20050413_BGA制程介绍

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BGA的优点与结构及制造流程

BGA的优点与结构及制造流程BGA（Ball Grid Array）是一种集成电路封装技术，具有以下几个优点：1.高集成度：BGA封装技术可以实现高集成度的电路封装，可以集成更多的功能单元和器件，提高电路板的性能和功能。

2.优良的散热性能：BGA封装的芯片与电路板之间采用多个导热球连接，导热性能优于传统的封装技术，能够更好地散热，提高设备的工作稳定性，延长使用寿命。

3.高密度连接：BGA封装的芯片与电路板之间的连接是通过多个焊点球来实现的，焊点球较小且较密集，可以实现更高的连接密度，更好地满足高速传输和高性能需求。

4.优良的电气性能：BGA封装技术可以提供更短的电连接长度和更低的电阻值，提高电路的电气性能，减少信号传输的干扰和损耗。

BGA封装的结构一般包括芯片、基板和焊点球三个主要部分：1.芯片：芯片是BGA封装的核心部分，芯片通常以裸片的形式放置在基板上，裸片上会有多个引脚用于与基板进行电连接。

2.基板：基板是BGA封装的主要支撑物，其上有多个金属层和层间绝缘层。

基板上不仅布满了与芯片引脚对应的通孔和线路，还有用于与其他器件连接的引脚。

3.焊点球：焊点球是BGA封装的重要组成部分，通常由锡合金制成，焊点球承担起芯片和基板之间的连接和传输电信号的作用。

焊点球分布在基板上与芯片引脚相对应的位置。

BGA封装的制造流程主要包括以下几个步骤：1.基板制备：选择适当的基板，进行表面处理并制造多层金属层和层间绝缘层。

2.焊点球制备：通过真空吸锡等方法，在基板上预先布置焊点球，焊点球的形状和尺寸要与芯片引脚相对应。

3.芯片粘贴：将芯片以封装前的形式粘贴在基板上，保持良好的定位和连接。

4.焊接：将基板与芯片加热至合适温度，使焊点球熔化并与芯片引脚和基板相连接，焊接完成后冷却固化。

5.检测：进行BGA焊接良好性、焊点位置和按压试验等测试，保证焊接质量和稳定性。

6.完成封装：将已焊接和测试完成的芯片和基板封装成整体，以保护芯片和电路结构。

BGA 介绍

DELTA NETWORKS
常用錫膏合金成份及融解溫度
• Eutectic: Sn63 / Pb37
• w / Silver: Sn62 / Pb36 / Ag2 • No Lead: Sn96.5 / Ag3.5
Tmelt = 183o C
Tmelt = 179o C Tmelt = 221o C
DELTA NETWORKS
MSD的儲存條件
1.真空包裝 — 溫度25± 5˚C 濕度55± 5%RH 2.非真空包裝 — 溫度25± 5˚C 濕度30%RH
DELTA NETWORKS
DELTA NETWORKS
DELTA NETWORKS
DELTA NETWORKS
BGA----烘烤
• 包裝形式 • Tray Tape/Tube 濕度 125 ˚± 5˚C 40± 5˚C 時間 24小時 192小時
BGA 簡介 & 特性分析
SMT Technology Spread
DELTA NETWORKS
BGA
• 何謂BGA ? 其構造如何 ?
為面陣列構裝(area array packaging)之產品率先問世之 BGA 為 Motorola OMPAC(1990)
BGA簡介
Fig 1.1 A cross-section of a PBGA
CCGA
DELTA NETWORKS
BGA ---Surface Mount Component
DELTA NETWORKS
BGA ---Surface Mount Component
DELTA NETWORKS
BGA
• 為何要使用BGA而非QFP ?優劣如何?

