦波电压的有效值为A．20V B．10V C．52V D．102V18.下列关于示波器的说法错误的是A．调整示波器的辉度钮，光点亮度不能太亮B．调节聚焦钮，使示波器的光点成为小圆点，如果不行，可用辅助聚焦钮配合C．示波器长期不用时，会导致内部的电解电容器失效D．为调整示波器的亮度和清晰度，可以让光点长时间停在屏幕中央19.使示波器的显示波形稳定，只显示两个完整波形，除调整垂直方向之外，还要调整A．扫描范围B．X轴衰减C．扫描范围和X轴衰减D．X轴位移20.用示波器观察两个正弦信号如图1所示，已知X轴偏转因数置于0.5μs／div，Y轴偏转因数置于0.1V／div，则两信号的相位差A．30o B．90o C．60o D．45o第 1 页共6 页21.在P型半导体中A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．没有电子C．空穴的数量略多于电子D．没有空穴22.二极管两端加上正向电压时A．一定导通B．超过死区电压才能导通C．超过0.7V才导通 D．超过0.3V才导通23.在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将A．变大B．变小C．不变化D．无法判断24.一个硅二极管的正向电压降在0.6V基础上增加10%，它的电流将A．增加10% B．增加10%以上C．基本不变D．不变25.如图2所示，二极管是理想二极管，则电压U AB为A．－3V B．5V C．8V D．－8V26.如图3所示，VD1、VD2的状态是A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2导通C．VD1、VD2都导通D．VD1、VD2都截止27.晶体二极管内部是由所构成的A．一个PN结B．两个PN结 C．两块N型半导体D．两块P型半导体28.当硅二极管加上0.4V的正向电压时，该二极管相当于A．很小的电阻B．很大的电阻C．短路D．中值电阻29.如图4所示，当输入电压U i＝12V时，输出电压U0为A．12V B．2V C．5V D．0V30.下列硅二极管中质量最好的是A．正向电阻为1kΩ，反向电阻为100 kΩ B．正向电阻为50kΩ，反向电阻为100 kΩC．正反向电阻均为无穷大 D．正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ31.用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到A．R×100或R×1k挡B．R×1挡C．R×10挡D．任意挡32.用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是V B＝4.7V，V C＝4.3V，V E＝4V，则该三极管的工作状态是A．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．无法确定33.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是A．NPN型管的发射极B．PNP型管的发射极C．PNP型的集电极D．无法确定34.一只三极管内部包含个PN结A．1 B．2 C．3 D．035.NPN型和PNP型晶体管的区别是A．由两种不同的材料硅和锗制成B．掺入的杂质不同C．P区和N区的位置不同D．电流的放大倍数不同36.三极管各极电位如图所示，工作在放大状态的是37.3DG6型晶体三极管的P CM＝100mW，ICM＝20mA，U（BR）CEO＝20V，将其接在电路中，I C＝5mA，U CE＝10V，则该管A．击穿B．工作正常C．功耗太大，过热甚至烧坏D．无法判断38.在三极管放大电路中，测得某管脚1流进4.6mA的电流，某管脚2流进0.03mA的电流，则该管是A．NPN管B．PNP管C．硅管D．锗管39.晶体管的参数β是指A．晶体管共发射极直流电流放大倍数B．晶体管共发射极交流电流放大倍数C．放大电路的电压放大倍数D．放大电路的电流放大倍数40.正常工作在放大电路中的某晶体管各极对地电位分别是9V、6.3V、6V，则该管管脚分别对应为A．B、C、E B．C、B、E C．E、C、B D．E、B、C41.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管A．两个PN结均开路B．两个PN结均击穿C．发射结击穿，集电结正常D．发射结正常，集电结击穿第 2 页共6 页42.某PNP型晶体管β＝50，I E＝2mA，则I C约等于A．40μA B．1.98m A C．98 m A D．24.5 m A43.NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是A．V C＞V B＞V E B．V C＜V B＜V E C．V C＞V E＞V B D．V C＜V E＜V B44.工作于放大状态的三极管在三个电极中，电流最大的是A．集电极B．基极C．发射极D．