安永硅片分选机TD-200

2,350(W)x 950(D)x1,750 (H)mm 約 1,000Kg *除装载机/卸载机 AC 3相 200V 50/60Hz ห้องสมุดไป่ตู้ax20A 0.39MPa 50L/min以上
概要
• 太阳能晶片外観検査总解决方案 晶片ー表面欠陥検査（晶片上面/下面） 晶片尺寸・形状測定 –多結晶晶片結晶粒度測定 –不可視内部裂缝検査（Crack-Amplifier Technology*） –晶片4辺边缘 欠陥検査 –晶片边缘側面厚度測定 –3D 検査（弯曲/翻,厚度/TTV, 钢线欠陥） • 高速検査 1.0sec/wafer（開発计划价值 ） • 単結晶、多結晶太阳能晶片対応
分類数:9 *17分類への拡張可能
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太阳能晶片検査装置
Feb.2009
系统構成
边缘検査 – 左 上面 表面検査 不可視裂缝検査 （NVCD） X 边缘検査 – 後
不可視裂缝検査 （NVCD） Y
边缘検査- 右
3D 検査
晶片 90°回転 下面 表面検査 边缘検査– 前 To ソーター アンローダ
基本仕様
晶片类型 晶片尺寸 処理能力 装载机 アンローダソーター 装置尺寸 装置重量 電源 空气 単結晶、多結晶ソーラーウェハー 125mm, 156mm 2,400～3,600 wafer/hour (1.0～1.5 sec/wafer) 晶片 组数:2 分類数:9 *可扩张到17种 *除装载机/卸载机
検出部 最小矩形 长度/宽度 （L/W Ratio） 长度(L)
宽(W)
太阳能晶片側面厚度測定
測定点 (Caliper)
3D 検査
• 弯曲/翻面 • 厚度/TTV • 钢线欠陥 -记号 -段差 -伤 -波浪
3D 検査
激光変位計6set（上3/下3）
装载机部
ウェハーキャリア セット数:2
卸载机部
ウェハーエッジ欠陥検査
晶片边缘欠陥検査
晶片边缘欠陥検査 应用软件
边缘裂缝 検出过滤器例
（危険裂缝検出性向上・過検出低減）
-与边缘的角度（Angle to Edge）• 根据検出部集体最小矩形的较长方向軸和最近旁 边缘线的角度Pass/Fail过滤器
長手方向 軸
検出部 最小矩形
与边缘线的角度 最近傍 エッジ
边缘裂缝 検出过滤器例
（危険裂缝検出性向上・過検出低減）
-与边缘的距離（Distance to Edge）• 根据検出部集体最小矩形和最近旁边缘线的距離 Pass/Fail过滤器
从边缘的 距離
検出部 最小矩形 最近旁边 缘
边缘裂缝 検出过滤器例
（危険裂缝検出性向上・過検出低減）
-长度/宽度（L/W Ratio）• 根据検出部集体最小矩形的长度（L）和宽（W） 的尺寸Pass/Fai过滤器
*Patent Pending
表面欠陥検査（上面/下面） ウェハーサイズ・形状測定
• 表面欠陥検査 –脏污, 異物,针孔 ,塌陷 , 指紋等 –上面/下面 両面検査 –検出欠陥尺寸 200µmx200µm～ • 晶片尺寸形状測定 –外形（宽,长度）, 直径（対角長）, R・C面取り尺寸, 四角形度（直角度）, 平行度 –精度 ±100µm (尺寸測定), ±0.1° (角度測定) • 画像分解能 85µm/pixel
表面欠陥検査（上面/下面） ウェハーサイズ・形状測定
上面検査部
下面検査部
不可視内部クラック検査 （NVCD）
• 用专用光源检查出晶片内部的不可視裂缝 • Crack-Amplifier Technology* 与市場其他公司的方式相比、可以更细微的检查 出裂缝検出可能 • 排除多結晶晶片的粒界噪音的影響、欠陥分類算 法的最合適化 • 画像分解能 46µm/pixel
*Patent Pending
不可視内部クラック検査 （NVCD）
Crack-Amplifier Technology*
市場他社方式
Crack-Amplifier Technology* *Patent Pending
ウェハーエッジ欠陥検査
• 在晶片边缘容易发生裂缝危険。 • 晶片全4辺边缘検査（左・右・前・後） • 边缘上面、下面的両面検査 • 缺边, 破裂, 裂缝 • 画像分解能 8µm/pixel • 検出欠陥尺寸 30µmx30µm～ • 晶片边缘側面厚度測定