硅片级可靠性测试
半导体可靠性测试标准
半导体可靠性测试标准半导体可靠性测试是半导体行业中非常重要的一环，它可以有效地评估半导体器件在特定条件下的可靠性和稳定性。
在半导体行业中，可靠性测试是保证产品质量和稳定性的重要手段，也是客户信任和满意度的基础。
因此，建立科学、严谨的半导体可靠性测试标准对于半导体行业的发展至关重要。
首先，半导体可靠性测试标准需要明确测试的对象和测试的条件。
在测试对象方面，需要确定测试的半导体器件类型，如晶体管、集成电路、光电器件等，以及具体的器件型号和规格。
在测试条件方面，需要确定测试的环境条件，如温度、湿度、电压等，以及测试的持续时间和频次。
这些条件的确定将直接影响到测试结果的准确性和可靠性。
其次，半导体可靠性测试标准需要明确测试的方法和流程。
在测试方法方面，需要确定采用的测试手段和设备，如可靠性试验台、高低温循环箱、恒温恒湿箱等，以及测试的具体步骤和操作流程。
在测试流程方面，需要确定测试的前期准备工作、测试的具体操作步骤，以及测试后的数据分析和处理方法。
这些方法和流程的确定将直接影响到测试的可重复性和可比性。
另外，半导体可靠性测试标准需要明确测试的指标和要求。
在测试指标方面，需要确定测试的性能参数，如漏电流、击穿电压、寿命等，以及测试的评价标准，如符合性判定标准、合格率要求等。
在测试要求方面，需要确定测试的结果要求和数据报告的格式，以及测试后的产品处理和追溯要求。
这些指标和要求的确定将直接影响到测试结果的可比性和可追溯性。
最后，半导体可靠性测试标准需要明确测试的管理和验证。
在测试管理方面，需要建立完善的测试管理体系，包括测试计划的制定、测试设备的校准、测试人员的培训等，以及测试过程的监控和记录。
在测试验证方面，需要建立可靠的测试验证方法，如对比试验、加速试验等，以确保测试结果的准确性和可靠性。
这些管理和验证的工作将直接影响到测试结果的可信度和可靠性。
综上所述，建立科学、严谨的半导体可靠性测试标准对于半导体行业的发展至关重要。
硅片检测
1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
19-硅片测试
第十九章 硅片测试
半导体产品的不同阶段电学测试
测试种类 IC设计验证 生产阶段 测试描述 生产前 描述、调试和检验新的芯片 设计，保证符合规格要求 在线参数测试 Wafer制 为了监控工艺，在制作过程 （PCM) 造过程中 的早期进行产品工艺检验测 试 硅片拣选测试 Wafer制 产品电性测试，验证每个芯 （CP测试） 造后 片是否符合产品规格 终测（FT） 封装后 使用产品规格进行的产品功 能测试
硅片拣选测试的目标是： • 1.芯片功能：检验所有芯片功能的操作，确 保只有好的芯片被送到装配和封装生产阶段。 • 2.芯片分类：根据工作速度特性（通过在几 个电压值和不同时间条件下测试得到）对好的芯 片进行分类。 • 3.生产成品率响应：提供重要的生产成品率 信息，以评估和改善整体制造工艺的能力。 • 4.测试覆盖率：用最小的成本得到较高的内 部器件测试覆盖率。
数据倾向
• 不可接受的数据倾向：
硅片级可靠性
硅片级可靠性（WLR）测试最早是为了实现内建 （ Build-In Reliability ）可靠性而提出的一种测试手 段。硅片级可靠性测试的最本质的特征就是它的快 速，因此，近年来它被越来越多的于工艺开发阶段。 工艺工程师在调节了工艺后，可以马上利用WLR测
测试的评判标准－－良率（yield）
• 电学测试数据根据每个硅片上失效的芯片数目把 硅片分为通过（Pass）和失效（Fail）两类，其 中合格芯片所占的百分比称为良率。
产品良率（Yield）＝合格芯片数（good die） / 总芯片数（ gross die）
在线参数测试
在线参数测试是对硅片上的测试图形结构进行的 电学测试。因为它是把直流电压加在器件的物理结构 上进行测试，也被看成是一种直流测试。在线参数测 试在完成前端工艺后进行得越早越好。典型的测试是 在第一层金属被淀积并刻蚀后进行，这就允许接触式
硅片检测
1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
硅片级可靠性测试
硅片级可靠性测试(转）赵毅，徐向明（上海华虹NEC 电子有限公司，上海201206）摘要：介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。
对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。
同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。
最后，对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。
关键词：硅片级；可靠性；测试中图分类号：TN304 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2004)11-0005-03Wafer Level Reliability TestZHAO Yi，XU Xiang-ming(Shanghai HuaHong NEC Electronics Co., Ltd., Shanghai 201206,China)Abstract: The importance of wafer level reliability (WLR) testing for the R&D of semiconductor process is introduced. A brief review of items and development of WLR was provided; also the future development of WLR was analyzed.Key words: wafer Level；reliability；test1 引言硅片级可靠性（WLR）测试最早是为了实现内建（BIR）可靠性而提出的一种测试手段[1]。
