电力电子技术题库
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术试题_全
1、和门极G。
2、晶闸管的导通条件阳极加正电压、门极加正向电压；关断条件是阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。
3、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√2U2。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。
（电源电压为U2）4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。
5、同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达240º度；正弦波触发电路的理想移相范围可达180º、度，实际移相范围只有150º。
6、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
7、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
8、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管的栅极作为栅极，以电力晶体管的集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
9、晶闸管的过电流能力比较差，必须采用保护措施，常见的快速熔断器、过流继电器、直流快速开关、、限流与脉冲移相保护。
10、型号为KP100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定电流为100安。
11、单相交流调压电阻性负载电路的移相范围在0º-180º内，在电感性负载时移相范围在ф-180º内。
12、变频电路常用的换流方式有负载谐振换流、脉冲（强迫）换流两种。
13、逆变器环流指的是只流经逆变电源、逆变桥晶闸管而不流经负载的电流，环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用α大于β工作方式。
1、单相半控桥整流电路的二组触发脉冲依次相差A度。
A、180°，B、60°，c、360°， D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流带电阻性负载，输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、在晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术题库
电力电子技术题库一、填空题1、普通晶闸管内部有三个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极、阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管TGBT；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。
7、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
8、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
9、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。
10、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。
11、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
13、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
14、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
15、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接接一个续流二极管。
16、整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
17、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。
18、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；GTR的全称是大功率晶体管，图形符号为；P-MOSFET的全称是功率场效应管，图形符号为；IGBT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。
电力电子技术试题库答案
电力电子技术试题库一、题填空。
1、变流技术也称为电力电子器件的应用技术。
2、电力电子技术诞生于1957 年，是以美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。
3、通常所用的电力有直流和交流两种。
4、1947 年，美国著名的贝尔实验室发明了晶体管。
5、迄今为止，用于制造电力电子器件的半导体材料仍然是硅。
6、在电化学工业中，电解铝、电解实验室等都需要大容量的整流电源。
7、经多年研究，能够制造电力电子器件的新材料，有碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石等。
8、在磁悬浮列车中，技术是一项关键技术。
9、相位控制方式和斩波控制方式分别简称为相控和斩控。
10、目前，碳化硅二极管以其优越的性能已经获得了广泛的应用。
11、在电气机车中，直流机车采用装置，交流机车采用装置。
12、通常把交流电变成直流电称为整流，而把直流电变成交流电称为逆变。
13、有源逆变和无源逆变的区别仅仅在于变流电路的交流侧是否与电网连接。
14、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来变频调速已成为主流。
15、电力电子电路的换流方式可分为以下四种：换流、换流、换流、换流。
16、逆变电路根据直流侧电源的性质分类，可以分为电压型逆变电路和电流型逆变电路。
17、变频空调器是家用电器中应用电力电子技术的典型例子。
18、软开关技术解决了电力电子电路中开关损耗和开关噪声问题。
19、电力电子器件按照被控制的程度可分为三类：不可控器件，半控型器件，全控型器件。
20、超导储能是未来的一种储能方式，它需要你强大的直流电源供电。
21、电力电子装置的发展趋势是小型化、轻量化。
22、在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为。
23、在电力电子电路中，器件的开关损耗和开关频率之间呈现线性关系。
24、PWM控制技术在逆变电路中的应用最为广泛。
25、器件换流只适用于全控型器件，其余三种方式重要是针对晶闸管而言的。
26、晶闸管电路的主要控制方式是相控方式，而全控型器件电路的主要控制方式是斩控方式。
