膜厚控制仪 图文
膜厚仪操作规范
指导文件膜厚仪操作规范REV 版本A
PAGE页码 2 of 2 (6).校准:通过、、键切换到菜单的CAL位置→按OK键屏幕上显示Base→在Fe片或AI片上测量
量几次→按OK键屏幕上显示STDI→将标准片放在底材上测量几次,按或键将测量值调
整为标准片的标准值→按OK键校准完成,仪器返回RES测量状态.
(7).设定/删除上下限和偏差补偿值:通过、键切换到菜单TOL位置→按OK键,屏幕上显示
MIN,按、输入最小值→按OK键,屏幕上显示MAX,按|、}键输入最大值→按OK键,屏幕上显示OFFS,按、键输入偏差补偿值→按OK键,完成设定,仪器返回RES测量状态.
a.如果要跳过某一项,比如不需要OFFS,直接按OK键跳过.
b.将最小值设为0即可删除上、下限.
c.设定下下限后,如果测量数据小于最小值,仪器将响两声且屏幕上显示MIN及q符号;
如果测量数据大于最大值,仪器也将响两声且屏幕上显示MAX及p符号.
五、注意事项.
1、因仪器小巧,请防止跌落.
2、不要用手触摸显示屏,以保持清洁要防止其受到撞击.
3、请保持被测工件的干燥,防止弄脏损坏探头,影响测量的精度和稳定性.
4、若发生故障请及时与仪校单位或厂商联系处理.
显示灯
LCD
ESC
OK。
膜厚仪操作规范
指导文件膜厚仪操作规范REV 版本A
PAGE页码 2 of 2 (6).校准:通过、、键切换到菜单的CAL位置→按OK键屏幕上显示Base→在Fe片或AI片上测量
量几次→按OK键屏幕上显示STDI→将标准片放在底材上测量几次,按或键将测量值调
整为标准片的标准值→按OK键校准完成,仪器返回RES测量状态.
(7).设定/删除上下限和偏差补偿值:通过、键切换到菜单TOL位置→按OK键,屏幕上显示
MIN,按、输入最小值→按OK键,屏幕上显示MAX,按|、}键输入最大值→按OK键,屏幕上显示OFFS,按、键输入偏差补偿值→按OK键,完成设定,仪器返回RES测量状态.
a.如果要跳过某一项,比如不需要OFFS,直接按OK键跳过.
b.将最小值设为0即可删除上、下限.
c.设定下下限后,如果测量数据小于最小值,仪器将响两声且屏幕上显示MIN及q符号;
如果测量数据大于最大值,仪器也将响两声且屏幕上显示MAX及p符号.
五、注意事项.
1、因仪器小巧,请防止跌落.
2、不要用手触摸显示屏,以保持清洁要防止其受到撞击.
3、请保持被测工件的干燥,防止弄脏损坏探头,影响测量的精度和稳定性.
4、若发生故障请及时与仪校单位或厂商联系处理.
显示灯
LCD
ESC
OK。
TM106膜厚监控仪使用说明书V1.0
德国Mahr薄膜测厚仪C1208M和C1216M中文说明书(完整版)
3.4 设置测量值的分辨率/显示格式………………………9 14.1 选择接口协议………………………………………28
3.5 选择显示的数字特性/测试结果………………………9 14.2 选择数据传输格式…………………………………29
4 测量设备的测头定位(安装)…………………………10 14.3 选择信息交换………………………………………29
10.5 输入一个启动延时…………………………………22
在操作说明中,你将看到以下图标: 普通信息
重要信息。 如不遵照执行将造成错误结果或对设备造成损伤!
Millimar C1208/C1216
1
0 初始运行 1. 小心打开 Millimar, 测头及电源适配器包装盒.
请不要丢弃出厂包装盒. 一旦发生投诉及维修, 需使用出厂包装盒将物品返还生产厂家. 由于没有 使用规定的包装盒而造成运输损伤, 将不能享受 Mahr 公司的质保承诺!
对参数设置中的数值进行更改 - 为此, 根据上述内容按 MENU 键选择相应参数的数值. 在数值的最前方位置会有一个代数符号在闪
动. - 使用 DATA 及 MASTER 键对代数符号进行设置(“+”或“-”). - 使用 MENU 键移动至第一位数(开始闪动), 并使用 DATA 及 MASTER 键设置为所需的值. - 使用 MENU 键移动至下一位数并进行设置.
