电子元器件参数符号定意
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Pd---耗散 功率
PG---门极 平均功率
PGM---门极 峰值功率 PC---控制 极平均功率 或集电极耗 散功率 Pi---输入 功率 PK---最大 开关功率 PM---额定 功率。硅二 极管结温不 高于150度 所能承受的 最大功率 PMP---最大 漏过脉冲功 率 PMS---最大 承受脉冲功 率 Po---输出 功率
Vth---阀电 压（门限电 压）
VRRM---反 向重复峰值 电压（反向 浪涌电压） VRWM---反 向工作峰值 电压 V v---谷点 电压 Vz---稳定 电压 △Vz---稳 压范围电压 增量 Vs---通向 电压（信号 电压）或稳 流管稳定电 流电压
av---电压 温度系数
Vk---膝点 电压（稳流 二极管）
弦半波最高反向工作电压பைடு நூலகம்的漏电流。
IRM---反向 峰值电流
IRR---晶闸 管反向重复 平均电流
IDR---晶闸 管断态平均 重复电流
IRRM---反 向重复峰值 电流
IRSM---反 向不重复峰 值电流（反 向浪涌电 流）
L---负载电 感（外电路 参数）
LD---漏极 电感
Ls---源极 电感
D---占空比
fT---特征 频率 fmax---最 高振荡频率 。当三极管 功率增益等 于1时的工 作频率 hFE---共发 射极静态电 流放大系数
hIE---共发 射极静态输 入阻抗 hOE---共发 射极静态输 出电导 h RE---共 发射极静态 电压反馈系 hie---共发 射极小信号 短路输入阻 抗
三、场效应 管参数符号 意义 Cds---漏源电容
Cdu---漏衬底电容
Cgd---栅源电容 Cgs---漏源电容 Ciss---栅 短路共源输 入电容 Coss---栅 短路共源输 出电容 Crss---栅 短路共源反 向传输电容 D---占空比 （占空系 数，外电路 参数）
di/dt---电 流上升率 （外电路参 数）
在额定功率下，允许通过二极管的最大正 管极限电流。
Cre---共发 射极反馈电 容
Cic---集电 结势垒电容
CL---负载 电容（外电 路参数） Cp---并联 电容（外电 路参数） BVcbo---发 射极开路， 集电极与基 极间击穿电 压
BVceo---基 极开路，CE 结击穿电压
BVebo--集电极开路 EB结击穿电 BVces---基 极与发射极 短路CE结击 穿电压 BV cer--基极与发射 极串接一电 阻，CE结击 穿电压
Co---零偏 压电容
Cjo---零偏 压结电容
Cjo/Cjn--结电容变化 Cs---管壳 电容或封装 电容
Ct---总电 容
CTV---电压 温度系数。 在测试电流 下，稳定电 压的相对变 化与环境温 度的绝对变 化之比
CTC---电容 温度系数
Cvn---标称 电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极 的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作 流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极
Tjm---最高 结温
ton---开通 时间 toff---关 断时间 tr---上升 时间 trr---反向 恢复时间 ts---存储 时间 tstg---温 度补偿二极 管的贮成温
a---温度系 数
λp---发光 峰值波长 △ λ---光 谱半宽度
η---单结 晶体管分压 比或效率
VB---反向 峰值击穿电 压
Tstg---贮 成温度 VDS---漏源 电压（直 流） VGS---栅源 电压（直 流） VGSF--正向 栅源电压 （直流）
dv/dt---通 态电压临界 上升率
PB---承受 脉冲烧毁功 率
PFT（AV）--正向导通 平均耗散功 率
PFTM---正 向峰值耗散 功率 PFT---正向 导通总瞬时 耗散功率
VL ---极限 电压
二、双极型 晶体管参数 符号及其意 义 Cc---集电 极电容
Ccb---集电 极与基极间 电容
Cce---发射 极接地输出 电容 Ci---输入 电容 Cib---共基 极输入电容 Cie---共发 射极输入电 容 Cies---共 发射极短路 输入电容 Cieo---共 发射极开路 输入电容
VGD---门极 不触发电压
VGFM---门 极正向峰值 电压
VGRM---门 极反向峰值 电压
VF（AV）--正向平均 电压
Vo---交流 输入电压 VOM---最大 输出平均电 压 Vop---工作 电压
Vn---中心 电压 Vp---峰点 电压 VR---反向 工作电压 （反向直流 电压） VRM---反向 峰值电压 （最高测试 电压） V（BR）--击穿电压
IV---谷点 电流
Ipr---电流 脉冲峰值 （外电路参 数） gfs---正向 跨导