门极45.三极管放大作用的实质是A．三极管把小能量放大成大能量B．三极管把小电流放大成大电流C．三极管把小电压放大成大电压D．三极管用较小的电流控制较大的电流46.用万用表欧姆挡测量小功率三极管的极性与质量时，应把欧姆挡拨到A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k47.用万用表的红表笔接触三极管的一只管脚，黑表笔接触另两只管脚，测得电阻均较小，则该三极管为A．NPN型B．PNP型C．不能确定D．三极管已经损坏48.焊接电子元件时，焊点表面粗糙不光滑，是因为A．电烙铁功率太大或焊接时间过长B．电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C．焊剂太多造成的D．焊剂太少造成的49.关于钎焊，下列说法正确的是A．100W且带弯烙铁头的电烙铁应采用正握法 B．松香酒精溶液焊剂中，松香占67%，酒精占23% C．被焊件达到一定温度后，应将焊锡丝放在烙铁头上熔化浸润焊点D．焊锡全部浸润焊点后，应及时以25o角移开电烙铁50.下列关于夹生焊的说法错误的是A．虚焊和夹生焊是两种不同的现象B．夹生焊是指C．D．51.关于普通晶闸管结构，说法正确的是A．4层3端半导体，有2个PN结 B．4层2端半导体，有3个PN结C．4层3端半导体，有3个PN结 D．4层2端半导体，有2个PN结52.晶闸管关断的三个条件中，关断的逻辑关系是A．与B．或C．与非D．或非53.晶闸管关断的条件是A．加反向控制极电压B．去掉控制极电压C．阳极加反向电压或降低正向阳极电压，使流过晶闸管的电流小于维持电流I HD．以上说法都不对54.晶闸管导通的两个条件中，导通时阳极和门极加正极性电压的逻辑关系A．与B．或C．与非D．或非55.对螺栓式结构的晶闸管来说，螺栓是晶闸管的A．阳极B．阴极C．门极D．栅极56.晶闸管控制极的作用是A．只要控制极加正的触发脉冲，就能使晶闸管导通B．只要在晶闸管存在阳极电压的同时，控制极加上足够功率的正脉冲，就可以使晶闸管导通，导通之后控制极就失去作用C．控制极加负电压，可以使晶闸管关断 D．以上说法都不对57.晶闸管是用来的电子元件A．电流放大B．电压放大C．弱电控制强电D．强电控制弱电58.晶闸管导通后，流过晶闸管的电流取决于A．晶闸管的管压降 B．晶闸管的额定电流 C．控制极电压D．阳极电压和负载阻抗59.用万用表R×10挡，判别晶闸管的极性，黑表笔固定一只管脚，红表笔分别接另外两只管脚，当出现正向导通时A．黑表笔接控制极 B．黑表笔接阴极 C．红表笔接控制极D．红表笔接阳极60.用万用表测试小功率晶闸管的极性时，某两个电极之间的正反向电阻相差不大，说明这两个电极是A．阳极和门极B．阴极和门极C．阳极和阴极D．无法确定61.用于整流的二极管是A．2AK4 B．2CW20A C．2CZ14F D．2AP962.三极管极间电流满足I C＝βI B关系时，三极管一定工作在A．饱和区B．截止区C．放大区D．击穿区63.晶体管作开关使用时，是工作在其A．放大区B．饱和区C．截止区D．饱和区和截止区64.大功率三极管的外壳往往做三极管的使用A．基极B．集电极C．发射极D．三个电极都可能65.放大电路中某晶体管极间电压如图5所示，则该管类型及1、2、3极分别为A．NPN型硅管，E、C、B B．NPN型硅管，B、C、EC．PNP型硅管，E、C、B D．PNP型硅管，B、C、E66.XD7型低频信号发生器面板上用来选择输出信号频率范围的调节旋钮是A．频率旋钮B．波段旋钮C．阻抗衰减旋钮D．电压调节旋钮第 3 页共6 页67.关于示波器的说法正确的是A．顺时针转动“辉度旋钮”，辉度变亮；反之减弱直至消失B．第二阳极与第一阳极、控制栅极相比处于正电位，可实现辉度调节C．控制栅极是顶端有孔的圆筒，套装在阴极之外，其电位比阴极电位高D．“扩展拉×10”按下时X轴扫描速度扩大10倍68.在输入信号频率较高时实现双踪显示应选择的显示方式A．断续B．YA＋YB C．YA或YB D．交替69.某一正弦交流电压在示波器上所显示的波形峰峰值为4div，此时示波器的输入灵敏度开关置于0.5V／div，被测信号经探极10∶1接入，则该交流电的有效值为A．10V B．7.07V C．14.14V D．0.2V70.2DW47是A．P型锗材料稳压二极管B．N型锗材料稳压二极管C．N型锗材料普通二极管D．P型硅材料稳压二极管71.如图6所示晶体管测试电路中，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面原因的那一种A．集电极内部开路B．发射极内部开路C．B、E间已击穿D．发射结已击穿72.测得晶体管电路三个电位如图7所示，其中二极管、三极管均为硅管，则晶体管的工作状态为A．饱和B．放大C．截止D．无法确定73.3AX31是三极管A．NPN型锗材料、高频小功率B．NPN型锗材料、低频小功率C．PNP型锗材料、低频小功率D．PNP型硅材料、低频小功率74.实践中判断三极管是否饱和、截止，最简单可靠的方法是测量A．