键盘(2) 键盘包含 8 个按键. 4 个按键用于 Millimar 的功能及参数菜单操作(DATA, MENU, MASTER 及 ESC).
Millimar C1208/1216 特性: • 统计或动态测量 • 模拟结果显示 • 数字结果显示 • 使用 8 个功能键可以便捷的进行功能调节 • 可将功能定义至可 SELECT 键, 以便于快速调用最多 6 项常用功能. • 将设备连接至计算机, 运用基于 Windows 的 MarTalk 软件可以便捷地进行程序编辑. • RS232 接口可应用于顺序控制或综合品质管理系统. • (只针对 C1216!)并行接口应用于带 3 个 optocoupler 数字输入, 3 个 optocoupler 数字输出及 1 个模拟输
蔡建军----X-RAY膜厚测试仪指导书
3.2.2.按键2nd灯亮表示(符号)
3.2.3按键SHIFT灯亮表示(英文字母小写).
3.2.4灯全不亮,表示(英文字母大写)
3.2.5切短按DEL键,洗字键按SPACE键.
3.2.6输入完整后,按GO键.
3.3印出列表抬头
3.3.1按PRINT HEAD键.
3.4打印测试值
出镀层厚度,测试点如附图一所示)。
3.1.7线状样品之放置方向需与Y轴平行(如附图二)。
3.1.8准直孔更换孔号后,务必做一次“定位”否则数值会偏移,须特别注意(准直孔调整如附图三)
3.1.9卤素灯泡为石英所制,请勿以手指碰触灯泡部份,以免缩短灯泡之使用寿
3.1.10图示:
3.2列表抬头更换(Change Printer Head)
3.1.3复制APPL NO:欲轮入之频道必须是空白频道RM键,测试素材重复测试五次后,即表底材修正完成。
3.1.5选择测试(APPL.):APPL—(--59)—GO (按键APPL,选择测试项目<由0—59>,后按GO键)。
3.1.6开时测试(将样品置于测试台,按GO键,时间倒数计时,数秒后即可测
1.0仪器照片如下:
2.0仪器结构说明:
1.定位/测试用显示器2.测试台3.测试控制键盘
2.测试控制显示器5.列表机
3.0 X-RAY
3.1操作程序:
3.1.1开启电源预热约30分钟.
3.1.2定位(Ref) :Ref—REF—GO—Return(将定位片<Ref>置于测试台,按键REF键,然后按GO键,3分钟后即可定位)
3.4.1打开列表机按ON-Line灯亮,测试一次按GO即可将测试值更印到列表机上.
膜厚仪介绍说明
膜厚仪介绍说明膜厚仪介绍说明(1)谙习膜厚仪表盘上各符号的意义及各个旋钮和选择开关的重要作用。
(2)进行机械调零。
(3)依据被测量的种类及大小,选择转换开关的档位及量程,找出对应的刻度线。
(4)选择表笔插孔的位置。
(5)测量电压:测量电压(或电流)时要选择好量程,假如用小量程去测量大电压,则会有烧表的不安全;假如用大量程去测量小电压,那么指针偏转太小,无法读数。
量程的选择应尽量使指针偏转到满刻度的2/3左右。
假如事先不清楚被测电压的大小时,应先选择*高量程档,然后渐渐减小到合适的量程。
a交流电压的测量:将万用表的一个转换开关置于交、直流电压档,另一个转换开关置于交流电压的合适量程上,万用表两表笔和被测电路或负载并联即可。
b直流电压的测量:将万用表的一个转换开关置于交、直流电压档,另一个转换开关置于直流电压的合适量程上,且“+”表笔(红表笔)接到高电位处,“—”表笔(黑表笔)接到低电位处,即让电流从“+”表笔流入,从“—”表笔流出。
若表笔接反,表头指针会反方向偏转,简单撞弯指针。
(6)测电流:测量直流电流时,将万用表的一个转换开关置于直流电流档,另一个转换开关置于50uA到500mA的合适量程上,电流的量程选择和读数方法与电压一样。
测量时必须先断开电路,然后依照电流从“+”到“—”的方向,将万用表串联到被测电路中,即电流从红表笔流入,从黑表笔流出。
假如误将万用表与负载并联,则因表头的内阻很小,会造成短路烧毁仪表。
其读数方法如下:实际值=指示值×量程/满偏(7)测电阻:用万用表测量电阻时,应按下列方法:a机械调零。
在使用之前,应当先调整指针定位螺丝使电流示数为零,躲避不必须的误差。
b选择合适的倍率档。
万用表欧姆档的刻度线是不均匀的,所以倍率档的选择应使指针停留在刻度线较稀的部分为宜,且指针越接近刻度尺的中心,读数越精准。
一般情况下,应使指针指在刻度尺的1/3~2/3间。
c欧姆调零。
测量电阻之前,应将2个表笔短接,同时调整“欧姆(电气)调零旋钮”,使指针刚好指在欧姆刻度线右边的零位。
