单晶硅设备工艺培训
拉晶操作培训
二、热场的安装与煅烧
安装电极→炉底碳毡 反射底板 下保温罩→石墨环 石英环→加热 安装电极 炉底碳毡→反射底板 下保温罩 石墨环、石英环 加热 炉底碳毡 反射底板→下保温罩 石墨环、 中保温罩→石墨托杆 石墨托盘→装三瓣埚 下降主炉室→上保 器→中保温罩 石墨托杆 石墨托盘 装三瓣埚 下降主炉室 上保 中保温罩 石墨托杆→石墨托盘 装三瓣埚→下降主炉室 温罩→导气孔 保温盖板→装导流筒 导气孔→保温盖板 装导流筒→压环 温罩 导气孔 保温盖板 装导流筒 压环
装料
装料前要穿好结晶的工作服，戴上工作帽，防护眼镜， 装料前要穿好结晶的工作服，戴上工作帽，防护眼镜，一层棉 手套，一层一次性手套。 手套，一层一次性手套。 在装料时因轻拿轻放，防止碰伤石英坩埚。 在装料时因轻拿轻放，防止碰伤石英坩埚。 液面以下部分尽量加满不要有空隙， 液面以下部分尽量加满不要有空隙，液面以上于石英坩埚接触 采用点接触并重心往里，防止熔化时产生挂边； 采用点接触并重心往里，防止熔化时产生挂边； 装料完毕之后因用吸尘器将石英坩埚口和石墨件上的硅料粉吸 掉； 注意：吸尘器吸粉料时吸尘管不要碰到硅料和石英坩埚， 注意：吸尘器吸粉料时吸尘管不要碰到硅料和石英坩埚，防止 被污染。 被污染。 装料时，先将埚升升到到最高位置，在进行装料。 装料时，先将埚升升到到最高位置，在进行装料。 最高位置
装料完成后埚转为2/rpm左右旋转，查看坩埚旋转情况， 装料完成后埚转为2/rpm最低熔料位置，关闭旋转。 降至最低熔料位置，关闭旋转。
装籽晶
安装前应穿好洁净的专用工作服及工作帽并带好洁净的一次性手套 防止异物进入石英坩埚内。 ，防止异物进入石英坩埚内。 根据规格要求选择籽晶（一般 ），现在 根据规格要求选择籽晶（一般1-0-0），现在 ），现在CZ1#厂房所使用籽晶一 厂房所使用籽晶一 般是（ 般是（100）晶向的籽晶。 ）晶向的籽晶。 确认定位开槽是否有损伤 确认定位开槽是否有损伤 定位开槽 用定位销将籽晶固定于籽晶夹具上并用双手垂直 用力拉一下确认有无问题 装完籽晶后用酒精和无尘纸将其擦拭干净 装完籽晶后用酒精和无尘纸将其擦拭干净 酒精 每次安装前因取下籽晶夹具检查确认籽晶 绳有无折痕， 绳有无折痕，如有因急时更换防止拉晶时造成籽晶晃动
单晶硅实训报告
一、实训目的通过本次单晶硅实训，旨在了解单晶硅的生产工艺流程，掌握单晶硅生长的基本原理和操作技能，提高对光伏产业的认知，为今后从事相关领域的工作打下坚实基础。
二、实训环境实训地点：某光伏企业单晶硅生产车间实训设备：单晶炉、切割机、抛光机、检测设备等实训人员：本实训小组共5人，分别担任操作员、观察员、记录员等角色。
三、实训原理单晶硅生产过程主要包括：石英砂的提纯、硅料的制备、单晶硅的生长、切割、抛光和检测等环节。
1. 石英砂提纯：通过化学方法将石英砂中的杂质去除，得到高纯度的石英砂。
2. 硅料的制备：将提纯后的石英砂与碳还原剂在高温下反应，生成硅料。
3. 单晶硅生长：采用直拉法或区熔法等工艺，将硅料熔化后，通过提拉方式生长出单晶硅。
4. 切割：将生长出的单晶硅棒切割成所需尺寸的硅片。
5. 抛光：对切割后的硅片进行抛光处理，提高其表面质量。
6. 检测：对抛光后的硅片进行检测，确保其质量符合要求。
四、实训过程1. 实训第一天：参观单晶硅生产车间，了解生产工艺流程及设备功能。
2. 实训第二天：学习石英砂提纯、硅料制备等理论知识，并进行实际操作。
（1）石英砂提纯：学习化学提纯方法，实际操作包括溶解、过滤、结晶等步骤。
（2）硅料制备：学习碳还原法，实际操作包括高温还原、冷却、破碎等步骤。
3. 实训第三天：学习单晶硅生长原理，实际操作包括直拉法生长单晶硅。
（1）直拉法生长单晶硅：学习设备操作、温度控制、生长参数调整等技能。
（2）实际操作：按照规范操作步骤，进行单晶硅生长实验。
4. 实训第四天：学习切割、抛光和检测等工艺。
（1）切割：学习切割机操作，实际操作包括切割单晶硅棒、硅片等。
（2）抛光：学习抛光机操作，实际操作包括抛光单晶硅片。
（3）检测：学习检测设备操作，实际操作包括检测硅片质量。
5. 实训第五天：总结实训过程，撰写实训报告。
五、实训结果1. 通过本次实训，我们掌握了单晶硅的生产工艺流程，了解了各环节的操作要点。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 简介单晶硅和多晶硅是用于制造半导体器件的重要材料。
本文将介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由纯度极高的硅原料制成的。
下面是单晶硅的生产工艺步骤：2.1 原料准备原料准备阶段是整个生产过程的第一步。
常用的硅源包括硅石、三氯化硅等。
在这个阶段，硅源会经过多次加热、冷却和化学处理，以提高其纯度。
2.2 硅棒生长在硅棒生长阶段，通过将高纯度的硅溶液注入到石英坩埚中，然后慢慢降低温度，硅原料会逐渐结晶并形成硅棒。
这个过程需要精确的温度控制和其他参数调节，以确保硅棒的质量。
2.3 硅棒加工硅棒生长完成后，需要将其进行加工。
这个过程包括将硅棒切割成小块、研磨和抛光。
最终得到的是一系列小块的单晶硅片，它们可以用于制造半导体器件。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅与单晶硅不同，它的结晶结构是无序的。
下面是多晶硅的生产工艺步骤：3.1 原料准备多晶硅的原料准备阶段与单晶硅类似，也需要对硅源进行加热、冷却和化学处理，以提高纯度。
3.2 硅片生长在硅片生长阶段，通过将高纯度的硅原料加热至熔化状态，并引入掺杂物，在特定的温度和压力下，硅原料会结晶并形成多晶硅。
这个过程需要精确的温度和压力控制，以确保多晶硅的质量。
3.3 硅片加工多晶硅生长完成后，需要将其进行加工。
与单晶硅类似，多晶硅需要经过切割、研磨和抛光等步骤，以得到最终的多晶硅片。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在性质特点上有一些区别：4.1 结晶结构单晶硅具有有序的结晶结构，原子排列有规律，这使得单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电阻率。
