硅片等级分类及标准
硅片的类型,尺寸,大小,发展史的介绍
硅片的类型、尺寸和大小
硅片的类型
硅片是一种用于制造电子器件的重要材料，有多种类型。以下是几种常见的硅片类型：
1.单晶硅片：单晶硅片是指由纯度极高的硅材料制成的，具有高度晶体结构的
完整硅片。单晶硅片因其优异的电学性能而被广泛应用于半导体器件的制造。
2.多晶硅片：多晶硅片是由由多个小晶体组成的硅材料制成的硅片。与单晶硅
片相比，多晶硅片的晶体结构较为杂乱，导致电学性能略有下降。不过，多
晶硅片更便宜且生产工艺更简单，因此在一些低要求的电子器件中得到了广
泛应用。
3.薄硅片：薄硅片是一种相对较薄的硅片，通常在几百微米到几毫米之间。薄
硅片因其较轻、较薄的特点，被广泛应用于可弯曲和可折叠的电子设备中。
硅片的尺寸和大小
硅片的尺寸和大小取决于其用途和制造工艺。以下是一些常见的硅片尺寸和大小选项：
1.直径：硅片的直径是指硅片的外圆直径。常见的硅片直径有2英寸（50.8
毫米）、4英寸（101.6毫米）、6英寸（152.4毫米）和8英寸（203.2毫
米）等。
2.厚度：硅片的厚度通常在几百微米到几毫米之间。不同的应用需要不同的厚
度，例如，用于制造集成电路的硅片通常比较薄。
硅片的发展史
硅片作为半导体材料，经历了长期的发展和演变。以下是硅片的发展历程：
早期发展（20世纪中叶以前）
20世纪早期，人们开始认识到硅具有良好的半导体性能，因此开始尝试使用硅制造电子器件。然而，当时的硅片制造技术非常原始和粗糙，无法实现高质量的硅片生产。
单晶硅片的出现（20世纪中叶）
20世纪50年代，随着单晶硅片生产技术的发展，人们成功地制造出了第一块完整的单晶硅片。这标志着硅片制造技术迈入了一个新的阶段。
硅的纯度分类
硅的纯度分类
一、硅的纯度分类
1、晶体硅：晶体硅由金刚石和硅砂合成，产品纯度达到99.999%。
2、半导体硅：半导体硅是将晶体硅进行进一步加工而得到的，半导体硅的纯度高达99.9999%，是晶体硅的升级版。
3、电子硅：电子硅是用来制造电子器件的，它的纯度达到99.999999%，电子硅比晶体硅多了6个9，也叫六九级硅。
4、工业级硅：工业级硅是用来制造工业部件的，它的纯度一般达到99.99%-99.999%，比晶体硅稍差一些。
5、生产级硅：生产级硅是用来制造生产部件的，它的纯度一般在99.95%-99.99%之间，比晶体硅稍差一些。
6、一般硅：一般硅是比较普通的硅，它的纯度一般在99%-99.8%，是最常见的硅物质。
二、硅的用途
1、电子器件：电子硅的纯度最高，它可以用来制作电子器件，使得电子部件的功能更好。
2、金属表面处理：硅可以用来改善金属表面的光泽度，提高它的耐腐蚀性和耐磨性。
3、制造工业部件：工业级硅可以用来制造工业部件，可以提高部件的稳定性和强度。
4、生产配件：生产级硅可以用来制造生产配件，可以提高部件的精度和性能。
5、普通用途：一般硅可以用来制造普通部件，可以提高部件的质量和使用寿命。
硅片的等级标准
硅片的检测
1：硅片表面光滑洁净
2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：
边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；
边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3
二、合格品
一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5
二级品：1：表面有少许污渍、线痕。凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um
4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：
边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；
边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；
边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片
气孔片：硅片中间有气孔
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）
外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）
超薄片150-160um
硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm
（双面缺损不在同一位置）
尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm
（两边相差不超过1.0mm ）
B 等品
电阻率6-10Ω.cm
台阶片≤20um
厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um
