芯片内部结构PPT
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第2章 89C51单片机硬件结构和原理 (单片机原理课件)
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单片机原理及接口技术
1、准双向 当I/O口作为输入时,应先向此口锁存器写入 全1, 此时该口引脚浮空,可作高阻抗输入。
17:43
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单片机原理及接口技术
2、P0口:
P0口可作为一个8位数据准双向输入/输出口;
在CPU访问片外存储器时,P0口为分时复用的
低8位地址总线和8位数据总线。
17:43
3、片内4KB程序存储器Flash ROM(4KB): 用以存放程序、一些原始数据和表格。但有一些单片机内
部不带ROM/EPROM,如8031、8032、80C31等。
4、四个8位并行I/O(输入/输出)接口 P0~P3: 每个口可以用作输入,也可以用作输出。
17:43
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单片机原理及接口技术
5、两个或三个定时/计数器: 每个定时/计数器都可以设置成计数方式,用以对外部 事件进行计数,也可以设置成定时方式,并可以根据 计数或定时的结果 实现计算机控制。 6、一个全双工UART的串行I/O口: 可实现单片机与单片机或其它微机之间串行通信。 7、片内振荡器和时钟产生电路: 但需外接晶振和电容。 8、五个中断源的中断控制系统。 9、具有节电工作方式:
(3)8位程序状态寄存器PSW: (4)8位寄存器B:
(5)布尔处理器: (6)2个8位暂存器:
17:43
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单片机原理及接口技术
1)运算器 (1)8位的ALU: 可对4位、8位、16位数据进行操作。
17:43
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单片机原理及接口技术
(2)8位累加器ACC(A): • 它经常作为一个运算数经暂存器2进入ALU 的输入端,与另一个来自暂存器1的运算数 进行运算,运算结果又送回ACC。
17:43
《LED芯片结构》课件
《LED芯片结构》PPT课件
# LED芯片结构
1. LED简介
什么是LED
LED是发光二极管的简称,它是一种能够将电能 转化为光能的半导体器件。
LED应用场景
LED在照明、显示、通信等领域有广泛应用,比 传统照明产品更节能、寿命更长。
2. LED芯片的结构
1 LED芯片的组成
LED芯片由n型半导体层、p型半导体层和PN结构组成。
亮度和发光效率 色温和色彩指数 电学特性
6. LED芯片制造发展趋势
晶体管节点
随着技术的发展,LED芯片中的 晶体管的尺寸越来越小。
晶体管材料
研究新型材料,提高晶体管的性 能和可靠性。
光学提高
研究新的光学技术,提高LED芯 片的光效和发光效果。
7. 总结与展望
1 LED芯片结构的未来发展
2 LED的应用前景
4. LED芯片制作工艺流程
原材料准备
准备所需的半导体材 料和其他制作工艺所 需的辅助材料。
GAN外延生长
通过外延生长技术在 衬底上制备出GaN材 料。
PN结制备
在GaN材料上制备好 PN结,确保电子空穴 对的正常工作。
金属化和光学 处理
对PN结进行金属化处 理,并进行光学特性 的优化。
5. LED芯片性能指标
2 图解LED芯片结构
LED芯片结构示意图如图所示,清晰展示各个组成部分的位置和作用。
3. LED芯片工作原理
1
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
PN结
LED芯片的发光原理是通过PN结区域内电子空穴对的复合来释放光能。
2
准直器和光学栅片
LED芯片内部的准直器和光学栅片帮助控制光的方向和扩散。
3
# LED芯片结构
1. LED简介
什么是LED
LED是发光二极管的简称,它是一种能够将电能 转化为光能的半导体器件。
LED应用场景
LED在照明、显示、通信等领域有广泛应用,比 传统照明产品更节能、寿命更长。
2. LED芯片的结构
1 LED芯片的组成