多晶硅的结晶结构是无序的，原子排列无规律，电子迁移率和电阻率相对较低。
4.2 成本由于生产工艺的复杂性，单晶硅的生产成本相对较高。
多晶硅的生产成本相对较低。
4.3 应用范围单晶硅通常用于制造高性能的半导体器件，如集成电路和太阳能电池等。
多晶硅由于成本较低，通常用于制造一些低成本的半导体器件，如显示器件和光电器件等。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 引言单晶硅和多晶硅是半导体行业中常见的材料，它们在太阳能电池、集成电路等领域得到广泛应用。
本文将为您介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由高纯度硅材料制成的晶体，它具有较高的电子迁移率和较低的杂质浓度，适用于制造高性能的光电器件。
以下是单晶硅的主要生产工艺：2.1. Czochralski法生长单晶硅Czochralski法是目前最常用的单晶硅生长方法之一。
其基本过程如下：1.准备硅原料：将高纯度硅材料溶解在熔融的硅中，制备成硅锭。
2.调节温度和附加剂：控制硅锭的温度和加入适量的掺杂剂，以调节硅材料的电性能。
3.生长晶体：将铜制的拉杆浸入熔融硅中，形成硅锭的结晶核心，通过拉杆的旋转和上拉控制晶体的生长方向、速度和尺寸。
4.切割晶体：待晶体生长到一定程度后，将其从硅锭中切割成片，得到单晶硅片。
2.2. Float-zone法生长单晶硅Float-zone法是另一种单晶硅生长方法，它主要用于生产直径较小的单晶硅。
其生产过程相对复杂，但能够获得较高纯度的单晶硅。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅是由粉末状硅材料制成的，其晶体结构不规则，具有较高的电阻率和较高的杂质浓度。
以下是多晶硅的主要生产工艺：3.1. 气相淀积法制备多晶硅气相淀积法是最常用的多晶硅制备方法之一。
其基本过程如下：1.原料气体制备：将硅材料化为气态，如通过热解硅烷（SiH4）制备硅含氢气体。
2.沉积硅层：将硅含氢气体引入反应室，在衬底上沉积出一层硅薄膜。
3.重复沉积：重复沉积步骤，使硅薄膜逐渐增厚，形成多晶硅。
3.2. 其他多晶硅制备方法除了气相淀积法，还有一些其他的多晶硅制备方法，如溶液法、电化学沉积法等。
这些方法在特定的应用领域有其独特的优势和适用性。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在晶体结构、电子性能和应用方面存在一定的差异。
以下是它们的性质特点：4.1. 晶体结构单晶硅具有有序的晶体结构，晶界较少，晶粒较大。
单晶硅工艺学习计划
单晶硅工艺学习计划一、学习目的单晶硅工艺是半导体制造领域的核心技术之一，对于理解半导体制造工艺以及提高自身综合素质具有重要意义。
因此，我决定进行单晶硅工艺学习，以提高自己在半导体制造领域的技术水平和综合素质。
二、学习内容1. 基础知识单晶硅工艺制备的基本原理和工艺流程，包括单晶硅的制备方法、晶体生长原理、晶体生长设备等；2. 设备介绍单晶硅工艺中所使用的设备及其原理，包括Czochralski法生长炉、Float Zone法设备等；3. 工艺流程单晶硅从原料净化、晶体拉制、切割、抛光、清洗等流程的详细介绍；4. 质量控制单晶硅质量控制的关键技术和方法，如控制晶体缺陷、杂质控制等；5. 工艺改进单晶硅工艺中的优化和改进方法，如提高生长速率、减少晶体缺陷等。
三、学习计划1. 第一阶段：基础知识学习第一阶段主要学习单晶硅制备的基本原理和工艺流程。
计划通过阅读相关书籍、资料，了解单晶硅的制备方法、晶体生长原理等，为后续学习打下基础。
预计耗时1个月。
2. 第二阶段：设备介绍第二阶段主要学习单晶硅工艺中所使用的设备及其原理。
计划通过查阅相关资料，了解Czochralski法生长炉、Float Zone法设备等的工作原理、性能特点等。
预计耗时1个月。
3. 第三阶段：工艺流程学习第三阶段主要学习单晶硅工艺中的详细流程，包括原料净化、晶体拉制、切割、抛光、清洗等。
计划通过学习相关资料和实际操作，了解每个工艺环节的具体要求和操作方法。
预计耗时2个月。
4. 第四阶段：质量控制学习第四阶段主要学习单晶硅质量控制的关键技术和方法。
计划通过学习相关资料和参与实际项目，了解控制晶体缺陷、杂质控制等的具体方法和手段。
预计耗时2个月。
5. 第五阶段：工艺改进学习第五阶段主要学习单晶硅工艺中的优化和改进方法。
计划通过阅读相关资料和参与项目实践，了解提高生长速率、减少晶体缺陷等的具体技术和流程。
预计耗时1个月。
四、学习方法1. 自主学习通过阅读相关书籍、资料，了解单晶硅工艺的基本知识和具体流程；2. 实践操作参与实际项目，亲自操作设备和工艺流程，了解实际操作流程和技术要求；3. 参与讨论参加相关学术沙龙、讨论会，与行业专家和同行交流经验，深入了解行业发展动态和前沿技术。
半导体第三讲：单晶硅生长技术、工艺、设备培训课件
采用钕铁硼永磁体向熔硅所在空间中引入 Cusp磁场后，当坩埚边缘磁感应强度达到 0.15T时，熔硅中杂质输运受到扩散控制， 熔硅自由表面观察到明显的表面张力对流， 单晶硅的纵向、径向电阻率均匀性得到改 善。
2022/5/2
氧浓度的控制
在直拉单晶硅生长过程中, 由于石英坩埚的 溶解, 一部分氧通常会进入到单晶硅中, 这些 氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙 氧的浓度超过某一温度下氧在硅中的溶解 度时, 间隙氧就会在单晶硅中沉淀下来, 形成 单晶硅中常见的氧沉淀缺陷。如果不对硅 片中的氧沉淀进行控制, 将会对集成电路造 成危害。
2022/5/2
由于生长过程中熔区始终处于悬浮状态, 不与任何物质接触,生长过程中的杂质分凝 效应和蒸发效应显著等原因, 因此产品纯度 高, 各项性能好。
但由于其生产成本高, 对设备和技术的 要求较为苛刻, 所以一般仅用于军工。太空 等高要求硅片的生长。
2022/5/2
Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶的氧含量 低2～3个数量级，这一方面不会产生由氧 形成的施主与沉积物，但其机械强度却不 如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产 生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高 其强度。
2022/5/2
对1000 ℃、1100℃退火后的掺氮直拉硅中 氧沉淀的尺寸分布进行的研究表明，随着 退火时间的延长，小尺寸的氧沉淀逐渐减 少，而大尺寸的氧沉淀逐渐增多。氮浓度 越高或退火温度越高, 氧沉淀的熟化过程进 行得越快。
2022/5/2
区熔(FZ )法生长硅单晶
无坩埚悬浮区熔法。 原理：在气氛或真空的炉室中，利用高频
另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开 系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流 的的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱， 不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡 消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶 液界面吹拂能力加强。
单晶技能操作培训手册
目录一半导体概况 (2)1、半导体物理基础知识 (2)1.1导体，绝缘体和半导体 (2)1.2半导体材料的类别 (3)1.3晶体与非晶体 (3)1.4多晶体和单晶体 (4)1.5 N型半导体和P型半导体 (4)1.6多数载流子与少数载流子 (4)1.7杂质补偿 (5)1.8电阻率 (5)1.9结晶 (6)2、硅材料 (7)2.1硅石 (7)2.2硅单晶 (8)3、半导体技术 (12)二车间概况 (18)1、生产流程 (18)2、组织结构 (19)3、岗位职责 (19)三硅料简介 (20)四设备概况 (21)1、TDR-70A/B型单晶炉 (21)2、JRDL-800型单晶炉 (22)五生产工艺 (34)1、作业准备 (34)2、设备装载与清洁 (35)2.1真空过滤器清洗 (35)2.2真空泵油检查更换 (35)2.3石墨件清洗 (35)2.4单晶炉室清洗 (36)2.5石墨件安装 (37)2.6石英坩埚安装 (38)3、拉晶工艺 (38)3.1硅料安装 (38)3.2籽晶安装 (39)3.3抽空检漏 (39)3.4充氩气 (40)3.5升功率 (40)3.6熔料 (40)3.7拉晶步骤 (42)3.8降功率 (47)3.9停炉冷却 (47)3.10热态检漏 (47)3.11取单晶和籽晶 (48)4、设备拆卸与检修 (48)4.1石墨件取出冷却 (48)5、母合金 (49)六设备维护 (50)七其他 (51)1、5S管理 (51)一半导体概况1、半导体物理基础知识1.1导体，绝缘体和半导体自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。
因而导体的电阻率很小，只有金属一般为导体，如铜、铝、银等，它们的电阻率一般在10–4欧姆·厘米以下。
绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。
单晶硅设备工艺流程
单晶硅设备工艺流程
1.原料准备：单晶硅的主要原料是冶炼用石英砂，通常经过洗选、干
燥等处理，使得原料的杂质含量满足要求。
2.熔炼：将原料石英砂与还原剂等掺混后投入石墨电阻加热炉内进行
熔炼。
石墨电阻加热炉会使原料达到熔点，经过高温处理，熔融的石英砂
会逐渐凝固形成单晶硅。
3.拔取：在熔炼过程中会用到拔取技术。
拔取是通过将单晶硅的种子
晶体插入熔液中，然后逐渐向上拉取，使单晶硅沿着晶体方向生长。
4.矫整：拔取后的单晶硅棒需要进行矫整处理。
矫整是通过加热、旋
转和拉伸等过程，使单晶硅棒达到所需的直径和形状。
5.切割：矫整后的单晶硅棒会被切割成所需的长度，通常使用激光或
钻孔方式进行切割。
6.清洗和提纯：切割后的单晶硅棒需要进行清洗和提纯处理。
清洗是
为了去除表面的杂质和污染物，提纯是为了进一步提高单晶硅的纯度。
7.化学机械抛光：通过机械研磨和腐蚀的方式，对单晶硅棒进行抛光
处理。
抛光是为了获得更加光滑和平整的表面，以便后续工艺的进行。
8.晶片制备：将单晶硅棒切割成薄片，通常使用金刚石锯片进行切割。
切割后的单晶硅薄片可以用来制备太阳能电池、集成电路等。
9.检测和测试：对制备的单晶硅材料进行检测和测试，包括物理性能、光学性能等方面。
这是为了确保单晶硅材料达到所需的质量和性能要求。
以上是单晶硅设备工艺流程的主要步骤，每个步骤都需要精确控制各种工艺参数和设备条件，以确保最终制备的单晶硅材料具有高纯度和良好的性能。
单晶操作工培训计划
单晶操作工培训计划一、培训目的1.了解单晶的工作原理，学习单晶的操作流程和操作规范。
2.掌握单晶操作过程中的常见问题及解决方法。
3.提高员工的技术水平和工作效率，提升产品质量和生产效率。
4.增强员工的工作责任心和团队合作意识，促进企业发展和员工个人职业发展。
二、培训对象1. 公司新入职的单晶操作工。
2. 已有操作经验但需要进一步提高技术的单晶操作工。
三、培训内容和安排1. 单晶操作工基础知识培训- 单晶的定义和工作原理- 单晶的种类和用途- 单晶操作工的职责和工作流程- 单晶操作的安全注意事项和环保要求（时间安排：1天）2. 单晶操作流程培训- 单晶的切割技术和工艺流程- 单晶的清洗和质检流程- 单晶的包装和存储要求（时间安排：2天）3. 单晶操作技术培训- 单晶的设备操作技术- 单晶的机器维护和保养- 单晶操作中常见问题及解决方法（时间安排：2天）4. 单晶操作实操培训- 自主操作实操练习- 操作技术辅导和指导- 设备运行和操作实操考核（时间安排：2天）四、培训方法1. 理论教育采用讲授与互动结合的方式，让学员全面了解单晶的工作原理、操作流程和操作规范。
