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半导体制造专业术语
微电子制造专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体专业用语
金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG）钝化层（Passivation）acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADI After develop inspection显影后检视AEI After etching inspection蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key)：对位标记Alignment 排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride：NHFAmmonium hydroxide：NHOHAmorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）amplifier 放大器AMU 原子质量数Analog：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom：A（E-m）埃Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）Antimony(Sb)锑arc chamber 起弧室ARC：anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)氩Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)砷Arsine(AsH)ASHER 一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASI 光阻去除后检查ASIC 特定用途集成电路Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）ATE 自动检测设备Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻Backside 晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current 电子束电流Benchmark：基准BGA ball grid array 高脚封装Bipolar：双极Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室Chart 图表Child lot 子批chiller 制冷机Chip (die) 晶粒Chip：碎片或芯片。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSI STOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MO S制造过程中ACTI VE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BI RD’SBEAK 存在，也就是说AC TIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：AfterDevelo pingInspec tion之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即Af ter Etchin g Inspec tion，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TR ANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTI VE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体制造专业术语
微电子制造专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
1.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子20.Asher：去胶机21.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）Acid2.：酸22.Active device：有源器件，如MOS FET （非线性，可以对信号放大）Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 3.23.Back end：后段（ 4.Align mark(key)：对位标记CONTACT以后、PCM测试前）24. Baseline：标准流程Alloy5.：合金25.6.Aluminum：铝Benchmark：基准26. Bipolar：双极Ammonia7.：氨水27.8.Ammonium fluoride：Boat：扩散用（石英）舟NH4F28.CD：（Ammonium hydroxide9.：NH4OH Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
，非晶硅（不是多晶硅）-SiAmorphous silicon10.：α29.Analog11.：模拟的Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
30.）埃Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
1E-10mAAngstrom12.：（31.13.Chemical vapor deposition ）（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工POLY ETCHAnisotropic：各向异性（如艺。
14. 95%AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以置信度通过质32.Chip：碎片或芯片。
量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）33.CIM等层的光刻）：抗反射层（用于15.ARC(Antireflective coating)METAL ：computer-integrated manufacturing 的缩写。
半导体专业用语
金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG）钝化层（Passivation）acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADI After develop inspection显影后检视AEI After etching inspection蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key)：对位标记Alignment 排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride：NHFAmmonium hydroxide：NHOHAmorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）amplifier 放大器AMU 原子质量数Analog：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom：A（E-m）埃Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）Antimony(Sb)锑arc chamber 起弧室ARC：anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)氩Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)砷Arsine(AsH)ASHER 一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASI 光阻去除后检查ASIC 特定用途集成电路Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）ATE 自动检测设备Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻Backside 晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current 电子束电流Benchmark：基准BGA ball grid array 高脚封装Bipolar：双极Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室Chart 图表Child lot 子批chiller 制冷机Chip (die) 晶粒Chip：碎片或芯片。