LED芯片由n型半导体层、p型半导体层和PN结构组成。
亮度和发光效率 色温和色彩指数 电学特性
6. LED芯片制造发展趋势
晶体管节点
随着技术的发展,LED芯片中的 晶体管的尺寸越来越小。
晶体管材料
研究新型材料,提高晶体管的性 能和可靠性。
光学提高
研究新的光学技术,提高LED芯 片的光效和发光效果。
7. 总结与展望
1 LED芯片结构的未来发展
2 LED的应用前景
4. LED芯片制作工艺流程
原材料准备
准备所需的半导体材 料和其他制作工艺所 需的辅助材料。
GAN外延生长
通过外延生长技术在 衬底上制备出GaN材 料。
PN结制备
在GaN材料上制备好 PN结,确保电子空穴 对的正常工作。
金属化和光学 处理
对PN结进行金属化处 理,并进行光学特性 的优化。
5. LED芯片性能指标
2 图解LED芯片结构
LED芯片结构示意图如图所示,清晰展示各个组成部分的位置和作用。
3. LED芯片工作原理
1
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
PN结
LED芯片的发光原理是通过PN结区域内电子空穴对的复合来释放光能。
2
准直器和光学栅片
LED芯片内部的准直器和光学栅片帮助控制光的方向和扩散。
3
soc芯片ppt课件
外设接口设计
外设接口类型
选择合适的外设接口类型,如SPI、I2C、 UART等。
外设中断处理
实现外设中断的快速响应和处理。
外设驱动程序开发
编写外设驱动程序,实现外设与处理器核的 通信和控制。
外设时钟管理
对外设接口进行时钟管理,确保外设正常工 作。
03
CHAPTER
SOC芯片开发流程
需求分析
01
总结词
智能语音助手芯片是SOC芯片在智能语 音识别领域的应用,它能够实现高效、 准确的语音识别和语音合成,为智能语 音助手提供强大的技术支持。
VS
详细描述
智能语音助手芯片集成了高性能的语音信 号处理算法和人工智能技术,能够快速、 准确地识别用户的语音指令,并自动完成 相应的任务。它广泛应用于智能家居、智 能车载、智能客服等领域,为用户提供便 捷、高效的人机交互体验。
SOC芯片在通信领域中主要用于高速数据传输和处理,如路由器、交换机等设备中;在计算机领域中主要用于高 性能计算和数据中心等;在消费电子领域中主要用于智能手机、平板电脑等便携式设备中;在汽车电子领域中主 要用于车载娱乐系统、安全控制系统等。
SOC芯片的发展历程
总结词
SOC芯片的发展历程经历了从简单到复杂、从单一到多元的演变。
详细描述
SOC芯片是一种系统级芯片,它将多个功能模块集成在一个芯片上,实现了高 度的集成度和性能。相比传统的集成电路芯片,SOC芯片具有更低的功耗、更 高的性能和更小的体积,因此被广泛应用于各种领域。
SOC芯片的应用领域
总结词
SOC芯片在通信、计算机、消费电子、汽车电子等领域有着广泛的应用。
详细描述
多核协同工作
智能休眠与唤醒
芯片资料PPT
其他领域应用展望
物联网领域
物联网设备需要大量芯片支持, 如传感器芯片、RFID芯片等。
汽车电子领域
汽车智能化、电动化趋势加速, 对芯片需求不断增长,如自动驾 驶芯片、车载娱乐系统芯片等。
医疗器械领域
医疗器械对芯片精度和稳定性要 求极高,如心脏起搏器芯片、医
疗影像设备芯片等。
05
芯片产业链及竞争格局分析
产业链上游:原材料与设备供应商
原材料
主要包括硅片、光刻胶、化学气体、 靶材等,这些原材料的质量直接影响 到芯片的质量和性能。
设备供应商
芯片制造需要高精度的设备,如光刻 机、刻蚀机、离子注入机等,这些设 备的供应商在产业链上游占据重要地 位。
产业链中游:芯片设计与制造企业
芯片设计
芯片设计是芯片产业链的核心环节,需要专业的芯片设计人才和先进的EDA工 具。
行业标准制定
行业组织和企业积极参与芯片标准制定,推动产 业规范化发展。
知识产权保护
加强知识产权保护力度,保障创新者的合法权益 ,促进技术创新和产业发展。
THANKS
感谢观看
混合信号芯片
同时包含模拟和数字 电路的芯片,用于处 理复杂的信号和控制 任务。
芯片主要技术参数解析
封装形式
指芯片封装后的外观和尺寸, 如DIP、QFP、BGA等。
工作电压与电流
芯片正常工作所需的电压和电 流范围。
工艺制程
描述芯片制造过程中所使用的 技术,如纳米级别表示晶体管 尺寸大小。
引脚数
芯片上的引脚数量,决定了芯 片与外部电路的连接能力。
完善的质量检测体系