I B B．I C C．U BE D．U CE 75.关于穿透电流I CEO，下列说法正确的是A．I CEO是指发射极开路时，集电极和基极之间的反向电流B．I CEO越小，管子性能越稳定C．硅管穿透电流比锗管大，因此硅管比锗管稳定性差D．I CEO随温度的升高而减小76.晶闸管作为变流技术理想的可控开关元件，原因之一是其导通后的管压降很小，一般在A．0.7V以下B．0.4V以下C．1V以下D．0.3V以下77.关于普通晶闸管和普通二极管的不同，说法正确的是A．晶闸管具有单向可控导电性，二极管不具备B．二极管有一个PN结，晶闸管有三个PN结C．二极管有阳极、阴极两个电极，晶闸管有阳极、阴极和控制极D．以上三种说法都正确78.如图8所示，S1、S2闭合时，白炽灯正常发光；当S2断开时，白炽灯将A．变亮B．亮度不变C．变暗D．熄灭79.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用挡A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k80.由于晶闸管的过载能力有限，在选用时至少要考虑倍的电流裕量A．1――2 B．1.5――2 C．1.8――2.5 D．3――3.581.选取普通晶闸管额定电压的依据是A．正向重复峰值电压B．反向重复峰值电压C．正向重复峰值电压和反向重复峰值电压二者中较小者D．击穿电压82.在晶闸管标准散热和全导通时，允许通过的工频最大阳极电流为A．半波电流的峰值B．半波电流的平均值C．半波电流的有效值D．全波电流的平均值83.当晶闸管导通后，可以维持导通状态，是因为管子本身存在A．放大作用B．正反馈作用C．负反馈作用D．开关作用84.要使导通的普通晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到低于A．额定电流B．擎住电流C．阳极电流D．维持电流85.在电路中，晶闸管承受的正反向峰值电压值为311V，为安全起见，晶闸管应选择A．KP20－3 B．KP400－4 C．KP700－3 D．KP20－7第 4 页共6 页卷Ⅱ（非选择题）二、分析题1.用示波器测量正弦电压如图所示，已知“t／div”置于“5ms／div”，X轴扩展（K＝10），“V／div”置于“1.5V／div”，则被测电压的周期、振幅、峰－峰值、有效值分别为多少？2.用示波器观察到某负载电压、电流的波形如图所示，垂直偏转因数为2V／div，水平偏转因数为1ms／div，探头衰减倍数为10∶1，请说明该电压的峰值、周期、该负载的性质。
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
第四章 常用半导体 题库
第四章常用半导体题库第四章常用半导体--题库第四章常用半导体4.1半导体的基本知识选择题：1.pn结的基本特性是：（b）a.半导性b.单向导电性c.电流压缩性d.绝缘性恰当答案就是b，本题牵涉的知识点就是：pn吴厝庄的基本特性。
2.半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为：（b）a.扩散运动b.漂移运动c.有序运动d.同步运动正确答案是b，本题涉及的知识点是：pn结的形成相关知识。
3.在pnSkiff由于浓度的差异，空穴和电子都必须从浓度低的地方向浓度高的地方运动，这就是：（a）a.扩散运动b.漂移运动c.有序运动d.同步运动正确答案是a，本题涉及的知识点是：pn结的形成相关知识。
6.n型半导体和p型半导体就是利用了本叛半导体的如下哪个特性（c）a．热敏性b.光敏性c.参杂性正确答案是c，本题涉及的知识点是：本征半导体特性知识。
7.n型半导体就是在本征半导体混入（a）a．5价元素b.3价元素c.导电杂质正确答案是a，本题涉及的知识点是：n型半导体的掺杂知识。
8.p型半导体就是在本征半导体混入（b）a．5价元素b.3价元素c.导电杂质正确答案是b，本题涉及的知识点是：p型半导体的掺杂知识。
9.n型半导体中多数载流子就是（a）a．自由电子b.空穴c.自由电子和空穴d.电子恰当答案就是a，本题牵涉的知识点就是：n型半导体的多数载流子科学知识。
10.p型半导体中多数载流子是（b）a．自由电子b.空穴c.自由电子和空穴d.电子正确答案是b，本题涉及的知识点是：p型半导体的多数载流子知识。
4.2半导体二极管选择题：4.如图所示电路，输入端a的电位ua＝+3v，b点的电位ub＝0v，电阻r接电源电压为-15v，若不计二极管的导通压降，输出端f的电位uf为：（a）a．3vb.0vc.1.5vd.-16v正确答案是a，本题涉及的知识点是：二极管优先导通问题。
5.如图所示电路，输出端的a的电位ua＝+3v，b点的电位ub＝0v，电阻r接电源电压为-15v，若二极管的导通压降为0.7v，输入端的f的电位uf为：（c）a．3vb.0vc.2.3vd.-16v恰当答案就是c，本题牵涉的知识点就是：二极管优先导通问题。
半导体集成电路练习题