边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280um
C等品
倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm
（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）
线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm
（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）
C 等品
毛边≤0.5mm
尺寸不良124.00-124.50mm
尺寸不良126.00-127.00mm
尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cm
C等品
边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um
不合格品
倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm
n型硅片的参数标准
n型硅片的参数标准
n型硅片的参数标准包括以下几个方面：
1.载流子浓度：n型硅片的载流子浓度通常在10^14到
10^18/cm^3之间。
2.载流子迁移率：n型硅片的载流子迁移率通常在300到600 cm^2/Vs之间。
3.杂质浓度：n型硅片中的杂质浓度会影响其电导率和掺杂类型。常见的掺杂杂质包括磷、砷等。
4.杂质扩散长度：杂质在硅片中的扩散长度决定了掺杂区域的
深度，通常在几微米到数十微米之间。
5.禁带宽度：n型硅片的禁带宽度通常在1到1.1电子伏之间。
6.电阻率：n型硅片的电阻率通常在0.1到100欧姆厘米之间，具体取决于载流子浓度和杂质浓度。
7.表面状态：n型硅片的表面状态需要符合一定的要求，如光亮、平整、无划痕和杂质等。
这些参数标准可以根据具体的应用需求进行调整和优化。
硅片知识
硅片等级标准
一、优等品
1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸：边长125±ffice:smarttags" /><?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com[img][/img]0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
二、合格品
一级品：
1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸：边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
二级品：
1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm
5：几何尺寸：边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
硅片等级标准
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1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸：
边长125±ffice:smarttags" />
边长150±0.5mm
、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
二、合格品
一级品：
1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸：
边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；
边长150±0.5mm
、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
二级品：
1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm
5：几何尺寸：
边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；
边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；
边长150±0.52mm
、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8。
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。
硅片分级检验标准
A 级
B 级
电阻率 厚片 77V 倒角差 菱形片 翘曲度 弯曲度
Fra Baidu bibliotek
1Ω.cm-3Ω.cm 225＜厚度≤235μm（中心测量值） 30μm＜77V≤50μm ≥0.5μm 外凸-内凸≤1.0μm ≤200μm ≤20μm