半导体 行业术语
半导体行业术语
1.芯片：一种半导体材料制成的微型电子元件，可用于存储和处理数据。
2. 集成电路：一种由许多芯片组成的电子元件，它能够实现许多复杂的功能。
3. 逻辑门：一种用于控制逻辑运算的电子元件，包括与门、或门、非门等。
4. MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，是一种常见的半导体器件，可用于控制电流和电压。
5. PN结：一种半导体器件结构，由P型半导体和N型半导体组成，可用于制造二极管、光电器件等。
6. 晶体管：一种基于半导体材料的电子元件，可用于放大和开关电路。
7. 闪存：一种用于存储数据的半导体存储器，可用于制造USB 闪存驱动器、SSD等。
8. CMOS：互补金属氧化物半导体技术，是一种用于制造集成电路的主流技术。
9. MEMS：微电子机械系统，是一种将微型机械和电子技术相结合的技术。
10. LED：发光二极管，是一种半导体器件，可用于制造照明产品、指示灯等。
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半导体专业术语
半导体专业术语
1. “晶圆”呀，就像半导体世界的大舞台，各种芯片都要在这上面表演呢！比如你手机里的芯片，就是在晶圆上诞生的哟。
2. “光刻”不就是给半导体画画嘛，精细得很嘞！你想想看，能把那么复杂的电路画得那么准确，是不是很厉害呀！就像一个超级厉害的画家。
3. “掺杂”，这就像是给半导体加点特别的调料，让它有不同的性能呢！好比做菜，加点盐味道就不一样了，掺杂能让半导体变得更独特哦。
4. “封装”，可以说是给半导体穿上保护衣啦！就像给宝贝手机套上手机壳一样，能保护里面的芯片好好工作呀。
5. “MOSFET”，这可是半导体里的大明星呢！很多电子设备都离不开它，它就像一个超级能干的小助手，默默地奉献着。
比如电脑里就有它在努力工作哦。
6. “PN 结”，就像是半导体里的一道神奇关卡，控制着电流的通过呢！就像小区门口的保安，决定谁能进出一样。
7. “蚀刻”，这简直就是给半导体做雕刻呀，把不需要的部分去掉，留下精华！就像雕刻大师精心雕琢作品一样。
8. “半导体器件”，那可是各种各样的宝贝呀！从小小的二极管到复杂的集成电路，它们就像一个神奇的宝库，给我们的生活带来便利。
你家里的电器里肯定有它们的身影呢！
9. “禁带宽度”，这就像是半导体的一个小秘密，决定了它的很多特性呢！是不是很神秘呀？
10. “外延生长”，可以想象成让半导体像小树苗一样长大，变得更强大更优秀！是不是很有意思呀？。
半导体常用术语
半导体常用术语1. PN结：两种不同材料的半导体晶体形成的界面，其中一侧为正电荷载体（P区），另一侧为负电荷载体（N区）。
2. 栅极：在MOSFET器件中，用于控制电流和开关的电极。
3. 基极：在双极型晶体管中，用于控制电流和放大信号的电极。
4. 门极：在MOSFET器件中，类似于基极的功能，用于控制电流和信号。
5. 整流器：将交流电转换为直流电的电子器件。
6. 极化：在半导体器件中，通过施加电压或电流来改变材料的电特性。
7. 导电性：半导体材料具有可变的电导率，可以是n型（负载体）或p型（正载体）。
8. 掺杂：在半导体材料中添加杂质以改变其电导率或电特性。
9. 流明：用于衡量光通量的单位，表示单位面积上通过的光的总量。
10. 电子迁移率：表示材料中电子在电场中移动的能力，是衡量材料导电性能的指标。
11. 集成电路：将多个电子元件集成到一个芯片上的电路。
12. 噪声：随机电信号中的不规则波动，对电子设备和电路性能产生不利影响。
13. 功耗：电子器件或电路从电源耗电的功率。
14. 延迟：在电子器件或电路中，信号传播的时间延迟。
15. 反向偏置：对PN结施加电场，使电流不流过结的过程。
16. 正向偏置：对PN结施加电场，使电流流过结的过程。
17. 散射：电子或光子在材料中碰撞并改变方向或能量的过程。
18. 热传导：通过材料中原子或分子之间的振动转移热量的机制。
19. 量子效应：在纳米尺度下，量子力学效应对材料电子行为的影响。
20. 功能集成：将多个不同功能的电子元件或系统集成到一个芯片上的过程。
半导体专业用语
金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(Passivation)acceptor受主,如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator 激励ADI After develop inspection 显影后检视AEI After etching inspection 蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key):对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride： NHFAmmonium hydroxide： NHOH Amorphous silicon：α -Si,非晶硅(不是多晶硅) amplifier 放大器AMU原子质量数Analog：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom： A (E-m)埃AniSotrOPiC:各向异性(如POLYETCH) Antimony(Sb)睇arc chamber 起弧室ARC： anti-reflect coating 防反射层ArgOn(Ar)氢Arsenic trioxide(AsO)Ξi氧化二碎Arsenic(As)fiΨArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD： critical dimension关键性尺寸，临界尺寸Chamber反应室Chart图表Child lot 子批chiller制冷机Chip (die)晶粒Chip：碎片或芯片。
clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布，光阻覆盖Computer-aided design (CAD)：计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Correlation ：相关性。
半导体业界常用术语
半导体业界常用术语
1. “晶圆，那可是半导体的根基啊！就好比是大楼的基石，没有它怎么能行呢？你想想，要是没有晶圆，那些芯片从哪儿来呀！”
2. “封装，这就像是给半导体穿上一件保护衣，让它能安全地工作呀！你看，把那些精细的器件包裹起来，多重要啊！”
3. “光刻机，哇哦，这可是半导体制造的关键设备呀！没有它，就像画家没有画笔，怎么能画出美丽的图案呢？”
4. “蚀刻，这简直就是在半导体上进行精细雕琢呀！就跟雕刻大师精心塑造作品一样，厉害吧！”
5. “掺杂，这可是改变半导体性能的重要手段呢！就好像给它注入了特别的力量，让它变得与众不同。
”
6. “外延，这就像是给半导体不断添砖加瓦，让它成长壮大呀，你说神奇不神奇？”
7. “MOS 管，嘿，这可是半导体里的小能手啊！在电路里发挥着大作用，就像一个勤劳的小蜜蜂！”
8. “集成电路，哇，这可是把好多好多的半导体元件集合在一起呀，那威力可大了去了，你能想象吗？”
9. “半导体材料，这可是一切的源头啊！没有好的材料，怎么能做出优秀的半导体呢，对吧？”
10. “PN 结，这可是半导体的重要结构呢！就像是一个神奇的开关，控制着电流的通过，厉害吧！”。
半导体物理专业术语英汉对照50词.doc