2. 实操练习采用模拟操作和真实设备操作相结合的方式，让学员掌握单晶的操作技术和应急处理能力。
3. 案例分析以往工作中出现的问题或难题作为案例，引导学员分析思考，增强解决问题的能力。
4. 考核评估通过笔试、实操考核和讨论小组的形式，对学员进行综合评估，检验培训效果。
五、培训师资1. 公司技术主管或工艺师担任主讲人，具有丰富的单晶生产和操作经验。
2. 亦可邀请业内资深专家作为客座讲师，为学员带来更专业的知识和经验分享。
六、培训评估1. 培训结束后，进行学员满意度调查，收集学员对培训内容、讲师水平、培训效果的评价和建议。
2. 对培训效果进行跟踪评估，了解学员在实际工作中应用培训知识的情况，及时总结经验和改进不足。
七、培训效果1. 提高员工的专业技能和工作素质，增强员工的责任感和归属感。
单晶生产月度培训计划内容
第一周：工艺流程培训
1. 掌握单晶生产的整体工艺流程
2. 学习单晶生产各个环节的关键技术和操作要点
3. 观摩实际生产流程，了解现场操作流程
第二周：设备操作培训
1. 熟悉单晶生产所需设备的基本操作和日常维护
2. 学习设备的故障排除和紧急处理方法
3. 理解设备的操作原理和相关技术指标
第三周：安全生产培训
1. 学习单晶生产过程中的安全操作规程和事故处理流程
2. 掌握化学品和有害气体的安全处理方法
3. 进行应急演练，提高员工的应急处理能力
第四周：品质管理培训
1. 理解单晶生产中的品质标准和检验方法
2. 学习品质管理的基本概念和方法
3. 完成品质管理相关知识的考核
第五周：团队协作培训
1. 进行团队合作的案例分析和讨论
2. 加强团队协作意识和沟通能力
3. 完成团队建设活动，提升团队凝聚力和执行力
第六周：技能提升培训
1. 学习单晶生产中的技术创新和改进方法
2. 掌握新型设备的操作技巧
3. 进行技能竞赛和评选，激发员工学习的热情和积极性
1. 学习生产管理和优化方法
2. 掌握生产计划编制和调整的技巧
3. 进行生产效率提升相关项目的实践训练
第八周：总结复习与考核
1. 进行全面的复习和总结
2. 进行月度考核，评选出优秀学员
3. 完成培训计划的总结报告和反馈收集
以上是单晶生产月度培训计划的内容，希望能够对公司内部的生产流程和员工的综合素质提升有所帮助。
通过系统的培训计划，员工将掌握全面的生产技能，提高生产效率和产品质量，为公司的发展壮大提供有力保障。
单晶硅-培训课件
2 晶片清洗
探索晶片清洗的方法，以去除表面的 杂质和污染物。
3 晶片抛光
介绍晶片抛光的技术，使晶片表面变得平整、光滑和反射性良好。
掺杂
1 掺杂简介
了解掺杂的概念，将杂质 引入单晶硅中以改变其电 学性能。
2 掺杂类型
探索不同类型的掺杂剂， 如n型和p型掺杂剂，用于 制造半导体器件。
3 掺杂过程
介绍掺杂的过程，包括扩 散和离子注入等掺杂技术。
介绍Czochralski法，一种常用的单晶硅生长方法，控制晶体的温度和提拉速度。
3
浮区法
探讨浮区法，一种高纯度单晶硅生长方法，通过移动熔体中的熔区来形成单晶。
4
Bridgman-Stockbarger法
了解Bridgman-Stockbarger法，一种用于制备大尺寸单晶硅的方法，通过慢慢降低熔体温度 进行生长。
晶体缺陷
晶体缺陷类型
详细介绍晶体中常见的缺陷类型，包括点缺陷、 线缺陷和平面缺陷。
点缺陷
探索晶体中的点缺陷，如空位、插入物和替位、螺线和位错。
平面缺陷
研究晶体中的平面缺陷，如层错和孪晶。
晶片制备
1 晶片切割
了解晶片切割的过程，将单晶硅材料 切割成特定尺寸的薄片。
单晶硅-培训课件
单晶硅简介
单晶硅是指结晶状态下的硅材料，具有优异的物理和化学特性，广泛应用于半导体行业和其他领域。了解单晶 硅的定义、特性和应用。
单晶硅的生长
1
晶体生长方法
探索单晶硅的多种生长方法，包括Czochralski法、浮区法和Bridgman-Stockbarger法。
2
Czochralski法
微加工
1 微加工简介
了解微加工的概念，包括微影技术、蚀刻技 术和沉积技术等。
单晶操作规范培训《山西太能科技》
4、等径时硅液碰到导流筒
事故介绍与分析----在 等径的过程中由于埚 位太高，液面离导流 筒近，使液面抖动碰 到导流筒，导致无法 等径生长，导流筒底 部粘上硅液。
清扫的目的是将拉晶或煅烧过程中产生的挥 发物和粉尘用打磨、擦拭或吸除等方法清扫 干净。注意在清扫的过程中不要引起尘埃飞 扬，不然会污染工作现场，同时有害身体健 康。清扫的工作都要在石墨清扫房进行，不 允许在车间里进行。进入车间的石墨件要确 保直接装炉，不允许再次清扫。 清扫的内容：石墨件、炉筒、炉盖、副室、 排气管道等。检查石墨中轴螺丝、加热器螺 丝、检查籽晶是否破损（剪籽晶时小心弹力 过大）等。 打磨重锤（用1000#的砂纸）
事故介绍与分析---装料时使大块硅料自 由落体掉入石英埚导 致石英坩锅破裂或有 内伤，这种石英坩锅 是不能再用的。
应对措施----装料时要 轻拿轻放，特别是大 块料，对于小块料， 用袋子倒时一定要确 认好倒干净。整个边 皮料不要靠在石英坩 埚壁，特别是埚上边 缘，否则会出现石英 坩埚崩边的可能。
五、放肩
放肩过程中，发现过快时，可适当提高拉速， 过慢时要降一点温（可从温校和欧陆两方面 选一种来降温），适当调整放肩速度，保持 其圆滑光亮的放肩表面。 棱线断断续续，有切痕，说明有位错产生。 放肩直径要及时测量，以免误时来不及转肩 而使晶体直径偏大，超出实际拉的尺寸。
单晶炉设备人员培训计划
单晶炉设备人员培训计划一、培训目的单晶炉设备是用于生产单晶硅片的重要设备，对设备操作人员的要求较高。
为了提高设备操作人员的专业水平和安全意识，保障设备的正常运行和生产效率，制定单晶炉设备人员培训计划是非常必要的。
本培训计划旨在提高设备人员对单晶炉设备的操作技能和安全意识，使其能够熟练、安全地操作设备，并在设备运行过程中及时发现和解决设备故障，确保设备正常运行。
二、培训对象本培训计划的对象是单晶炉设备操作人员，他们需要具备一定的机电设备操作和维护经验，有一定的工作经验和技能。
三、培训内容1. 单晶炉设备的基本构造和原理了解单晶炉设备的基本构造和工作原理，包括设备的主要组成部分、各部分的功能和相互关系等。