半导体集成电路练习题一、基础知识类1. 填空题1.1 半导体材料主要包括________、________和________。
1.2 PN结的正向特性是指________，反向特性是指________。
1.3 MOS晶体管的三个工作区分别是________、________和________。
2. 判断题2.1 半导体集成电路的导电性能介于导体和绝缘体之间。
（）2.2 N型半导体中的自由电子浓度高于P型半导体。
（）2.3 CMOS电路具有静态功耗低的特点。
（）二、数字电路类1. 选择题1.1 TTL与非门电路中，当输入端全部为高电平时，输出为（）。
A. 高电平B. 低电平C. 不确定D. 无法判断A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门A. PMOS管导通时，NMOS管截止B. PMOS管截止时，NMOS管导通C. PMOS管和NMOS管同时导通D. PMOS管和NMOS管同时截止2. 填空题2.1 数字电路中的逻辑门主要有________、________、________和________等。
2.2 半加器是由________和________组成的。
2.3 全加器的三个输入端分别是________、________和________。
三、模拟电路类1. 选择题A. 非反相比例运算放大器B. 反相比例运算放大器C. 电压跟随器D. 差分放大器1.2 在运算放大器电路中，虚短是指________。
（）A. 输入端短路B. 输出端短路C. 输入端与地之间短路D. 输入端与输出端之间短路A. 低通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号B. 高通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号C. 带通滤波器允许一定频率范围的信号通过D. 带阻滤波器允许一定频率范围的信号通过2. 填空题2.1 模拟信号的特点是________、________和________。
2.2 运算放大器的主要参数有________、________和________。
半导体面试题目(3篇)
第1篇一、基础知识部分1. 请简述半导体材料的基本概念及其分类。
2. 解释什么是本征半导体、n型半导体和p型半导体，并说明它们之间的区别。
3. 什么是掺杂？为什么掺杂对于半导体的应用至关重要？4. 什么是载流子？请分别说明电子和空穴载流子的性质。
5. 什么是能带？简述价带、导带和禁带的概念。
6. 什么是能级？请解释能级与能带之间的关系。
7. 什么是施主和受主？它们在半导体中的作用是什么？8. 请解释半导体中的电导率是如何受到温度影响的。
9. 什么是霍尔效应？它在半导体中的应用有哪些？10. 什么是PN结？简述PN结的形成过程、特性和应用。
二、器件原理部分1. 请简述晶体管的工作原理，包括NPN和PNP晶体管。
2. 什么是场效应晶体管（FET）？请解释其工作原理和特性。
3. 什么是MOSFET？请说明其结构、工作原理和优缺点。
4. 什么是二极管？请解释二极管的基本特性和应用。
5. 什么是三极管？请说明三极管的基本特性和应用。
6. 什么是整流器？请列举几种常见的整流器类型及其工作原理。
7. 什么是稳压器？请说明稳压器的工作原理和应用。
8. 什么是放大器？请解释放大器的基本特性和应用。
9. 什么是滤波器？请列举几种常见的滤波器类型及其工作原理。
10. 什么是振荡器？请解释振荡器的基本特性和应用。
三、电路设计部分1. 请简述半导体电路设计的基本流程。
2. 什么是模拟电路和数字电路？请分别说明它们的特点。
3. 什么是电路仿真？请列举几种常见的电路仿真软件。
4. 什么是版图设计？请说明版图设计的基本流程和注意事项。
5. 什么是集成电路封装？请列举几种常见的集成电路封装类型。
6. 什么是测试与验证？请说明测试与验证在半导体电路设计中的重要性。
7. 什么是电路优化？请列举几种常见的电路优化方法。
8. 什么是电源设计？请说明电源设计的基本原则和注意事项。
9. 什么是信号完整性？请解释信号完整性对电路设计的影响。
10. 什么是电磁兼容性？请说明电磁兼容性在电路设计中的重要性。
半导体器件的测试方法与设备考核试卷
C.高压击穿测试
D.电容测试
17.在半导体器件的动态测试中，以下哪些参数是需要关注的？（）
A.响应时间
B.稳态误差
C.阶跃响应
D.幅度响应
18.以下哪些测试设备可以用于测试半导体器件的高频特性？（）
A.网络分析仪
B.频谱分析仪
C.信号发生器
D.数字万用表
19.在半导体器件的可靠性和寿命测试中，以下哪些因素是重要的？（）
10.在半导体器件的寿命测试中，以下哪个参数不是考虑的主要因素？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
11.用于测试半导体器件结电容的设备是：（)
A.电桥
B.频率分析仪
C.高阻表
D.逻辑分析仪
