2018年宁波大学考博试题3823半导体物理(B卷)
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科目代码: 3823 科目名称：半导体物理
一、选择题（20分每题1分）
1.受主杂质电离、施主杂质电离、本征激发向半导体提供载流子分别是（）
A. 电子、空穴、电子和空穴
B. 空穴、电子、电子和空穴
C. 电子、电子和空穴、空穴
D. 电子和空穴、空穴、电子
2.对于n型半导体材料，在温度一定时，减少掺杂浓度，费米能级位置将（）
A. 不变
B. 上移
C. 下移
D. 不确定
3.下列三种结构示意图属于无定型结构的是（）
A B C
4.以下可以改变半导体导电能力的方法（）
A. 调节温度
B. 掺杂
C. 光照
D. 以上都正确
5.一个典型的晶格平面，如下图所示，在x，y，z轴上截距分别是3, 2, 1，那么该晶面的密勒
指数是（）
A. （321）
B. （123）
C. （236）
D. （632）
科目代码: 3823 科目名称：半导体物理
科目代码: 3823 科目名称：半导体物理
科目代码: 3823 科目名称：半导体物理