硅片级可靠性测试的最本质的特征就是它的快速，因此，近年来它被越来越多的于工艺开发阶段。
工艺工程师在调节了工艺后，可以马上利用WLR测试的反馈结果，实时地了解工艺调节后对可靠性的影响。
这样就把可靠性测试糅合和工艺开发的整个过程当中。
如今，工艺更新换代非常快，所以，WLR就成为了一种非常有效快速的方法使工艺开发的进程大大加快。
同时，各个公司在工艺开发后都会发行一个针对WLR的技术报告，这也为业界广泛接受。
可靠性测试项目及需求样品数量
光学防反射膜层的可靠性验证测试所需样品数量1. 测试样品要求a) 石英测试片，厚度为1.5毫米。
b) 晶片级硅测试片，厚度大于0.67毫米。
c) 石英测试片用于耐久性试验和耐摩擦强度试验，包括反射率测试。
d) 硅测试片用于耐久性试验和耐摩擦强度试验，不包括反射率测试。
e) 两种测试片在进行以上测试前，需要按照确定的 TOSA/ROSA PLC 芯片的ARC清洁和镀膜工艺进行镀膜加工。
1. 可靠性验证测试石英片硅片a) 耐久性测试i. 水煮试验——样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55ii. 潮湿试验——样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55iii. PCT —— 样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55iv. 温度循环试验——样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55b) 耐摩擦强度测试i. 高强度摩擦 —— 样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55ii. 中强度摩擦 —— 样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55iii. 附着力 —— 样品数量为石英测试片5片，硅测试片5片。
55iv. 十字划痕，胶带测试 —— 样品数量为石英测试片3片，硅测试片3片。
33c) 组合测试i. 温湿度循环/十字划痕试验——样品数量为石英测试片3片，硅测试片3片。
334141规格：石英测试片 厚度=1.5mm 尺寸：50mmX50mm晶片级硅测试片 厚度>0.67mm 尺寸：50mmX50mm总数：石英测试片41pcs,硅片,41pcs.制表：陈恒日期：2015/12/22。
第17章 硅片测试
具有失效的硅片分类图
1 器件: 批: 硅片: 层: Bins 成品率: 好: 总计: 样品 样品 200 mm Hardware 79.54% 70 88 好 坏 10 2 1 1 1 1 1 1 10 10 3 7 7
1
1 3 10
12 12
1 6 7 1 1 1
1
6 1 5
1 1
1 1 1 1 1 1
Node 11
Node 3
Node 10 Node 8
Node 4
二．硅片拣选测试要点
1．总测试时间：为了提高测试的质量和吞 吐量，在芯片设计早期就考虑芯片的易测性并使用 可测性设计（ DFT ）策略。DFT的一个例子是扫描 测试，在集成电路里设计特殊电路，可以绕过正常 数据通道直接加上特定测试图形，以缩短测试时间。
在线参数测试
硅片拣选测试
硅片制造中电学测试的位置
CMOS前端工艺 • 阱的形成 • 浅槽隔离 • 多晶硅栅形式 • 源漏注入 • 接触形式 • 局部互连 • 第一层层间介质 • 第一层金属淀积和刻蚀
CMOS后端工艺 • 层间介质淀积和CMP • 通孔形成 • 钨塞填充和CMP • 金属淀积和刻蚀 • 根据金属层重复上面步骤 • 压点金属淀积和刻蚀 • 钝化层成膜和刻蚀
第十七章 硅 片 测 试
电学测试在芯片工艺的不同阶段进 行。这些测试在早期设计阶段开始，在 硅片制造的重要步骤继续，以最后封装 的IC产品测试结束。下表给出了主要芯 片测试的概要。
IC产品的不同电学测试(从设计阶段到封装的IC)
测试
1. IC 设计验证
IC 制造的阶段
生产前
硅片级或芯片 级
硅片级
参数测试的一个重要方面是观察数据倾 向。不可接受的数据倾向有：
硅片检验标准
好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。
二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。
三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。
2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。
单晶硅片的可靠性检测原理
单晶硅片的可靠性检测原理单晶硅片是制造晶体管、光伏电池和集成电路等微电子器件的重要材料之一。
为了确保器件的可靠性，需要对单晶硅片进行严格的可靠性检测。
可靠性检测的目的是评估单晶硅片在长期使用和不同环境条件下的稳定性和可靠性。