《BGA技术简介》PPT课件

KME球冲积矿使用唯一的球解开特性有空气殴打穿过底网孔.空气穿过网孔解开焊接剂球哪个的块改善球提取可靠性. 这特性是也有效的在防止变色和球表面.的氧化振动和空气取出方法原因也许多的fliction在中间球.? 球是使变黑, 哪个制造使自动化发送-放置球检查几乎不可能的.齘(齘(
5
精确? KME径直的涨潮传送系统保证那涨潮是放总是在各自的球.的中心它防止球mis-队列由于mis-排列涨潮沉积作用同样地是可能的有全部的其他的涨潮请求方法这样的 asscreen打印, 分发, 和邮票钉传送.表面张力的mis-排列涨潮拉焊接剂球到什么地方涨潮是即使球是放置精确地在填充.dd
9
血浆清洁的为了薄的黄金CSP底层?
0.15% 黄金的在焊接剂球减少剪力在40%? 黄金扩散是致命的? 在典型的BGA和CSP底层, 金属丝结合填充是黄金镀金的为了改善结合可靠性.? 这样的电镀也窗体在底层.的底边? 黄金散播到焊接剂球过去.? 图表在底左边的表示如何黄金扩散降级剪焊接剂球.的力? 它表示那如果焊接剂球包含0.15黄金的重量百分比, 剪力减少在40% 最初的力.的
?
20±2毫英寸24±2毫英寸
24±2
28±2
毫英寸毫英寸
BGA填充相對尺寸
?
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2.BGA 內部 T/H與線路规划設計
BGA填充T/H
? ? ?
? ? ?? BGA填充區域內線路
20mil 以上
1.除 BGA填充外,其餘BGA填充规划區域之線路及 T/H 皆需防焊 2 . ? T/H 位置需置於相鄰四個 BGA填充中心,或距最近BGA填充
b.拆封時須填寫拆封日期及使用期限如下表表格:(稽核時需隨時注意用剩是否有貼期限標籤及填寫記錄詳實)

BGA 技术简介

BGA 技术简介1 BGA 技术简介BGA技术的研究始于60年代，最早被美国IBM公司采用，但一直到90年代初，BGA 才真正进入实用化的阶段。

在80年代，人们对电子电路小型化和I/O引线数提出了更高的要求。

虽然SMT使电路组装具有轻、薄、短、小的特点，对于具有高引线数的精细间距器件的引线间距以及引线共平面度也提出了更为严格的要求，但是由于受到加工精度、可生产性、成本和组装工艺的制约，一般认为QFP(Quad Flat Pack 方型扁平封装)器件间距的极限为0.3mm，这就大大限制了高密度组装的发展。

另外，由于精细间距QFP器件对组装工艺要求严格，使其应用受到了限制，为此美国一些公司就把注意力放在开发和应用比QFP器件更优越的BGA器件上。

精细间距器件的局限性在于细引线易弯曲、质脆而易断，对于引线间的共平面度和贴装精度的要求很高。

BGA技术采用的是一种全新的设计思维方式，它采用将圆型或者柱状点隐藏在封装下面的结构，引线间距大、引线长度短。

这样，BGA就消除了精细间距器件中由于引线问题而引起的共平面度和翘曲的问题。

JEDEC(电子器件工程联合会)(JC-11)的工业部门制定了BGA封装的物理标准，BGA与QFD相比的最大优点是I/O引线间距大，已注册的引线间距有1.0、1.27和1.5mm，而且目前正在推荐由1.27mm和1. 5mm间距的BGA取代0.4mm-0.5mm的精细间距器件。

BGA器件的结构可按焊点形状分为两类：球形焊点和校状焊点。

球形焊点包括陶瓷球栅阵列CBGA(C eramic Ball Grid Array)、载带自动键合球栅阵列TBGA(Tape Automatec Ball Grid Array)塑料球栅阵列P BGA(Plastic Ball Array)。

CBGA、TBGA和PBGA是按封装方式的不同而划分的。

柱形焊点称为CCGA(Ce ramic Column Grid Array)。

BGA简介

BGA器件及其焊点的质量控制随着科学技术的不断发展，现代社会与电子技术息息相关，超小型移动电话、超小型步话机、便携式计算机、存储器、硬盘驱动器、光盘驱动器、高清晰度电视机等都对产品的小型化、轻型化提出了苛刻的要求。