12.测试场效应晶体管的漏极电流时，以下哪种条件是不正确的？（）
A.栅源电压固定
B.漏源电压固定
C.栅极开路
D.漏极开路
A.恒温法
B.变温法
C.阶梯升温法
D.快速冷却法
19.下列哪种测试方法不适用于评估半导体器件的绝缘特性？（)
A.高压击穿测试
B.绝缘电阻测试
C.介质损耗角正切测试
D.电流放大系数测试
20.在半导体器件的噪声测试中，以下哪项不是表征噪声的主要参数？（）
A.噪声功率谱密度
B.噪声等效功率
C.噪声温度
D.噪声频率
9.在测试半导体器件的频率特性时，增益带宽积是一个关键的参数。（√）
10.热敏电阻的阻值随温度的升高而减小。（×）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体器件测试中，为什么要对测试设备进行校准，以及校准的主要目的是什么。
半导体材料性质与器件制造基础考核试卷
1.在N型半导体中，主要载流子是空穴。（）
2. PN结在反向偏压下，扩散层会变宽。（）
3.三极管的放大作用主要发生在基区。（）
4.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的控制方式相同。（）
5.光刻工艺中，曝光时间越长，光刻胶的曝光量越多。（）
6.半导体器件的掺杂工艺是为了改变其电阻率。（）
7.集成电路的制造过程中，每一层都需要进行光刻。（）
8.硅太阳能电池的工作原理基于热电效应。（）
9.在集成电路设计中，布线是设计过程中的最后一步。（）
10.半导体器件的失效通常是由于过电压引起的。（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体材料的基本性质，并说明这些性质如何影响半导体器件的性能。
D.制备金属电极
15.以下哪种材料常用作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.氧化硅
C.硼
D.砷化镓
16.在半导体器件中，金属化的作用是（）
A.提供载流子
B.提供电接触
C.提高热导率
D.提高机械强度
17.以下哪种器件主要用于放大信号？（）
A.二极管
B.三极管
C.电阻
D.电容
18.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的主要区别在于（）
12.光刻工艺中，光源波长对光刻分辨率的影响是（）
A.波长越短，分辨率越高
B.波长越长，分辨率越高
C.波长与分辨率无关
D.波长取决于分辨率
13.以下哪种掺杂元素主要用于制作N型半导体器件？（）
A.硼
B.磷
C.砷
D.锗
半导体器件制造过程中的性能测试考核试卷
10. PN结的正向特性是指当加正向电压时，_______迅速增加。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.在半导体器件中，N型半导体的导电性比P型半导体好。（）
2.栅极长度越短，MOSFET的开关速度越快。（）
答案：
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.半导体器件制造中，常用的清洗液有去离子水、_______和溶剂等。
2.在MOSFET中，_______是指从源极到漏极的电流达到最大时的栅极电压。
3.金属-氧化物-半导体(MOS)结构中，金属通常指的是_______。
A.温度B.杂质浓度C.结面积D.加载电流
6.半导体器件中的载流子包括以下哪些？（）
A.自由电子B.空穴C.离子D.负电子
7.以下哪些方法可以用来改善半导体器件的热稳定性？（）
A.减小器件尺寸B.使用高热导率材料C.增加氧化层厚度D.降低工作温度
8.在半导体器件制造中，以下哪些工艺用于形成金属互联？（）
A.光刻B.化学气相沉积C.电镀D.磨片
9.以下哪些测试可以用来评估二极管的反向特性？（）
A. IV曲线测试B. CV曲线测试C.耐压测试D.反向恢复时间测试
10.以下哪些材料常用于制造集成电路的绝缘层？（）
A.硅氧化物B.硅化物C.氮化物D.多晶硅
11.以下哪些因素会影响场效应晶体管的开关速度？（）
4.半导体器件的亚阈值摆幅是指在_______条件下，栅极电压变化引起漏极电流变化的斜率。
5.用来测试半导体器件热稳定性的常见方法是_______。
(完整版)半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体培训测试
半导体培训测试（100分）1、姓名【填空题】________________________2、工号【填空题】________________________一、单选题3、1、自然界的物质、材料按导电能力大小可分哪些种类。
【单选题】（3分）A.A、导体B.B、半导体C.C、绝缘体D.D、以上三项都是正确答案: D4、2、选出下列属于半导体材料的选项。