单晶硅片的可靠性检测主要涉及以下几个方面：1.外观检测：外观检测主要目的是检查单晶硅片的外观是否完整、表面是否平整和光洁。
这是因为外观缺陷（如划痕、裂纹等）会降低单晶硅片的结构和性能，影响其可靠性。
外观检测通常使用显微镜、光学显微镜或扫描电子显微镜等仪器进行。
2.电学性能检测：电学性能检测主要是通过测量单晶硅片的电阻、电流和电压等参数来评估其电学性能。
这些参数可以反映单晶硅片的导电性能、绝缘性能以及可能存在的电性缺陷。
常用的电性测试方法包括四探针法、霍尔效应测试和电容测试等。
3.热稳定性检测：热稳定性检测是评估单晶硅片在高温环境下的稳定性。
在高温环境下，单晶硅片可能会发生晶格缺陷、晶界迁移、表面氧化等问题，从而影响其电学性能和可靠性。
热稳定性检测通过将单晶硅片置于高温环境下，通过测量其电性参数的变化来评估其热稳定性。
4.化学稳定性检测：化学稳定性检测是评估单晶硅片在酸碱溶液中的稳定性。
氢氟酸等强酸或强碱溶液可能会对单晶硅片造成腐蚀或结构损坏，从而影响其性能和可靠性。
化学稳定性检测通过将单晶硅片置于酸碱溶液中，观察其表面变化并测量其电性参数的变化来评估其化学稳定性。
5.厚度和掺杂检测：厚度和掺杂检测是评估单晶硅片的厚度和掺杂浓度的均匀性和准确性。
单晶硅片的厚度和掺杂浓度会直接影响其电学性能和可靠性。
常用的厚度和掺杂检测方法包括激光干涉法、电感耦合等离子体质谱法和电感耦合等离子体发射光谱法等。
总之，单晶硅片的可靠性检测包括外观检测、电学性能检测、热稳定性检测、化学稳定性检测、厚度和掺杂检测等方面。
这些检测方法可以帮助评估单晶硅片的结构和性能是否符合要求，从而提高器件的可靠性。
硅片检验总结
硅片检验总结简介硅片是半导体行业中的重要组成部分，其质量直接影响着芯片制造的成本和可靠性。
硅片检验是确保硅片质量的关键环节，本文将总结硅片检验过程中的主要内容和注意事项。
检验内容外观检验外观检验是对硅片表面进行检查，确保硅片没有明显的损伤和污染。
主要包括以下几个方面：1.成品硅片外观：检查硅片表面是否平整，是否有划痕、裂纹或凹陷等缺陷。
2.硅片尺寸：通过测量硅片的长度、宽度和厚度，确保其尺寸符合要求。
3.表面污染：使用显微镜或其他仪器检查硅片表面是否有灰尘、油污等杂质。
光学检验光学检验是通过使用光学仪器对硅片进行检查，以确定其光学性能是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.反射率测量：使用反射光谱仪测量硅片在不同波长下的反射率，以确定其光学性能。
2.透明度测试：使用透射光谱仪测量硅片透射光谱，以确定其透明度。
3.表面平整度测量：使用表面平整度仪测量硅片表面的平整度，以确定其光学性能。
电性能检验电性能检验是通过对硅片进行电性能测试，以确定其电子行为是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.导电测试：使用导电测试仪测量硅片的电阻值，以评估其导电性能。
2.接触电阻测量：使用接触电阻测试仪测量硅片上金属电极与硅片之间的接触电阻。
3.PN结测试：使用PN结测试仪测量硅片上PN结的电流特性，以判断其质量。
检验注意事项1.检验设备的选择：根据不同的检验内容，选择合适的仪器设备进行检验，确保测试结果准确可靠。
2.检验环境的控制：硅片对污染特别敏感，因此在检验过程中要注意控制检验环境的洁净度，避免污染对检验结果的影响。
3.操作人员的技术要求：硅片检验需要操作人员具备一定的专业知识和技术水平，以确保检验过程的准确性和可靠性。
4.记录和存档：对每个硅片的检验结果进行详细记录，并建立完善的存档系统，以备后续追溯和查证。
总结硅片检验是确保硅片质量的关键环节，在半导体行业中具有重要的意义。
通过对硅片的外观检验、光学检验和电性能检验，可以有效评估硅片的质量，并采取相应的措施进行调整和改进。
soi硅片检验标准
soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。
1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。
二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。
2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。
2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。
三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。
3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。
四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。
4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。
4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。
五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。
5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。
5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。
六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。