C 级
电阻率 尺寸不良 翘曲度 弯曲度
电阻率不分档 超B级规格上限于下限 ﹥200μm ﹥200μm
外观要求
深≤0.3㎜、长≤0.5㎜、数量≤2个 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 ≤30μm 无 表面无可见花斑、脏污 无 允许 ≤2个 直径＜0.5㎜、深度≤20μm、数量≤2个 数量≤2个 允许（包括四边及倒角脏污） ≤1.0μm（含边距，直径，倒角圆弧 尺寸不良） 深度≤30μm、直径＜0.5㎜、数量≤2个 长≤1㎜、深≤1㎜、数量≤2个 20μm≤单面线痕≤25μm同一位置双面线痕 深度相加＞30μm 允许 允许 允许 允许 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 允许 允许 允许 0.5㎜＜尺寸＜2㎜（少于3处）或0.3㎜≤深 ≤0.5、长度≤0.5、总数＞5个 尺寸＞0.5㎜，数量≤3个 不能归B级或D级部分又不能做原料回收的 其他不良：“C+缺名称”整盒包装标示清楚
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准
硅片是半导体行业中至关重要的材料之一，它被广泛用于制造集成电路和太阳能电池等应用。为了确保硅片的质量和性能，有七个关键标准需要被考虑。本文将详细介绍硅片质量的七大标准。
1. 净度和杂质控制
硅片的净度和杂质控制是硅片质量的首要标准。杂质的存在会对硅片的电学和光学性能产生负面影响。硅片应该具有极高的净度，特别是对于一些高纯度硅片，杂质的控制尤为重要。常见的杂质包括金属杂质和非金属杂质，如铁、铜、氧和碳等。通过严格的杂质控制和净化工艺，可以确保硅片的高纯度和杂质含量的极低水平。
2. 厚度均匀性
硅片的厚度均匀性是评估硅片质量的重要指标之一。硅片的厚度在制造过程中需要被精确控制，以确保产品的一致性和可靠性。任何过大或过小的厚度变化都可能导致硅片的性能降低。通过使用先进的制造工艺和仪器设备，可以实现硅片的高度均匀性。
3. 表面平整度
硅片的表面平整度是衡量硅片质量的重要指标之一。表面平整度不仅影响硅片的外观，还直接影响到硅片在后续工艺中的加工性能。高度平整的表面能够提供更好的光学特性和更高的精度加工。通过表面处理和抛光工艺，可以实现硅片表面的高度平整度。
4. 晶体结构和晶格质量
硅片的晶体结构和晶格质量是评估硅片质量的重要指标之一。硅片应具有高度有序的晶体结构和完整的晶格。任何晶体结构和晶格缺陷都可能对硅片的性能和可
靠性产生负面影响。通过严格的制造和质量控制工艺，可以实现硅片的高质量晶体结构和晶格。
5. 衬底的平整度和晶向
硅片的衬底平整度和晶向也是评估硅片质量的重要指标之一。衬底平整度是指硅片表面的平整度和平坦度，对于一些高精度的应用尤为重要。晶向指的是硅片中晶体的方向，它会对硅片的电学性能和加工特性产生影响。通过精密的加工和晶体生长工艺，可以实现硅片衬底的高平整度和理想的晶向。
prime级硅片 参数
prime级硅片参数
摘要：
1.引言
2.Prime 级硅片的定义和特点
3.Prime 级硅片的参数
4.结论
正文：
【引言】
在半导体制造中，硅片作为最基本的材料，其品质直接影响到最终产品的性能。其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，广泛应用于各类高端电子产品。本文将对Prime 级硅片的参数进行详细介绍。
【Prime 级硅片的定义和特点】
Prime 级硅片是指硅片表面缺陷较少、晶格结构完整、电学性能稳定的高品质硅片。相较于普通硅片，Prime 级硅片具有以下特点：
1.缺陷密度低：Prime 级硅片的表面缺陷密度通常在10^9 级别，甚至更低，远低于普通硅片的缺陷密度。
2.晶格结构完整：Prime 级硅片的晶格结构完整，位错、孪生等缺陷数量较少，有利于提高电子迁移率。
3.电学性能稳定：Prime 级硅片的电学性能稳定，电阻率、载流子浓度等参数具有较高的均匀性。
【Prime 级硅片的参数】
Prime 级硅片的参数主要包括以下几个方面：
1.尺寸：Prime 级硅片的尺寸通常为300mm、450mm 或600mm 等，随着半导体工艺的不断进步，硅片尺寸也在不断增大。
2.厚度：Prime 级硅片的厚度一般为100μm 至200μm 不等，根据不同的应用场景，硅片厚度会有所差异。
3.缺陷密度：Prime 级硅片的缺陷密度通常在10^9 级别，甚至更低，这是衡量硅片质量的重要指标。
4.电阻率：Prime 级硅片的电阻率一般在0.5~10 欧·cm 之间，电阻率的均匀性对硅片性能至关重要。
5.载流子浓度：Prime 级硅片的载流子浓度较高，一般为10^12/cm左右，有利于提高电子迁移率。
硅片等级分类及标准
硅片等级分类及标准
硅片是集成电路的基础材料，是制造半导体器件的重要材料之一。硅片的等级分类及标准是半导体制造过程中非常关键和重要的一环，直接关系到半导体产品的质量和成本。
硅片等级分类
