黑龙江大学半导体物理考试大纲
(完整word版)半导体物理知识点总结.doc
一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第 1 章）半导体中的杂质和缺陷能级（第 2 章）核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第 3 章）半导体的导电性（第 4 章）非平衡载流子（第 5 章）核心知识单元 C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）半导体光学性质（第10 章）半导体热电性质（第11 章）半导体磁和压阻效应（第12 章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。
在 1.1 节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在 1.2 节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在 1.3 节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4 节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在 1.5 节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在 1.6 节，介绍 Si 、Ge 的能带结构。
（掌握能带结构特征）在 1.7 节，介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs 的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
《半导体物理》考试大纲
《半导体物理》考试大纲一、考试内容(一)、晶格结构和结合性质§1.1晶体的结构晶格的周期性、金刚石结构、闪锌矿结构和钎锌矿结构§1.2半导体的结合性质共价结合和离子结合、共价四面体结构、混合键(二)、半导体中的电子状态§2.1 晶体中的能带原子能级和固体能带、晶体中的电子状态§2.2 晶体中电子的运动§2.3 导电电子和空穴§2.4 常见半导体的能带结构§2.5 杂质和缺陷能级施主能级和受主能级、n型半导体和p型半导体、类氢模型、深能级杂质、等电子杂质(三)、电子和空穴的平衡统计分布§3.1 费米分布函数§3.2 载流子浓度对费米能级的依赖关系态密度、载流子浓度§3.3 本征载流子浓度§3.4 非本征载流子浓度杂质能级的占用几率、单一杂质能级情形、补偿情形(四)、输运现象§4.1 电导和霍尔效应的分析§4.2 载流子的散射§4.3 电导的统计理论(五)、过剩载流子§5.1 过剩载流子及其产生和复合§5.2 过剩载流子的扩散一维稳定扩散、爱因斯坦关系§5.3 过剩载流子的漂移和扩散§5.7 直接复合§5.8 间接复合§5.9 陷阱效应(六)、pn结§6.1 pn结及其伏安特性§6.3 pn结的光生伏特效应§6.4 pn结中的隧道效应(七)、半导体表面层和MIS结构§7.1 表面感生电荷层§7.2 MIS电容理想MIS结构的C-V特性、实际MIS结构的C-V特性、Si-SiO2系统中电荷的实验研究(八)、金属半导体接触和异质结§8.1 金属－半导体接触§8.2 肖特基二极管的电流越过势垒的电流、两极管理论、扩散理论、隧穿电流和欧姆接触§8.4 异质结§8.6 半导体超晶格注：以上的考试大纲内容大约是参考书内容的一半，这是必须掌握的，也是考试的主要范围，其余部分可作进一步学习的参考。
820--《半导体物理》考试大纲
820--《半导体物理》考试大纲一、基本要求《半导体物理》硕士研究生入学考试内容主要包括半导体物理的基本概念、基础理论和基本计算；考试命题注重测试考生对相关的物理基本概念的理解、对基本问题的分析和应用，强调物理概念的清晰和对半导体物理问题的综合分析。
二、考试范围1、半导体中电子状态1.1 半导体的晶格结构和结合性质1.2 半导体中的电子状态和能带1.3 半导体中电子的运动有效质量1.4 本征半导体的导电机构空穴1.5 回旋共振1.6 硅，锗和砷化镓的能带结构2、半导体中杂质和缺陷能级2.1 硅、锗晶体中的杂质能级2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3 缺陷、位错能级3、半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓度3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子统计分布3.6 简并半导体4、半导体的导电性4.1 载流子的漂移运动迁移率4.2 载流子的散射4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系4.5 玻耳兹曼方程电导率的统计理论4.6 强电场下的效应热载流子5、非平衡载流子5.1 非平衡载流子的注入和复合5.2 非平衡载流子的寿命5.3 准费米能级5.4 复合理论5.5 陷阱效应5.6 载流子的扩散运动5.7 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式5.8 连续性方程6、 p-n结6.1 p-n结及其能带图6.2 p-n结电流电压特性6.3 p-n结电容6.4 p-n结击穿。