要达到达一目标，就必须在生产工艺、元器件方面着手进行深入研究。

SMT(Surface Mount Technology 表面安装)技术顺应了这一潮流，为实现电子产品的轻、薄、短、小打下了基础。

SMT技术进入90年代以来，走向了成熟的阶段，但随着电子产品向便据式／小型化、网络化和多媒体化方向的迅速发展，对电子组装技术提出了更高的要求，新的高密度组装技术不断涌现，其中BGA(Ball Grid Array 球栅阵列封装)就是一项已经进入实用化阶段的高密度组装技术。

本文试图就BGA器件的组装特点以及焊点的质量控制作一介绍。

1 BGA 技术简介BGA技术的研究始于60年代，最早被美国IBM公司采用，但一直到90年代初，BGA 才真正进入实用化的阶段。

在80年代，人们对电子电路小型化和I/O引线数提出了更高的要求。

另外，由于精细间距QFP器件对组装工艺要求严格，使其应用受到了限制，为此美国一些公司就把注意力放在开发和应用比QFP器件更优越的BGA器件上。

精细间距器件的局限性在于细引线易弯曲、质脆而易断，对于引线间的共平面度和贴装精度的要求很高。

BGA技术采用的是一种全新的设计思维方式，它采用将圆型或者柱状点隐藏在封装下面的结构，引线间距大、引线长度短。

这样，BGA就消除了精细间距器件中由于引线问题而引起的共平面度和翘曲的问题。

BGA封装技术介绍ppt课件

前处理压掩膜上底片曝光显影
22
水洗蚀刻水洗酸洗剥膜水洗
Mylar
压掩膜、上底片、曝光显影
23
UV 底片掩膜 Copper BT
掩膜 Copper BT
蚀刻剥膜
24
掩膜 Copper BT
Copper BT
前处理
油墨+硬化剂阻焊膜 (Solder Mask)
网印
Pre - cure
• 芯片粘结：采用充银环氧树脂粘结剂（导电胶）将IC 芯片粘结在镀有Ni-Au薄层的基板上；
• 引线键合：粘接固化后用金丝球焊机将IC芯片上的焊区与基板上的镀Ni-Au的焊区以金线相连；
• 模塑封装：用填有石英粉的环氧树脂模塑料进行模塑包封，以保护芯片、焊接线和焊盘；
27
BGA封装工艺流程
• 装配焊料球/回流焊：固化之后，使用特殊设计的吸拾工具（焊球自动拾放机）将浸有焊剂的熔点为183℃、直径为30mil（0.75mm）的焊料球Sn62Pb36Ag2或 Sn63Pb37放置在焊盘上，在传统的回流焊炉内在N2气氛下进行回流焊接（最高加工温度不能够超过230℃），焊球与镀Ni-Au的基板焊区焊接。
8
PBGA特点制作成本低，性价比高焊球参与再流焊点形成，共面度要求宽松与环氧树脂基板热匹配性好、装配至PCB时质量高、性能好对潮气敏感，PoPCorn effect严重，可靠性存在隐患，且封装高度之QFP高也是一技术挑战。
9
CBGA 是将裸芯片安装在陶瓷多层基板载体顶部表面形
30
真空吸盘
真空吸球
滴助焊剂
放球
N2气中回流
助焊剂滴涂和置球机氮气再流焊炉助焊剂清洗、分离、打标机

BGA基板制程简介ppt课件

Red color: drill Green color: via land Via lands are often covered with drills.
2021/8/4
精选课件ppt制程简介
7
BGA基板名词解释
signal trace
Plating trace
The trace that connects finger to via land are called trace or signal trace
Deburr
绿漆
镀Ni/Au
成型
O/S电测
FVI/AVI
镀铜包裝
塞孔出货
工作设备
• 日立数控机械钻孔机
• 钻孔站的主要设备，机台根据钻孔程序所提供的坐标，在基板的指定位置上使用指定直径的钻针钻孔。
2021/8/4
精选课件ppt制程简介
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发料烘烤线路形成
线路形成(內层) AOI自动光学检测
• PP胶片：将玻纤布含浸树脂后烘干形成半固化胶片（B-stage），在压合的高温下其会融化成黏状流体再慢慢硬化成固化的绝缘层（C-stage）。
2021/8/4
精选课件ppt制程简介
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发料烘烤线路形成
线路形成(內层) AOI自动光学检测
AOI自动光学检测
压合
蚀薄铜
钻孔
Deburr
绿漆
镀Ni/Au
AOI自动光学检测
压合
蚀薄铜
钻孔
Deburr
绿漆
镀Ni/Au
成型
O/S电测
FVI/AVI
镀铜包裝
塞孔出货
检验设备
自动孔位检查机
• 此设备可以量测板面上所有孔的相对位置，以作为判定孔位偏差量之依据。