2. 单晶炉设备的操作规程学习单晶炉设备的操作规程，包括设备的开机、关机、运行参数的设置和调整、设备故障的处理等。
3. 单晶炉设备的安全操作掌握单晶炉设备的安全操作要求，包括设备的安全保护装置的使用、安全操作流程等。
4. 单晶炉设备的故障排除学习单晶炉设备的日常故障处理方法，包括故障检测、故障排除等。
5. 单晶炉设备的维护保养掌握单晶炉设备的日常维护保养知识，包括设备的清洁、润滑、维修等。
6. 单晶炉设备的操作技能提高设备操作人员的操作技能，包括设备的手柄操作、按钮操作、参数设置、调节等。
7. 单晶炉设备的生产管理了解单晶炉设备的生产管理知识，包括生产计划、生产过程控制、品质管理等。
四、培训方式1. 理论教学通过教材讲解、多媒体演示等方式进行理论教学，讲解单晶炉设备的基本构造和原理、操作规程、安全操作等知识。
2. 操作演练设备操作人员在实际设备上进行操作演练，包括设备的开机、关机、参数设置、故障处理等。
3. 专业培训邀请设备制造商或相关专业技术人员进行专业培训，提供设备操作技能培训、故障排除经验分享等。
4. 观摩交流安排设备操作人员进行其他单位的单晶炉设备观摩和交流学习，增加经验和见识。
五、培训计划1. 培训时间：为期7天2. 培训地点：公司内部培训室和现场操作3. 培训安排：每天8小时培训，分为理论教学和操作演练两部分4. 培训内容：- 第一天：单晶炉设备的基本构造和原理- 第二天：单晶炉设备的操作规程- 第三天：单晶炉设备的安全操作- 第四天：单晶炉设备的故障排除- 第五天：单晶炉设备的维护保养- 第六天：单晶炉设备的操作技能- 第七天：单晶炉设备的生产管理和总结交流六、培训考核1. 理论考核：通过笔试或者口头答辩的方式考核学员对培训知识的掌握程度。
单晶生产培训一
直拉单晶工培训简明教程第一节设备认知一、晶体生长的要求1.必须保持多晶原料、生产设备、生产环境的高纯卫生；2.晶体生长是在高温下进行，为避免硅的氧化，必须在真空系统和保护气体（氩）下进行；3.拉晶过程中必须保持速度和温度的稳定；二、直拉单晶炉的组成根据晶体生长的要求，直拉单晶炉主要包括炉体、电气部分、热系统、水冷系统、真空系统、氩气供给装置六部分组成；1.炉体包括提拉头、副炉室（上炉室）、主炉室、底座等部分；2.电气部分包括速度部分、加热部分、真空系统控制、氩气控制、炉筒升降控制等组成；2.1速度部分包括上轴上下速度（SL）、上轴转速(SR)、下轴上下速度(CL)、下轴转速(CR)四个部分；2.2正常拉晶时各速度的要求：SL：方向、大小控制可由触摸屏或引晶小盒控制，两者可以相互转换，注意：在操作人员不在炉前时必须关闭引晶小盒的电源以避免事故的发生！正常拉晶时SL数值大概在1.2—0.6mm/min左右范围内变化；CL：方向、大小控制由触摸屏控制，正常拉晶时其大小随所SL的变化而按比例变化；CL/SL俗称埚跟比；埚跟比随所拉制晶体的大小而变化；在实际拉晶过程中要及时的验证埚跟比以确定其正确性、所拉晶体直径的准确性；SR：俗称晶转，方向及大小由触摸屏面板控制；正常拉晶时SR为10—13r/min;顺时针转动；CR:俗称埚转，方向及大小由触摸屏控制，正常拉晶时CR 为8r/min；在引晶、化料时可调整其快慢以尽快将温度调整到合适值；要求：1.在两个工作日内必须熟练掌握四个速度的控制；2.会演算拉制6吋（155mm）、8吋晶体所要求的埚跟比各是多少？3.在3个工作日内必须掌握加热部分、真空系统控制、氩气控制、炉筒升降控制等的操作；3、热系统热系统由石墨加热器、保温系统、支持系统、托杆、托碗、导流筒等组成；第二节拉晶过程装料1．装料前的准备.(1)确认已完成设备点检项目.(2)检查取光孔是否对好.(3)准备好一次性手套、线手套、剪刀、口罩、高纯车等辅助用品.(4)从物料柜取出多晶原料与料单放在装料小车的一层,检查是否错误.(5)带上一次性手套(分析纯对手有伤害),用擦炉纸沾上酒精将高纯装料车擦干净.(6)将埚位升至上限位.2. 检查、装石英坩埚.(1)打开坩埚纸箱包装,带上一次性手套,将坩埚与塑料包装一起放在高纯车上.(2)打开塑料包装,更换一次性手套,将坩埚对着光源进行检查,看是否可以使用.注意:有以下特征之一者,不能使用.①磕碰损伤(位于坩埚上沿的微小碰伤除外).②裂纹.③严重划痕.④直径≥3㎜的气泡和黑点,数量≥1个.(注气泡:夹在坩埚壁内的空洞.黑点:有色杂质点.)⑤直径＜3㎜的气泡和黑点,数量≥5个.⑥直径＜3㎜的气泡和黑点,合计数量≥5个.(3)检查确定能够使用后,将坩埚装入三瓣埚中,要装水平.(20″埚比较重,装时可以两人)(4)如若发现坩埚异常时及时与班长联系.3. 取料3.1多晶原料的取放必须轻拿轻放，严禁野蛮装卸造成包装袋的破损；3.2生产操作员工打开多晶包装袋时必须遵守以下规定：①在装料小车一层上剪开多晶的外包装（不带高纯手套）；但不允许接触到第二层包装袋②带高纯手套取出多晶原料的二次包装袋并在高纯装料小车上层剪开（进行此项操作时不允许其接触到多晶袋的一次外包装）；③装多晶料必须带二层手套：尼龙手套和塑料高纯手套；④穿上装料衣服,带好口罩、手套以后,剪开料袋进行装料.1、将坩埚升到上限位；检查石英坩埚质量的好坏；将石英坩埚放入石墨埚内；①坩埚底部选择小块的料(直径≤20㎜)铺放,应尽量铺满坩埚底部.②坩埚中下部选择较小块的料(直径≤40㎜)装入,多晶料可以装的紧凑并且贴近埚壁,但应该是自然堆砌,而不是硬挤.③坩埚中部选择大块料(直径≥70㎜)紧靠埚边装,并且保证对称装入.埚中央可以装入中度、较小、小块的料.④坩埚上部选择中度、较小的料块,除最上一层外,仍可以紧靠埚边装.装最后一层时,可以有意识的选择一些料,让料突出埚沿10-20㎜,但不能搭在埚沿上.应注意以下几点:ⅰ减少料块与埚边的接触面积,以防止挂边.ⅱ在料块互相之间的相对位置方面,要估计在料块跨塌时,是否架桥,然后做出相应的调整.(4)装料过程中应注意的问题:①装料过程中必须保证料块轻轻的与坩埚接触,避免任何的磕碰.②装料过程中严禁多晶原料与料袋外表面直接或间接的接触.③装料过程中发现一次性手套破了,要及时更换.④不论是上、中、下哪个部位,料块尖锐部位不能直接对着坩埚壁.