Gp---功率 增益 Gps---共源 极中和高频 功率增益 GpG---共栅 极中和高频 功率增益 GPD---共漏 极中和高频 功率增益
ggd---栅漏 电导
gds---漏源 电导
K---失调电 压温度系数
Iu---衬底 电流
IH---恒定 电流、维持 电流。 Ii--- 发光 二极管起辉 电流 IFRM---正 向重复峰值 电流
IFSM---正 向不重复峰 值电流（浪 涌电流） Io---整流 电流。在特 定线路中规 定频率和规 定电压条件 下所通过的 工作电流 IF(ov)--正向过载电 流 IL---光电 流或稳流二 极管极限电 流
PR---反向 浪涌功率
VGSR---反 向栅源电压 （直流） VDD---漏极 （直流）电 源电压（外 电路参数） VGG---栅极 （直流）电 源电压（外 电路参数） Vss---源极 （直流）电 源电压（外 电路参数）
VGS(th)--开启电压或 阀电压
V（BR） DSS---漏源 击穿电压 V（BR） GSS---漏源 短路时栅源 击穿电压 VDS(on)--漏源通态电 压
VDS(sat)--漏源饱和 电压
VGD---栅漏 电压（直 流）
Vsu---源衬 底电压（直 流）
VDu---漏衬 底电压（直 流）
Ptot---总 耗散功率
Pomax---最 大输出功率
Psc---连续 输出功率
PSM---不重 复浪涌功率 PZM---最大 耗散功率。 在给定使用 条件下，稳 压二极管允 许承受的最 大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性 性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微
PPK---脉冲 功率峰值 （外电路参 数）
to(on)--开通延迟时 间
td(off)--关断延迟时 间
ti---上升 时间
ton---开通 时间
toff---关 断时间
tf---下降 时间
trr---反向 恢复时间
Tj---结温
Tjm---最大 允许结温 Ta---环境 温度
Tc---管壳 温度
ID---暗电 流
IB2---单结 晶体管中的 基极调制电 流 IEM---发射 极峰值电流 IEB10---双 基极单结晶 体管中发射 极与第一基 极间反向电 流 IEB20---双 基极单结晶 体管中发射 极向电流 ICM---最大 输出平均电 流
IFMP---正 向脉冲电流
IP---峰点 电流
ards---漏 源电阻温度 系数
Rz(ru)--动态电阻
R(th)jc--结到壳的热 阻
r δ---衰 减电阻 r(th)---瞬 态电阻 Ta---环境 温度
Tc---壳温
td---延迟 时间
tf---下降 时间
tfr---正向 恢复时间
tg---电路 换向关断时 间 tgt---门极 控制极开通 时间 Tj---结温
IG---栅极 电流（直 流）
IGF---正向 栅电流
IGR---反向 栅电流
IGDO---源 极开路时， 截止栅电流
IGSO---漏 极开路时， 截止栅电流 IGM---栅极 脉冲电流
IGP---栅极 峰值电流
IF---二极 管正向电流
IGSS---漏 极短路时截 止栅电流 IDSS1---对 管第一管漏 源饱和电流 IDSS2---对 管第二管漏 源饱和电流
dv/dt---电 压上升率 （外电路参 数）
ID---漏极 电流（直 流）
IDM---漏极 脉冲电流
ID(on)--通态漏极电 流 IDQ---静态 漏极电流 （射频功率 管）
一、半导体 二极管参数 符号及其意 义 CT---势垒 电容 Cj---结 （极间）电 容， 表示 在二极管两 端加规定偏 压下，锗检 波二极管的 Cjv---偏压 结电容
rDS---漏源 电阻 rDS(on)--漏源通态电 阻
rDS(of)--漏源断态电 阻
rGD---栅漏 电阻 rGS---栅源 电阻 Rg---栅极 外接电阻 （外电路参 RL---负载 电阻（外电 路参数） R(th)jc--结壳热阻 R(th)ja--结环热阻 PD---漏极 耗散功率 PDM---漏极 最大允许耗 散功率 PIN--输入 功率
Ku---传输 系数
IGT---晶闸 管控制极触 发电流 IGD---晶闸 管控制极不 触发电流 IGFM---控 制极正向峰 值电流 IR（AV）--反向平均 电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆 正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端 反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在
Vc---整流 输入电压
VB2B1---基 极间电压 VBE10---发 射极与第一 基极反向电 压 VEB---饱和 压降 VFM---最大 正向压降 （正向峰值 电压）
VF---正向 压降（正向 直流电压）
△VF---正 向压降差 VDRM---断 态重复峰值 电压 VGT---门极 触发电压