SQC300,310系列膜厚控制仪说明书
SQC300(含SQC310宽屏、SQC330窄屏)膜厚测试仪使用手册美国Inficon公司授权销售1.0简介SQC300是多通道石英晶体显示仪,它集合准确性和强大功能为一体,价格非常便宜。
标准配置可测量两个1-6Mhz的晶体探头,控制两个蒸发源,它的8个程序控制继电器和8个数字输入经联结可以很容易支持外部功能,如蒸发源坩锅转位。
选用外部扩展卡可以使探头、输出、数字输入输出(I/O)数量扩大一倍。
另外选用共沉积软件还可以实现四种材料的共沉积功能。
RS232和USB接口是我们的标配,以太网接口备选。
SQC300有两种外观,分别为2U(SQC330窄屏)和3U(SQC310宽屏),除了显示屏尺寸差异,设备配置完全相同。
这章将在初始装配和系统操作方面给你帮助。
请仔细阅读本手册以获得所有操作,膜系设计和安全信息。
1. 1 面板Control Knob Remote JackSoftkeysSoftkeys(本手册称软键)提供进入设备操作和设置菜单。
软键的功能根据操作菜单功能改变,显示在屏幕的左边。
Control Knob(本手册称旋转按钮)用于调节数值,选择菜单选项。
按此键可储存当前设置,然后移到下一个选项。
Remote Jack(本手册称远程控制)连接选配的手动远程控制器。
参见附D1. 2 背板sensor1&2 连接晶振探头(见下一章)output1&2 将SQC300的输出连接到蒸发源控制输入(见下一章)I/O(1-8) 连接8个继电器和8个数字输入到外部设备以便程序控制。
参见附C以便连接。
RS-232、USB或以太网连接计算机以编程和数据接受。
备选以太网可取代USB。
Sensor3&4 、Output 3&4、I/O 9-16 当选择扩展卡时,可提高输入、输出、数字I/O的数量。
n 接地power Input&Fuse 接主电源。
100-120V / 200-240V,25W,50/60Hz自动可选。
膜厚控制仪工作原理
ModelockTM 优点
消除频率跳跃 对高阻尼的晶片延长了寿命(200%) 0.005 Hz 测量精度 测量速率 10 Hz 可自动检测声阻抗率: -“Auto Z”
14
晶片寿命----耗材成本
15
ModeLock 高精度
Z 比率---测量误差
17
Advantage of Auto Z
膜厚控制仪工作原理
于录 英福康中国维修经理
1
膜厚控制仪组成
真空室
探头
最远72 英寸
振荡器 6 英寸
电源
挡板控制
0 - 10 VDC 控制电压
最长100 英尺
膜厚控制仪
组件
控制仪 振荡包 (XIU) 连接法兰 探头 晶片 (压缩空气控
制阀)
2
测量原理
探头
VACUUM CHAMBER
2. “Period”测量方式,测量高频振荡器与工作晶振的时间差 ,工作范围0.05x基准频率
3. “Z-match“测量方式,把晶振系统作为声频谐振器测量,工 作范围0.4x基准频率
9
测量原理
膜的厚度 (Lu and Lewis) : Tf = (Nq dq / p df fc Z) arctan (Z tan[p (fq - fc)/f q]) (accurate for >2MHz frequency shift)
* 所以“频率跳跃”会导致镀膜速率与厚度的偏差。
11
INFICON 专利测量技术 ModelockTM
ModelockTM 专利技术
晶片在电路中是无源元件 数字合成频率施加给晶片 测量施加的电压与电流的相位差 测量晶片(电路)对施加的该能量的反应 * 如果反应是电感性的,说明施加的频率比晶片的基准频率高 *如果反应是电容性的,说明施加的频率比晶片的基准频率低 *如果反应是纯电阻性的,说明施加的频率与晶片的基准频率 一致 * 最多15000次/秒
膜厚控制仪
膜厚控制仪膜厚控制仪是一种用于测量和控制薄膜厚度的设备。
它主要用于半导体、光伏、涂装、化工等行业的工厂生产线上,以确保薄膜厚度满足严格的质量要求。
下面将详细介绍膜厚控制仪的工作原理、应用领域和优点。
工作原理膜厚控制仪通过测量薄膜的反射率或透过率来确定膜的厚度。
它使用光学测量原理,即利用薄膜对光的反射和透过特性进行测量。
当光从光源中投射出去,经过薄膜表面后,一部分光被反射回来,一部分光被穿透到下面的基底材料中。
这些反射和穿透的光会被探测器捕捉并转换成电信号,经过处理后得到所测量的薄膜厚度。
