硅片检验标准2016-2-1
IEC61215-2016-2-CN
3.术语和定义
❖ 就本文档而言，适用于IEC 60050和IEC TS 61836中给出的术语和定义，以及以下内 容。
❖ 3.1精度<测量仪器> 质量[≈VIM 5.18] ：表征测量仪器能够提供接近被测真实值的指示值。
✓ 参赛须知1: 这个术语用于“真实值”方法。 ✓ 参赛须知2: 当指示值与对应的真实值越接近时，准确性越好。 ✓ [来源：IEC 60050-311：2001，311-06-08]
✓ –通过相同的测量程序， ✓ –由同一位观察员 ✓ –使用相同的测量仪器， ✓ –在相同条件下使用， ✓ –在同一个实验室中
在相对较短的时间间隔内[≈VIM 3.6]。 注释1：“测量程序”的概念在VIM 2.5中定义。 [来源：IEC 60050-311：2001，311-06-06]
3.术语和定义
❖ 3.2 控制装置 辐照度传感器(如标准光伏模块)：用于探测太阳模拟器漂移和其他问题
❖ 3.3 电气稳定的功率输出水平 按照IEC 60721-2-1的定义，光伏组件在一般露天气候中，长期暴露在自然阳光下工作 的状态；
3.术语和定义
❖ 3.4 重复性repeatability<测量结果> 在相同的测量条件下进行的相同测量的连续测量结果之间的一致性的接近度，即：
IEC 61215-2 国际标准
Edition 1.0 2016-03 地面光伏组件设计鉴定和定型
第2部分:测试程序
老船主 2020-08-13
前言(摘要)
❖ 国际标准IEC 61215-2由IEC技术委员会82“太阳能光伏能源系统”制定。 ❖ IEC 61215-2的第一版取消并替代了IEC 61215（2005）的第二版和61646（2008）的
硅检检验标准培训
②根据<送检单>，查看已检数量和来料总数，确认待检数量。
38
2. 5S及工具交接 ①5S方面（ATM机器、地面、垃圾箱、桌面）是否干净整洁，各类物品 是否按规定区域有序摆放。 ②工具方面（推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、 同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其标准片、四探针测试 仪及其标准片，ATM机器校准片）是否完好无损，并且按规定区域 有序摆放。
2-2导电类型
导电类型：P型和N型； 目前我们执行的是P型工艺，N型为不合格； 测量仪器ATM机器。
10
2-3电阻率
电阻率： 用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 ρ 单位 为欧姆·厘米 （ohm*cm ）
（单晶 ） 合格：0.5-3 让步：3-6 不合格：＞6或＜0.5 （多晶 ） 合格：0.5-3 无让步 不合格：＞3或＜0.5 测量仪器：四探针测试仪或ATM自动分选机 注：测试硅片中心点。
A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
3
1-1边长
边长（规格）：125S 156S 156E
合格范围：±0.5mm 例:125合格范围124.50-125.50 让步范围：±0.6mm 例:125让步范围124.40-124.49或125.51-125.60 不合格范围：＜-0.6或＞0.6mm 例:125不合格范围＜124.40或＞125.60
孪晶 不合格
未加工好 不合格
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3-7其它不良
裂纹 不合格
针孔 不合格
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硅片检验要求
1.只接受掺硼片，不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步，否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶＜95%、多晶＜98%，作为批退处理；合格率 单晶≥95%、多晶≥98%，进行试投。 4.等外品片试检合格率＜85%（包括单晶、多晶），作为批退处理；合 格率≥85%，进行试投。 5.硅片试检抽样 来料数量 抽检数量 ≤50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs ＞100000pcs 10000-12000pcs
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容 中文
地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC 规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC 60721-2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 61215适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC 60050，国际电工词汇（网址：）IEC 60068-1 环境测试-第一部分：总述和指导IEC 60068-2-21 环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC 60068-2-78 环境测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状态IEC 60721-2-1 环境状态的分类-第2-1部分：在自然条件下的环境状态-温度和湿度 IEC 60891 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特性的步骤IEC 60904-1 光伏设备-第一部分：光电流-电压特性的测量IEC 60904-2 