bga锡球生产工艺

bga锡球生产工艺
BGA锡球生产工艺是一种用于半导体封装的重要技术，下面将介绍BGA锡球的生产工艺过程。

BGA锡球生产工艺的第一步是制备合金材料，通常使用的是由锡和其他金属元素（如铅、银）组成的合金。

此合金具有良好的焊接性能和可靠的电气连接性能。

接下来是材料的制备，将锡和其他金属元素按一定比例混合，并经过熔化、混合和冷却等步骤，制成合金块。

在合金块制备完成后，就需要将合金块进行加工成为规定尺寸的小颗粒，这些小颗粒就是BGA锡球的前体材料。

通常会采用机械球磨的方式将合金块加工成小颗粒，磨砂机将合金块放入磨砂罐内，在高速旋转的磨石的作用下，将合金块磨破成小颗粒。

接下来是BGA锡球的成型过程，将前体材料放入球形成型机中进行成型。

球形成型机会通过高温和高压的控制，将前体材料压制成球状，并使其达到规定的直径。

在成型过程中，还会进行一些其他的辅助工艺，如冷却、压力释放等，以保证球的外观和性能的一致性。

成型完成后，还需要对BGA锡球进行表面处理，在表面处理过程中，通常会使用一种称为"化学沉积"的方法，将一层金属氧化物沉积在锡球表面，以提高其耐热性和抗氧化性能。

最后，经过一系列的质量检验，合格的BGA锡球可以进行包装和出货。

总结一下，BGA锡球的生产工艺包括合金材料制备、前体材料制备、球成型、表面处理等一系列步骤，通过这些工艺的控制和调整，可以获得具有良好焊接性能和可靠连接性能的BGA锡球产品。

BGA制程

BGA SMT制程技术数据REFLOW焊接温度设定：( 1 )BGA焊接时芯片表面温度峰值应稳定保持在210 – 235度间且不得超过235度。

( 2 )BGA焊接时芯片融锡温度在183度以上应在60 – 90秒的范围内较佳，但不得少于45秒。

BGA焊接时芯片融锡温度在200度以上应在20 –60秒的范围内较佳。

BGA焊接时芯片融锡温度在210度以上应在10秒的范围内较佳。

( 3 )BGA焊接时芯片融锡温度在235度以上的高温范围不得超过10秒，否则……………..。

( 4 )一般焊接时预热不要加热过急，一般预热时间约定在90—120秒，热完成时温度在150--170度。

预热不足易发生较大的焊珠或组件立碑等现像，预热过热会产生较细或较大焊珠密集分布在组件四周。

预热温度过低会产生锡不融的现像。

( 5 ) 一般焊接时温度峰值应稳定保持在210 – 240度间且温度在200度以上的时间为20--60秒。

BGA及PQFP库存温湿度管理：CHIPSET本身为一对湿度相当敏感的零件，吸湿信性相当强；当它曝露在湿度过高的环境下，会吸收空气中的水份；如此时进行SMT作业REFLOW的高温会使零件内部所吸收的水份瞬间急速气化，导致CHIPSET内部结构受损及影响焊接熔锡状况。