应用领域膜厚控制仪在半导体行业中有广泛的应用,用于测量心脏药物、防护涂料、滤波器、电容器、传感器等各种先进结构的薄膜厚度。
对于光伏行业,膜厚控制仪可以测量太阳能电池板上各层薄膜的厚度,如氮化硅膜、透明导电氧化锌膜和铝膜。
在化工和涂装领域,膜厚控制仪通常用于热浸镀薄膜,保证各层膜厚一致,提高防腐蚀和附着性。
优点膜厚控制仪具有以下优点:高精度膜厚控制仪采用先进的光学测量原理,可以达到纳米级精度,保证了测量的准确性和精度。
高速度膜厚控制仪在秒级或毫秒级内完成测量,适用于高速生产线上实时监控薄膜厚度的应用。
高稳定性膜厚控制仪稳定性高,具有良好的重现性和可靠性,长时间使用不易失调。
简便易用膜厚控制仪操作简单,能够自动识别各种材料,提供多种数据输出接口供用户选择。
同时体积小,便于安装使用。
结论膜厚控制仪是目前生产线上必不可少的一种设备,它可以实现高精度、高速度、高稳定性的测量,广泛应用于半导体、光伏、涂装等行业。
同时,由于其简便易用,操作方便等特点,未来将会在更多领域得到广泛的应用和推广。
膜厚测试仪_易高456基本型
易高456基本型涂层测厚仪操作说明书分体式仪器,应该将探头插入主机内并确认连接好。
1) 按动◓键,启动仪器;2) 如果第一次测量该类型的产品,要在未喷涂的工件上进行仪器校准,校准方式:A按最左边按键,显示Place probe on cal standard or press next,将仪器探头垂直的放在工件上的校准片上,(校准片仪器自带,最好选择比喷涂的涂层或者镀层稍微高一些的校准片校准以得到准确的涂层厚度)B提起探头,通过第二三个按钮调节读数值和校准片标定值相同,然后按第四个键确认;C显示place probe on uncoated base or press next,然后拿开校准片,将探头垂直的放在工件上,D提起探头,重复步骤B调节读数为0;E然后按第四个键两次,结束校准。
然后放上校准片检验刚才校准是否正确,如果相差很小,说明校准没问题,如果偏差很大,说明刚才校准过程中有问题,重复进行步骤A-E即可。
3) 统计功能该仪器有简单的统计功能,可以进行最大值,最小值,平均值等的简单统计,开启和关闭该功能,可以通过仪器在开启待机状态下,按动第三个按钮,然后通过第二三个按钮选择”LCD上统计”菜单,然后按第四个按钮进行选择,然后按第一个按钮退出即可。
4) 背光功能为了能够正常的在光线差的地方使用者正常工作,该仪器有背光功能,通过按动功能表按钮,然后可以选择或取消该功能,按第一个键退出即可。
5) 更换电池当屏幕出现BATT时,需要更新电池。
选用两个七号普通电池。
长期不使用仪器应该取出电池以免电池露液损坏主板。
备注:1) 有些客户由于误操作选择了其他语言,致使无法正确操作。
可以通过如下方式进行调节。
按住第一个键,然后按开关键启动仪器,通过第二三个按钮选择中文,然后按动第一个按钮退出即可。
2) 仪器不用的时候,应该及时放入包装盒内,避免放在口袋里,容易造成液晶屏损坏。
3) 仪器不用的时候,探头不能折死结存放,以免折断信号线造成仪器无法使用。
膜厚测试仪_456_2
LAST READING -由统计计算删除最后一个读数3.4.2设定菜单CAL METHOD-选择校准方法。
见5节。
STATISTICS -选择简单统计数据并显示出来。
BACKLIGHT -背景光开启/关闭。
功能开启后,每一次读数后或每按一次键后,背景光自动照明4秒。
开启背景光将降低电池寿命。
PROBE -显示探头型号,或选择双探头范围。
UNITS -选择测量单位。
OUTPUT -选择红外打印输出。
BEEP VOLUME -关闭声音,或设定音位从1(低)到5级(高)。
LANGUAGE -语言选择AUTO SWITCH -OFF -选择延时时间,或关闭此功能。
OPENING SCREEN -(屏幕开启功能)开启/关闭此功能。
3.4.3复位FACTORY CAL -将仪器复位到出厂时的校准设定。
INTL GUAGE -将仪器复位到国际设定,如DD/MM/YY (日/月/年)日期模式及公制显示。
USGUAGE -将仪器复位到USA 美国设定,如MM/DD/YY (月/日/年)日期模式及公英制显示。
3.4.4ABOUT 显示探头及仪器信息PROBE INFORMATION -显示接到主机上的探头的系列号,型号,及范围。
FNF1探头图例。
GAUGE INFORMATION -显示仪器信息4.一般操作说明4.1仪器开/闭对有分离式探头及PINIP 探头主机,按开关键◓可开/闭仪器。