6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。
6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。
七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。
7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。
7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。
八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。
8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。
半导体硅片的检验准则
半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语：半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。
本文将深入探讨半导体硅片的检验准则，包括其基本原理、常见的检验方法和标准，以及对检验结果的分析和评估。
一、背景介绍在半导体工业中，半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。
而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。
在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。
二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。
主要包括以下几个方面：1. 外观检验：包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷，以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。
2. 电特性检验：通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数，判断其电性能是否满足设计要求。
3. 表面特性检验：通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备，观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征，以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。
4. 化学污染检验：通过使用化学分析方法，检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量，以评估其纯度。
三、常见的检验方法和标准1. 外观检验：通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行，以国家相关标准为准。
2. 电特性检验：包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法，仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。
3. 表面特性检验：常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等，根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。
4. 化学污染检验：一般通过化学分析方法，如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等，以国际标准或公司内部标准为依据。
四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。
根据数值的大小和与标准值的偏差，可进行以下分析和评估方面的工作：1. 质量评估：将检验结果与已设定的标准进行对比，评估硅片是否合格，是否可继续用于下一工序的制造。
2. 偏差分析：对超出标准范围的数据进行分析，找出问题所在，进一步改进生产工艺。
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一，因此其检验标准至关重要。
以下是半导体硅片检验标准的详细说明。
1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。
在检查外观时，应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷，同时也应检查硅片的形状是否符合要求。
2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）等仪器来完成。
该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。
需要注意的是，有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显，因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。