⑤注意装料过程中防止把料撒进炉膛内.⑥如有掺杂,应将掺杂装在石英坩埚的中部.避免提渣时将掺杂提出；⑦若遇原料直径较小（＜1mm），装料时不可求多将石英埚装的过满，而应使石英坩埚的边沿距埚口保持20mm的距离；以避免加热时使多晶原料膨胀而溢出石英埚造成事故；4. 装完料将坩埚降至熔料埚位.(18″系统埚位-115,20″系统埚位-103)5. 坩埚降到指定位置后,脱去装料衣服,带上一次性手套将大盖和导流筒装入炉内.6. 更换一次性手套,检查导流筒与多晶料之间的距离,能否允许坩埚转动.7. 检查无误后,带上一次性手套,用酒精擦净炉盖、副室、炉盖与炉筒的密封面、副室与炉盖的密封面及插板阀,然后合上炉盖,关闭插板阀.8. 降下重锤,检查籽晶是否可以活动,钢丝绳是否有毛刺或是缠松,钢丝绳夹头内的钢丝绳是否有毛刺或是缠松,如有毛刺或是缠松要及时向上返或者进行更换.9. 检查无误后,合上副室,打开插板阀.10. 更改计算机中的参数.(1)更改初始装料量(㎏)的参数为本次的实际投料量.操作步骤:在操作界面上点工艺参数,出现初始化界面,把初始装料量(㎏)该为本次的实际投料量.(2)更改坩埚跟踪/投料重量为实际投料重量.操作步骤:在操作界面点坩埚跟踪,出现坩埚跟踪控制环界面,更改投料重量为当前坩埚内的实际投料重量.如果进行了步骤(1)后,采用自动抽真空工艺,此处的投料重量会自动修改和初始化投料重量一致.注意:此参数十分重要,如果设定值和实际值不符,将导致等径时计算机计算的埚跟与实际埚跟不一致.值得注意的是在拉晶时提出一段棒子时,如果用自动隔离程序,则计算机自动计算,不需要手动修改;如用手动隔离,则计算机坩埚内剩料重量,需要手动修改.11.查看计算机内每一步骤的工艺参数是否设置正确.注意:养成每选择自动步骤之前先查看工艺参数是否设置正确的习惯!尤其是涉及到坩埚位置的参数,一定要确定其准确无误.抽空1.检查主真空泵的油位和皮带,一切正常后启动.2.启动主真空泵时,需点动开关两、三次后,在开泵.等待主泵转速均匀后,打开节流阀,待节流阀全开后,打开球阀.不经点动直接开泵会影响泵的寿命.3.进行抽空/检漏步骤操作步骤:在操作界面点工艺选择,出现自动工艺(返回)界面,在此界面下点抽真空即可.当抽真空步骤完成之后系统将自动进入检漏步骤.两分三十秒会显示泄露率.注意:上述从抽真空完成直接进入检漏是在程序控制里面设置好的.在系统维护界面下的工艺自动步骤里的自动进入检漏工艺前打√.如果没有设置,即没有选择,则抽真空完成之后电脑将会提示我们抽真空完成,这时需要我们在工艺选择界面中,手动切入检漏步骤.其他自动步骤都是如此.4.若泄露过大,可用手动充几次氩气后在进入工艺选择界面选择检漏,进行自动检漏.5.抽空注意的问题:(1)要检查球阀是否全开.电磁阀是否吸合.(2)根据炉内所装料的情况选择是自动抽空还是手动抽空.(沫子料一定要采用手动抽空,因为自动抽空氩气流量太大,避免料被氩气吹入炉膛.)熔料1.检漏合格后,就可以在操作界面上点工艺选择,出现自动工艺(返回)界面,在此界面下点压力化,此时系统压力控制环将进入闭环,电脑会把炉内压力控制在我们设定的压力数值上.压力化完成以后,点工艺选择,出现自动工艺(返回)界面,点熔料后,手动打开加热器开关,电脑将进行自动熔料.2.熔料过程中的注意事项:(1)由于每次熔料情况都不相同,使得埚位参数不好设置,只能采用手动升埚位.(2)一旦跨料之后,应该马上将坩埚升上来.以后随着料的逐渐跨下,应逐渐升高埚位.如果不及时将坩埚升上来,料块主体部分处于低温区,会增加化料时间,也增加了坩埚与硅液的反应时间,不利于坩埚的保护.而且,坩埚长期处于低温区,增加了漏硅的机率.上升的时候要注意,要在料与导流通之间留够安全距离.(3)整个熔料过程,都要有防范漏料的意识.因此,熔料过程中操作人员不能长时间离开炉台,要随时观察炉内情况,及时处理好挂边、搭桥、漏硅以及其他事故.为了防范漏料,在平时就应该积累以下经验:高温多少时间会第一次跨料,这时的液面高度在什么位置.判断漏料的迹象,除了出现熔料时间、溶液的高度位置外,还可以从加热电流是否稳定,波纹管的温度是否升高来判断.因为漏料回造成短路打火.3.熔料过程中出现挂边的处理(1)应该在干果中心的料没有化完之前,就将挂边处理掉.因此,当料全部跨下时,就要观察有无挂边的可能.如果有应将过为降到较低的位置,使挂边处于高温区进行烘烤.(2)如果所有料都化完了,仍有较大块的挂边,这时即使有跳料的危险,也要把埚位降到最低,升高功率,将挂边烤掉.这是一般情况的处理办法,具体情况,需现场分析,自己应变处理.4.如果在料快化完时,发现液面上有渣子时,应及时将功率,降籽晶进行提渣.提渣过程中遇到的问题与解决办法由于目前原料清洗时存在的一些问题，我们在拉晶过程中不可避免的存在提渣现象；提渣效果的好坏直接影响着拉晶的正常与否；为此我们一定要重视提渣这个步骤；1、籽晶与渣盖接触点粘接不牢，在提离液面时导致渣盖掉下，溅起的熔硅损坏其他热场器件；要使用细籽晶提渣并保证籽晶与杂质块接触部位的充分熔接；2、提渣不及时，或掌握的时间不准确，导致提渣不彻底；提渣的最佳时机是在固态硅即将熔完的那一刻（剩余一小块）将其提出；这时候的杂质基本上全部粘在此小块上；粘接时要保证粘接良好避免提出时掉下；3、分不清原料该不该提渣而乱提渣；西安隆基硅技术清洗的原料原则上都要提渣；进口免洗包装的原料视情况可以不提；4、另外我们一定要注意装料时要保证炉台的高纯卫生，按照要求穿高纯装料服装；并装料时严密注意一次性手套的破损情况，若有损坏应及时更换以避免将坏的塑料手套掉入原料中造成污染；引晶、放大、转肩：引晶的目的：等径：目的:为按照合同要求控制单晶硅棒的直径,使电脑系统通过直径控制模拟信号和热场模拟信号来自动调整拉速和热场温度以保持晶体直径.操作步骤:1.投等径进入转肩后观察晶体周边光圈的状态,待光圈由不规则,暗淡.渐变为又圆又亮,光圈变的浑厚,此时晶体棱线出现一定的抹度,棱线由2个点汇聚为1个点.说明转肩成功.(此时等径控制里的直径控制信号数值的波动范围较小.)在工艺选择里选择等径.2.压聂耳跟光圈投等径后压好聂耳跟光圈,一般为聂耳跟光圈与晶体光圈(由内向外)相交的2/3处.然后在等径控制界面里选择ON键.即可打开闭环,使电脑开始自动调整拉速.注意:此时的直径信号应在450--550左右,在系统维护界面里选择模拟量,查看红外直径信号的显示应在2.500左右,偏差太大应进行调整.此信号是评定电脑反映速度的标准,2.500是较适中的参数.是保证单晶硅棒的重要依据.3.投生长控制闭环进入等径后,按照我们下载的工艺参数里,等径选项有个生长控制1打开长度.在晶体生长长度达到这一设定值后,生长控制会自动打开闭环.此功能为根据设定拉速,调整液面温度,以期在设定拉速左右调整温度.保证晶体直径.4.确保等直径生长每20分钟对等径的晶体进行直径测量、并作好相关记录。