对集成探头式仪器,仪器探头放置被测表面时自动开启。
按下◓ 键,并保持3秒,仪器被关闭。
仪器将发出声音:两个单音跟着一个双音。
456仪器可在最后一个测量数据的60秒后自动关闭。
此时间可以在SETUP 设定功能中调整到最长10分钟,或关闭此功能。
4.2开启屏幕及读数屏开启屏幕显示可通过SETUP 设定菜单关闭。
仪器随后显示读数屏。
显示所有统计数据的读数屏。
注意:如果CAL 键闪烁,仪器需要从新校准。
这是应为校准方法已被改变,或已改变探头。
晶控说明书
1、原理:利用晶体的振荡频率与晶体固有质量存在对应关系的原理来测量镀在晶片上的膜层厚度,基本公式为T=2π(m/k)1/2,其中T为振荡周期,m 为晶片质量,k为弹性系数。
当膜料镀到晶片上时,晶片质量增加,导致整体振荡频率变小,通过一系列的复杂计算得出单位时间内晶片表面增加的质量,再根据膜料的密度等参数,最终算出膜层厚度和蒸发速率。
2.内容:2.1 检查晶振片使用寿命:2.1.1 打开膜厚控制仪电源开关:把电源按键打在“1”位置,此时各指示灯亮。
膜厚控制仪的“PARAMETER/STATUS”显示屏上显示出该控制仪软件版本号、所安装的一些程序,并提示“Press any key to continue”;此时按任意键确认,即可以进入主控制页面。
参数显示窗Parameter/Status显示屏电源按键功能键光标移位键数字键盘区图1 膜厚控制仪的面板图2 MDC-360的显示窗与功能键2.1.2 延时几秒钟后,“参数显示窗”中的“CRYSTAL HEALTH”(见图2)显示对应晶振探头的晶振寿命,作业员可根据显示的值判断是否需要更换晶振片。
2.1.3 若使用多个晶振探头的,按“RESET”功能键(见图3)复位后,按“STATUS”功能键一次或两次,屏幕上可显示各个晶振片的寿命,如下所示:(膜系名称) (某一层膜料名称)Process ReadySource Status Sensor StatusSrc# Pck# Power Snsr# Xtal# Health1 00.0 1 992 00.0 2 982.2 查看、编辑膜料参数设置:2.2.1按“RESET”功能键复位后,按“PROGRAM”功能键,显示屏显示主菜单“MAIN MENU”,具体如下:Main Menu1.View/edit process2.View/edit material3.View Results4.Edit system setup图3 PARAMETER/STATUS显示屏与数字键区4.2.1 使用“光标移位键”(见图3)移动光标,选定“View/edit material”项目;用“光标移动键”或“数字键盘区”(见图3)的回车键进入该页,具体如下:select material 01 Ta2O5-502 Ta2O5-603 SiO2-1-6A1-Copy material 04 SiO2-2-6A0-Delete material 05 SiO2-3-8A-View/Edit material ......2.2.2 先移动光标在膜料列表选择所需查看或编辑的膜料,直接移动光标进入或按“回车键”进入选中的膜料参数列表;移动光标查看膜料的参数设置;如果需要修改某项参数,在数字键盘(见图3)上输入改变的数值,然后移动光标,即完成修改。
2.膜厚仪操作说明31-61页
Au/Pd/Ni
(Au) ( 0.03 - 4.0 um) ( 1.2 - 160 u") (Pd) ( 0.3 - 30 um) ( 12 -1200 u")
Cr/Ni/Cu (Cr) ( 0.5 - 5.0 um) ( 20 - 200 u") (Ni) ( 0.5 - 20 um) ( 20 - 800 u")
( c ) Σ ( X - X )2 之值為 : ( X1 - X )2 = 0.0064 ( X2 - X )2 = 0.0144 ( X3 - X )2 = 0.0784 ( X4 - X )2 = 0.1024
+ ( X5 - X )2 = 0.0064 總累積加成和 Σ = 0.2080
儀器必須使用三相插頭連到一個已接地的插座上。
24、 儀器和附件的維修
只有授權人員才能修理FISCHERSCOPE® X-RAY儀器。
打開儀器
儀器包含產生高壓的元件。 只有授權人員才能打開儀器。 打開儀器之前必須斷開電源! 打開儀器進行維護時必須十分小心!