3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。
在检查过程中，应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确，从而保证检验的可靠性。
4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。
在检测杂质时，可以使用玻璃齐墩试剂等方法，对硅片进行表面浸泡。
此外，还可以使用SIMS（二次离子质谱）等方法，对硅片内部的杂质进行检测。
5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中，电性能的检测是至关重要的。
可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法，对硅片的电性能进行检测。
总之，半导体硅片检验标准非常严格，因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。
只有通过科学的检验方法，才能确保半导体器件的品质和性能。
IC工艺技术13集成电路可靠性PPT79页课件
产品可靠性取决于设计，工艺和封装 相同设计规则，相同工艺和封装的不同产品应有相同的可靠性水平 可靠性要从源头－设计抓起 可靠性是内在质量，是靠‘做’出来的，不是靠‘测’出来的
可靠性设计
电路设计的可靠性考虑 器件和版图结构设计的可靠性考虑 工艺设计的可靠性考虑
可靠性设计 －电路设计时的考虑
耗损失效期
在曲线的最后区域，失效速率急剧上升，意味着封装器件达到了预期寿命，诸如开裂和过度的应力不可能对该区域有重大影响，因为这些问题造成的失效应更早出现。引起该失效的最典型的原因是较慢锈蚀过程的累积效应。失效速率开始快速上升的时间应该超过系统的预期寿命，以保证消费者的质量要求。
（三）硅片级可靠性设计和测试
可靠性试试验 (1)
可靠性评价不可能等待器件自然失效后再进行测试和分析，而是通过一系列模拟环境和加速试验，使器件在较短的时间内失效，然后再进行失效机理的分析。 加速因子包括潮气、温度、一般的环境应力和剩余应力等。 设计合理的加速试验，可以达到检测器件可靠性的目的。 选择合适的样本数也是可靠性试验的关键参数之一，因为样本数少了，不能真实反映器件的可靠性，样本数太大的话，又会造成资源的浪费，需用数理统计方法，合理选择样本数。
28
MTTF (Years) 125oC 60% UCL
243
MTTF (Years) 90oC 60% UCL
4060
温度循环（T/C）
条件： 500 cycles, -65℃ to +150℃ at a ramp rate of 25℃/min and with 20 min dwell at each temperature extreme 目的：模拟环境温度变化,考核温度交替变化对产品机械/电性能的影响，暴露粘片/键合/塑封等封装工艺/材料缺陷，及金属化/钝化等圆片工艺问题 失效机理：不同材料间热膨胀系数差异造成界面热匹配问题，造成金线断裂、键合脱落致使开路，塑封开裂使密封性失效、界面分层使热阻增大 、钝化层开裂、硅铝接触开路、芯片开裂
南京中电公司硅片检验标准
多晶硅片
导电类型
（Conductivity type）
P
电阻率范围（Resistivity）
Ω.cm
1-3Ω.cm
少子寿命（Lifetime）
us；
≥2us
碳含量
（Carbon concentration）
atoms/cm3
≤5.0×1017atoms/cm3
氧含量
（Oxygen concentration）
规格尺寸
（Dimension）
宽度（Width）
mm
156±0.5mm
硅片对角
（Wafer Diagonal）
mm
219.2±0.5mm
Bevelangle0.5～2mmin450
厚度（Thickness）
um
200±20μm
电学性能参数
（perf长方法
（Growth method）
1、目的
为了规范硅片的检验工作，明确硅片检验的项目和检验标准，特制定本文件。
2、范围
适用于对南京中电电气公司硅片的分选工序。
3、职责
品质管理中心：负责对硅片进行检验，确保分选后的硅片等级达到客户的要求。
4、作业内容
多晶硅片检验项目和标准
类别（Sort）
项目（Item）
单位（Unit）
指标/参数/要求（Index/Parameter/Request）
小亮边（Tiny Luminance Edge）
长度≤硅片边长的1/2，宽度≤片厚的
1/3
边缘缺陷（Edge defact）
深不大于0.5mm；长不大于1.5mm；
晶体硅光伏组件可靠性测试
晶体硅光伏组件可靠性测试摘要：太阳能是一种取之不尽用之不竭，并且没有污染的能源，是非常理想的新能源模式。
因为太阳能光伏组件是安装在户外环境下使用，使用寿命是25年以上，所以光伏组件可靠性评估方法是行业内重点关注的问题。
本文是采取模拟户外环境加速测试的方法，对组件进行可靠性评估。
主要研究光伏组件在经过紫外辐照、湿冻、湿热和热循环这几种不同环境应力下分析组件失效机理。
关键词：光伏组件；可靠性测试；湿冻测试；湿热测试1晶体硅光伏组件制备晶硅光伏组件的制备过程，就是以电池片层为中心，由内向外，逐渐加工成型的过程。
各工序介绍：单片焊是将细焊带与电池片正面主栅焊接，为电池片的串联做好准备；串焊是用细焊带，将电池片按照规定数量进行正负极焊接串联；层叠是将钢化玻璃、正面封装胶膜、串联好的电池片、背面封装胶膜、背板，按规定顺序进行层铺，边沿对齐后，利用胶带进行临时固定，避免层压过程中出现相互位移；层压是通过抽真空、加热和加压等工艺措施，使层叠后的组件黏合在一起，完成太阳电池的封装；装框是四周安装便于组件安装、保护的铝合金边框；最后是外观及包装检查无问题，包装封箱。