《半导体物理》(科目代码879)考试大纲 .doc
《半导体物理》(科目代码879)考试大纲特别提醒：本考试大纲仅适合2019年硕士研究生入学考试。
1．考研建议参考书目《半导体物理学》(第7版)，刘恩科编著，电子工业出版社。
2．基本要求（1）知晓Si、GaAs、InP、GaN、SiC等半导体材料的晶格结构、能带特点。
（2）掌握晶体材料能带产生的原因，明确导体、半导体、绝缘体的能带特点，掌握半导体中电子的状态和能带；掌握布里渊区、有效质量、空穴等概念及其意义。
（3）掌握半导体中杂质所引入的能级，掌握施主杂质、受主杂质、杂质的补偿、等电子陷阱、深能级杂质等概念，熟悉点缺陷、位错等概念。
（4）掌握半导体中载流子的统计分布，明确费米能级的意义，明确玻耳兹曼近似的条件与简并化条件，掌握电子浓度和空穴浓度的计算公式，明确载流子浓度乘积的特性；了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应等概念。
（5）掌握本征半导体与非本征半导体的载流子分布的特点、基本关系式、温度特性等，明确多子与少子的概念与特性。
（6）掌握载流子迁移率的概念和意义，熟悉载流子散射及其对迁移率的影响；掌握电导率与迁移率和载流子浓度的关系，掌握温度在其中的作用规律；明确强电场下载流子的运动特点，熟悉多能谷散射与耿氏效应。
（7）掌握载流子的复合与产生、非平衡载流子的寿命、准平衡与准费米能级；熟悉复合理论，明确复合中心与陷阱的特点。
（8）掌握爱因斯坦关系、连续性方程，掌握非平衡载流子在电场作用下的运动特点。
（9）掌握pn结形成机制、能带图、结电容，掌握空间电荷区、接触电势差等基本概念；熟悉pn结电流电压特性，了解pn结电流电压特性偏离理想方程的因素；熟悉pn结击穿特点、pn结隧道效应等概念。
（10）掌握金属与半导体接触下的能级图、接触电势差，掌握表面态对接触势垒的影响，熟悉肖特基二极管概念，熟悉其与pn二极管的不同。
（11）熟悉MIS结构的基本特点，熟悉半导体异质结构的产生。
（12）掌握霍耳效应，了解半导体发光的基本原理。
半导体器件物理复习纲要word精品文档5页
第一章 半导体物理基础能带：1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？1-2试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。
1-4、设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E v (k)分别为：2222100()()3C k k k E k m m -=＋和22221003()6v k k E k m m =－；m 0为电子惯性质量，1k a π=；a ＝0.314nm ，341.05410J s -=⨯⋅，3109.110m Kg -=⨯，191.610q C -=⨯。
试求：①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。
题解：1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。
温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。
反之，温度降低，将导致禁带变宽。
因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、准粒子、荷正电：+q ； 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； 、E P =-E n （能量方向相反）、m P *=-m n *。
空穴的意义：引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。
1-4、①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝2023k m ＋2102()k k m -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝143k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min =2104k m ；由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0；并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝22106k m ；∴Eg ＝E min －E max ＝221012k m ＝222012m a π ＝23423110219(1.05410)129.110(3.1410) 1.610π----⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯＝0.64eV②导带底电子有效质量m n2222200022833C d E dk m m m =+=；∴ 22023/8C n d E m m dk == ③价带顶电子有效质量m ’ 22206V d E dk m =-，∴2'2021/6V n d E m m dk ==- 掺杂：2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？2-4、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？题解：2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。