电力电子技术试题库答案
二、判断题（每题1分，共10分）
1、 晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。（ 错 ）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。（错 ）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。（ 对 ）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。（错 ）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。（ 对 ）6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。（ 对 ）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。 ( 错 )8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。 （ 对 ）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。 （ 错 ）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。（ 对 ）
直流测接大电容的逆变电路称为电流型逆变电路。（ 错 ）16、电压型逆变电路其直流电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。 （ 对 ）17、电压型逆变电路其直流电压基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。 （ 错 ）18、电压型逆变电路其交流侧电压波形为矩形波，电流波形接近三角波或正弦波。（对）19、电压型逆变电路其交流侧电流波形为矩形波，电压波形接近三角波或正弦波。（错）20、电流型逆变电路其直流电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。 （ 对 ）21、有源逆变是将直流电逆变成与交流电网同频率的交流电回馈电网。（ 对 ）22、有源逆变是将直流电逆变成其它频率的交流电供负载使用。（ 错 ）23、为了实现有源逆变其直流侧的直流电动势应稍大于变流器直流侧的平均值。（对）24、为了实现有源逆变其直流侧的直流电动势应稍小于变流器直流侧的平均值。（错）
电力电子技术试题及答案
一、填空题（29分）1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。
4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。
5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。
6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的大电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-；晶闸管的额定电流可选为A 57.115)35.1(倍-。
1、普通晶闸管的图形符号是 电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ；关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时，导通的晶闸管关断 。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 。
3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0º—180º 变化，在阻感性负载时移相范围在 φ—180º 变化。
5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。
电力电子技术试题库-答案教学文案
电力电子技术作业题一、选择题（每题20分）1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。
A. 1～2倍B. 2～3倍C. 3～4倍D. 4～5倍2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（ A ）。
A. 1.5～2倍B. 2～2.5倍C. 2.5～3倍D. 3～3.5倍3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（ B ）。
A. 维持电流IHB. 擎住电流ILC. 浪涌电流ITSMD. 最小工作电流IMIN4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。
A. 1～2倍B. 2～4倍C. 3～5倍D. 6～8倍5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用( D )标定。
A. 平均值B. 最大值C. 最小值D. 有效值6.( C )晶闸管属于A. 全控型器件B.场效应器件C.半控型器件D.不可控器件7.( )晶闸管可通过门极( C )。
A. 既可控制开通，又可控制关断B.不能控制开通，只能控制关断C.只能控制开通，不能控制关断D.开通和关断都不能控制8.（）使导通的晶闸管关断只能是( C )。
A. 外加反向电压B.撤除触发电流C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零D. 在门极加反向触发9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( A )。
A. 阴极KB. 阳极AC. 门极KD. 发射极E10. （）晶闸管导通的条件是（ A ）。
A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲11. ( )可关断晶闸管（GTO）是一种（ A ）结构的半导体器件。
A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端12 . （）晶闸管的三个引出电极分别是（A）。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极13. （）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）。
电力电子技术考试题库
一、填空题1.电力电子技术主要完成各种电能形式的变换，以电能输入—输出变换的形式来分，主要包括以下四种基本变换，是AC-AC 、AC-DC 、DC-AC 和DC-DC 的新兴交叉学科。
2.半导体材料的电导调制效应效应使得功率二极管在正向电流较大时其导通压降仍然较低，且基本不随电流的大小而变化。
3.半控型单相全桥电流型方波逆变器的功率器件为晶闸管，而基于晶闸管的半控型逆变器的换流可采用由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