2晶体硅光伏组件可靠性测试晶体硅光伏组件是一种安装在户外需要充分接收太阳辐照而产生电流的一种发电装置。
这也就使得组件在使用过程中必然需要经受沙尘、盐雾、强风、雨雪、冰雹、湿热、干冷、及水汽的冷凝和蒸发、大气气体的污染、春夏秋冬四季温度的变化，和需要暴露在强紫外光辐照下保持稳定有效的发电性能直至25年或更久。
在本文主要研究内容是选取单晶硅组件分别进行在湿热、湿冻、热循环、紫外辐照等环境应力下的加速试验。
2.1研究样品及方案在本次测试单独选取单晶硅光伏组件作为测试样品。
选取4组不同材料组合的组件分别进行环境老化试验加严的测试，其中：紫外测试15kWh加严6倍，热循环、湿冻测试分别加严三倍，湿热测试加严两倍。
2.2研究结果与分析表1-1 单晶硅组件加速测试数据表环境加严试验样品均为单晶硅光伏组件，从上表中的结果可以看出，加严试验后的衰减普遍增加，其中UV90kWh和TC50×3试验后的衰减高于HF30及DH2000试验的衰减。
硅片检验规程
1目的为了加强成品质量控制，规范成品检验方法及步骤，特制定此规程。
17范围本文件规定了对成品进行检验的标准等。
本文件适用于硅片公司品管部硅片分选包装检验员。
18设备、工模具、材料Manz硅片分选设备、PVC手套、标签打印机、工作台、包装盒、包装箱、封口胶带等。
4内容4.1检验方式4.1.1 外观全检，即对全部生产的硅片外观逐件用肉眼进行检测，从而判断每一件产品是否合格。
4.1.2 电学及其他性能抽检（加严时须全检），每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、厚度、TTV少子寿命等进行检验。
4.2 检验步骤a）每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、少子寿命等进行检验；b）在抽检的200片当中如果有30及30片以上的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求硅片数的总计）不满足 4.3中相关要求，则对该硅块所有的硅片用Manz硅片分选设备进行检验，之后再对所有硅片进行外观上的检验；c）在抽检的200片当中如果只有30片以下的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求硅片数的总计）不满足4.3中相关要求，则将这些硅片判定为导电类型不符、电阻率不符等，该硅块其他硅片不再进行导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等的检验，连同抽检的200片硅片中剩下的硅片进行外观上的全检；例如：如某一硅块理论切片数为535片，抽检了200片，当中有29片不满足4.3中相关要求。
则将29片判定为导电类型不符、电阻率不符等，剩下的171（200-29 ）片连同前面的335片（535-200 ）进行外观上的全检；d）依据4.3中相关要求对硅片进行分类。
4.3 技术要求按照硅片质量不同将产品分为 A B两个等级。
A级为合格品，B级为可让步使用的产品。
其中A级分为A1、A2两类,B级分为B1、B2两类，具体分类、检测方法见表1。
表1太阳能多晶硅片质量等级分类方法续表1说明：1） A级硅片为优等品，B级硅片为不合格硅片；2）B级硅片按公司《不合格品控制程序》进行处理；3）凡涉及到“不明显”、“目测”字样的条款，其检验的光照条件依据GB50034-92工业企业照明设计标准中第321条一般精细作业中的要求，即识别对象最小尺寸0.6<d<1.0,视觉作业分类等级为IV乙，亮度对比为大，照度大小为200LUX（即需40W的日光灯源，工作面距离灯源50-70cm）。
硅片质检员工作内容
硅片质检员工作内容硅片质检员是一项重要的工作，他们负责对生产出来的硅片进行质量检查。
硅片是半导体行业中的关键材料，用于制造各种电子器件，因此质检员的工作至关重要。
硅片质检员需要了解硅片的特性和制造过程。
硅片是通过将纯度极高的硅材料溶解后再重新结晶而成的。
质检员需要了解硅片的晶格结构、表面特性以及掺杂材料的种类和浓度等。
只有对硅片的基本特性有充分的了解，才能更好地进行质检工作。
硅片质检员需要检查硅片的外观质量。
他们会使用显微镜等工具仔细观察硅片表面是否有划痕、裂纹、凸起等缺陷。
同时，他们还需要检查硅片的尺寸和形状是否符合要求。
对于有缺陷的硅片，质检员需要进行记录并将其剔除，以确保产品质量。
硅片质检员还需要对硅片的电学性能进行测试。
他们会使用特定的测试设备，如电阻测试仪、电容测试仪等，对硅片的电学特性进行测量。
这些测试可以帮助质检员判断硅片的导电性能是否正常，以及有无短路、断路等问题。
硅片质检员还需要进行掺杂浓度的测试。
硅片通常会掺入少量的其他元素，以改变其导电性能。
质检员需要使用质谱仪等仪器，对硅片中掺杂元素的浓度进行分析和测试。
这些测试可以帮助质检员判断硅片的掺杂工艺是否正确，以及有无过量或不足的问题。
硅片质检员还需要进行可靠性测试。
他们会将硅片放入特定的测试环境中，如高温、低温、湿度等，以模拟实际使用条件下的情况。
通过对硅片在不同环境下的性能变化进行观察和测试，质检员可以评估硅片的可靠性和耐久性。
总结起来，硅片质检员的工作内容包括了对硅片外观质量、电学性能、掺杂浓度和可靠性等方面的测试和检查。
他们需要具备专业的知识和技能，并严格按照相关标准和规范进行工作。