光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC 60904-3 光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则 IEC 60904-7 光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC 60904-8 光伏设备-第八部分：光伏设备光谱响应率的测量IEC 60904-9 光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC 60904-10 光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC 61215-1 地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 61836 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC 61853-2 光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱响应，入射角，和组件操作测试温度IEC 62790 光伏组件的接线盒-安全要求和测试ISO 868 塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 60050和IEC TS 61836中给出，其他如下。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC -2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC ，国际电工词汇（网址：IEC -1情况测试-第一部分：总述和指导IEC-2-21环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC -2-78情况测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状况IEC -2-1情况状况的分类-第2-1部分：在自然前提下的情况状况-温度和湿度IEC 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特征的步骤IEC -1光伏设备-第一部分：光电流-电压特征的测量IEC -2光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC -3光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则IEC -7光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC -8光伏设备-第八部分：光伏设备光谱相应率的测量IEC -9光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC -10光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC -1地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC -2光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱相应，入射角，和组件操作测试温度IEC 光伏组件的接线盒-安全请求和测试ISO 868塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 和IEC TS 中给出，其他如下。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
硅片检验SOP
晶体硅多晶硅片检验作业指导书
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1.目的
规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。
2.范围
适用于正常购入及代加工的多晶硅片的检验判定
3.职责
3.1电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。
3.2电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门
3.3电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准
3.4电池质量部硅料检验员负责根据多晶硅片检验标准的要求操作。
4.内容
4.1多晶硅片基本检验要求
4.1.1 检验环境
室温、有良好光照（光照度≧700lux左右）
4.1.2 运输/储存要求
4.1.2.1 产品应储存在清洁、干燥的环境中，避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘
颗粒气氛。
4.1.2.2 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施4.1.3 核对相关信息
4.1.3.1收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。
4.1.3.2报料信息需与实物料号一致，数量、规格准确无误。
4.2晶体硅多晶硅片检验项目、术语定义、测量仪器、测试方法、判定基准
注：部分完整不良硅片（例如色差硅片、崩点硅片、轻微线痕等）根据客户要求考量是否投料。
硅片分级检验标准
项 目 等 级
尺寸要求
缺陷类型 厚片 薄片 翘曲度 弯曲度 电阻率 厚度公差 总厚度变化 220μm≤厚度≤225μm （中心点测量值） 175μm≤厚度≤180μm (中心点测量值） ≤30μm ≤100μm 1Ω.cm-3Ω*cm ±20μm ≤30μm 缺陷类型 崩边 线痕 密集线痕 划伤 TTV 应力片 表面清洁度 列痕 色差 亮点 硅脱 亮线 棱面黑斑黄斑 外形片 硅脱 崩 边 线痕 脏污 亮点 亮线 花斑 划伤 边缘 应力片 倒角黑印 大崩边 硅脱 手写缺陷