硅片的等级主要通过各种标准来进行分类。当前国际上应用的硅片等级分类主要有以下几种：
1.根据表面洁净度分为：A级、B级、C级、D级、E级等
五个等级。其中，A级由于表面完全无污染，且基材完全无任
何缺陷，成本最高；B级、C级和D级等级的硅片表面存在一
定程度的杂质、缺陷和污染，成本逐步降低；E级硅片则为工
作功能不完全的次品，成本最低。
2.根据晶体结构和纯度分为：单晶硅、多晶硅、低纯度硅、镁掺杂硅、磷掺杂硅等多个等级。其中，单晶硅与多晶硅是半导体器件的主要基材，生产难度和成本都比较高；而低纯度硅、镁掺杂硅、磷掺杂硅等则是用于低端产品的制作，成本相对较低。
3.根据尺寸来分为：50~150mm低压硅片、200mm高压硅片、300mm超大硅片等。随着制造工艺的不断进步和提升，
硅片的尺寸也在不断规模化，浇铸技术不断推陈出新，硅片的尺寸也越来越大。
硅片标准
硅片的等级分类通常是基于性能和价格的总体平衡，硅片标准则是要确保每一块硅片都符合严格的技术要求，以保证半导体器件的正常工作。
1.物理特性标准：硅片的物理外观符合一定规范，例如：表面平整度误差不超过±0.2毫米、表面质量达到一定标准、边缘息缺口宽度不超过0.5毫米等。
2.电学特性标准：硅片的电性能符合一定范围，例如：电阻、电容、漏电流、介电常数等都符合一定要求。
3.晶体学特性标准：硅片的晶体结构特性符合一定标准，例如：杂质杂交浓度、半径波动、晶粒尺寸、晶胞堆叠差等。
光伏硅片标准
光伏硅片标准
光伏硅片是太阳能电池组件的关键部分，其质量和性能直接影响着太阳能电池的效率和寿命。为了确保光伏硅片的质量，许多国际和国内的标准被制定。
以下是一些常见的光伏硅片标准：
1. 国际电工委员会（IEC）标准：IEC制定了一系列关于太阳能电池的标准，其中包括了光伏硅片的测试和质量要求。IEC 61215是目前应用最广泛的标准之一，规定了光伏硅片在各种气候条件下的性能要求。
2. 中华人民共和国国家标准：中国制定了一系列光伏硅片相关的国家标准，其中包括了光伏硅片的尺寸、外观质量、性能测试等要求。例如，GB/T 15683规定了硅片尺寸和外观质量的要求，GB/T 20447规定了硅片性能测试的方法和要求。
3. SEMI标准：SEMI是一个半导体和平板显示器行业的国际标准组织，其制定的标准在光伏硅片领域也有应用。SEMI PV10是光伏硅片尺寸、外观质量和化学成分的标准。
这些标准主要关注硅片的尺寸、外观质量、电性能、热特性等方面的要求，以确保光伏硅片的可靠性和性能。同时，这些标准也有助于为光伏企业提供公正的产品比较基准，促进行业的健康发展。
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准主要包括以下七个方面：
1. 物理尺寸：硅片的直径、厚度、晶向位置和尺寸、定位边和硅片形变等都必须符合规定，以满足芯片生产中器件制造的要求以及适合硅片制造自动传送设备的要求。
2. 平整度：硅片表面的平整度是硅片最主要的参数之一，它是指在通过硅片的直线上的厚度变化。平整度不达标会造成许多工艺问题，如光刻工艺对局部位置的平整度非常敏感。
3. 微粗糙度：指硅片表面的微观粗糙度，它对硅片表面的摩擦和磨损性能有重要影响。
4. 氧含量：指硅片中氧的含量，它对硅片的机械性能和电学性能有重要影响。
5. 晶体缺陷：指硅片中的晶体缺陷，如位错、层错、微裂纹等，这些缺陷会影响硅片的机械性能和电学性能。
6. 颗粒：指硅片表面的颗粒状物质，这些物质会影响硅片的表面质量和光刻工艺。
7. 体电阻率：指硅片的电阻率，它对硅片的导电性能有重要影响。
以上信息仅供参考，如有需要，建议查阅专业书籍或咨询专业人士。
硅片表面等级分类
OK/NG NG NG NG NG NG NG NG NG OK OK
源自文库
硅片表面状况等级分类 等级 1级 2级 3级 4级 5级 6级 7级 8级 9级 整个抛光，花片 花片，但表面情况要比1级稍微好点 有反光，黑度不均匀，反光部分多，且有黑度不均匀的线痕 有反光，反光部分为线条状，黑度相对均匀 不反光，但明显黑度不均匀，硅片表面有颜色深浅区别 不反光，黑度相对均匀，但有发痧现象，且硅片中有线痕 不反光，黑度相对均匀，但有发痧现象，硅片中无线痕 黑度均匀，无反光，有少量手纹印或水印 黑度均匀，无反光 硅片表面情况
硅片等级分类及标准
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8。
三级
品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑,有线痕和硅落现象
2: 220± 40卩m wTV w220± 60卩m。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。
垂直度:任意两边的夹角:90°±0.5。
二级品:
1:表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2:220±30卩m wTV w 220±40卩m。