只有通过严格的质检过程，才能确保生产出来的硅片质量优良，满足客户的需求。
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硅片级可靠性测试(转）赵毅，徐向明（上海华虹NEC 电子有限公司，上海201206）摘要：介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。
对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。
同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。
最后，对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。
关键词：硅片级；可靠性；测试中图分类号：TN304 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2004)11-0005-03Wafer Level Reliability TestZHAO Yi，XU Xiang-ming(Shanghai HuaHong NEC Electronics Co., Ltd., Shanghai 201206,China)Abstract: The importance of wafer level reliability (WLR) testing for the R&D of semiconductor process is introduced. A brief review of items and development of WLR was provided; also the future development of WLR was analyzed.Key words: wafer Level；reliability；test1 引言硅片级可靠性（WLR）测试最早是为了实现内建（BIR）可靠性而提出的一种测试手段[1]。
硅片级可靠性测试的最本质的特征就是它的快速，因此，近年来它被越来越多的于工艺开发阶段。
工艺工程师在调节了工艺后，可以马上利用WLR测试的反馈结果，实时地了解工艺调节后对可靠性的影响。
这样就把可靠性测试糅合和工艺开发的整个过程当中。
如今，工艺更新换代非常快，所以，WLR就成为了一种非常有效快速的方法使工艺开发的进程大大加快。
同时，各个公司在工艺开发后都会发行一个针对WLR的技术报告，这也为业界广泛接受。
JEDEC也为此专门制定了一个标准[2]，而且不定时的更新其内容。
WLR 要测试的项目主要有以下几大类：①互连线可靠性（电迁移）；②氧化膜可靠性；③热载流子及NBTI；④等离子损伤（天线效应）等。
用于工艺开发的WLR的流程主要如下。
首先，制定一个WLR计划，包括对测试样品的要求（样品数、测试面积、Lot数等），一些设计规则和所有达到的规范。
比如说电迁移中，要给出最大设计电流，器件使用温度等，评价氧化膜的可靠性时，如果是用斜坡电压法则要求测试面积大于10cm2，缺陷密度不能大于一定的值（D0），如果是用恒定电压法，则要给出加在栅极上的电压分别有多大等等。
在评价热载流子效应时，一般要求热载流子中寿命直流寿命大于0.2年等[2]。
下面详细介绍一下各个项目。
2互连线可靠性（电迁移）电迁移（EM）是微电子器件中主要的失效机理之一，电迁移造成金属化的开路和短路，使器件漏电流增加。
在器件向亚微米、深亚微米发展后，金属化的宽度不断减小，电流密度不断增加，更易于因电迁移而失效。
因此，随着工艺的进步，EM的评价备受重视[3]。
导致电迁移的直接原因是金属原子的移动。
当互连引线中通过大电流时，静电场力驱动电子由阴极向阳极运动，高速运动的电子与金属原子发生能量交换，原子受到猛烈的电子冲击力，这就是所谓的电子风力。
但是，事实上金属原子同时还收到反方向的静电场力。
当互连线中的电流密度较高时，向阳极运动的大量电子碰撞原子，使得金属原子受到的电子风力大于静电场力。
因此，金属原子受到电子风力的驱动，使其从阴极向阳极定向扩散，从而发生电迁移[4]。
传统的评价电迁移的方法是封装法。
对样品进行封装后，置于高温炉中，并在样品中通过一定电流，监控样品电阻的变化。
当样品的电阻变化到一定比例后，就认为其发生电迁移而失效，这期间经过的时间就为在该加速条件下的电迁移寿命。
但是封装法的缺点是显而易见的，首先封装就要花费很长的时间，同时，用这种方法时通过金属线的电流非常小，测试非常花费时间，一般要好几周。
因为在用封装法时，炉子的温度被默认为就是金属线温度，如果有很大的电流通过金属线会使其产生很大的焦耳热，使金属线自身的温度高于炉子的温度，而不能确定金属线温度。
所以，后来发展了自加热法（ISO-thermal）[5]。
该方法不用封装，可以真正在硅片级测试。
它是利用了金属线自身的焦耳热使其升高。
然后用电阻温度系数（temperature coefficient of resistance, TCR）确定金属线的温度。
在实际操作中，可以调节通过金属线的电流来调节它的温度。
实际应用表明，这种方法对于金属线的电迁移评价非常有效，但是对于通孔的电迁移评价，该方法就不适用了。
因为，过大的电流会导致通孔和金属线界面出的温度特别高，从而还是无法确定整个通孔电迁移测试结构的温度。
针对这种情况，又有研究者提出了一种新的测试结构——多晶硅加热法[6]。
这种方法是利用多晶硅作为电阻，通过一定电流后产生热量，利用该热量对电迁移测试结构进行加热。
此时，多晶硅就相当于是一个炉子。
