单晶硅片工艺流程技术文件
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槽位
12#槽
13、14#槽
功能
慢拉
烘干
时间
2min
17min
温度℃
常温
170±2℃
11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同11.3.2表）
11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。
6千克
16升
32升
加入试剂（瓶)
18
4
3
12
4
8
液面高度（厘米）
42
32
32
32
30
30
7.4配制溶液要求：
7.4.1配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。
7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。
7.4.2时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。
7.4.3异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。
8.各化学药品规格及要求
8.1氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度≥98%。
8.2异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。
8.3硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。
一次清洗工艺说明
1.目的
确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态
2.使用范围
适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序
3.责任
本工艺说明由技术部负责
4.硅片检验
4.1将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；
4.2检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二)
24小时
12小时
12小时
更换时间
早班交接班
早班交接班
交接班
交接班
工艺不正常时（1～4号槽）更换条件
工艺不正常状态1
连续停机8小时以上，要求全部换液重配
工艺不正常状态2
2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态3
2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。
排液(cm)
补加NaOH
补加NaOH
补加IPA
1.5±0.5
25±10g
25±10g
4升（一瓶）
备注
清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。
10.各槽化学液更换频率（见下表）
工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）
槽号
1#槽
2～4#槽
7#槽
9#槽
更换周期
24小时Fra Baidu bibliotek
8.4盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。
8.5氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升。
9.工艺过程化学药品的补加（见下表）
9.1工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：
槽号
1#槽
2～4#槽
每清洗一篮硅片
6.1硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。
6.2将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。
7化学腐蚀液的配制
7.1准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。
7.2配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。
230±30µm
30 min
5min
5min
1min
4min
2min
1min
温度℃
65±2
83±2
常温
常温
常温
槽位
8#槽
9#槽
10#槽
11#槽
12#槽
13、14#槽
功能
漂洗
去金属离子
漂洗
喷淋
慢拉
烘干
时间
5 min
5min
5 min
5 min
不使用
不使用
温度℃
常温
常温
常温
常温
不使用
不使用
注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。
4.3将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。
5.装片（见附图三）
5.1片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。
5.2禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。
5.3操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。
6.上料（见附图四）
12.2根据《一次清洗设备操作规程》，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。
13工艺安全及注意事项
13.1 13.1工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
13.2硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。
11.1.2离心甩干工艺（见下表）
项目
主轴低速
主轴高速
喷水时间
吹气时间
开门时间
蜂鸣器延时
参数
205rpm
430rpm
30秒
180秒
10秒
10秒
11.2大片盒放置硅片（同11.2.2表）
11.2.1使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
1～11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同
11.2.212～14#槽工艺参数的设置：
7.3化学腐蚀液的配制比例（见下表）
槽号
1#槽
2-4#槽
7#
9#槽
功能
去损伤层
制绒
去Na2SiO3
去金属离子
清洗液组成
氢氧化钠
氢氧化钠
异丙醇
硅酸钠
氢氟酸
盐酸
NaOH
NaOH
IPA
Na2SiO3·9H2O
HF
HCl
标准浓度（克/升）
40±5
18±5
5±2
3±1
53±5
84±5
加入试剂
9千克
2千克
12升
工艺不正常状态4
2～4#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。
11.清洗腐蚀工艺参数的设置（见下表）
11.1小片盒放置硅片
11.1.1使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表）
槽位
1#槽
2-4#槽
5#槽
6#槽
7#槽
功能
去损伤
制绒
漂洗
喷淋
去Na2SiO3
时间
270±30µm
240±30µm
11.3.2不合格的硅片，厚度≤200µm直接转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按下表工艺返工：
槽位
1#槽
2-4#槽
功能
去损伤层
制绒
时间
0min
20min
温度℃
65±2
83±2
12.运行
12.1根据《一次清洗设备操作规程》，在手动工作状态下，按照“11清洗腐蚀工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；
12#槽
13、14#槽
功能
慢拉
烘干
时间
2min
17min
温度℃
常温
170±2℃
11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同11.3.2表）
11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。
6千克
16升
32升
加入试剂（瓶)
18
4
3
12
4
8
液面高度（厘米）
42
32
32
32
30
30
7.4配制溶液要求：
7.4.1配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。
7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。
7.4.2时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。
7.4.3异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。
8.各化学药品规格及要求
8.1氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度≥98%。
8.2异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。
8.3硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。
一次清洗工艺说明
1.目的
确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态
2.使用范围
适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序
3.责任
本工艺说明由技术部负责
4.硅片检验
4.1将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；
4.2检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二)
24小时
12小时
12小时
更换时间
早班交接班
早班交接班
交接班
交接班
工艺不正常时（1～4号槽）更换条件
工艺不正常状态1
连续停机8小时以上，要求全部换液重配
工艺不正常状态2
2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态3
2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。
排液(cm)
补加NaOH
补加NaOH
补加IPA
1.5±0.5
25±10g
25±10g
4升（一瓶）
备注
清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。
10.各槽化学液更换频率（见下表）
工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）
槽号
1#槽
2～4#槽
7#槽
9#槽
更换周期
24小时Fra Baidu bibliotek
8.4盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。
8.5氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升。
9.工艺过程化学药品的补加（见下表）
9.1工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：
槽号
1#槽
2～4#槽
每清洗一篮硅片
6.1硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。
6.2将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。
7化学腐蚀液的配制
7.1准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。
7.2配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。
230±30µm
30 min
5min
5min
1min
4min
2min
1min
温度℃
65±2
83±2
常温
常温
常温
槽位
8#槽
9#槽
10#槽
11#槽
12#槽
13、14#槽
功能
漂洗
去金属离子
漂洗
喷淋
慢拉
烘干
时间
5 min
5min
5 min
5 min
不使用
不使用
温度℃
常温
常温
常温
常温
不使用
不使用
注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。
4.3将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。
5.装片（见附图三）
5.1片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。
5.2禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。
5.3操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。
6.上料（见附图四）
12.2根据《一次清洗设备操作规程》，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。
13工艺安全及注意事项
13.1 13.1工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
13.2硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。
11.1.2离心甩干工艺（见下表）
项目
主轴低速
主轴高速
喷水时间
吹气时间
开门时间
蜂鸣器延时
参数
205rpm
430rpm
30秒
180秒
10秒
10秒
11.2大片盒放置硅片（同11.2.2表）
11.2.1使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
1～11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同
11.2.212～14#槽工艺参数的设置：
7.3化学腐蚀液的配制比例（见下表）
槽号
1#槽
2-4#槽
7#
9#槽
功能
去损伤层
制绒
去Na2SiO3
去金属离子
清洗液组成
氢氧化钠
氢氧化钠
异丙醇
硅酸钠
氢氟酸
盐酸
NaOH
NaOH
IPA
Na2SiO3·9H2O
HF
HCl
标准浓度（克/升）
40±5
18±5
5±2
3±1
53±5
84±5
加入试剂
9千克
2千克
12升
工艺不正常状态4
2～4#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。
11.清洗腐蚀工艺参数的设置（见下表）
11.1小片盒放置硅片
11.1.1使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表）
槽位
1#槽
2-4#槽
5#槽
6#槽
7#槽
功能
去损伤
制绒
漂洗
喷淋
去Na2SiO3
时间
270±30µm
240±30µm
11.3.2不合格的硅片，厚度≤200µm直接转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按下表工艺返工：
槽位
1#槽
2-4#槽
功能
去损伤层
制绒
时间
0min
20min
温度℃
65±2
83±2
12.运行
12.1根据《一次清洗设备操作规程》，在手动工作状态下，按照“11清洗腐蚀工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；