半导体物理学复习提纲(重点)教学提纲
第一章 半导体中的电子状态§1.1 锗和硅的晶体结构特征 金刚石结构的基本特征§1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征。
几种常用半导体的禁带宽度； 本征激发的概念§1.3 半导体中电子的运动 有效质量导带底和价带顶附近的E(k)~k 关系()()2*2nk E k E m 2h -0=； 半导体中电子的平均速度dEv hdk=； 有效质量的公式：222*11dk Ed h m n =。
§1.4本征半导体的导电机构 空穴空穴的特征：带正电；p n m m **=-；n p E E =-；p n k k =-§1.5 回旋共振§1.6 硅和锗的能带结构 导带底的位置、个数； 重空穴带、轻空穴第二章 半导体中杂质和缺陷能级§2.1 硅、锗晶体中的杂质能级基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。
§2.2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级 杂质的双性行为第三章 半导体中载流子的统计分布热平衡载流子概念§3.1状态密度定义式：()/g E dz dE =；导带底附近的状态密度：()()3/2*1/232()4ncc m g E VE E h π=-；价带顶附近的状态密度：()()3/2*1/232()4p v Vm g E V E E hπ=-§3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi 分布函数：()01()1exp /F f E E E k T =+-⎡⎤⎣⎦；Fermi 能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。
1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级F E 是系统的化学势；2）F E 可看成量子态是否被电子占据的一个界限。
3）F E 的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
2023 804半导体物理大纲
2023年804半导体物理大纲一、导言在当今信息社会，半导体技术正在发挥着日益重要的作用。
而要学习半导体技术，就必须首先了解半导体物理这门学科的基本知识。
本文将介绍2023年804半导体物理的大纲内容。
二、大纲内容1. 半导体基本概念(1) 半导体的定义和特性(2) 半导体材料的分类与特点(3) 禁带宽度和载流子2. 半导体的基本物理过程(1) 载流子的产生与复合(2) PN结的形成和特性(3) 势垒和击穿电压3. 半导体器件(1) PN结二极管的特性和应用(2) 晶体管的结构和工作原理(3) MOS场效应管的特性和应用4. 半导体材料特性(1) 硅(Si)材料的物理特性(2) 加工工艺与性能测试(3) 新型半导体材料的研究进展5. 半导体器件的制造工艺(1) 制造工艺的基本流程(2) 光刻、腐蚀、沉积等工艺的原理和方法(3) 半导体器件的后工艺处理6. 半导体器件的应用(1) 信息通信领域(2) 光电子领域(3) 消费电子领域三、大纲解读本大纲内容涵盖了半导体物理学科的基本理论、典型器件原理和制造工艺，并涉及到半导体材料的特性和应用。
通过学习这些内容，能够使学生对半导体物理学科有一个系统和全面的了解，为今后从事相关领域的研究和应用打下良好的基础。
四、总结半导体技术的发展日新月异，学习半导体物理知识已经成为大势所趋。
深入了解半导体物理的基本知识和原理是十分必要的。
希望通过本文的介绍，能够对读者理解2023年804半导体物理大纲内容有所帮助。
在2023年，半导体技术已经成为信息技术、通信、光电子、消费电子等领域的关键支撑，半导体物理的重要性也日益凸显。
在这样的背景下，学习半导体物理已经成为许多科学技术专业的必修课程。
2023年804半导体物理大纲的内容将更加注重半导体技术的前沿研究和创新应用，以适应日益发展的半导体产业需求。
在半导体基本概念部分，除了介绍半导体的定义和特性外，还将加入对新型半导体材料如石墨烯、氮化镓等的介绍，以及其在半导体器件中的应用。
半导体物理考试大纲
《半导体物理》考试大纲考试科目名称：半导体物理Ⅱ考试科目代码：[829]一、考试要求：要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。
要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。