该方法需要注意的是在版图设计上的要求比较高，比如多晶硅的宽度，多晶硅上通孔的数目等都是会影响其加热性能的。
以上三种方法得到的都是加速测试条件下的电迁移寿命，我们需要的是在使用条件和设计规则电流下的电迁移寿命，利用Black 方程[2]来推得我们想要的电迁移寿命。
3 氧化膜可靠性集成电路以高速化和高性能化为目标,实现着进一步的微细结构。
随着微细结构在工业上的实现，降低成本和提高集成度成为可能。
另一方面,随着MOS 集成电路的微细化，栅氧化层向薄栅方向发展，而电源电压却不宜降低，栅氧化层工作在较高的电场强度下，从而使栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题。
栅极氧化膜抗电性能不好将引起MOS器件电参数不稳定,进一步可引起栅氧的击穿。
栅氧击穿作为MOS 电路的主要失效模式已成为目前国际上关注的热点[7]。
评价氧化膜可靠性的结构一般都是MOS电容，评价氧化膜不同位置的特性，需要设计不同的结构，主要有三种结构：大面积MOS电容，多晶硅梳状电容，有源区梳状电容等。
评价氧化膜的方法主要有斜坡电压法，恒定电压法以及恒定电流法（用的相对较少）。
（1）斜坡电压法测试时使MOS电容处于积累状态，在栅极上的电压从使用电压开始扫描一直到氧化膜击穿为止，击穿点的电压即为击穿电压（Vbd,），同时我们还可以得到击穿电量（Qbd）。
按照JEDEC标准，用斜坡电压法时，总的测试结构的氧化膜面积要达到一定的要求（比如大于10cm2等）。
做完所有样品的测试后，对得到的击穿电压进行分类：● 击穿电压<使用电压：早期失效；● 使用电压<击穿电压<m×使用电压：可靠性失效(m为一系数，一般为2左右) ；● 击穿电压>m×使用电压：本征失效然后计算缺陷密度D：D＝(早期失效数＋可靠性失效数)/总的测试面积；如果D< D0, 则通过；如果D>D0, 则没有通过。
此外，得到的击穿电量也可以作为判定失效类型的标准，一般当Qbd<0.1C/cm2 就认为是一个失效点，但是当工艺在0.18μm以上，Qbd一般只是作为一个参考，并不作为判定标准[8]，因为Qbd和很多测试因素有关。
（2）恒定电压法在栅极上加恒定的电压，是器件处于积累状态。
这就是一般所说的TDDB（time dependent dielectric breakdown ）。
经过一段时间后，氧化膜就会击穿，这期间经历的时间就是在该条件下的寿命。
在测得三个高于使用电压的电压的寿命后，用一定的模型就可以推得在使用条件下的寿命。
推算TDDB寿命的模型主要有两种，E模型和1/E模型。
已有的研究表明，在不同的电场下TDDB寿命符合不同的模型，在低场下符合E模型，在高场下符合1/E模型，这就给使用条件下的TDDB寿命的推算带来很大麻烦。
为了使用E模型，必须测得在较低电场下的TDDB寿命，但是这样的话就要花费相当大的测试时间，这是目前需要解决的一个问题。
4 热载流子效应随着MOSFET器件尺寸的不断缩小，热载流子效应严重地影响器件与电路地可靠性。
对热载流子效应的研究已经成为MOSFET可靠性研究地热点之一。
工艺和器件工程是在调整工艺和器件参数时，必须考虑到热载流子效应。
薄栅器件热载流子效应引起器件退化的主要因素有三个：1. 氧化层中的电荷注入与俘获[9] ；2. 电子和俘获空穴复合引起的界面态；3. 高能粒子打断Si－H键引起的界面态[11]。
热载流子效应研究的主要目的之一是建立寿命的可靠性预测模型。
在实际运用中，一般有两种模型：Isub 模型和Isub/Id模型。
因为对于PMOS，热载流子效应不是非常明显，所有对于PMOS，一般会对其进行阈值电压稳定性或者NBTI (negative bias temperature instability)的测试。
对这些项目的测试方法和要求JEDEC标准都给出了较为详细的规定[2]。
5 等离子损伤等离子工艺已经成为现代集成电路制造中不可缺少的一部分。
它具有很多优点，如方向性好，实现温度低，工艺步骤简单等，但是，同时它也带来很多对MOS器件的电荷损伤。
随着栅极氧化膜厚度的减小，这种损伤就越来越不能被忽视。
它可以劣化栅极氧化膜的各种电学性能，如：氧化层中的固定电荷密度，界面态密度，平带电压，漏电流等[11~13]以及和击穿相关的一些参数。
导致等离子损伤的本质原因是等离子中正离子和电子分布不均匀。
在局部区域，正离子和电子的分布可能是不平衡的，至少在刚开始的时候是可能的，这些非平衡电荷会对非导体表明充电，电荷积累到一定程度后就会发生F-N 电流，造成对栅极氧化层的损伤。
而正离子和电子分布不均匀会主要发生在多晶硅和金属刻蚀时以及光刻胶剥离时[14]。
已有的研究表明，天线比越大，等离子损伤越厉害。
所以对于每种情况（金属、多晶体硅、通孔等），我们要通过评价，最后给出一个结果，说明在多少的天线比以下是安全的，供电路设计工程师参考。
这也是设计规则检查（design rule check., DRC）的一部分。
除了以上说提到的这些测试项目以外，还有氧化层中可动离子[2]的测试也是目前非常关注的一个项目。
6 结语随着工艺改进速度的不断加快，硅片级可靠性的重要性越来越被体现出来。
它可以快速的反映出工艺条件的变化对可靠性的影响，把可靠性整合在工艺开发的整个过程当中。
本文在分析硅片级可靠性测试的重要性的基础上，介绍了硅片级可靠性所涉及的各个项目。
同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。
通过对硅片级可靠性测试的现状分析可以看出，其测试方法，测试速度及准确性等方面还需要不断改善和提高。