【单选题】（3分）A.A、硅B.B、锗C.C、砷化镓D.D、以上三项都是正确答案: D5、3、当前半导体行业研究的热门话题low-K材料是什么？【单选题】（3分）A.A、低介电常数材料B.B、所有半导体材料C.C、光刻胶材料D.D、以上三项都是正确答案: A6、4、低介电常数材料或称low-K材料的介电常数通常是多少以下？【单选题】（3分）A.A、介电常数k≤2.8B.B、介电常数k≤3.9C.C、介电常数k≤1D.D、以上三项都是正确答案: D7、5、晶圆的的8、12英寸是是什么参数指标？【单选题】（3分）A.A、重量B.B、材料系数C.C、晶圆直径D.D、晶圆厚度正确答案: C8、6、硅晶圆材料主要来源什么物资的提炼？【单选题】（3分）A.A、沙子B.B、植物C.C、石油D.D、海水正确答案: A9、7、晶体管实质上有哪几部分由组成？【单选题】（3分）A.A、漏极（Drain）B.B、源极（Source）C.C、栅极（Gate）D.D、以上三项都是正确答案: D10、8、晶圆制造工艺中、芯片电路内纳米架构是晶体管越小越好，栅极的最小宽度就是工艺制程中的X 纳米，那么以下哪些选项是我们加工所谓的LOW-K材料？【单选题】（3分）A.A、45nm-32nmB.B、28nm-14nm，C.C、10nm-7nmD.D、以上三项都是正确答案: D11、9、选出硅片从原材料到成型的加工工序。
【单选题】（3分）A.A、冶金熔融B.B、拉直长晶C.C、晶棒切片D.D、以上三项都是正确答案: D12、10、烧蚀激光切割机的加激光属于什么光？【单选题】（3分）A.A、日光B.B、紫外光C.C、红外光D.D、黄光正确答案: B二、多选题13、11、半导体工厂的生产环境要求包括以下哪些？【多选题】（5分）A.A、恒温B.B、恒湿C.C、ESD 防护D.D、防火正确答案: ABC14、12、下列不属于IC封装生产工序的是。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
半导体器件考试试卷(电工电子技术大学专业试卷)
半导体器件考试试卷一、填空题1、半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有_________性、_________性、_________性。
2、在半导体中，同时存在着_________导电和_________导电，这是半导体导电方式的主要特点。
3、P 型半导体中多数载流子是__ _____ ,少数载流子是__ _____ ；N 型半导体中多数载流子是__ _____, 少数载流子是__ _____ 。
4、半导体中的多数载流子主要是__ _____形成的，少数载流子一定是__ _____形成的。
5、PN 结的__ _____区接高电位，而__ _____区接低电位，称为PN 结正向偏置，则PN 结__ _____。
6、硅二极管的死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏；锗二极管死区电压约为__ _____伏，正向导通电压约为__ _____伏。
．7、二极管的正向电流是由__ _____载流子的__ _____运动形成的；而反向电流则是由__ _____ 载流子的__ _____运动形成的。
8、稳压管工作在特性曲线的__ _____区，其在电路中的接法为：稳压管的阴极应接电源的__ _____极。
9、整流作用是利用二极管的__ _____特性工作的，稳压管是利用二极管__ _____特性工作的 。
10、在模拟电路中，三极管通常工作在__ _____状态。
在数字电路中，三极管通常工作在__ _____状态和__ _____状态，其作用相当于__ _____。
11、三极管的输出特性分为三个工作区，分别是__ _____、__ _____、__ _____。
12、晶体管工作受温度影响是由于温度变化__ _____浓度变化所致 。
二、 单项选择题1、在电路中测出三极管三个电极对地电位如图2-1所示，则该三极管处于( )状态。
A ．截止状态B ．放大状态C ．饱和状态2、在图2-2所示电路中，设稳压管1Z D 的稳压值为7伏，稳压管2Z D 的稳压值为6伏，两管的正向导通电压均为0.6伏，在i U =20V 时，输出电压O U 的值为 ( )。
半导体与电子学测试题
半导体与电子学测试题
题目一：半导体基础知识
1. 什么是半导体？它与导体和绝缘体有何不同？
2. 简述半导体材料的能带结构和载流子类型。
3. 什么是PN结？它的特性是什么？如何改变PN结的导电性？
4. 请解释PN结的正向偏置和反向偏置的区别。
5. 什么是半导体的掺杂？N型和P型半导体的掺杂元素是什么？
题目二：半导体器件
1. 请简述二极管的结构和工作原理。
2. 解释什么是整流器和稳压二极管。
3. 请说明MOSFET和BJT的主要区别，并分别描述它们的结构和工作原理。
4. 什么是集成电路？请描述它的主要类型和制作工艺。
5. 简要介绍一下光电子器件和传感器的应用领域。
题目三：数字电子学
1. 什么是布尔代数？简述布尔代数的基本运算和定理。
2. 解释逻辑门的功能和布尔代数与逻辑门的关系。