A 级
B 级
电阻率 厚片 77V 倒角差 菱形片 翘曲度 弯曲度
1Ω.cm-3Ω.cm 225＜厚度≤235μm（中心测量值） 30μm＜77V≤50μm ≥0.5μm 外凸-内凸≤1.0μm ≤200μm ≤20μm
C 级
电阻率 尺寸不Βιβλιοθήκη 翘曲度 弯曲度电阻率不分档 超B级规格上限于下限 ﹥200μm ﹥200μm
外观要求
深≤0.3㎜、长≤0.5㎜、数量≤2个 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 ≤30μm 无 表面无可见花斑、脏污 无 允许 ≤2个 直径＜0.5㎜、深度≤20μm、数量≤2个 数量≤2个 允许（包括四边及倒角脏污） ≤1.0μm（含边距，直径，倒角圆弧 尺寸不良） 深度≤30μm、直径＜0.5㎜、数量≤2个 长≤1㎜、深≤1㎜、数量≤2个 20μm≤单面线痕≤25μm同一位置双面线痕 深度相加＞30μm 允许 允许 允许 允许 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 允许 允许 允许 0.5㎜＜尺寸＜2㎜（少于3处）或0.3㎜≤深 ≤0.5、长度≤0.5、总数＞5个 尺寸＞0.5㎜，数量≤3个 不能归B级或D级部分又不能做原料回收的 其他不良：“C+缺名称”整盒包装标示清楚
硅片检测材料
硅单晶方棒检验标准1目的：为了明确产品的质量要求，加强产品的质量控制，特制定本标准。
2范围：本标准适用于硅单晶切方后的晶棒检测。
3主要内荣：A 、检验项目、标准及抽检方案：（见下图及表格）B 、判定上端面 下端面1.对整根方棒进行检测后，若所有的项目满足检验要求，则判定整根晶棒合格。
2.若晶棒表面存在着明显的刀痕、锉痕等外观不良现象，或物理尺寸超出标准范围，则将该方棒进行返工或报废，返工后需从新检测。
3.检测时，若发现晶棒外观存在着裂纹、孪晶、孔洞等现象或部分段位到点型号呈N型或电阻率不在标准范围之内，或晶棒两截面崩边大于要求，则将该段位明确标识，判为返工，返工后重新进行检测4.检测时，若发现整根晶棒为N型，或整根晶棒电阻率不在标准范围内，则将整根晶棒作报废处理。
1.对进厂的多晶原料及时进行称重，分批次记录清楚并按来料品质进行分类，筛选，与库房统计员做好交接工作并妥善保管。
2.对进厂的圆棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、表面质量、电阻率和勺子寿命，察看有无崩边或磕碰，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
3. 对进厂的方棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、边长、表面质量、电阻率和少子寿命，察看有无崩边、磕碰和未磨，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
4.对开方厂家返还的边皮料要按清单和方棒一一对应，称过重量后做好记录工作与库房统计员交接清楚后妥善保管。
5.及时把检测合格的方棒按照线切车间要求的长度配刀并集中放置，放料时要与领料人员交接清楚，认真负责的填写硅棒随工单，不允许随意涂改。
6.整个仓库要按照材料的不同划分区域，不乱摆乱放，做到一目了然、井井有序。
7.平时在搬运硅棒过程中要轻拿轻放，安全堆放，避免人为的损毁和磕碰。
8.熟练掌握各种检测仪器的使用，正确开关机，不随意更改设备参数，平时注意对设备的维护和保养。
硅片检验标准
浙江金贝能源科技有限公司A级硅片检验标准AA11隐裂、针孔、缺角无无无目测全检2孪晶、微晶无无无目测全检序号检验项目B级检测方法检验方式特采不合格2表面沾污无无轻微沾污且超声清洗可去除超声清洗抽检3%3应力无无轻微应力摇晃手感全检4崩边长度≤0.5 mm，深度≤0.3mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤3处；1mm＜崩边长度≤1.5mm，0.5mm ＜深度≤1mm，1＜崩边总数≤3目测全检5TTV ≤30 μm ≤30 μm 30-50μm；测厚仪抽检3%6厚度200±20 μm 200±20 μm 200±(20-30)μm 测厚仪抽检3%7对边距离125/156±0.5 mm125/156±0.5 mm125/156±0.5 mm游标抽检3%翘曲度弯曲度≤01≤01≤01根据实际不8翘曲度、弯曲度≤0.1mm≤0.1mm≤0.1mm塞尺抽检3%9对角线150/165/200/220±0.5 mm 150/165/200/220±0.5 mm 150/165/200/220±0.5 mm 游标抽检3%φ150：27.7±0.5mmφ150：27.7±0.5mm φ150：27.7±0.5mm φ165：12.2±0.5mm φ165：12.2±0.5mm 10倒角弦长游标卡尺抽检3%合同签订内容符合A 、B φ165：12.2±0.5mm φ200：21.8±0.5mmφ200：21.8±0.5mmφ200：21.8±0.5mm11斜边角度45°±10°45°±10°45°±10°倒齐观察抽检3%12垂直度90°±0.3°90°±0.3°90°±0.3°供应商提供抽检3%抽检检验，符合级检验标准测试报告13线痕深度≤10 μm 深度≤15μm 15μm＜深度≤30μm目测或触感，必要时用显微镜全检14电阻率0.5-3Ω•cm 1-3Ω•cm 1-3Ω•cm 四探针抽检3%少子寿命≥2152115少子寿命测试仪抽检3%合同要求15≥2μs 1.5-2μs 1-1.5μs 16位错密度（Nd)≤3000/cm 2≤3000/cm 2≤3000/cm 2EL测试抽检20%17氧含量单晶硅≤8×1017多晶硅≤8×1017单晶硅≤8×1017多晶硅≤8×1017单晶硅≤8×1017多晶硅≤8×1017供应商提供测试报告无18碳含量单晶硅≤5×1016多晶硅≤8×1017单晶硅≤5×1016多晶硅≤8×1017单晶硅≤5×1016多晶硅≤8×1017供应商提供测试报告无。