(1) 密封时储存条件及使用期限：BGA 低于40度，90%RH，12个月PQFP 低于40度，90%RH，12个月(2) 开封后使用要求及使用期限：BGA LEVEL 4，低于30度，60%RH，72小时上线BGA LEVEL3，低于30度，60%RH，168小时上线(3) 需作烘烤状况：开封后湿度显示适配器大于20%RH，违反开封后使用要求及使用期限(4) 烘烤方式及条件：24小时，125度BGA SMT制程注意事项：锡膏印刷务必要求对以下项目作100%检验------PCB变形；BGA焊垫，防焊，线路；印刷锡量不良时的处理------PAD单点补锡膏；PCB清除锡膏重印BGA材料务必要求对以下项目作100%检核------开封后使用要求及使用期限；型号；上料方向不良时的处理-------重新烘烤；更正错误BGA置装务必要求对以下项目作100%检验------置装在PCB上的型号，方向；位置偏移大于0.6m/m不良时的处理-------移除BGA后PCB过REFLOW，千万不可以移位方式调整偏移BGA 焊接务必每日要求对以下项目作检核-------PROFILE检核；REFLOW温度数参不良时的处理-------立即停止生产调整或检修REFLOWBGA检验务必要求对以下项目作100%检验------置装在PCB上的型号，方向；位置偏移；电气特性不良时的处理-------于24小时内使用BGA拔焊设备拔去使用新品置换焊接，千万不可以使用植球的旧品BGA不良处理后的PCB应作标示区分并作全制程追踪，计录良品率。

BGA——一种封装技术

BGA——一种封装技术1、背景在信息时代，电子产品的更新换代速度加快，计算机、移动电话等产品的普及，使得人们对电子产品的要求越来越高。

这就使得产品的性能必须有所提高，IC芯片的特征尺寸就要越来越小，复杂程度需要增加，于是，电路的I/O数就需要更多，且I/O的密度也会不断增加。

对电路封装的要求也更加严格。

再采用QFP封装技术,通过增加I/O数,减小引线间距, 已经不能满足电子产品发展的要求。

为了解决这一问题,国外加速了对新型微电子封装技术的研究与开发,诸如球形触点阵列封装(Ball grid array,简称BGA ) 技术,芯片尺寸封装(Chipscalepackage,简称CSP) 技术,直接芯片键合(Direct chipattach,简称DCA) 技术,面阵列倒装芯片( Area array flipchip) 技术。

其中,BGA封装技术就是近年来国外迅速发展的一种微电子封装技术。

图片:QQ截图20151021164404.jpg2、BGA简介BGA（英文全称Ball Grid Array），即球形触点阵列，也有人翻译为“球栅阵列封装”、“网格焊球阵列”和“球面阵”等等。

球栅阵列封装BGA是20世纪90年代开始应用，现主要应用于高端器件的封装，发展空间还相当大。

BGA封装技术是在模块底部或上表面焊有按阵列形式分布的许多球状凸点，通过焊料凸点实现封装体与基板之间互连的一种封装技术。

在半导体IC的所有封装类型中，1996～2001年这5年期间，BGA封装的增长速度最快。

在1999年时，BGA 的产量已经为10亿只，但是该技术仍然限于高密度、高性能器件的封装，而且该技术仍朝着细节距、高I/O端数方向发展。

BGA封装技术主要适用于PC芯片组、微处理器/控制器、ASIC、门阵、存储器、DSP、PDA、PLD等器件的封装。

图片:QQ截图20151021164433.jpg3、BGA的分类BGA的封装类型有很多种，一般外形结构为方形或矩形。

BGA是什么？BGA封装技术有什么特点？三大BGA封装工艺及流程介绍

BGA 是什么？BGA 封装技术有什么特点？三大
BGA 封装工艺及流程介绍
随着市场对芯片集成度要求的提高，I/O 引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装更加严格。

为了满足发展的需要，BGA 封装开始被应用于生产。

BGA 也叫球状引脚栅格阵列封装技术，它是一种高密度表面装配封装技术。

在封装底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。

目前主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。

采用BGA 技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下，内存容量提高两到三倍，BGA 与TSOP 相比，具有更小体积，更好的散热性能和电性能。

两种BGA 封装技术的特点
BGA 封装内存：BGA 封装的I/O 端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA 技术的优点是I/O 引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA 能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