建立全面的质量检测体系,对பைடு நூலகம்个生 产环节进行严格把关,确保产品符合 质量要求。
微流控芯片PPT课件
在化学分析领域的应用
化学合成
药物分析
微流控芯片可用于小规模和高通量的化学 合成,提高合成效率和产物纯度。
用于药物的分离、纯化和分析,提高药物 分析的准确性和灵敏度。
环境监测
食品安全
用于检测水、土壤、空气等环境中的有害 物质和污染物。
用于检测食品中的农药残留、重金属等有 害物质。
在环境监测领域的应用
感谢您的观看
THANKS
食品安全
用于快速检测食品中的有害物质,提高食品安全监管效率。
微流控芯片面临的挑战与解决方案
制造工艺
目前微流控芯片制造工艺成本较高,需要进一步降低成本,提高 生产效率。
流体控制
微流控芯片中的流体控制精度和稳定性有待提高,需要加强相关技 术研发。
交叉污染
不同样本间的交叉污染问题需引起重视,应加强清洗和隔离技术的 研究。
柔性电子技术的不断发展,将推动微 流控芯片在可穿戴设备、生物医学等 领域的应用。
智能化
通过与人工智能、机器学习等技术结 合,微流控芯片将具备更强的数据处 理和决策能力。
微流控芯片在未来的应用前景
生物医学研究
用于疾病诊断、药物筛选和个性化医疗等领域。
环境监测
用于实时监测空气、水质等环境参数,保障公共卫生安全。
04 微流控芯片的应用实例
在生物医学领域的应用
疾病诊断
微流控芯片可用于快速检测和诊断各 种疾病,如癌症、传染病等。
药物筛选
通过微流控芯片技术,可以快速筛选 和测试新药的有效性和安全性。
细胞培养和分化
微流控芯片可以模拟细胞生长和分化 的微环境,用于研究细胞生物学和再 生医学。
基因检测
利用微流控芯片进行基因突变、基因 表达等检测,有助于疾病的预防、诊 断和治疗。
单片机结构(共46张PPT)
MCS-51单片机的结构原理
8051是MCS-51系列单片机的典型产品, 我们以这一代表性的机型进行系统的讲 解。
➢ 内部结构
➢ 外部引脚 ➢ 工作时序
➢ 实例分析
第1页,共46页。
典型单片机结构
T0 T1
时钟电路 ROM
内部总线 CPU
RAM
定时/计数器
并行接口
串行接口
中断系统
中央处理器 数据存储器(RAM)
输入输出引脚
P1.0
➢ P0:P0.1~P0.7
P1.1
➢ 漏极开路双向I/O
P1.2 P1.3
➢ 一般为数据总线口
P1.4
➢ P1:P1.1~P1.7
P1.5 P1.6
➢ 拟双向I/O通道
➢ P2:P2.1~P2.7
P1.7 RST
RXD/P3.0
➢ 拟双向I/O通道
TXD/P3.1 INT0/P3.2
P3口的第二功能表
I/O口
第二功能
注释
2个定时器T0、T1溢3,.0 然后从中间往两R头X逐D 个灭,周而复始 为1时:负边沿触发中断请求;
串行口数据接收端
分别由8位寄存器TH0、TL0 和 TH1、TL1组成。
else return(0);
28
14
27
15
26
16
25
17
24
18
23
19
22
20
21
第10页,共46页。
V CC P0.0/AD 0 P0.1/AD 1 P0.2/AD 2 P0.3/AD 3 P0.4/AD 4 P0.5/AD 5 P0.6/AD 6 P0.7/AD 7 EA/V PP ALE/PROG PSEN P2.7/A 15 P2.6/A 14 P2.5/A 13 P2.4/A 12 P2.3/A 11 P2.2/A 10 P2.1/A 9 P2.0/A 8
8051是MCS-51系列单片机的典型产品, 我们以这一代表性的机型进行系统的讲 解。
➢ 内部结构
➢ 外部引脚 ➢ 工作时序
➢ 实例分析
第1页,共46页。
典型单片机结构
T0 T1
时钟电路 ROM
内部总线 CPU
RAM
定时/计数器
并行接口
串行接口
中断系统
中央处理器 数据存储器(RAM)
输入输出引脚
P1.0
➢ P0:P0.1~P0.7
P1.1
➢ 漏极开路双向I/O
P1.2 P1.3
➢ 一般为数据总线口
P1.4
➢ P1:P1.1~P1.7
P1.5 P1.6
➢ 拟双向I/O通道
➢ P2:P2.1~P2.7
P1.7 RST
RXD/P3.0
➢ 拟双向I/O通道
TXD/P3.1 INT0/P3.2
P3口的第二功能表
I/O口
第二功能
注释
2个定时器T0、T1溢3,.0 然后从中间往两R头X逐D 个灭,周而复始 为1时:负边沿触发中断请求;