正向电参数时给定的电流
IF（AV）--正向平均 电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大 向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IDS---漏源 电流
IDSM---最 大漏源电流 IDSS---栅源短路时， 漏极电流 IDS(sat)--沟道饱和 电流（漏源 饱和电流）
POUT---输 出功率
Irp---反向 恢复电流
Iz---稳定 电压电流 （反向测试 电流）。测 试反向电参 数时，给定 的反向电流
Izk---稳压 管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性 荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
电阻 RBB---双基 极晶体管的 基极间电阻 RE---射频 电阻
RL---负载 电阻
Rs(rs)---串联电阻
Rth----热 阻
R(th)ja---结到环境 的热阻
VGu---栅衬 底电压（直 流）
Zo---驱动 源内阻
η---漏极 效率（射频 功率管） Vn---噪声 电压 aID---漏极 电流温度系 数
Cn---中和 电容（外电 路参数）
Co---输出 电容
Cob---共基 极输出电容 。在基极电 路中，集电 极与基极间 输出电容
极管在规定的正向电压VF下，通过极间 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电 通过的最大正向直流电流；测稳压二极管 定的电流
Coe---共发 射极输出电 容
Coeo---共 发射极开路 输出电容
hre---共发 射极小信号 开路电压反 馈系数 hfe---共发 射极小信号 短路电压放 大系数 hoe---共发 射极小信号 开路输出导 纳 IB---基极 直流电流或 交流电流的 平均值
反向特性时，给定的反向电流；硅堆在 Ic---集电
时，所通过的电流；硅开关二极管两端加 极直流电流
IZSM---稳 压二极管浪 涌电流 IZM---最大 稳压电流。 在最大耗散 功率下稳压 二极管允许 通过的电流 iF---正向 总瞬时电流 iR---反向 总瞬时电流 ir---反向 恢复电流
Iop---工作 电流 Is---稳流 二极管稳定 电流 f---频率 n---电容变 化指数；电 容比 Q---优值 （品质因 素） δvz---稳 压管电压漂 di/dt---通 态电流临界 上升率
PG---门极 平均功率
PGM---门极 峰值功率 PC---控制 极平均功率 或集电极耗 散功率 Pi---输入 功率 PK---最大 开关功率 PM---额定 功率。硅二 极管结温不 高于150度 所能承受的 最大功率 PMP---最大 漏过脉冲功 率 PMS---最大 承受脉冲功 率 Po---输出 功率
Vth---阀电 压（门限电 压）
VRRM---反 向重复峰值 电压（反向 浪涌电压） VRWM---反 向工作峰值 电压 V v---谷点 电压 Vz---稳定 电压 △Vz---稳 压范围电压 增量 Vs---通向 电压（信号 电压）或稳 流管稳定电 流电压
av---电压 温度系数
Vk---膝点 电压（稳流 二极管）
弦半波最高反向工作电压பைடு நூலகம்的漏电流。
IRM---反向 峰值电流
IRR---晶闸 管反向重复 平均电流
IDR---晶闸 管断态平均 重复电流
IRRM---反 向重复峰值 电流
IRSM---反 向不重复峰 值电流（反 向浪涌电 流）
L---负载电 感（外电路 参数）
LD---漏极 电感
Ls---源极 电感
D---占空比
fT---特征 频率 fmax---最 高振荡频率 。当三极管 功率增益等 于1时的工 作频率 hFE---共发 射极静态电 流放大系数
hIE---共发 射极静态输 入阻抗 hOE---共发 射极静态输 出电导 h RE---共 发射极静态 电压反馈系 hie---共发 射极小信号 短路输入阻 抗
三、场效应 管参数符号 意义 Cds---漏源电容
Cdu---漏衬底电容
Cgd---栅源电容 Cgs---漏源电容 Ciss---栅 短路共源输 入电容 Coss---栅 短路共源输 出电容 Crss---栅 短路共源反 向传输电容 D---占空比 （占空系 数，外电路 参数）
di/dt---电 流上升率 （外电路参 数）
在额定功率下，允许通过二极管的最大正 管极限电流。
Cre---共发 射极反馈电 容
Cic---集电 结势垒电容
CL---负载 电容（外电 路参数） Cp---并联 电容（外电 路参数） BVcbo---发 射极开路， 集电极与基 极间击穿电 压
BVceo---基 极开路，CE 结击穿电压
BVebo--集电极开路 EB结击穿电 BVces---基 极与发射极 短路CE结击 穿电压 BV cer--基极与发射 极串接一电 阻，CE结击 穿电压