硅片检验包装工作检讨书范文模板
【日期】：XXXX年XX月XX日
【收件人】：尊敬的部门领导
【正文】：
尊敬的领导：
我在近期负责的硅片检验包装工作中，由于疏忽大意，导致一个硅片未能通过严格的质量检查，错误地流入下一生产环节。
对此，我深感自责，特此写下此检讨书，以表达我的诚挚歉意，并对我工作中的失误进行深刻反思。
以下是我对此次失误的具体分析：
1. 工作态度问题：在此次事件中，我没有严格按照操作规程执行，对工作不够严谨，导致对硅片的质量检查流于形式。
2. 操作流程不规范：在硅片检验过程中，我没有严格按照检验标准进行，对于异
常情况没有及时发现和处理。
3. 责任心不足：对硅片检验工作的重要性认识不足，没有充分意识到失误可能带
来的严重后果。
针对以上问题，我提出以下整改措施：
1. 加强学习：深入学习相关操作规程和检验标准，提高自己的业务水平。
2. 规范操作：在今后的工作中，严格按照操作规程执行，对每一个环节都进行细
致检查，确保产品质量。
3. 增强责任心：提高对工作的重视程度，时刻保持高度的责任心，确保工作质量。
4. 加强自我监督：设立自我监督机制，对自己的工作质量进行定期检查，确保问
题及时发现和纠正。
5. 提出改进建议：针对此次事件，我将向部门提出改进建议，以防止类似事件再
次发生。
请领导对我的失误给予严肃处理，并给予我改正的机会。
我将以此次事件为鉴，严格要求自己，确保今后在工作中不再出现类似错误。
再次对我造成的不便表示诚挚的歉意，并恳请领导对我的工作给予指导和帮助。
此致
敬礼！【签名】：【姓名】：【职位】：。
工业硅荧光检测国标
工业硅荧光检测国标
工业硅荧光检测国标指的是对工业用硅片在生产过程中进行荧光检测所遵循的国家标准。
该国标通常包括以下内容：
1.测试方法：国标规定了硅片荧光检测的测试方法和步骤，包括样品准备、测试设备和环境要求、测试步骤和数据分析等。
2.检测条件：国标规定了硅片荧光检测的检测条件，包括环境温度、湿度、光源强度等。
3.荧光指标：国标规定了工业硅片荧光指标的要求，如荧光颜色、荧光亮度、均匀度、背景值等。
4.分类标准：国标规定了硅片荧光测试结果的分类标准，将硅片分为不合格、一般、良好和优良等不同等级。
5.检测报告：国标规定了荧光检测报告的内容和格式，包括样品基本信息、检测结果、分析和说明等。
例如，我国的GB/T 26124-2010 《工业硅荧光检测》就是针对工业硅片在生产和质量控制过程中荧光检测所遵循的国家标准，其中规定了以上几个方面的标准和要求。
半导体硅片的检验准则
半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语：半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。
本文将深入探讨半导体硅片的检验准则，包括其基本原理、常见的检验方法和标准，以及对检验结果的分析和评估。
一、背景介绍在半导体工业中，半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。
而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。
在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。
二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。
主要包括以下几个方面：1. 外观检验：包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷，以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。
2. 电特性检验：通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数，判断其电性能是否满足设计要求。
3. 表面特性检验：通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备，观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征，以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。
4. 化学污染检验：通过使用化学分析方法，检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量，以评估其纯度。
三、常见的检验方法和标准1. 外观检验：通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行，以国家相关标准为准。
2. 电特性检验：包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法，仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。
3. 表面特性检验：常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等，根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。
4. 化学污染检验：一般通过化学分析方法，如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等，以国际标准或公司内部标准为依据。
四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。
根据数值的大小和与标准值的偏差，可进行以下分析和评估方面的工作：1. 质量评估：将检验结果与已设定的标准进行对比，评估硅片是否合格，是否可继续用于下一工序的制造。