串行口数据接收端
分别由8位寄存器TH0、TL0 和 TH1、TL1组成。
else return(0);
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第10页,共46页。
V CC P0.0/AD 0 P0.1/AD 1 P0.2/AD 2 P0.3/AD 3 P0.4/AD 4 P0.5/AD 5 P0.6/AD 6 P0.7/AD 7 EA/V PP ALE/PROG PSEN P2.7/A 15 P2.6/A 14 P2.5/A 13 P2.4/A 12 P2.3/A 11 P2.2/A 10 P2.1/A 9 P2.0/A 8
MCU芯片介绍 ppt课件
8位单片机
优点: ➢ 芯片面积小,STC一般是DIP8/16/20,最大LQFP64L(16mm*16mm) ➢ 芯片功耗低,PIC单片机在4MHz时钟下工作耗电不超过2mA,在睡眠模式下耗电可以低至1uA以 下 缺点: ➢ 芯片运行速度慢,一般十几MHz ➢ 代码密度低 ➢ 内部EEPROM/Flash存储空间小 ➢ 外设少,没有USB/CAN等外设
瑞纳捷微控制器产品介绍
MCU芯片主打胶片
1
瑞纳捷 张先生
目录
1 公司介绍 2 芯片概述 3 案例介绍 4 应用领域 5 服务与承诺
MCU芯片主打胶片
2
2015-08-15
No Image
企业背景和产品
合作企业
武汉瑞纳捷电子 技术有限公司
• 坐落于武汉集成电路产 业园——光谷智慧园,
• 公司提供的芯片及解决 方案涵盖了移动通信、 金融支付、身份识别以 及信息安全等方面
GPIOA
DAC PWR BKP CAN USB I2C2 I2C1 UART3 UART2
SPI2 IWDG WWDG RTC TIM4 TIM3 TIM2
瑞纳捷 张先生
No Image
主要参数
内核:32 位处理器内核
− 最高 96MHz 工作频率 − 单周期乘法和硬件除法 − 嵌套向量中断控制器NVIC
存储器
− 256-1024K 字节的闪存程序存储器 − 20-32K 字节的 SRAM
MCU芯片主打胶片
8
瑞纳捷 张先生
No Image
主要参数
时钟、复位和电源管理
− 3.0~5.5 伏供电和 I/O 引脚 − 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD) − 4~16MHz 晶体振荡器 − 内嵌经出厂调校的 48MHz 的 RC 振荡器 − 内嵌带校准的 40kHz 的 RC 振荡器 − 产生 CPU 时钟的 PLL − 带校准功能的 32kHz RTC 振荡器
PD芯片介绍PPT课件
暗电流:
ID≤O.8nA
(VR=5.0V)
反向击穿电压 :VBR≥ 30V
(IR=10µA)
正向电压 : VF ≤ 1.0V
(IF=1mA)
饱和光功率 Ps=-3dBm
芯片尺寸
(250±20)×(250±20)×(200±20)μm
型号:PT2110-007-3 速率为155Mbit/s;主要用于光接收模 块;PIN PD单管
减小II,要求各异质结介面严格的晶格匹配,Δа/а尽量小,缓冲层、吸收层、 顶层均为完美晶体。
IT除取决于InGaAs材料本身的温度特性和实际的工作温度。
2019/9/12
9
二.PD 芯片设计说明
3电学参数 正向压降(VF), VF越小越好,VF=(Eg,WF,Ns),式中Eg是N、P电极接触
的半导体材料禁带宽度,WF电极金属材料的功函数,Ns是半导体材料表面 的参杂浓度,此值大不仅影响芯片的可靠性,还影响带宽。
分选
(筛选合格品)
高温存贮
目检后整理
录入系统
入进库房
清洗
性能参数 抽样检测
整批抽测
13
PD芯片参数定义与符号
参数名称
符号
单位
暗电流
Id
nA
定义:无光入射、加一定反向偏压下,流经PD的电流。
反向击穿电压
VBR
V
定义:反向电流为10uA时对应的反向偏压。
正向电压
VF
V
定义:正向电流为1mA(模拟PD为5mA)时,对应的正向偏压。
IP
IN
Ei E
RL 图1 高速PD芯片工作原理示意图
6
二.PD 芯片设计说明
1.结构参数 光敏面积(SⅠ),
《计数器芯片》PPT课件
带引脚名的逻辑符号
简化符号
5
(三)4位二进制同步可逆计数器芯片74 X 191
引脚分布
逻辑符号
6
带引脚名的逻辑符号
简化符号
7
74X191的功能表
没有清零,异步置数