25、常用元素符號、原子序、密度及合金之代表
符號 原子序 名稱
(XULM-XYm.M9A(6.14)) P.34
* EN (NiP) (化學鎳) (無電解鎳)
1) 低磷 EN:含磷量 6%以下,密度:8.315 2) 中磷 EN:含磷量 7 ~ 9%,密度:8.164 3) 高磷 EN:含磷量 10~12%,密度:8.020
* 合金銅:
1) Bronze (青銅) (銅錫合金,錫含量約 4-6%) 2) Brass (黃銅) (銅鋅合金,鋅含量約 40%) 3) Red Brass (紅銅) (鋅 15%,銅 85%) 4) Phosphor bronze (磷青銅) (銅 95%,錫 4.3~10%,磷 0.2%)
薄膜物理膜厚的测量与监控.精选PPT
dT dMdP
表2-8膜厚的测试方法
采用电阻法测量的薄膜电阻值范围介于几分之一欧至几百兆欧之间,一候达到设计电阻值时,通过继电器控制电磁阀挡板,便可立即
停止蒸发淀积。
利薄用膜上 的述厚原度膜理。厚制成定的义石英晶体膜测厚试监控手仪段国产型号有MS测B-1型试、方SK法-lA(B)型等用于电阻或电子束蒸发设备上,监控金属、半导体和介质
一、膜厚的分类
薄膜通常是在基板的垂直方向上所堆积的1~104的原子层或分子 层。在此方向上,薄膜具有微观结构。
理想的薄膜厚度是指基片表面和薄膜表面之间的距离。
图2-30是实际表面和平均表面的示意图。平均表面是指表面原子 所有的点到这个面的距离代数相等于零,平均表面是一个儿何概念。
• 通常,将基片一侧的表面分子的集合的平均表面称为基 片表面Ss; • 薄膜上不与基片接触的那一侧的表面的平均表面称为薄膜形状表面Sr; • 将所测量的薄膜原子重新排列,使其密度和块状材料相同且均匀分布 在基片表面上,这时的平均表面称为薄膜质量等价表面Sm; • 根据测量薄膜的物理性质等效为一定长度和宽度与所测量的薄膜相同
这已成为膜厚测量的标准方法。
所用传感规实际上是经过改型的B-A真空规,其结构如图2-33所示。
由于两者之间间隔很小,于是干涉条纹就非常窄。
采用电阻法测量的薄膜电阻值范围介于几分之一欧至几百兆欧之间,一候达到设计电阻值时,通过继电器控制电磁阀挡板,便可立即
停止蒸发淀形积状。 膜厚 机械方法
触针法,测微计法
利用上述原理制成的石英晶体膜厚监控仪国产型号有MSB-1型、SKlA(B)型等用于电阻或电子束蒸发设备上,监控金属、半导体和介质薄膜 的厚度。
《薄膜厚度监控》PPT课件
功率及时间变化,并有同步曲线图显示动态流程
极值法
★极值法的控制原理: 薄膜的透射光或反射光强度是随薄膜厚度的变化而变化的,当薄膜的光学厚度 在四分之一和二分之一光学波长厚度时,薄膜的透射、反射光谱会出现极值, 右图时不同折射率材料的薄膜的反射、透射率随光学厚度的变化曲线。
★在光路中设置一个单色仪或窄带干涉滤光片,测量薄膜的透射率或反射率随薄 膜沉积厚度的变化而变化;利用沉积过程中出现极值点的次数来控制四分之 一波长整数倍膜层的方法称为极值法。
波长调制法
• 波长调制法比极值法的控制精度更高,它不是测量控制片的反射率(透射率), 而是测量反射(透射)率对波长的导数。在极值点,反射率曲线的导数为零。这 样在控制四分之一波长或其整数倍厚度膜层的精确方法。
• 下图是波长调制法监控示意图。由光源发出白光,透过(当然也可以反射)控制 片而照射到单色仪的入射狭缝,从单色仪振动狭缝出射的单色光被光电倍增管接 收,然后经电路系统显示。振动狭缝的作用就相当于对从单色仪来的光进行对波 长的导数。
极值法
• 过正控制: • 由于极值法的固有精度不高,在极值处监控信号对于膜厚的变化不够灵敏。所以有经验的镀
膜操作者一般并不把沉积停止在理论极值处,而是停止在眼睛能分辨的反转值处,其目的是 故意产生一个一致性的过正量,以减小判断膜厚的随机误差,该方法就是过正控制。
膜厚控制仪 图文
简单的镀膜机
Sensor with Crystal
VACUUM CHAMBER
Feed-through
Oscillator (XIU) & Cables
DEPOSITION CONTROLLER
POWER SUPPLY
SHUTTER CONTROL
CONTROL VOLTAGE
7
测量原理
石英晶体的频率飘移与附加上的质 量的关系: 附加上的质量增加,振 荡频率降低
12
ModelockTM 优点
消除频率跳跃 对高阻尼的晶片延长了寿命(200%) 0.005 Hz 测量精度 测量速率 10 Hz 可自动检测声阻抗率: -“Auto Z”
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频率跳跃---测量误差
14
晶片寿命----耗材成本