4.AC-AC变换是把一种形式的交流电变换成另一种形式的交流电，根据变化参数的不同，AC-AC变化电路可以分为交流调压、交交变频和。
6.半导体材料的电导调制效应效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然较低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表8.PWM调制方式根据载波比变化与否可以分为异步调制和同步调制。
1．电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.10.电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造和变流技术。
11.电力电子技术是由电力、电子和控制技术三个学科交叉形成的。
12.电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电器(GE)公司公司研制出第一个晶闸管为标志的。
13.研究换流方式主要是研究。
二、选择题1．根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同，下列器件属于单极性器件。
A、IGBT；B、MOSFET；C、GTR；D、GTO。
2．降压式变换器，输入电压为27V±10%，输出电压为15V，占空比变化范围。
A、0.12-0.15；B、0.15-0.18；C、0.505-0.617；D、0.413-0.513。
3．对于任意的调制波频率f r，载波比恒定的脉宽调制为。
A、同步调制；B、异步调制；C、分段同步调制；D、非对称调制。
4．单相桥式全控整流电流，大电感负载，U2=220V，R d=4Ω，当=60°时的输出电压。
A、99V；B、80V；C、148.5V；D、61V。
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电力电子技术题库 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题库
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L 大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM 大于Ubo 。
11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有正温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。
18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR ，属于复合型电力电子器件得有IGBT ；在可控的器件中，容量最大的是晶闸管，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
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南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
A、普通晶闸管B、整流二极管C、逆导晶闸管D、大功率晶体管E、绝缘栅场效应晶体管F、达林顿复合管G、双向晶闸管H、肖特基二极管I、可关断晶闸管J、绝缘栅极双极型晶体管K、MOS 控制晶闸管L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。
电力电子技术试题库
电力电子技术试题库一、填空题（每空格1分，共110分）1．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与＿＿＿＿＿＿＿。
2．晶闸管象二极管一样，具有可控＿＿＿＿＿＿＿特性。
3．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的＿＿＿＿电压。
4．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大＿＿＿＿＿＿＿倍，使其有一定的电压裕量。
5．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿＿。
6．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是＿＿＿＿＿＿＿极。
7．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
8．在反电动势负载时，只有＿＿＿＿＿＿＿的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
9．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。
10．＿＿＿＿＿＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
11．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
12．采用晶闸管共阳极接法的缺点是：要求三个触发电路的输出线圈＿＿＿＿＿。
13．触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法，目前采用较多的是＿＿＿＿＿触发方法。
14．由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60o，所以每隔60o有一次＿＿＿＿。
15．三相桥式整流电路控制角α的起算点，如α＝30o，在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为＿＿＿＿＿＿＿。
16．双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给＿＿＿＿＿＿＿一号晶闸管补表一个脉冲。
17．在三相可控整流电路中，α＝0o的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为＿＿＿＿＿＿＿。
18．在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
19．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。
电力电子技术题库含参考答案
电力电子技术题库含参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。
A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、门极可关断晶闸管D、电力晶体管正确答案：C2、带中心抽头变压器的逆变电路,变压器匝比为( )时，uo和io波形及幅值与全桥逆变电路完全相同。
A、1:2:1B、1:1:2C、3:1:1D、1:1:1正确答案：D3、单相半波可控制整流电路阻感负载需要（）续流。
A、晶闸管B、二极管C、GTRD、IGBT正确答案：B4、（）不属于换流技术。