8
9
(四)4位二进制同步可逆计数器芯片74X193
10
74X193的功能表
清零 预置
CR LD 1× 00 01 01 01
“加”计 “减”计 数时钟 数时钟
数过程中,跳过N-M个状态即可。 2.若M>N,需要多片N进制计数器级联,同步级联或异步级
联,然后再用反馈清零或反馈置数法构成M进制计器。
30
1.反馈清零法-适用于有清零输入端的集成计数器
(1)同步反馈清零法 例5-13 用集成计数器74X163和必要的门电路组成6进
制计数器,要求使用反馈清零法。
预置数据输入
CPU
CPD D3 D2 D1 D0
×
×
××××
×
× DCBA
1
1
××××
↑
1
××××
1
↑
××××
输出
Q3 Q2 Q1 Q0 0000 DCB
保A 持 计数 计数
工作模式
异步清零 异步置数 数据保持 加法计数 减法计数
异步清零,异步置数
11
12
(五)8421BCD码同步加法计数器74X160 芯片
4 位二进制“加” 计数器 异步(低电平有效) 同步(低电平有效)
十进制 “加” 计数器
同步(低电平有效) 同步(低电平有效)
4 位二进制“加” 计数器 同步(低电平有效) 同步(低电平有效)
芯片 ppt课件
❖ 简单的I/O口扩展主要包括: ❖ 缓冲器扩展输入口(三态门: 74LS244、74LS245等) ❖ 输入接口的主要功能:解决数据输入的缓冲问题,如74ls244(
具有三态缓冲功能,这样才可以和数据总线相连)。 ❖ 锁存器扩展输出口(锁存器: 74LS273、74LS373、
74LS377等) ❖ 输出接口的主要功能:进行数据的保持(数据锁存)。
00
方式1:A、B口基本I/O;C口输入
11
方式2:A、B口基本I/O;C口输出
01
方式3:A口选通I/O;B口基本I/O
10
方式4:A、B口选通I/O
A口 0:禁止中断 B口 1:允许中断
计数器 方式
00:空操作 01:停止计数 10:计满后停止 11:开始计数
8155的命令字格式
D7 D6 D5 D4 D3 DD32 D2D1 DD01 D0 TM2 TM1 IEB IEA PC2 PCP2C1 PCP1B PAPB PA
PC0 PC1 PC2 PC3 PC4 PC5
37 38 39 1 2 5
芯片引脚功能:
三态地址/数据 复用线
地址锁存线
RAM及IO选择
CPU
复位端
读选通信号线 写选通信号线
片选线
AD0
PA0
AD1
PA1
AD2
PA2
AD3 AD4 AADD56 AD7
PA3 PA4 PPAA56 PA7
PB0
ALE
概述
一、I/O 系统的组成
I/O 系统
I/O 设备
输入:键盘、磁盘、光盘、扫描仪 … 输出:显示、打印机、笔绘仪、磁盘 …
I/O 接口:8155、8255、8253、8251、8279 …
具有三态缓冲功能,这样才可以和数据总线相连)。 ❖ 锁存器扩展输出口(锁存器: 74LS273、74LS373、
74LS377等) ❖ 输出接口的主要功能:进行数据的保持(数据锁存)。
00
方式1:A、B口基本I/O;C口输入
11
方式2:A、B口基本I/O;C口输出
01
方式3:A口选通I/O;B口基本I/O
10
方式4:A、B口选通I/O
A口 0:禁止中断 B口 1:允许中断
计数器 方式
00:空操作 01:停止计数 10:计满后停止 11:开始计数
8155的命令字格式
D7 D6 D5 D4 D3 DD32 D2D1 DD01 D0 TM2 TM1 IEB IEA PC2 PCP2C1 PCP1B PAPB PA
PC0 PC1 PC2 PC3 PC4 PC5
37 38 39 1 2 5
芯片引脚功能:
三态地址/数据 复用线
地址锁存线
RAM及IO选择
CPU
复位端
读选通信号线 写选通信号线
片选线
AD0
PA0
AD1
PA1
AD2
PA2
AD3 AD4 AADD56 AD7
PA3 PA4 PPAA56 PA7
PB0
ALE
概述
一、I/O 系统的组成
I/O 系统
I/O 设备
输入:键盘、磁盘、光盘、扫描仪 … 输出:显示、打印机、笔绘仪、磁盘 …
I/O 接口:8155、8255、8253、8251、8279 …
LED芯片结构演示幻灯片
G
I
A
C
D
G
AH
E
B
F J
图2.1 单电极芯片结构示意图
单电极芯片结构代码含义
代码
说明
A
p极金属层
B
发光区
C