二、考试内容：1）半导体晶体结构和能带论a:半导体晶格结构及电子状态和能带b:半导体中电子的运动c:本征半导体的导电机构d:硅和锗及常用化合物半导体的能带结构2)杂质半导体理论a:硅和锗晶体中的杂质能级b: 常用化合物半导体中的杂质能级c: 缺陷、位错能级3)载流子的统计分布a:状态密度与载流子的统计分布b:本征与杂质半导体的载流子浓度c:一般情况下载流子统计分布d: 简并半导体4)半导体的导电性a:载流子的漂移运动与散射机构b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系c:多能谷散射、耿氏效应5)非平衡载流子a:非平衡载流子的注入、复合与寿命b:准费米能级c:复合理论、陷阱效应d:载流子的扩散、电流密度方程e:连续性方程6)p-n结理论a: p-n结及其能带图b: p-n结电流电压特性c: p-n结电容、p-n结隧道效应7)金属-半导体接触理论a:金-半接触、能带及整流理论b:欧姆接触8)半导体光电效应a:半导体的光学性质（光吸收和光发射）b:半导体的光电导效应c:半导体的光生伏特效应d:半导体发光二极管、光电二极管三、试卷结构：a)考试时间：180分钟，满分：150分b)题型结构a:概念及简答题（60分）b:论述题（90分）c）内容结构a:半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（30分）b: 载流子的统计分布（20分）c: 半导体的导电性（20分）d: 非平衡载流子（20分）e: p-n结理论和金属-半导体接触理论(30分)f: 半导体光电效应(30分)四、参考书目1. 刘恩科，朱秉升，罗晋升编著. 半导体物理学. 电子工业出版社, 2011.03.2. [美]施敏（S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.。
850半导体物理初试大纲
1） 载流子的漂移运动及迁移率，电导率与电阻率； 2） 载流子的散射理论，杂质散射、晶格散射及其影响因素和规律； 3） 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等； 4） 强电场效应，GaAs半导体的负微分电导效应； 5） 霍尔效应及其机理，霍尔系数及其特点，霍尔器件。
2. 半导体中的杂质和缺陷能级
1） 半导体中杂质、缺陷的作用； 2） 硅、锗半导体中的浅能级杂质，施主杂质和受主杂质； 3） 半导体中的杂质电离，多子和少子，P型半导体和N型半导体； 4） 硅、锗半导体中深能级杂质特点和作用； 5） 深能级杂质和浅能级杂质的区别； 6） 浅能级杂质电离能的计算； 7） 杂质补偿作用及其产生的原因； 8） III-V 化合物等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质等概念； 9） 元素半导体、化合物半导体中的缺陷（主要是点缺陷）能级。
二、内容
1. 半导体中的电子状态和运动 1） 半导体的典型晶体结构、结合键； 2） 半导体中电子的共有化运动、半导体能带的形成； 3） 半导体能带结构，导体、半导体、绝缘体的能带结构与导电性能的差异； 4） 半导体中电子的运动，平均速度、加速度，以及有效质量的概念和意义； 5） 半导体中的本征激发，本征半导体的导电机构； 6） 半导体空穴的概念及其特点； 7） 典型半导体材料锗、硅和砷化镓的能带结构。
考试科目 850半导体物理 考试时间 180 分钟
考试形式 笔试（闭卷） 考试总分 150 分
一、总体要求
要求学生对半导体物理的基本概念有深刻理解，系统掌握半导体物理学基础理论，并能灵活 应用基础理论和基本概念去理解半导体中的载流子分布、输运特性以及导电性能，分析金属/半 导体接触界面中的能带结构、载流子运动以及电学性能，具有较强的分析问题和解决问题的能力。
《半导体物理学》考研大纲
《半导体物理学》(科目代码843)考试大纲
特别提醒：本考试大纲仅适合2010年微电子学与固体电子学专业的《半导
体物理》考试科目。
1．考研建议参考书目
刘恩科等著《半导体物理学》，国防工业出版社; 或西安交通大学出版社ISBN 7-5605-1010-8/TN.54。
2．基本要求
（1）掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的能带结构。
（2）掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级。
（3）掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。
（4）掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。
（5）掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。
并掌握载流子的扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。
（6）掌握p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。
（7）掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。