15
Z 比率---测量误差
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AUTO Z 的优点
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膜厚控制仪的控制功能
质量 = 密度 X 面积 X 厚度
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测量原理
膜的厚度 (Lu and Lewis) : Tf = (Nq dq / p df fc Z) arctan (Z tan[p (fq - fc)/f q]) (accurate for >2MHz frequency shift)
Z – 比率: Z = ( d q mq / d f mf ) ½
ModelockTM 专利技术
晶片在电路中是无源元件 数字合成频率施加给晶片 测量晶片(电路)对施加的该能量的反应 * 如果反应是电感性的,说明施加的频率比晶片的基准频率高 *如果反应是电容性的,说明施加的频率比晶片的基准频率低 *如果反应是纯电阻性的,说明施加的频率与晶片的基准频率 一致
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功率 降低 2
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性能卓越的IC/5 膜厚控制仪
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IC/5 性能参数及突出特点 ——高精度
使用ModelockTM 技术
晶振片频率可使用范围比传统技术提高50% -- 达到1.5MHz(6.0-----4.5 MHz)
高的测量分辨率:0.006 埃/秒/每次测量 (D=1.0,Z=1.0,F=6Mhz)
• 典型膜厚精度:0.5% • 可实现 自动 Z参数及自动调整功能
-- 用于复合材料/混合材料等材料参数不确认时 -- 大大提高测量精度 auto-z.bmp
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IC/5 性能参数及突出特点 ——特殊功能
可同时控制两个蒸发源或电子枪实现共镀膜 -- 利用仪器自动交互式校准,实现精确控制两种材料
的比例 可同时连接6个源,可控坩埚位64位 -- 控制电压0至+/-10V 或+/-5V或+/-2.5V 可同时连接测量8个探头,同时显示各探头工作信息 可单独设定六探头各个工作位置针对不同材料
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ModelockTM 优点
消除频率跳跃 对高阻尼的晶片延长了寿命(200%) 0.005 Hz 测量精度 测量速率 10 Hz 可自动检测声阻抗率: -“Auto Z”
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频率跳跃---测量误差
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晶片寿命----耗材成本
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Z 比率---测量误差
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AUTO Z 的优点
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膜厚控制仪的控制功能
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简单的镀膜机
Sensor with Crystal
VACUUM CHAMBER
Feed-through
Oscillator (XIU) & Cables
DEPOSITION CONTROLLER
POWER SUPPLY
SHUTTER CONTROL
CONTROL VOLTAGE
7
测量原理
石英晶体的频率飘移与附加上的质 量的关系: 附加上的质量增加,振 荡频率降低
质量 = 密度 X 面积 X 厚度
8
测量原理
膜的厚度 (Lu and Lewis) : Tf = (Nq dq / p df fc Z) arctan (Z tan[p (fq - fc)/f q]) (accurate for >2MHz frequency shift)
Z – 比率: Z = ( d q mq / d f mf ) ½