1 acceptor 受主2 allowed energy band允带3 binary semiconductor 二元半导体4 charge neutrality condition 电中性条件5 compensated semiconductor 补偿半导体6 conduction band and valence band 导带和价带7 effective mass 有效质量8 density of states function状态密度函数9 diamond structure金刚石结构10 diffusion coefficient扩散系数11 donor施主12 drift velocity 漂移速度13 electron and hole电子和空穴14 elemental semiconductor 元素半导体15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度16 expitaxy外延17 extrinsic semiconductor非本征半导体18 Fermi energy (or level)费米能级19 Forbidden energy band禁带20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体21 intrinsic semiconductor本征半导体22 majority carrier多数载流子23 MBE分子束外延24 Miller indices密勒指数25 minority carrier少数载流子26 mobility迁移率27 MOCVD金属有机气相沉积28 nondegenerate semiconductor非简并半导体29 n-type material n型材料30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理31 phonon声子32 photon光子33 primitive cell34 quantum state量子态35 quaternary semiconductor四元半导体36 scattering散射37 substrate衬底38 thermal motion热运动39 unit cell单胞40 wave-particle duality波粒二相性41 continuity equations连续性方程42 diffusion length扩散长度43 diffusion coefficient扩散系数44 Einstein relationship爱因斯坦关系45 p-n junction p-n结46 built-in voltage 内建电势差47 carrier lifetime 载流子寿命48 space charge region 空间电荷区49 depletion width 耗尽宽度50 saturation drift velocity 饱和迁移速度。
半导体行业英语专业术语
半导体行业英语专业术语1.Angle of incidence：入射角。
2.Dielectric：介电质。
3.Epitaxial Growth：外延生长。
4.Junction：结。
5.MOS transistor：MOS晶体管。
6.Lithography：光刻。
7.Photoresist：光刻胶。
8.Picking：取片。
9.Reflow soldering：热风焊接。
10.Deposition：沉积。
11.Diffusion：扩散。
12.Doping：掺杂。
13.Epitaxy：外延。
14.Furnace：炉。
15.Gate oxide：栅极氧化层。
16.Grinding：研磨。
17.Ion Implantation：离子注入。
18.Polishing：抛光。
19.Substrate：基底。
20.Chip：芯片。
21.Wafer：晶圆。
22.Yield：良率。
23.Masking：掩模。
24.Electrical Characterization：电性测试。
25.Suitability Test：可靠性测试。
26.Failure Analysis：失效分析。
27.Annealing：退火。
28.Threshold Voltage：阈值电压。
29.Voltage Transfer Curve：电压传递曲线。
30.Contact Resistance：接触电阻。
31.Electromigration：电迁移。
32.Inspection：检验。
33.CMP：表面处理。
34.CVD：化学气相沉积。
35.Metallization：金属化。
36.Microscopy：显微镜。
37.Ohmic Contact：正性接触。
38.Oxidation：氧化。
39.PECVD：电演化学气相沉积。
40.Photolithography：光刻工艺。
41.Sputtering：溅射。
42.Thermal Oxidation：热氧化。
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1. acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子20. Asher ：去胶机2. Acid ：酸21. Aspect ration ：形貌比（ ETCH中的深度、宽度比）3. Active device ：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）22. Autodoping ：自搀杂（外延时 SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）4. Align mark(key) ：对位标记23. Back end ：后段（ CONTACT以后、 PCM测试前）5. Alloy ：合金24. Baseline ：标准流程6. Aluminum：铝25. Benchmark：基准7. Ammonia：氨水26. Bipolar ：双极8. Ammonium fluoride ： NH4F 27. Boat ：扩散用（石英）舟9. Ammonium hydroxide ： NH4OH 28. CD：（Critical Dimension ）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为10. Amorphous silicon ：α -Si ，非晶硅（不是多晶硅）多晶条宽。
11. Analog ：模拟的29. Character window ：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
12. Angstrom ：A（1E-10m）埃30. Chemical-mechanical polish （ CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
13. Anisotropic ：各向异性（如POLY ETCH）31. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工14. AQL(Acceptance Quality Level) ：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质艺。
量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）32. Chip ：碎片或芯片。
15. ARC(Antireflective coating) ：抗反射层（用于 METAL等层的光刻）33. CIM： computer-integrated manufacturing 的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种16. Argon(Ar) 氩综合方式。
17. Arsenic(As) 砷34. Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
18. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷35. Cleanroom ：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
19. Arsine(AsH3)36. Compensation doping：补偿掺杂。
向P 型半导体掺入施主杂质或向N 型掺入受主杂质。
37. CMOS：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。
一种将 PMOS和 NMOS在同一个52. Depth of focus （ DOF）：焦深。
硅衬底上混合制造的工艺。
53. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果38. Computer-aided design （ CAD）：计算机辅助设计。
的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
39. Conductivity type ：传导类型，由多数载流子决定。
在N 型材料中多数载流子是电子，在54. develop ：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）P 型材料中多数载流子是空穴。
55. developer ：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液40. Contact ：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