（8）掌握半导体表面和表面电场效应；MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统的性质。
（9）掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。
半导体物理(含半导体器件)入学考试大纲
2013年江南大学硕士研究生入学考试《半导体物理（含半导体器件）》考试大纲一、考试的总体要求考察学生对半导体物理的重要概念、基本理论、基本知识的掌握程度，也包含传统半导体材料、工艺和基本器件的相关基础知识。
考生应熟练掌握的内容包括：固体物理中一些最基本的概念和基础知识（如能带的基本概念和常见半导体材料及其晶体结构的基础知识）；本征半导体和杂质半导体载流子浓度、迁移率的分析计算，非平衡载流子注入与复合，简并半导体，准费米能级，连续性方程式；PN结的形成、能带图和I-V特性；金属－半导体接触、功函数；表面态，金属－氧化物－半导体结构的形成、能带图和C-V特性；半导体异质结的基本概念；常见的半导体重要工艺原理的定性理解；重要半导体参数和性质的实验验证手段、仪器和测试方法等。
要求反映学生能融会贯通、熟练运用所学半导体物理知识，对具体问题进行分析和解答。
二、考试的内容及比例考试内容涉及面较广，具体比例如下：1、固体物理和半导体材料方面的基础知识；重要半导体材料，如Si，Ge，GaAs等的晶体结构、电子状态、能带结构；常见半导体工艺，如清洗、淀积、外延、氧化、扩散、掺杂、光刻、腐蚀等的基本原理：10－20%2、半导体杂质和缺陷的分析方法；半导体中载流子的统计分布；半导体导电性，如本征半导体和杂质半导体，包括简并半导体中载流子浓度、迁移率的分析计算，电场、温度及外界因素的影响：50－60%3、非平衡载流子注入与复合，准费米能级，非平衡载流子寿命，非平衡载流子扩散与漂移运动，泊松方程和连续性方程：10－20%4、半导体基础器件和结构知识，如PN结的形成、能带图和I-V特性；光电导效应、太阳能电池；金属－半导体接触、功函数，整流接触和欧姆接触；表面态，金属－氧化物－半导体结构的形成、能带图和C-V特性；半导体异质结构等：20－30%三、试题类型及比例1、填空题：20－30%2、论述题、简答题：10－20%3、计算题、证明题：60－70%四、考试形式及时间考试形式为笔试。
半导体物理学博士研究生入学考试大纲
《半导体物理学》博士研究生入学考试大纲一、将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入了解半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，进而了解主要半导体材料的能带结构。
包括晶体，金刚石结构，布洛赫函数，单电子近似，有效质量，空穴，回旋共振等。
二、根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，由其分清浅杂质能级（施主和受主）和深能级杂质的性质和作用。
包括杂质、缺陷的分类，施主杂质，受主杂质，深能级杂质，浅能级杂质等。
三、应熟练掌握课本中所阐明的基本概念和各种关系，能顺利导出有关重要基本公式，准确计算在各种不同杂质浓度和温度下的费米能级位置和载流子浓度，从而对半导体性质有更深入的理解。
包括热平衡，状态密度，费米分布，玻尔兹曼分布，简并化条件，低温载流子冻析效应，禁带变窄效应等。
四、了解几种主要散射机构的机理、散射几率与杂质浓度及温度的关系，从而明确迁移率、电导率、电阻率与杂质浓度及温度的关系。
包括欧姆定律的微分形式，漂移运动，迁移率，主要散射机制等。
五、在了解本章各种基本要领的基础上，应牢固掌握非平衡载流子的产生、复合、扩散等运动规律，并对总结出来的电流密度方程和连续性方程有一定的理解。
包括直接复合，间接复合，准费米能级，扩散运动，爱因斯坦关系等。
六、了解pn结的物理特性以及能带图，掌握pn结接触电势差、势垒的计算，理解pn结的电流电压pn结电容的意义和计算，了解pn结的击穿机制和隧道效应。
包括势垒高度、宽度，势垒电容，扩散电容，三种击穿机制，电流电压关系等。
七、应对理想和实际的金—半接触能带图应深入理解，在此基础上，对其电流传输理论的几种模型建立，应用和推导要有所了解，并掌握实现良好欧姆接触和整流接触的原理和方法。
包括整流效应，欧姆接触，肖特基势垒，阻挡层，反阻挡层等。
八、通过学习，在认识表面状态的基础上，对理想MIS结构的表面电场效应、电容电压特性有深刻理解，对实际MIS结构中出现的各种情况进行分析，并与理想C-V特性相比较，从而明确如何用C-V法来了解半导体的表面状况，进而对使用最多的Si-SiO2系统的性质有详细的了解。
半导体物理参考书和考试大纲
北大半导体物理"参考书和考试大纲
参考书：可选用下面两本参考书中的任一本。
1、叶良修，"半导体物理学"（上册），高等教育出版社， 1994年。
2、刘恩科等，"半导体物理学"，国防工业出版社， 1989年。
考试大纲：
1、晶格结构和结合性质
（对应参考书1中的§1.1－§1.3，参考书2中的§1.1，§2.3）.
2、半导体中的电子状态
（对应参考书1中的§2.1－§2.7，参考书2中的§1.2－§1.4,
§1.6－§1.7, §2.1－§2.2）.
