半导体专业用语

金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG）

钝化层（Passivation）

acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸

actuator激励

ADI After develop inspection显影后检视

AEI After etching inspection蚀科后检查

AFM atomic force microscopy 原子力显微Alignment

Alloy：合金

Aluminum

Ammonia

amplifier

AMU

Analog

Angstrom：

Anisotropic

arc chamber

ARC：

Argon(Ar)氩

Arsenic(As)

Arsine(AsH)

ASHER

Asher

ASI

ASIC

Aspect ration

ATE 自动检测设备

Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻

Backside 晶片背面

Baseline：标准流程

Beam-Current 电子束电流

Benchmark：基准

BGA ball grid array 高脚封装

Bipolar：双极

Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟

CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室

Chart 图表

Child lot 子批

chiller 制冷机

Chip (die) 晶粒

Doping 掺杂

Dose 剂量

Downgrade 降级

DRC design rule check 设计规则检查

Dry Clean 干洗

Due date 交期

Dummy wafer 挡片

E/R etch rate 蚀刻速率

EE 设备工程师

ELS extended life source 高寿命离子源enclosure 外壳

BPSG 含有硼磷的硅玻璃

Break 中断，stepper机台内中途停止键

cassette 晶片盒

End Point 蚀刻终点

e-shower 中性化电子子发生器

ET etch 蚀刻

Exhaust 排气（将管路中的空气排除）Exposure 曝光

extrantion electrode 高压吸极

FAB 工厂

fab

Field Oxide

filament

film

flat aligener

flat：平边

Flatness

flow velocity

flow volume

flux

Focus 焦距

Foundry

FSG

Furnace

gate oxide

gowning

gray area：灰区

gyro drive 两方向偏转

hard bake：后烘，坚烘,soft bake (软烘) HCI hot carrier injection 热载流子注入HDP：high density plasma

高密度等离子体

heat exchange 热交换机

High-V oltage 高压

host：主机

Hot bake 烘烤ICP inductive couple plasma

感应等离子体

ID 辨认，鉴定

IGBT 绝缘门双极晶体管

images：去掉图形区域的版

implant 注入

Implant 植入

impurity n 掺杂

majority carrier n

多数载流子

Mask (reticle) 光罩

masks, device series of n

一成套光刻版

material n 原料

matrix n 矩阵

mean n 平均值

measured leak rate n 测得漏率

median n 中间值

memory n 记忆体

Merge 合并

metal n 金属

Metal Via 金属接触窗

MFG 制造部

Mid-Current 中电流

Module 部门

nanometer (nm) n ：纳米

nanosecond (ns) n ：纳秒

NIT SiN 氮化硅

nitride etch n ：氮化物刻蚀

方

photomask n ：光刻版，用于光刻的

版

photomask, negative n：反刻

photomask, positive n：正刻

Pilot 实验的

PVD 物理气相淀积

PW p-doped well P阱

quad rupole lens 磁聚焦透镜

quartz carrier n 石英舟。

Queue time 等待时间

内层介电层（ILD）、