A、整流B、电力电子器件制造C、逆变D、斩波正确答案：B5、单相桥式全控整流阻感性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-180°B、0º-150°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：D6、电压型逆变电路输出的电流波形为（）。
A、因负载不同而不同B、锯齿波C、正弦波D、矩形波正确答案：A7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-150°B、0º-180°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：B8、目前所用的电力电子器件均由（）制成，故也称电力半导体器件。
A、绝缘体B、金属C、半导体D、导体正确答案：C9、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、载波B、锯齿波C、调制信号D、正玄波正确答案：C10、斩波电路中，输出电压高于输入电压的电路称为（）。
A、降压斩波B、升压斩波C、升降压斩波D、CUK斩波正确答案：B11、晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、3～4倍B、4～5倍C、2～3倍D、1～2倍正确答案：C12、与单相全波可控整流电路功能相同的电路是（）。
A、斩波电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、单相桥式整流电路正确答案：D13、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。
电力电子技术复习题库
电力电子技术一、选择题1.分压式共射放大电路如下图所示。
若更换晶体管使β由50变为100，则电路的电压放大倍数A. 约为原来的一半B. 基本不变C. 约为原来的2倍D. 约为原来的4倍（）2.用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管A. 工作正常B. 接反C. 处于击穿状态D. 以上各项都不是（）3.晶体管工作在放大区时的偏置状态为A. b与e极，b与c极间均正向偏置B. b与e极，b与c极间均反偏C. b与e极间正偏，b与c极间反偏D. b与e极间反偏，b与c极间正偏4.二极管的伏安特性反映了（）A. I D与V D之间的关系B. 单向导电性C. 非线性D. 以上各项都不是（）5.直流稳压电源中的滤波电路的目的是A．将交流变成直流B．将高频变成低频C．将交、直流混合量中的交流成分滤掉D. 以上各项都不是（）6.基本共射放大电路如下图所示，当输入电压为1kHz、5mV的正弦电压时，输出电压出现了顶部削平的波形。
为了消除失真应A. 减小集电极电阻R cB. 改换β小的管子C. 增大基极偏置电阻R bD. 减小基极偏置电阻R b（）7.单相半波整流电路接上电容滤波后A．输出电压不变B．输出电压升高C．整流二极管承受的反向电压降低D．二极管导电时间变长（）8.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于A. 发射结正偏、集电结反偏B. 发射结正偏、集电结正偏C. 发射结反偏、集电结正偏D. 发射结反偏、集电结反偏（）9.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的A. 电子B. 空穴C. 三价硼元素D. 五价锑元素（）10.在下图所示电路中，已知稳压管Dz的稳定电压V Z = 5V。
流过稳压管的电流I Z为A. 5mAB. 10mAC. 20mAD. 40mA （）11.如图并联型稳压电路中，电阻R的作用是A. 限流降压B. 产生热量C. 决定振荡频率D. 不起作用（）12.在一个NPN管组成的基本共发射极放大电路中，当输入电压为正弦波时，输出电压波形出现了正半周削顶，这种失真是A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真（）13.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A，B两端的电压应为A. –12VB. –6VC. +6VD. –12V （）14.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的A. 电压放大倍数B. 静态工作点C. 输入电阻和输出电阻D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻（）二、填空题15.小功率直流电源一般由电源变压器、整流、、四部分组成，16.在共射极接法时，三极管的交流电流放大倍数β= 。
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南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt 或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
A、普通晶闸管B、整流二极管C、逆导晶闸管D、大功率晶体管E、绝缘栅场效应晶体管F、达林顿复合管G、双向晶闸管H、肖特基二极管I、可关断晶闸管J、绝缘栅极双极型晶体管K、MOS 控制晶闸管L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。
A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、GTO3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ）A、磁隔离B、电容隔离C、电感隔离D、光耦隔离四、问答题1、使晶闸管导通的条件是什么？答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
2、维持晶闸管导通和条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
（2）要使晶闸管由导通变为断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维护电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3、GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2 和N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有其基极电流增益α1 和α2，由普通晶闸管的分析可得，α1+α2=1 是器件临界导通的条件。