直拉单晶培训
1、工艺原理 2、工艺过程 3、工艺设备 4、设备的操作与维修 5、工艺中出现的问题及解决措施
直拉单晶硅工艺原理
直拉单晶硅生长原理
直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多硅晶块放入石 英坩埚中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状 晶种（称籽晶）浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会 顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为 单晶体。
• 4）保证炉底护盘与电极之间间隙前后一致，否则可能造成打火。 • 每次拆装炉时，都需检查同心度，这样既可保证热场的对称性，又能避免短
路打火。
此处资料由李章松收集
设备的操作与维修
目的
为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常。
单晶炉操作工艺流程
作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取 出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→ 石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英 坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→ 充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转 肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却
片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
• 平边或Ｖ型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅棒上的特定结晶
方向平边或Ｖ型。
• 切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
• 倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及
晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
• 研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效
似。主要是在拉晶过程中需要关闭主、副炉室之间的翻 板阀取晶体或提渣时，必须用副炉室真空系统来对副炉 室进行抽真空。
• 拉晶过程中必要时应进行真空检漏。冷炉极限真空应达
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单晶炉工艺流程： 单晶炉工艺流程：
准备作业 热态检漏 取单晶和籽晶 石墨件取出冷却 石墨件清洗 装硅料 籽晶安装 单晶炉室清洗 抽空，检漏 等径生长
真空过滤器清洗 石墨件安装
真空泵油检查更换 石英坩埚安装
充氩气，升功率，融料 收尾 降功率 停炉冷却
引晶，放大，放肩，转肩
详细介绍： 详细介绍：
• 1.准备作业：穿戴好洁净工作服，鞋，带好一次性手套，耐高温手套， 准备作业： 准备作业
水路接头
观察窗
主室内部： 主室内部：
籽晶夹
籽晶 单晶棒 三瓣埚 石棉碳粘 石英坩埚 加热器
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
6.单晶炉拉晶： 单晶炉拉晶： 单晶炉拉晶
7.硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。 硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。 硅棒检测 8.开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。 开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。 开断 9.包装：将开断后的单晶硅棒进行包装，送至下一道工序 包装：将开断后的单晶硅棒进行包装， 包装
晶体速度控制界面： 晶体速度控制界面：
加热器是热场中很重要的部件， 加热器是热场中很重要的部件， 是热场中很重要的部件 是直接的发热体， 是直接的发热体，温度最高的 时候可以达到1600℃以上。 时候可以达到 ℃以上。 常见的加热器有三种形状， 常见的加热器有三种形状，筒 杯状、螺旋状。 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状， 多数加热器为筒状，硅单晶厂 房使用的是直筒式 直筒式形状的加热 房使用的是直筒式形状的加热 右图为加热器。 器。右图为加热器。
1.提拉头： 提拉头： 提拉头
提拉头：晶升电机，晶转电机，离合器，钢丝绳，光感 限位，磁流体等部件组成。 作用 ：在拉晶过程中，提供晶升与晶转速度，通过PCC控 制模块 的开关量变化，来控制晶体直径。
2.副室，翻板阀，主室： 副室，翻板阀，主室： 副室
炉盖： 炉盖：
。
6.真空泵注油：当油标高于1/2时，禁止注油。 真空泵注油： 真空泵注油