BGA封装工艺简介

EOL– Molding（注塑）
：下压式注塑
-基板置于模具Cavity -高温下，EMC开始
中，模具合模。
熔化，顺着轨道流
-块状EMC放入模具注向Cavity中
浇口中
-从底部开始，逐渐覆盖芯片
-完全覆盖包裹完毕，成型固化
EOL– Molding（注塑）
常見之Molding 缺陷
1. 充填不良 ( Incomplete Fill ) 2. 黏膜 ( Sticking ) 3. 氣孔 ( Void/Blister ) 4. 金線歪斜 ( Wire Sweep ) 5. 晶片座偏移 ( Pad Shift ) 6. 表面針孔 ( Rough Surface in Pin Hole) 7. 流痕 ( Flow Mark ) 8. 溢膠 ( Resin Bleed )
Epoxy Aging：使用之前回温，除去气泡；
Epoxy Writing：点银浆于L/F的Pad 上，Pattern可选；
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于
脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer
Missing Weld Wire Broken
2nd Bond Fail ( II )
縫點脫落
Looping Fail(Wire Short I)
Wire Short
Looping Fail(Wire Short II)
Loop Base Bend
Wire Short
Looping Fail(Wire Short III)
EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）；

BGA技术介绍

0.3mm
連板搭載連板最多單面 16 顆/ mBGA 顆數 4~8 顆雙面 24 顆
英特尔?BGA
底部填膠(Underfill)
(Lambda技术) (Kester焊接剂)
迴銲後X光照片檢驗
仁寶
上宜雷射科技
HP 5DX 系列 Ⅱ ICCI CRX-2000
我们$630
好过失
基准的标志赞誉是标准特性在BP10C-S.? 和径直的涨潮传送提及上面的, BP10C-S供应极端地高度精确哪个是必需的为了美好的程度装置例如CSP.
快速改变-结束? 产品改变-结束是妥当的内部10分在改变(1) 提取工具, (2) 持有者盘子, 和(3) 底层备份module. 发送-放置球检查? VC15C-S?
CBGA與PBGA-? 金属
PBGA
CBGA (Sn10/Pb90,268°C ~302C°)
微电路的国际的杂志和电子的打包, 卷21, 数4, 第四四分之一1998 (ISSN 1063-1674), IMAPS.
十字-部分
涨潮的确认为了翻转碎片集合, A.Tuominen, V.Lehtinen, K.Kulojärvi, and J. Kivilahti. 鮼$鮼$?$
不成功的金属丝接缝在真的世界, 无是极佳地清洁的.Out-gas从死亡缚上环氧的可能是堆积物期间杂种过程.Mis-处理在操作员能原因填充表面玷污.Or even atmosphere where substrate is exposed may contaminate the bonding pads. 一般, 这样的玷污是周围30到300埃.表面玷污防止的形成intermetallic混合物.这激烈地减少结合可靠性 .Sometimes, wire joint is completely impossible, which becomes wire open failure. ????????獠$獠$

bga芯片封装工艺流程

bga芯片封装工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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BGA焊接及BGA植珠工艺流程解说

BGA焊接及BGA植珠工艺流程解说BGA焊接及BGA植珠工艺主要应用在电子行业，比如电子产品的生产部门的BGA 焊接流程以及维修部门对BGA芯片的维修时采用的植珠工艺、在电子产品维修方面也会才用到BGA焊接与植珠工艺，比如电脑的主板、显卡的维修。

那工厂的BGA焊接与市场维修时人们所采用的BGA焊接及植珠方面有哪些差异呢？专业的电子产品生产企业都有专门的部门来对精密电子产品进行焊接，通常这个部门都成为“SMT”，即为“表面贴装”。

通常SMT部门是封闭式的无尘车间（根据产品精密度及产品特性会有不同标准），而他们的BGA焊接工艺也是很先进的，有不同功能的机器采用的流水线工作方式将速度与质量很好的结合在一起。

就穆童的了解来看，主要有一下三类机器：焊膏机焊膏机通常被安放在流水线的最前端，它负责对PCB线路板上需要进行原件焊接的部位（通常称为焊点）进行上锡（当然，这个上锡只是将焊膏涂抹在焊点上）。