2. 偏差分析：对超出标准范围的数据进行分析，找出问题所在，进一步改进生产工艺。
硅片检验标准2016-2-1
文件更改申请单编号:LW-CX-001-A1-03硅片检验标准1 目得规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围本标准规定了多晶硅片得电性能、外观尺寸得检验项目、测量器具、判定依据,适用于正常生产得多晶硅片得质量检验。
3 定义3、1检测工具:数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3、2检测术语斑点定义:在光强430-650LUX下,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能瞧到颜色异于周围颜色得点即为斑点。
翘曲度:硅片得中面与参考面之间得最大距离与最小距离之差(即a值)。
弯曲度:硅片中心凸起处于参考平面距离差值(即z值)。
硅落:硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边:以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0、5mm、长度≤1、5mm及不能崩透得缺损属于崩边。
缺口:光强430-650LUX,目光与硅片成30-45°,距离25-35cm可以瞧到贯通硅片得称为缺口,瞧不到得不属于缺口。
水印:未充分烘干,水分蒸发后残留物。
表面玷污:硅片得表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线:清洗后距离硅片上边缘5mm以内得黑色区域。
微晶:每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限4、1 技术部负责制定硅片检验标准;4、2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5 正文5、1 表面质量表面质量通过生产人员得分选判定,目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查瞧B4(崩边),B7(线痕)、B8(厚度差值)、缺口、碎片、油污等情况;整包里得B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗;B7、B8片手感表现较重,不易区分或存在争议时,利用分选机重新分选。
5、2 外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求,在研磨倒角处控制。
如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。
5、3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定,必要时用相关测试仪器核实。
硅片电阻率测量一点数值,当超出B级范围时,测量五个晶粒得电阻率,计算平均值X,以X值作为最终判定值。
硅片分类检测验收标准
附件：硅片分类检测设备验收报告（一）整体检查项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注主体颜色目视比对RAL9016漆面目视检查漆面颜色均匀，无气泡、脱落等缺陷设备主体表面目视检查无划伤、裂纹、变形等可见缺陷零部件检查材料和零部件均为全新的、合格的产品，且规格、数量、品牌、产地与设备清单相符。
备品备件检查数量、规格、图纸符合技术协议要求培训检查内容、时间和培训效果符合技术协议要求（二）设备主要结构项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注操作方向目视检查“左进右出”主要零部件核实与技术协议及卖方提供的BOM list相符主要尺寸确认技术协议、卖方提供的CAD图及相关技术文件主体部分目测核实1个上料机构，1个光学检测模块，1个厚度和电阻率检测模块，1个少子寿命检测模块，1个下料机构（包括分档堆叠和直接插入花篮）传输系统目测核实机械手2套，皮带传送系统控制系统目测核实人机控制台3个（三）软件项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注软件功能检查能实现数据的存储和导出、分级权限、关键参数修改、提示报警信息、显示设备各模块运行状况等功能。
存储功能核实能实现对不良片进行自动图片保存功能。
设备参数设置检查功能软件参数可以更改设置。
工艺方案设置更换电池片规格生产线可适用于不同规格电池片（四）主要性能指标项目检验方法合格标准合格不合格不确定备注生产能力核实大于2800 pcs/hr (L156×W156)系统稳定性核实设备调试完成后连续无故障运行24小时。
碎片率核实设备在完成调试完成后稳定运行产出5000片，碎片率≤0.2%可靠性核实设备完成调试后稳定运行15日，开机率不低于97%【开机率%=（待机时间+正常生产时间）/（待机时间+正常生产时间+故障时间+停机维护时间）×100%】厚度和TTV测试核实分别对五片硅片同一位置测试20次，最大点和最小点间的区别须在+/-1µm 之内。
电阻率核实分别对五片硅片进行测量，每片硅片检测20 次，各检测结果须满足技术协议中各项指标要求。
硅片电池片检验标准141009
一、尺寸类 A.边长 125/156 B.对角线Φ C.厚度 (180/200)
多晶检验项目
二、性能类 一、尺寸类 A.边长 B.对角线Φ C.厚度 A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
三、外观类 A.梯形片 菱形片 B.弯曲片 翘曲片 C.台阶片 线痕片 D.崩边 E.微晶 分布晶 大晶粒 F.碎片 缺口 亮边 裂 纹/裂痕 划痕 亮线 沾污 色差 针孔 密集线痕 硅晶脱落 边缘毛糙
31 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