7.单晶炉室清洗： 单晶炉室清洗： 单晶炉室清洗
8.石墨件安装： 石墨件安装： 石墨件安装
9.硅料安装： 硅料安装： 硅料安装
10.籽晶安装：将副室旋出，重锤安装后，将籽晶安装，插好销头。 籽晶安装： 籽晶安装
目录
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
单晶炉种类： 单晶炉种类：
• 单晶炉，目前可以分为：小松炉；642炉；70炉；莱宝炉；80炉；85 炉；90炉；95炉；97炉。 • 目前现在国内普遍使用的单晶炉型号为80炉；85炉；90炉。 • 各个单晶炉的工作原理相同，都是根据4的速度进行晶体直径控制及 可控硅整流提供50V直流电源，进行加热。 • 小松炉；642炉；70炉，电气控制部分为按钮式；莱宝炉产生后，以 后的单晶炉都采用触摸屏式。
单晶硅设备工艺培训
人员安全部分
大纲
• • • • • • • • • • 1. 硅料的提炼 2.单晶硅片工艺流程 单晶硅片工艺流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
单晶硅片工艺流程： 单晶硅片工艺流程：
1.酸洗：使用稀硝酸HNO3,进行清洗，去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。
2.清洗：清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。
3.单晶硅料烘干：去除水分。 单晶硅料烘干：去除水分。 单晶硅料烘干
4.挑料：区分P型，N型硅料。 挑料：区分 型 型硅料。 挑料 型硅料 5.配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。 配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。 配料
钢丝绳 重锤
籽晶
11.抽空检漏：先用副泵抽到2700帕以下后，关闭副室球阀和副泵电源 抽空检漏： 抽空检漏
打开真空泵球阀，打开真空主泵。炉压达到<20帕时， 冲氩气，打开主，副室流量计，调节到30L/min，过5分钟后， 关闭氩气，流量计仍保持原来的位置，待炉压<5帕时关闭主室 球阀，关闭真空泵电源。在流量计调节阀保持原来位置时，漏速 <0.34帕/分。如达不到，需重复上述操作。
SL控制示意图： 控制示意图： 控制示意图
SL自动等径原理： 自动等径原理： 自动等径原理
晶升伺服电机： 晶升伺服电机：
晶升系统调试详解：1.将引晶器归0。 晶升系统调试详解：
2.给定速度0.5，等待2—3分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节Z (SL A/D)，使数值一样。 3.给定数值2，等待1—2分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节F (SL A/D) ，使数值一样。 4.重复2.3步骤，使给定0.5和2时，都于平均拉速相同。 5.给定0.5，调节Z (SL SP) ，使之相等。 6.给定2，调节Z (SL SP) ，使之相等。 7.调节DIS，调节引晶器数值。
石墨环、 安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器
→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩 →导气孔→保温盖板→装导流筒→压环
谢谢大家
10.磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。 磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。 磨圆
线切割原理： 线切割原理：
12.清洗： 清洗： 清洗
13.单晶硅片检测： 单晶硅片检测： 单晶硅片检测
目录
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
• 2.热态检漏：检查上一炉功率关闭时间，在停炉冷却2小时后，关闭 热态检漏： 热态检漏
• 3.取单晶和籽晶：关闭2个速度，关闭氩气。打开翻板阀，将单晶替 取单晶和籽晶： 取单晶和籽晶
4.石墨件取出冷却：升炉盖，取出导流罩，保温盖。石英坩埚等放在指定位置。 石墨件取出冷却： 石墨件取出冷却
5.真空过滤器清洗： 5.真空过滤器清洗：用 洗尘管清理各个真空管道，并将真空过滤箱中的过滤器取出 真空过滤器清洗
硅的提炼： 硅的提炼：
硅，Si,地球上含硅的东西多的很好像90%以上都是晶硅的，也就是单晶硅。 太阳能级别的硅纯度6N以上就可以了。 开始是石头，（石头都含硅），把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把 气体通过一个密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气体 通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为 是气体变固体，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多晶硅。
目录
1.Si的介绍 的介绍 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
目录
1.Si的介绍 的介绍 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
12.冲氩气，升功率，融料：打开主室阀，打开氩气流量阀，使氩气流量在20-30L/min 冲氩气，升功率，融料： 冲氩气
使炉内压力在1000—1500帕。功率每0.5小时加一次。
13.引晶，放大，放肩，转肩，等径： 引晶，放大，放肩，转肩，等径： 引晶
引晶
放大
放肩
转肩
等径
收尾
取硅棒
目录
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分