3:凹痕：硅片表面凹痕之和w30卩m。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度w1mm,深度w 0.5mm
5:几何尺寸:
边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对角135±0.52mm；
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV>220±60卩m。崩边片：有缺损但可以改 ①103的硅片。 气孔片：硅片中间有穿孔 。
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差>1.5mm菱形片（垂直度）：任意两边的夹角>90°±0.8。
凹痕片：硅片两面凹痕之和〉30卩m。
脏 片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑。 尺寸偏差片：几何尺寸超过二级品的范围。
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硅片等级分类及标准（150×150）
一、优等品(Ⅰ类片)
1、物理、化学特性
①型号:P 晶向〈100〉±1°；
②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；
③碳含量: ≤5×1016at/cm3；
④少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)；
⑤电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω·cm；
⑥位错密度：≤3000个/cm2；
2、几何尺寸
①边长：125×125±0.5mm；
②对角：150×150±0.5mm；
③同心度：任意两弧的弦长之差≤1mm;
④垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；
⑤厚度：200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)
⑥TTV：≤30μm;
⑦弯曲度：≤40μm；
3、表面指标
①线痕：无可视线痕；
②目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等；
③无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；
二、合格品（Ⅱ类片）
1、物理化学特性
①型号:P 晶向〈100〉±1°；
②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；
③碳含量: ≤5×1016at/cm3；
④少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)；
⑤电阻率:0.5-0.8Ω·cm；
⑥位错密度：≤3000个/cm2；
2、几何尺寸
①边长：125×125±0.5mm；
②对角：150×150±0.5mm；
③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm;
④垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；
⑤厚度：200±20μm;(中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm)
180±20μm;(中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)
⑥TTV：≤30μm;
⑦弯曲度：≤40μm；
3、表面指标
①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。
②崩边范围：崩边口不是“V”型、长×深≤1×0.5mm，个数≤1个/片；无
可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；
三、等外品（Ⅲ类片）
1、物理、化学特性
①型号:PN 晶向〈100〉±3°；
②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；
③碳含量: ≤5×1016at/cm3；
④少子寿命:τ＜1.0μs(在测试电压≥20m下裸片的数据)；
⑤电阻率: ≤0.5Ω·cm；
⑥位错密度：＞3000个/cm2；
2、几何尺寸
①边长：125×125±1.0mm；
②对角：150×150±1.0mm；
③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm;
④垂直度：任意两边的夹角90°±0.5°；
⑤厚度：＜160μm
3、表面指标
①有明显线痕、触摸有凹凸感。
说明：只要满足第三条“等外品（Ⅲ类片）”的任意一项就判为不合格品。
品管部
2008年11月11日