3、电子和空穴的平衡统计分布
（对应参考书1中的§3.1－§3.5，参考书2中的§3.1－§3.6）.
4、输运现象
（对应参考书1中的第四章，参考书2中的§4.1－§4.6）.
5、过剩载流子
（对应参考书1中的第五章，参考书2中的第五章）.
6、pn结
（参考书1 中的第六章，参考书2中的第六章）.
7、半导体表面和MIS结构
（对应参考书1中§7.1－§7.4，参考书2中的§8.1－§8.5）.
8、金属半导体接触和异质结
（对应参考书1中的§8.1－§8.5，参考书2中的§9.1－§9.3）.
PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建。
《半导体物理》课程考试大纲 .doc
《半导体物理》课程考试大纲一、适用专业：集成电路工程二、参考书目：1．刘恩科朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社三、考试内容与基本要求：第一章绪论[考试要求]本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求；了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。
[考试内容]①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念②晶体中的缺陷、晶格振动③晶体中的电子运动第二章半导体中的电子状态[考试要求]本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。
[考试内容]①电子、空穴和有效质量的概念②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象③常用半导体的能带结构④半导体中的杂质和缺陷第三章热平衡状态下载流子的统计分布[考试要求]本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念，掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。
[考试内容]①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化④简并半导体第四章载流子的漂移和扩散[考试要求]本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。
[考试内容]①半导体中载流子的各种散射机制②电导率和迁移率③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系⑤强电场效应，热载流子第五章非平衡载流子[考试要求]本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。
[考试内容]①非平衡载流子的注入与复合②各种复合理论③连续性方程第六章p-n结[考试要求]本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n 结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。
半导体物理复习提纲
半导体物理复习提纲《半导体物理学》复习提纲第⼆章平衡状态下半导体体材的特性重点掌握描述每个量⼦态被电⼦占据的⼏率随能量E变化的分布函数；费⽶能级E F；本征半导体的载流⼦浓度；掺杂半导体的载流⼦浓度；第三章⾮平衡状态下半导体体材的特性重点掌握⾮平衡状态指的是什么；载流⼦的漂移输运现象；载流⼦的扩散输运现象；电导率⽅程；爱因斯坦关系；布尔兹曼关系；连续性-输运⽅程第四章平衡和偏置状态下的PN结特性重点掌握PN的能带图；接触势；PN结的偏置；耗尽区厚度与电压的关系；结电容第五章PN结的伏-安特性重点掌握肖克莱定律；正偏条件下的PN 结特性；反偏条件下的PN 结特性；PN 结的瞬态特性第六章半导体表⾯和MIS 结构重点掌握p 型和n 型半导体积累、耗尽、反型和强反型状态下的表⾯感⽣电荷层表⾯势；p 型和 n 型半导体在积累、耗尽、反型和强反型状态下的能带结构MIS 结构的 C-V 第七章⾦属-半导体接触和异质结重点掌握⾦属和掺杂半导体形成的接触；肖特基势垒；功函数；半导体的亲和能；例题：1，分别计算⽐E F ⾼2kT 、3 kT 和低2 kT 、3 kT 能级电⼦的占有⼏率（e = 2.7183）。