通常较为精密的电子产品的这个生产过程都是由全自动或者半自动焊膏机进行的（比如我们的电脑主板、显卡）。

作为BGA焊接的重要步骤，锡膏的印刷质量将是影响日后对BGA植珠概率重要因素之一。

这一步完成后PCB就流送到贴片接了。

贴片机贴片机属于机电一体化的高度精密机器（不是一般国家能做出来的），国内使用的此类设备几乎全部依赖进口，较为高端的有从德国进口的西米子系列（有单轨、双规，售价数百万），还有日本进口的雅马哈贴片机、富士贴片机以及松下贴片机（松下较老，国内一些小型企业使用的部分产品甚至是30-50年前日本生产的，但即便如此老的设备以中国的机电一体化水准也属于先进的了）等。

贴片机在接到焊膏机传送下来的PCB后就会拾取送料器里面的BGA芯片（对于小的BGA可以用大号“飞达”，对于较大的BGA芯片则要用到托盘）。

贴片机在加到传送带上的PCB板后对其进行摄像定位（0.2mm级别），然后通过吸嘴将BGA吸取后，再对BGA进行摄像定位以防止吸取异常，确认无误后吸嘴下探将BGA贴放在被锡膏印满焊点的焊接位上，然后流送到下一工序：回流焊。

BGA芯片封装

为在这种引线键合TBGA中，封装热沉又是封装的加固
体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压
敏粘结剂将载带粘结在热沉上。
•
②封装工艺流程
•
圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键
合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回
流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装
要求较高等。它的主要过程是：先将多层陶瓷片高温共烧成多层
陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀
等。在CBGA的组装中，基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成
CBGA产品失效的主要因素。要改善这一情况，除采用CCGA结
构外，还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。
• ②封装工艺流程
BGA封装特点
• 1)I／O数较多。BGA封装器件的I／O数主要由封装体的尺寸和焊球节距决定。由于BGA封装的焊料球是以阵列形式排布在封装基片下面，因而可极大地提高器件的I／O数，缩小封装体尺寸，节省组装的占位空间。通常，在引线数相同的情况下，封装体尺寸可减小30％以上。例如：CBGA-49、BGA-320(节距1．27mm)分别与PLCC-44(节距为1．27mm)和MOFP304(节距为0．8mm)相比，封装体尺寸分别缩小了84％和47％。
•
7)BGA和～BGA都比细节距的脚形封装的IC牢固
可靠。
BGA封装的类型
• 1、PBGA(塑料焊球阵列)封装 •
2、CBGA(陶瓷焊球阵列)封装
• 3、CCGA(ceramiccolumnSddarray)陶瓷柱栅阵列 4、TBGA(载带型焊球阵列)
• 5、其它的BGA封装类型
BGA的封装工艺流程
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BGA基板全制程简介

BGA基板全製程簡介
內容大綱
主要流程簡介各站流程詳述各站流程圖示
Q&A
BGA基板製造流程
發料烘烤
2 layer 4 layer
線路形成(內層)
AOI自動光學檢測
壓合
蝕薄銅
鑽孔
Deburr
鍍銅
綠漆
AOI自動光學檢測
線路形成
塞孔 (option)
鍍Ni/Au
成型
O/S電測
終檢
出貨
包裝
發料烘烤
功能: 消除基板應力，防止板彎﹑板翹安定尺寸，減少板材漲縮
去除銅顆粒及整平銅面
B處理
刷磨
粗化銅面以利塞孔劑附著
整平面銅減少塞孔劑附著於面銅
塞孔網印烘烤
塞孔
使塞孔劑硬化完全
刷磨
將塞孔劑突出部分研磨乾淨
線路形成
乾膜前處理
(清潔銅面，增加乾膜與銅面的密著性)
壓乾膜
曝光
(形成線路圖形)
線路蝕刻
(形成線路)
刷磨(option) 脫脂
顯影水洗
蝕刻
上一層薄金作為後鍍金之介層)
水洗水洗酸洗(清潔銅
面及預浸酸)
鍍Au槽(電鍍
Au至所需厚度)
水洗水洗鍍Ni 槽(電鍍
Ni至所需厚度)
水洗
成型
上pin
(將固定板材的 pin安置於機台上)
上板
CNC成型
(依程式切削出產品外形)
下板
成型後清洗
(清洗切削產生的粉屑)
O/S測試及最終檢查
O/S電性測試外觀檢查
流程圖解(2Layer)
11.鍍Ni/Au
Ni/Au層