Co---零偏 压电容
Cjo---零偏 压结电容
Cjo/Cjn--结电容变化 Cs---管壳 电容或封装 电容
Ct---总电 容
CTV---电压 温度系数。 在测试电流 下，稳定电 压的相对变 化与环境温 度的绝对变 化之比
CTC---电容 温度系数
Cvn---标称 电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极 的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作 流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极
Tjm---最高 结温
ton---开通 时间 toff---关 断时间 tr---上升 时间 trr---反向 恢复时间 ts---存储 时间 tstg---温 度补偿二极 管的贮成温
a---温度系 数
λp---发光 峰值波长 △ λ---光 谱半宽度
η---单结 晶体管分压 比或效率
VB---反向 峰值击穿电 压
Tstg---贮 成温度 VDS---漏源 电压（直 流） VGS---栅源 电压（直 流） VGSF--正向 栅源电压 （直流）
dv/dt---通 态电压临界 上升率
PB---承受 脉冲烧毁功 率
PFT（AV）--正向导通 平均耗散功 率
PFTM---正 向峰值耗散 功率 PFT---正向 导通总瞬时 耗散功率
VL ---极限 电压
二、双极型 晶体管参数 符号及其意 义 Cc---集电 极电容
Ccb---集电 极与基极间 电容
Cce---发射 极接地输出 电容 Ci---输入 电容 Cib---共基 极输入电容 Cie---共发 射极输入电 容 Cies---共 发射极短路 输入电容 Cieo---共 发射极开路 输入电容
VGD---门极 不触发电压
VGFM---门 极正向峰值 电压
VGRM---门 极反向峰值 电压
VF（AV）--正向平均 电压
Vo---交流 输入电压 VOM---最大 输出平均电 压 Vop---工作 电压
Vn---中心 电压 Vp---峰点 电压 VR---反向 工作电压 （反向直流 电压） VRM---反向 峰值电压 （最高测试 电压） V（BR）--击穿电压
IV---谷点 电流
Ipr---电流 脉冲峰值 （外电路参 数） gfs---正向 跨导
Gp---功率 增益 Gps---共源 极中和高频 功率增益 GpG---共栅 极中和高频 功率增益 GPD---共漏 极中和高频 功率增益
ggd---栅漏 电导
gds---漏源 电导
K---失调电 压温度系数
Iu---衬底 电流
IH---恒定 电流、维持 电流。 Ii--- 发光 二极管起辉 电流 IFRM---正 向重复峰值 电流
IFSM---正 向不重复峰 值电流（浪 涌电流） Io---整流 电流。在特 定线路中规 定频率和规 定电压条件 下所通过的 工作电流 IF(ov)--正向过载电 流 IL---光电 流或稳流二 极管极限电 流
PR---反向 浪涌功率
VGSR---反 向栅源电压 （直流） VDD---漏极 （直流）电 源电压（外 电路参数） VGG---栅极 （直流）电 源电压（外 电路参数） Vss---源极 （直流）电 源电压（外 电路参数）
VGS(th)--开启电压或 阀电压
V（BR） DSS---漏源 击穿电压 V（BR） GSS---漏源 短路时栅源 击穿电压 VDS(on)--漏源通态电 压
VDS(sat)--漏源饱和 电压
VGD---栅漏 电压（直 流）
Vsu---源衬 底电压（直 流）
VDu---漏衬 底电压（直 流）
Ptot---总 耗散功率
Pomax---最 大输出功率
Psc---连续 输出功率
PSM---不重 复浪涌功率 PZM---最大 耗散功率。 在给定使用 条件下，稳 压二极管允 许承受的最 大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性 性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微
PPK---脉冲 功率峰值 （外电路参 数）
to(on)--开通延迟时 间
td(off)--关断延迟时 间
ti---上升 时间
ton---开通 时间
toff---关 断时间
tf---下降 时间
trr---反向 恢复时间
Tj---结温
Tjm---最大 允许结温 Ta---环境 温度
Tc---管壳 温度
ID---暗电 流
IB2---单结 晶体管中的 基极调制电 流 IEM---发射 极峰值电流 IEB10---双 基极单结晶 体管中发射 极与第一基 极间反向电 流 IEB20---双 基极单结晶 体管中发射 极向电流 ICM---最大 输出平均电 流
IFMP---正 向脉冲电流
IP---峰点 电流
ards---漏 源电阻温度 系数
Rz(ru)--动态电阻
R(th)jc--结到壳的热 阻
r δ---衰 减电阻 r(th)---瞬 态电阻 Ta---环境 温度