3. 简要介绍一下与门、或门、非门和异或门。
4. 请解释触发器的功能和工作原理，并描述RS触发器和D触发器的特点与应用。
5. 简述计数器和移位寄存器的作用，并解释它们的工作原理。
以上为半导体与电子学测试题，要求您针对每个问题给出详细的回答。
文章不需要额外的标题或小节，仅需按照题目给出的顺序进行回答即可。
请注意语句通顺，表达准确，格式整洁美观。
第5章 半导体器件基础-习题解答
UI U Z I L I Z max R
U I (max) U Z I Zmax I Lmin
R
U I (min) U Z I Zmin I Lmax
则 30
13.6 9 12 9 R 49(选47) ； 100 56 5 56
I1 ① ③ I3 题 5.6 图 I2 ②
【解】(1) 集电、基、发射
(2) 40
(3) PNP 型
5.7 如题 5.7 图所示电路中，已知场效应管的，试判断在下列三种情况下，场效 应管分别工作在哪个状态？ （1）uGS=－8V，uDS=4V （2）uGS=－3V，uDS=4V （3）uGS=－3V，uDS=1V
（2）N 型半导体中多数载流子是( ② ①电子 （3）PN 结最重要的一个特性是 ( ①具有高电阻性
②自由电子 ② )。
②具有单向导电性 )。
③具有低电压性
（4）在半导体材料中，下列说法正确的是( ②
① P 型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 ② N 型和 P 型半导体材料本身都不带电。 ③ N 型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 （5）在题 5.1（5）图所示电路中， u 6 sin(t) V ，E =3V，若忽略二极管正向压 降和反向电流，则 u0 的波形为图( ③ )。
U I (max) U Z 13.6 9 UZ 9 0.81W 1W R 51
(2) 校验稳压管的最大耗散功率，当 IL =0, 稳压管的耗散功率最大，
PZ I RU Z
所以选 2CW107 的稳压管可满足要求； (3) 计算限流电阻的最大耗散
【基本概念题】 5.1 思考题 （1） PN 结的反偏和正偏指的是什么？ （2）二极管是非线性元件，如何把它的伏安特性线性化？ （3）稳压管和普通二极管有什么区别？ （4）三极管是线性元件还是非线性元件？ （5）为什么三极管的输入特性与二极管的伏安特性类似？ （6）三极管处于截止、放大、饱和三个状态时的外部条件是什么？ （7）在场效应管的特性描述中为什么不用输入特性曲线，而用转移特性曲线？ 5.2 选择题 （1）P 型半导体中多数载流子是( ①电子 ③ )。 ③空穴 ②自由电子 )。 ③空穴
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）
姓名班次分数
一、选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；
B、空穴；
C、三价元素；
D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；
B、杂质的浓度：
C、温度；
D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；
B、—6V；
C、+6V；
D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；
B、锗管使用在反向击穿区；
C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；
D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；
D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；
B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；
C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；
D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是。
A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；
B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；
C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。
D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管
正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则
下列四种变化中正确的是。