56. die ：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上41. Control chart ：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
的部分划片槽区域。
42. Correlation ：相关性。
57. dielectric ：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供43. Cp：工艺能力，详见 process capability。
电绝缘功能。
44. Cpk：工艺能力指数，详见 process capability index 。
58. diffused layer ：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形45. Cycle time ：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
成与衬底材料反型的杂质离子层。
46. Damage：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫59. drive-in ：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
做损伤。
60. dry etch ：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物47. Defect density ：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
48. Depletion implant ：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽61. effective layer thickness ：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）硅锭前端的深度。
49. Depletion layer ：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
62. EM：electromigration ，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散50. Depletion width ：耗尽宽度。
53 中提到的耗尽层这个区域的宽度。
过程。
51. Deposition ：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一63. epitaxial layer ：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体种方法。
材料，这一单晶半导体层即为外延层。
64. equipment downtime ：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
83. hard bake ：后烘65. etch ：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
84. heteroepitaxy ：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法66. exposure ：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
85. high-current implanter ：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产67. fab ：常指半导体生产的制造工厂。
86. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter ：高效率空气颗粒过滤器，去掉%的大于68. feature size ：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
的颗粒69. field-effect transistor （ FET）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的87. host ：主机多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
88. hot carriers ：热载流子70. film ：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
89. hydrophilic ：亲水性71. flat ：平边90. hydrophobic ：疏水性72. flow velocity ：流速计91. impurity ：杂质73. flow volume ：流量计92. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体74. flux ：单位时间内流过给定面积的颗粒数93. inert gas ：惰性气体75. forbidden energy gap ：禁带94. initial oxide ：一氧76. four-point probe ：四点探针台95. insulator ：绝缘77. functional area ：功能区96. isolated line ：隔离线78. gate oxide ：栅氧97. implant : 注入79. glass transition temperature ：玻璃态转换温度98. impurity n : 掺杂80. gowning ：净化服99. junction : 结81. gray area ：灰区100. junction spiking n : 铝穿刺82. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪101. kerf :划片槽102. landing pad n :PAD 122. overlap n ：交迭区103. lithography n制版123. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应104. maintainability, equipment : 设备产能124. phosphorus (P) n：磷，一种有毒的非金属元素105. maintenance n : 保养125. photomask n ：光刻版，用于光刻的版106. majority carrier n : 多数载流子126. photomask, negative n ：反刻107. masks, device series of n : 一成套光刻版127. images ：去掉图形区域的版108. material n : 原料128. photomask, positive n ：正刻109. matrix n 1 : 矩阵129. pilot n：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子110. mean n : 平均值130. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体111. measured leak rate n : 测得漏率131. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n ：等离子体化学气相淀积，低112. median n : 中间值温条件下的等离子淀积工艺113. memory n : 记忆体132. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺114. metal n : 金属133. pn junction n ： pn 结115. nanometer (nm) n ：纳米134. pocked bead n ：麻点，在 20X 下观察到的吸附在低压表面的水珠116. nanosecond (ns) n ：纳秒135. polarization n ：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语117. nitride etch n ：氮化物刻蚀136. polycide n ：多晶硅 / 金属硅化物，解决高阻的复合栅结构118. nitrogen (N2 ) n ：氮气，一种双原子气体137. polycrystalline silicon (poly) n ：多晶硅，高浓度掺杂（ >5E19）的硅，能导电。