ModelockTM 专利技术
晶片在电路中是无源元件 数字合成频率施加给晶片 测量晶片(电路)对施加的该能量的反应 * 如果反应是电感性的,说明施加的频率比晶片的基准频率高 *如果反应是电容性的,说明施加的频率比晶片的基准频率低 *如果反应是纯电阻性的,说明施加的频率与晶片的基准频率 一致
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专利技术 ModelockTM
我们连续调整施加的频率,使其跟踪晶片的基准频率,该频率 由于晶片质量增加而降低。 这使我们可以连续锁定在基准频率,排除了“频率跳跃及其造成 的误差。 我们设计的测量演算系统可以检测到非常低的能量水平,因此 延长了晶片使用寿命,提高了灵敏度 我们也可测量两种不同的测量频率,基准频率和某非谐振频率 这样就可实现自动测量Z比率 = AUTO Z
膜厚控制仪培训
INFICON公司的膜厚控制仪系列:
IC/5 XTC/2,XTC/C XTC/3 XTM CYGNUS
Update:18/11/2005
1
1
如何使用本培训资料一
本培训资料仅用于内部工程师培训, 也可用于Agent培训 可选择性用于客户,销售人员培训
2
如何使用本培训资料二
本培训包括:
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IC/5 性能参数及突出特点 -复杂的工艺控制
一次可执行50 工艺过程 一次可完成250 膜层 仪器自带材料库(255 种)可供选择 -- 可同时对24种材料进行编辑
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Tf = 膜厚 Nq = 166,100 Hz cm for AT cut quartz
dq = 石英密度
df = 膜的密度
fc = 镀膜后的频率.
fq = 未镀膜前的频率
mq = 石英的切变模量 mf = 膜的切变模量
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传统测量技术 有源振荡器
在振荡器电路中晶片是有源元件 晶片振荡需要吸收能量, 随着镀上的质量的增加,振荡所
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IC/5 性能参数及突出特点 -强大的I/O功能
TTL/CMOS输入:标准14个,可选至28个
继电器输出:标准8个,可选至24个,可编程(30V,2.5A)
可选的DAC记录仪输出 ,可选的14位TTL输出
功能强大的逻辑编程语句控制
-- 可执行100 条 IF / THEN 逻辑语句 -- 各系统可通过逻辑编程语句自动控制 -- 可控制镀膜过程 -- 可控制外部输出状态 -- 可控制计时器或计数器 -- 可控制显示信息
膜厚仪原理(突出Modelock) IC/5 膜控仪
* IC/5 性能指标 * IC/5 编程 * IC/5 维修 附件(探头,法兰,晶片) * 如何正确选择 * 如何正确使用 * 维护与维修
3
膜厚控制仪组成
真空室
探头
最远72 英寸
振荡器 6 英寸
电源
挡板控制
0 - 10 VDC 控制电压
最长100 英尺
需的能量也要增加,最终电路提供的最大能量也不能使晶片 震荡,就会出现晶片失效的报警。
但晶片振荡频率会跳跃到某频率,在该频率下其振荡所需 的能量降低(即晶片在基准频率以外的频率处振荡)
* 不同的振荡频率质量与频率的关系是不同的 * 所以“频率跳跃”会导致镀膜速率与厚度的偏差。
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INFICON 专利测量技术 ModelockTM
膜厚控制仪
组件
• 控制仪 • 振荡包 (XIU) • 连接法兰 • 探头 • 晶片 • (压缩空气控
制阀)
4
Inficon 膜厚控制仪产品历史
5
膜厚测量原理
膜厚控制仪是利用石英晶体的压电效应,通过测量 石英晶体的震荡频率的变化转换出膜的厚度 电场加到石英晶体上可使晶体产生振荡
最低的振荡频率叫做基准频率 本公司的晶片的基准频率是 6 MHz
基本控制功能 -- 控制源的功率
-- 控制挡板开关
-- 控制坩埚转位
扩展控制功能
-- 提供继电器控制信号
-- 可控:真空计,真空泵,计时器,……
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膜控仪的工作流程
电 镀膜前
镀膜中
源
功
速
率
功
率
预率预 镀 提 镀
功率提 熔 升1 1提 升 2熔 2源自膜升 1膜
时间
镀膜后
功 率 降 低 1
功 率 保 持