解：(1) ⽐E F ⾼2kT 的能级2F E E kT-=根据()()21110.1192117.38911F E E kTf E ee-====+++(2) ⽐E F ⾼3kT 的能级3F E E kT-=根据()()31110.0474121.08591F E E kTf E ee-==(3) ⽐E F 低2kT 的能级2F E E kT-=根据()()21110.8807110.13531F E E kTf E ee--====+++(4) ⽐E F ⾼3kT 的能级3F E E kT-=根据()()31110.95251 1.04981F E E kTf E ee--====++⽐E F ⾼2kT ，3 kT 和低2 kT ，3 kT 能级电⼦的占有⼏率分别是12%、5%、88% 和95%。
半导体物理复习提纲Word版
基础知识1.导体，绝缘体和半导体的能带结构有什么不同?并以此说明半导体的导电机理（两种载流子参与导电）与金属有何不同？导体能带中一定有不满带；绝缘体能带中只有满带和空带，禁带宽度较宽一般大于2eV；半导体T=0 K时，能带中只有满带和空带，T>0 K时，能带中有不满带，禁带宽度较小，一般小于2eV。
（能带状况会发生变化）半导体的导带没有电子，但其价带中电子吸收能量，会跃迁至导带，价带中也会剩余空穴。
在外电场的情况下，跃迁到导带中的电子和价带中的空穴都会参与导电。
而金属中价带电子是非满带，在外场的作用下直接产生电流。
2.什么是空穴?它有哪些基本特征?以硅为例，对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。
当满带附近有空状态k’时，整个能带中的电流，以及电流在外场作用下的变化，完全如同存在一个带正电荷e和具有正有效质量|m n* | 、速度为v（k’）的粒子的情况一样，这样假想的粒子称为空穴。
3.半导体材料的一般特性。
（1）电阻率介于导体与绝缘体之间（2）对温度、光照、电场、磁场、湿度等敏感（3）性质与掺杂密切相关4.费米统计分布与玻耳兹曼统计分布的主要差别是什么？什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数？为什么通常情况下，半导体中载流子分布都可以用玻耳兹曼分布来描述？麦克斯韦-玻尔兹曼统计的粒子是可分辨的；费米-狄拉克统计的粒子不可分辨，而且每个状态只可能占据一个粒子。
低掺杂半导体中载流子遵循玻尔兹曼分布，称为非简并性系统；高掺杂半导体中载流子遵循费米分布，称为简并性系统。
费米分布：f(E)=11+exp(E−E Fk0T )玻尔兹曼分布：f(E)=e−E−E Fk0T空穴分布函数：f V(E)=1−f(E)=1exp(−E−E Fk0T )+1（能态E不被电子占据的几率）当E-E F≫k0T时有exp(E−E Fk0T )≫1，所以1+exp(E−E Fk0T)≈exp(E−E Fk0T)，则费米分布函数转化为f(E)=e−E−E Fk0T，即玻尔兹曼分布。
考试大纲-半导体物理
半导体物理考试大纲第一部分：半导体中的电子状态一．理解下列基本概念能级，能级简并化，共有化运动，能带（导带，价带，满带，空带），禁带，有效质量，纵向（横向）有效质量，k空间等能面，本征半导体，本征激发，空穴（重空穴，轻空穴），载流子。
二．分析掌握下列基本问题1．能带的特点，能带的杂化，能带的描述。
2．导体，半导体，绝缘体能带结构的区别。
3．本征半导体的导电原理。
4．Si，Ge，GaAs能带结构的异同点。
第二部分：半导体中杂质和缺陷能级一．理解下列基本概念杂质，替位式杂质，间隙式杂质，杂质能级施主杂质，施主能级，正电中心，施主电离，电离能，n型半导体受主杂质，受主能级，负电中心，受主电离，P型半导体浅能级杂质，深能级杂质，杂质补偿，中性杂质二．分析掌握下列基本问题1．N型半导体和p型半导体的导电原理2．某些杂质在半导体中产生若干个能级的原理3．杂质的补偿原理及其利弊4．位错在Si（Ge）中起施主或受主作用的原理，及其对Eg的影响第三部分：半导体中载流子的统计分布一．理解下列基本概念热平衡状态，热平衡载流子，费米能级非简化性系统，非简并半导体，简并性系统，简并半导体有效状态密度，状态密度有效质量，多数载流子，少数载流子二．分析掌握下列基本问题1．费米分布函数的性质2．玻氏分布代替费米分布的条件3．导带电子浓度和价带空穴浓度表示式分析推导的思想方法4．杂质半导体EF随杂质浓度变化关系，随温度的变化关系5．载流子浓度随温度的变化关系6．区分半导体载流子出现非简并，弱简并，简并的标准5．各种热平衡状态下半导体电中性条件三．熟识公式并运用1．费米分布函数表示式2．玻氏分布函数表示式3．导带电子浓度，价带空穴浓度表示式4．本征载流子浓度表示式，本征费米能级表示式5．载流子浓度乘积表示式，及其与本征载流子浓度的关系6．饱和电离温度区载流子浓度及EF的表示式（n型和p型半导体）7．过渡温度区载流子浓度表示式（n-s 和p-s）8．简并半导体载流子浓度表示式9．已电离杂质浓度表示式第四部分：半导体的导电性一．理解下列基本概念电流密度，漂移运动，平均漂移速度，迁移率自由时间，平均自由时间，电导有效质量载流子散射，散射几率，格波，声子，弹性散射，非弹性散射热载流子二．分析掌握下列基本问题1．