3-10其他不良—大晶粒
大晶粒 多晶硅片上某个连续 分布的晶粒面积占总 面积的1/4以上。 合格：无大晶粒
32 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
21 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
多晶-线痕片
密集线痕
凹痕
22 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 凸痕 湖南红太阳光电科技有限公司
针孔 针孔
硅晶脱落
27 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
其他不良—沾污
硅片表面肉眼可见的某种 颜色的花样。如：指纹、水 渍、有机物、灰尘以及腐蚀 氧化。
单多晶硅片检验标准(新版)
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单多晶硅片检验标准1．目的规范马鞍山中弘光伏有限公司的硅片检验流程，保证和持续产品质量。
2．范围用于马鞍山中弘光伏有限公司硅片的来料检验过程。
3．职责质量部负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4．内容4.1．硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1.表1 硅片中的金属杂质浓度和氧、碳含量4.2硅片检验方法：4.3 P型单晶硅片检验标准，见表2表2 P型单晶硅片检验标准4.4 P型多晶硅片检验标准，见表3表3 P型多晶硅片检验标准4.5 P型多晶硅片检验标准，见表4表4 P型多晶硅片检验标准备注：检验过程中若发现以下异常现场处理：1. 少片：在检验过程中单盒少片随时记录盒号、箱号、晶体编号、并拍取照片。
单箱少片不得超过50片，超出50片马上单独隔离该箱并马上告知采购部，有采购部通知供应商，待供应商回复后继续检验该箱。
2. 碎片：在检验过程中允许出现缺角、裂纹，来料缺角、裂纹在千分之三之内视为正常范围，超出千分之三IQC停止检验并告知采购部通知供货商，得到供货商认可后方可继续检验。
硅片技术标准
单晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；3.3位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；3.4位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；3.5 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.6 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.7 四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
3.8 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125´125Ⅰ(mm)、125´125Ⅱ(mm)、156 ´156(mm)。
5 技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。
5.2外形尺寸5.2.1 方片TV为200±20 um,测试点为中心点；5.2.2 方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；5.2.4 相邻C段的垂直度：90 o±0.3o；5.2.5 其他尺寸要求见表1。
[宝典]硅片退库标准
![[宝典]硅片退库标准](https://img.taocdn.com/s3/m/f49de7f2988fcc22bcd126fff705cc1755275f86.png)
硅片不良品退库标准
一、目的
1：控制硅片质量，以确保电池片外观，性能等特性满足客户要求；
2：统一电池，切片车间关于硅片的退换标准；
二、适用范围
1：电池，切片车间
2：所有来料硅片
三、标准
1：以《单晶硅片检验标准》，《多晶硅片检验标准》标准为依据；2：本标准作为以上两份标准的补充；
四：备注
1.标准中的退库指：电池车间的不良品退给切片车间；
2.标准中的电池片成品指：印刷烧结完毕后的成品电池片；
3.标准中的等外品指：破片，隐裂片，碎片，组件上过焊条的电池片；
4.标准中的半成品的硅片指：非原始硅片，非电池片；
5.易造成硅片破损、隐裂或严重影响车间正常生产，需要双方确认；
6.由片源问题使组件产生电性能异常，目前标准中未提及的，需要试验确认；
7.对于其他难以判定的不良，各部门需协商解决；
8.由于电池车间员工原因造成电池片破碎的，不予退换；
9.原始，电池片硅片退换时，尽可能提供相关信息，合格证标签、包装日期、
检验员号（三角章内检验员号），以便于切片车间查找原因。
10.工艺后的硅片，电池片，或者是焊接后的电池片退换时由于标签纸缺失；退
库时只要符合退库标准的应予与退库，相关信息只能尽可能完善，但不作为不可退换之理由。
11.原始硅片，半成品电池片，成品电池片和焊接后的电池片退库是要分开存放
12.硅片退库，做好信息跟踪。
南京中电公司硅片检验标准
多晶硅片
导电类型
（Conductivity type）
P
电阻率范围（Resistivity）
Ω.cm
1-3Ω.cm
少子寿命（Lifetime）
us；
≥2us
碳含量
（Carbon concentration）
atoms/cm3
≤5.0×1017atoms/cm3
氧含量
（Oxygen concentration）
规格尺寸
（Dimension）
宽度（Width）
mm
156±0.5mm
硅片对角
（Wafer Diagonal）
mm
219.2±0.5mm
Bevelangle0.5～2mmin450
厚度（Thickness）
um
200±20μm
电学性能参数