α1+α2＞1，两个等效晶体管过饱和而导通：α1+α2＜1，不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：1） GTO 在设计时α2 较大，这样晶体管V2 控制灵敏，易于GTO 关断；2） GTO 导通时的α1+α2 更接近于1，普通晶闸管α1+α2≥1.15，而GTO 则为α1+α2≈1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；3）多元集成结构使每个GTO 元阴极面积小，门极和阴极间的距离在为缩短，使得P2级区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4、IGBT、GTR、GTO 和电力MOSFET 的驱动电路各有什么特点？答：（1）IGBT 驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT 是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用混合集成驱动器。
（2）GTR 驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减少开通损耗，并断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
（3）GTO 驱动电路的特点是：GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
（4）电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
5、全控型开关器件：GTR、IGBT，MOSFET，达林顿管中属于电流型驱动的开关管的是哪几种？属于电压型驱动的是哪几种？答：属于电流型驱动：GTR、达林极管。
属于电压型驱动：IGBT，MOSFET。
6、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt 或过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
RCD 缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，CS 经RS 放电，RS 起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经VDS 从CS 分流，使du/dt 减小，抑制过电压。
7、试说明IGBT、GTR、GTO 和电力MOSFET 各自的优缺点。
第三章整流电路一、填空题1、变压器漏抗对整流电路的影响是整流电路输出电压Ud 幅值减小；变压器漏抗对逆变电路的影响是逆变电路输出电压压Ud 幅值增大。
2、三相桥式可控整流电路，若输入电压为u21=100sinwt，电阻性负载，设控制角α=60°，则输出电压Ud= 82.73V 。
二、判断题1、对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相双半波整流电路。
（×）2、对于单相桥式全控整流电路，晶闸管VT1 无论是烧成短路还是断路，电路都可作单相半波整流电路工作。
（×）3、单相桥式电路，反电动势负载，已知β=60°U2=100V，E=50V，则电路处于待逆变状态。
（×）4、在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障，失去开通能力，则会导致逆变失败。
（√）5、变压器漏抗使整流电路和有源逆变电路的输出电压幅值均减小。
（×）6、对于三相半波整流电路，电阻性负载，当Id 一定时，流过晶闸管的电流有效值IT随控制角α的增加而增加。
（√）7、对于三相半波整流电路电阻性负载，当α=45°，U2=100V 时，输出电压平均值约为85V。
（√）8、输出接有续流二极管的三相桥式全控桥，不可能工作在有源逆变状态。
（√）9、下列各种变流装置中，能实现有源逆变电路的，在括号中画“√”，不能的画“×”。
（1）单相双半波可控整流电路。
（√）（2）接续流二极管的单相双半波可控整流电路。
（×）（3）单相全控桥式整流电路。
（√）（4）单相半控桥式整流电路。
（×）（5）三相半波可控整流电路。
（√）（6）带续流二级管的三相半波可控整流电路。
（×）（7）三相桥式全控整流电路。
（√）三、选择题1、下列路中，不可以实现有源逆变有（ bd ）A、三相半可控整流电路B、三相桥式半控整流电路C、单相桥式整流电路D、单项双半波整流电路外接续流二极管2、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有（ acef ）A、单相桥式整流电路B、单相半波整流电路C、单相双半波整流电路D、三相半波整流电路E、三相桥式有源逆变电路F、单相双半波外接续流二极管3、下列可控整流电路中，输出电压谐波含量最少的是（ d ）A、三相半波B、单相双半波C、三相桥式D、十二相整流4、整流变压器漏抗对电路的影响有（acd）A、变流装置的功率因数降低B、输出电压脉冲减小C、电流变化缓和D、引起相间短路四、问答题1、单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？答：单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有2k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的2 次谐波。
变压器二次侧电流中含有2k+1（k=1、2、3…）次即奇次谐波，其中主要的是3 次、5 次谐波。
2、三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？答：三相桥式全控整流电路的整流输出电压中含有6k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的6 次谐波。
变压器二次侧电流中含有6k±1（k=1、2、3…）次谐波，其中主要的是5次、7 次谐波。
3、在单相桥式全控制整流电路中，若有一晶闸管因为过流而烧成断路，结果会怎样？如果这只晶闸管被烧成短路，结果又会怎样？答：若有一晶闸管因为过流而烧成断路，则单相桥式全控制流电路变为单相半波可控制流电路，如果这只晶闸管被烧成短路，会引起其他晶闸管因对电源短路而烧毁，严重时使输入变压器因过流而损坏。
因此在设计电路时，在变压器二次侧与晶闸管之间应串联快速熔断丝，起到过流保护的作用。
4、有一感性负载单相半控桥式整流电路，当触发脉冲突然消失或α突然增大到π时，电路会产生什么现象？电路失控时，可用什么方法判断哪一只晶闸管一直导能，哪一只一直阻断？答：对于单相半控桥式整流电路，当触发脉冲突然消失或α突然增大到π时，电路会出现失控现象，即一只晶闸管一直导通，两只整流二极管轮流导通。
出现这种现象时，可用万用表测量晶闸管两端电压或用示波器测量晶闸管两端电压波形来判断导通和关断情况。
5、在主电路没有整流压器，用示波器观察主电路各点波形时，务必采取什么措施？用双踪示波器同时观察电路两处波形时，务必注意什么问题？答：必须把示波器插头的接地端断开，否则会引起短路。
用双踪示波器同时观察时，由于探头的负端在示波器内部被短接，所以使用时，探头的负端可以选择两个电位相同的点或无直接电联系的点，否则会引起短路。
6、三相全控桥式整流电路，当一只晶闸管短路时，电路会发生什么情况答：在三相桥式电路中，若一只晶闸管发生短路，例如共阴极组中一只管了短路，则其余共阴极组中任意一只晶闸管被触发导通后，都要引起电源线电压短路，使管子连续烧坏，严重时，还会损坏输入变压器，所以要求每只晶闸管桥路中应串接快速熔断器，以保护晶闸管及整个电路。