p层
D
n层
E
n型结晶基板
代码 F G H I J
说明 n极金属层 芯片尺寸(长×宽) 芯片高度 电极厚度 电极直径
2020/4/23
济南大学理学院
第2章 LED的封装原物料
§2.1.2 LED双电极芯片
第2章 LED的封装原物料
2020/4/23
苏永道 教授
济南大学 理学院
济南大学理学院
第2章 LED的封装原物料
LED的封装工艺有其自己的特点。对LED封装前首先要做 的是控制原物料。因为许多场合需要户外使用,环境条件往往 比较恶劣,不是长期在高温下工作就是长期在低温下工作,而 且长期受雨水的腐蚀,如LED的信赖度不是很好,很容易出现 瞎点现象,所以注意对原物料品质的控制显得尤其重要。
◆ 蓝宝石(Al2O3) 三种衬底材料: ◆ 硅 (Si)
◆ 碳化硅(SiC)
一、蓝宝石衬底
1.生产技术成熟、器件质量较好 ;
蓝宝石衬底有许多的优点:
2.稳定性很好,能够运用在高温生长过 程中;
3.机械强度高,易于处理和清洗。
2020/4/23
济南大学理学院
第2章 LED的封装原物料
蓝宝石衬底存在的问题:
GaP/GaP AlGaInP/GaAs
GaP/GaP AlGaInP/GaAs GaInN/Sapphire GaInN/Sapphire
GaAs/GaAs AlGaAs/GaAs AlGaAs/AlGaAs
相关主题
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7
电源管理芯片
6.内部器件及尺寸
模组尺寸3.0*2.5*0.9mm 功率电感尺寸2.0*1.2*0.5mm 半导体IC尺寸(加引脚) 1.4*0.9*0.3mm
8
电源管理芯片
7.内部功率电感
端留边0.12mm,侧留边0.14mm ,电极宽0.2mm,电极厚0.02mm ,产品高度<0.5mm,有效圈数4.5 (推测RDC在75-95mΩ)
电源管理芯片
电源管理芯片样品模组 结构分析
2017年4月
1
电源管理芯片
2
电源管理芯片
一、电源管理样片结构
1.外观
正面
激光打标AGRG22-191未搜到芯 片datasheet
底面
整版镀锡后 再切割
3
电源管理芯片
2.内部结构
CT
201205 尺寸功 率电感
半导体IC
4
电源管理芯片
3.底部焊盘结构
电源管理芯片
10.半导体IC电极引出铜柱焊接
树脂有界面,推测 上部无颗粒部分为 IC引出电路保护层
高纯度Cu
Sn焊接 Sn-Cu界面层
推测芯片焊接方式与电感一致,即将裸芯片放置在锡膏上,过回流焊炉完成焊接
;
12
电源管理芯片
11.半导体IC电极引出封装结构
1
4
6 7
23 5
IC半导体主体 微电路——W金属层 隔层——Al金属层 微电路——W金属层 电极引出触点——Al金属层 隔层——Al金属层
3层夹层
磁体为镍铜锌铁氧体
从引出端及连接点方式推测,疑似FDK的功率电感 MIPSUZ2012GR47,0.47uH,RDC 100mΩ±30%, Isat 1.5A;
9
电源管理芯片
8.电感端头及焊盘结构
沾银层 镍层 锡层
焊接锡
锡-铜层 PCB铜电极
内部焊盘结构推测:无专用焊盘,直接在铜电极上点锡焊接电感及半导体芯片;
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电源管理芯片
9.半导体IC
树脂形貌相同,推测 IC未做树脂封装,直 接焊接在铜电极上
半导体IC尺寸(加引脚) 1.4*0.9*0.26mm
半导体部分:180um 电极接口部分:15um 电极引出部分:65um
树脂有层界面,上边无颗粒层应为IC引出电路保 护层;铜柱引出电极应是与IC一体;
半裸IC 11
引出电路保护——碳层
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电源管理芯片 ——各层磨片尺寸
底部焊盘
1
2
PCB铜 电极层
PCB内部 焊接点
3
4
器件层
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电源管理芯片
一、电源管理样片结构
12.总结
推测可能的工艺路线如下:
铜片
正反两 面蚀刻
点锡 打标
镀底部 焊盘
塑封
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电源管理芯片
THANK YOU!