（perf长方法
（Growth method）
1、目的
为了规范硅片的检验工作，明确硅片检验的项目和检验标准，特制定本文件。
2、范围
适用于对南京中电电气公司硅片的分选工序。
3、职责
品质管理中心：负责对硅片进行检验，确保分选后的硅片等级达到客户的要求。
4、作业内容
多晶硅片检验项目和标准
类别（Sort）
项目（Item）
单位（Unit）
指标/参数/要求（Index/Parameter/Request）
小亮边（Tiny Luminance Edge）
长度≤硅片边长的1/2，宽度≤片厚的
1/3
边缘缺陷（Edge defact）
深不大于0.5mm；长不大于1.5mm；
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文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03
硅片检验标准
1 目的
规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围
本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义
3.1检测工具：
数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语
斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限
4.1 技术部负责制定硅片检验标准；
4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5 正文
5.1 表面质量
表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。
5.2 外型尺寸
几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。
如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。
5.3 电性能
依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。
硅片电阻率测量一点数值，当超出B级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最终判定值。
5.4抽检方法
（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。
每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。
6 相关文件
无
7 相关记录
无
附表1：自检硅片检验项目及判定标准
附件1：B 级硅片分类及标识方法 按优先级B2至B9无重复排序标示如下： B2晶粒小，其它检验参数符合A 级品标准。
B3少子寿命以硅块少子寿命为标准。
B4小崩边，其它检验参数符合A 级品标准。
B5电阻率标准以硅块电阻率为标准。
B6 156mm*156mm 硅片划片后的125mm*125mm 硅片（以后存在划片可能）。
B7锯痕15～35μｍ或亮线B 级（参考《亮线判定标准》。
），其它检验参数符合A 级品标准。
B8 30μｍ<TTV ≤50μｍ,其它检验参数符合A 级品标准。
B9 表面沾污
如果存在两种以上的B 级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下：
附件2 ：硅片“亮线”的判定标准
2.1亮线片：硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦出现的类似抛光的硅片。
2.1.1亮线处，测试深度小于10µm 的硅片 2.1.1.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 级 2.1.1.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级 2.1.2亮线处，测试深度10～20µm 的硅片 2.1.2.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级 2.1.2.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 不合格 亮线面积小于硅片面积的1/2，为B7
2.2黑色带状区：断线处理往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后出现黑色矩形区域。
2.2.1 带状区小于20mm 硅片，按照附表1内检验标准判定；
2.2.2 带状区大于20mm 硅片，若满足附表1内A 、B 级标准，则判定为B ；不满足B 级标准的，判定为不合格；
注：检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。
附件3 TTV 测试点选取
TTV 测试5点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边10-15mm 处硅片厚度。
见下图：
附件4 崩边
崩边:硅片分选机在测量边缘崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易出现误判。
针对B4档硅片需要人工搓开硅片进行检测。
微晶：硅片上细小晶粒连续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。
此类硅片属于不合格硅片。
杂质片
硬点杂质：表现为硅片表面有凸起线痕，线痕上能够发现黑点。
硅片清洗后表面有絮状黑斑或者密集小黑点的，使用无水乙醇擦拭不能够去除为不合格硅片，此类硅片为不合格硅片。
孔洞片检测方法：
眼睛与硅片平面及光源成直线，距硅片40cm观察有无光线透过或者发现亮点。
若存在以上情况，挑选出来硅片为不合格产品。