Tc---壳温
td---延迟 时间
tf---下降 时间
tfr---正向 恢复时间
tg---电路 换向关断时 间 tgt---门极 控制极开通 时间 Tj---结温
IG---栅极 电流（直 流）
IGF---正向 栅电流
IGR---反向 栅电流
IGDO---源 极开路时， 截止栅电流
IGSO---漏 极开路时， 截止栅电流 IGM---栅极 脉冲电流
IGP---栅极 峰值电流
IF---二极 管正向电流
IGSS---漏 极短路时截 止栅电流 IDSS1---对 管第一管漏 源饱和电流 IDSS2---对 管第二管漏 源饱和电流
dv/dt---电 压上升率 （外电路参 数）
ID---漏极 电流（直 流）
IDM---漏极 脉冲电流
ID(on)--通态漏极电 流 IDQ---静态 漏极电流 （射频功率 管）
一、半导体 二极管参数 符号及其意 义 CT---势垒 电容 Cj---结 （极间）电 容， 表示 在二极管两 端加规定偏 压下，锗检 波二极管的 Cjv---偏压 结电容
rDS---漏源 电阻 rDS(on)--漏源通态电 阻
rDS(of)--漏源断态电 阻
rGD---栅漏 电阻 rGS---栅源 电阻 Rg---栅极 外接电阻 （外电路参 RL---负载 电阻（外电 路参数） R(th)jc--结壳热阻 R(th)ja--结环热阻 PD---漏极 耗散功率 PDM---漏极 最大允许耗 散功率 PIN--输入 功率
Ku---传输 系数
IGT---晶闸 管控制极触 发电流 IGD---晶闸 管控制极不 触发电流 IGFM---控 制极正向峰 值电流 IR（AV）--反向平均 电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆 正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端 反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在
Vc---整流 输入电压
VB2B1---基 极间电压 VBE10---发 射极与第一 基极反向电 压 VEB---饱和 压降 VFM---最大 正向压降 （正向峰值 电压）
VF---正向 压降（正向 直流电压）
△VF---正 向压降差 VDRM---断 态重复峰值 电压 VGT---门极 触发电压
正向电参数时给定的电流
IF（AV）--正向平均 电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大 向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IDS---漏源 电流
IDSM---最 大漏源电流 IDSS---栅源短路时， 漏极电流 IDS(sat)--沟道饱和 电流（漏源 饱和电流）
POUT---输 出功率
Irp---反向 恢复电流
Iz---稳定 电压电流 （反向测试 电流）。测 试反向电参 数时，给定 的反向电流
Izk---稳压 管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性 荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
电阻 RBB---双基 极晶体管的 基极间电阻 RE---射频 电阻
RL---负载 电阻
Rs(rs)---串联电阻
Rth----热 阻
R(th)ja---结到环境 的热阻
VGu---栅衬 底电压（直 流）
Zo---驱动 源内阻
η---漏极 效率（射频 功率管） Vn---噪声 电压 aID---漏极 电流温度系 数
Cn---中和 电容（外电 路参数）
Co---输出 电容
Cob---共基 极输出电容 。在基极电 路中，集电 极与基极间 输出电容
极管在规定的正向电压VF下，通过极间 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电 通过的最大正向直流电流；测稳压二极管 定的电流
Coe---共发 射极输出电 容
Coeo---共 发射极开路 输出电容
hre---共发 射极小信号 开路电压反 馈系数 hfe---共发 射极小信号 短路电压放 大系数 hoe---共发 射极小信号 开路输出导 纳 IB---基极 直流电流或 交流电流的 平均值
反向特性时，给定的反向电流；硅堆在 Ic---集电
时，所通过的电流；硅开关二极管两端加 极直流电流
IZSM---稳 压二极管浪 涌电流 IZM---最大 稳压电流。 在最大耗散 功率下稳压 二极管允许 通过的电流 iF---正向 总瞬时电流 iR---反向 总瞬时电流 ir---反向 恢复电流
Iop---工作 电流 Is---稳流 二极管稳定 电流 f---频率 n---电容变 化指数；电 容比 Q---优值 （品质因 素） δvz---稳 压管电压漂 di/dt---通 态电流临界 上升率