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放大
只有1层,16um厚 ,成分为锡;与铜 电极界面无其他金 属
工艺可能是电极显露后直接镀锡
5
电源管理芯片
4.内部电极电路
电极总厚200um,成分 为铜,无层状分界界面 ;形貌上有2个弧形, 高度分别是 130um/70um;推测是 整版铜片正反两次蚀刻 形成;
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电源管理芯片
5.封装树脂
封装树脂为硅基,PCB电极平面处未发 现层状界面,推测为一次封装成型;
电源管理芯片
6.内部器件及尺寸
模组尺寸3.0*2.5*0.9mm 功率电感尺寸2.0*1.2*0.5mm 半导体IC尺寸(加引脚) 1.4*0.9*0.3mm
8
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7.内部功率电感
端留边0.12mm,侧留边0.14mm ,电极宽0.2mm,电极厚0.02mm ,产品高度<0.5mm,有效圈数4.5 (推测RDC在75-95mΩ)
电源管理芯片
电源管理芯片样品模组 结构分析
2017年4月
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电源管理芯片
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电源管理芯片
一、电源管理样片结构
1.外观
正面
激光打标AGRG22-191未搜到芯 片datasheet
底面
整版镀锡后 再切割
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2.内部结构
CT
201205 尺寸功 率电感
半导体IC
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3.底部焊盘结构
电源管理芯片
10.半导体IC电极引出铜柱焊接
树脂有界面,推测 上部无颗粒部分为 IC引出电路保护层
高纯度Cu
Sn焊接 Sn-Cu界面层
推测芯片焊接方式与电感一致,即将裸芯片放置在锡膏上,过回流焊炉完成焊接
;
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11.半导体IC电极引出封装结构
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IC半导体主体 微电路——W金属层 隔层——Al金属层 微电路——W金属层 电极引出触点——Al金属层 隔层——Al金属层
3层夹层
磁体为镍铜锌铁氧体
从引出端及连接点方式推测,疑似FDK的功率电感 MIPSUZ2012GR47,0.47uH,RDC 100mΩ±30%, Isat 1.5A;
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电源管理芯片
8.电感端头及焊盘结构
沾银层 镍层 锡层
焊接锡
锡-铜层 PCB铜电极
内部焊盘结构推测:无专用焊盘,直接在铜电极上点锡焊接电感及半导体芯片;
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9.半导体IC
树脂形貌相同,推测 IC未做树脂封装,直 接焊接在铜电极上
半导体IC尺寸(加引脚) 1.4*0.9*0.26mm
半导体部分:180um 电极接口部分:15um 电极引出部分:65um
树脂有层界面,上边无颗粒层应为IC引出电路保 护层;铜柱引出电极应是与IC一体;
半裸IC 11
引出电路保护——碳层
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电源管理芯片 ——各层磨片尺寸
底部焊盘
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PCB铜 电极层
PCB内部 焊接点
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器件层
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一、电源管理样片结构
12.总结
推测可能的工艺路线如下:
铜片
正反两 面蚀刻
点锡 打标
镀底部 焊盘
塑封
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THANK YOU!
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放大
只有1层,16um厚 ,成分为锡;与铜 电极界面无其他金 属
工艺可能是电极显露后直接镀锡
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4.内部电极电路
电极总厚200um,成分 为铜,无层状分界界面 ;形貌上有2个弧形, 高度分别是 130um/70um;推测是 整版铜片正反两次蚀刻 形成;
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5.封装树脂
封装树脂为硅基,PCB电极平面处未发 现层状界面,推测为一次封装成型;