A、U I↑→U0↑→I W↑→I R↑→U R↑→U0↓；
B、U I↑→U0↑→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓；
C、U I↑→U0↓→I W↓→I R↑→U R↑→U0↓；
D、U I↑→U0↓→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是。
A、三极管具有电压放大作用；
B、三极管具有功率放大作用；
C、三极管具有电流放大作用；
D、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是。
A、二极管具有单向导电性；
B、二极管同样具有放大作用；
C、二极管具有箝位功能；
D、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是。
A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系；
B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；
C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系；
D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系；
15、下图中两只二极管的导通状态是。
A、D1、D2导通；
B、D1、D2截止；
C、D1导通、D2截止；
D、D1截止、D2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -15V；
D、U AO= -12V。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -12V；
D、U AO= 0V。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=6V；
B、U AO= –6V；
C、U AO= -12V；
D、U AO=12V。
19、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而。
A、升高/升高；
B、降低/降低；
C、升高/降低；
D、降低/升高。
20、下列是PN结两端的电位值，使PN结导通的是。
A、P端接+5V，N端通过一电阻接+7V；
B、N端接+2V，P端通过一电阻接+7V；
C、P端接─3V，N端通过一电阻接+7V；
D、P端接+1V，N端通过一电阻接+6V。
21、电路如图所示，R=1KΩ，设二管导通时的管压降为0.5V，则电压表的读数是。
A、0.5V；
B、15V；
C、3V；
D、以上答案都不对。
22、如图所示，设输入信号u i为正弦波，幅值为1V，二极管导通时正向电压降为0.6V，
关于输出信号u0波形的说法，正确的是。
A、输出电压值的范围介于-0.6V — +0.6V 之间；
B、输出电压值的范围介于-0V — +0.6V之间；
C、输出电压值的范围介于-0.6V — 0V之间；
D、输出电压值的范围介于0V — 1V之间。
23、对于3AG11C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
24、对于3DD80C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
25、对于3DG12C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
26、对于3AD30B三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
27、场效应管属于控制型器件，晶体三极管则属于控制器件。
A、电压/电流；
B、电流/电压；
C、电压/电压；
D、电流/电流
28、电路其如图所示，D为理想
二极管，则u0为。
A、3V；
B、6V；
C、
-3V；D、-6V。
29、电路如下图所示，已知Rb=10KΩ，Rc=1KΩ，Ec=10V，
晶体管的β=50，Ube=0.7V，当Ui=0V 时，
三极管处于。
A、截止状态；
B、放大状态；
C、饱和状态；
D、击穿状态。
二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）
三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求下图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
五、作图分析题
1、电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
2、电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。