PN结工作原理-动态图画
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HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
PN结的形成
P
N
扩散电流
空穴 电子
空穴 电子
多子
少子
图01.01.08 PN结的形成
HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
P
N
内电场
漂移电流 扩散电流
空穴 电子
多子
空穴
少子
电子
图01.01.08 PN结的形成
HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
P
N
内电场
漂移电流 扩散电流
HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
PN加正向电压时的导电情况
Ｐ
PN结
N
内内电电场场
外电场
R
IF
E
图01.01.11 PN结加正向电压
HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
PN结加反向电压时的导电情况
Ｐ
PN结
N
内内电电场场
外电场 R
E IS
图01.01.12 PN结加反向电压
空穴
多子
电子
Байду номын сангаас
空穴
少子
电子
图01.01.08 PN结的形成
HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程 过程概括如下：
因浓度差
多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
内电场阻止多子扩散
扩散电流 ＝ 漂移电流
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2006.06
势垒电容CB
P
N
CB
U
反向区
U
U 0
图 01.01.13 势垒电容示意图
HIT基础电子技术电子教案----PN结
2006.06
扩散电容CD
少子浓度
pn
np
1
2
2 1
O
x
P
N
R PN 结
+
-
U U
图 01.01.14 扩散电容示意图