迁移率概念的引进，迁移率简单理论分析的思想方法2．电离杂质散射机理3．迁移率与杂质和温度的关系4．电阻率与杂质和温度的关系5．波尔兹曼方程建立的思想方法6．统计理论分析与简单理论分析得到半导体电导率结果比较7．强电场作用下半导体发生欧姆定律偏离的原因，热载流子产生三．熟识公式并运用1．欧姆定律的微分形式2．电导率表示式（混合型，n型，p型，本征型半导体）3．迁移率表示式4．电离杂质散射和晶格散射几率与温度关系5．电阻率表示式（混合型，n型，p型，本征型半导体）6．波尔兹曼方程表示式7．电导率统计理论的结果表示式第五部分：非平衡载流子一．理解下列基本概念载流子的产生率，复合率，净复合率电子—空穴对的复合几率，半导体非平衡态；非平衡载流子非平衡载流子的复合率，复合几率，积累率准费米能级，非平衡载流子寿命，有效寿命（表观寿命）直接复合，简介复合，表面复合，复合截面，复合中心，复合中心能级陷阱效应，陷阱，陷阱中心扩散系数，扩散长度，扩散速度，牵引长度二．分析掌握下列基本问题1．半导体热平衡态和非平衡态特点的比较2．非平衡载流子的注入与检验的方法的原理3．非平子随时间衰减规律，及其推证思想方法，寿命τ的物理意义4．准费米能级的特点5．复合过程的性质6．直接复合过程分析7．间接复合的特点，间接复合过程的分析8．金在Si中如何起复合中心作用9．表面复合存在的依据及解释10．杂质在半导体中的作用，杂质能级在怎样情况下才有明显的陷阱效应作用，怎样分析最有效的陷阱11．一维稳定扩散的特点，一维稳定扩散的分析思想方法12．爱恩斯坦关系推证的思想方法13．非平载流子既漂移又扩散时的非平子浓度分析14．连续性方程的意义以及具体情况下的求解三．熟识公式并运用1．非平衡载流子随时间衰减规律表示式2．非平衡载流子复合率与非平衡载流子浓度关系表示式3．非平衡导体电子浓度（价带空穴浓度）表示式4．直接复合机构决定的非平衡载流子寿命表示式（大，中，小信号）5．间接复合理论分析得到的非平衡载流子寿命表示式6．连续性方程表示式第六部分：金属和半导体接触一．理解下列基本概念半导体表面，空间电荷区，表面势，表面势垒，表面势垒高度功函数，接触电势垒，接触势垒，高阻区（阻挡层），高电导区（反阻挡层）耗尽层，少子注入，欧姆接触，肖特基势垒二．分析掌握下列基本问题1．外电场作用下半导体表面空间电荷区的形成，表面层电场，电势，电势能的分布及能带图。
博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲
博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲本《半导体物理》考试大纲适用于化学工程及技术一级学科新型光电材料制备方向的博士研究生入学考试。
半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS 结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。
要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
一、考试方式与时间博士研究生入学《半导体物理》考试为笔试，闭卷考试，考试时间为180分钟。
二、考试主要内容和要求（一）半导体中的电子状态1、考试内容（1）半导体的晶格结构和结合性质；（2）半导体中的电子状态和能带；（3）半导体中的电子运动和有效质量；（4）本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振；（5）硅和锗的能带结构；（6）III－V族化合物半导体的能带结构；（7）II－VI族化合物半导体的能带结构。
2、考试要求了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。
理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。
熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
了解III －V族化合物半导体的能带结构。
了解II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级1、考试内容（1）硅、锗晶体中的杂质能级；（2）III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级1 / 12、考试要求理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
简单计算浅能级杂质电离能。
了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
黑龙江大学硕士研究生入学考试大纲考试科目名称：半导体物理考试科目代码：[071]一、考试要求全面地掌握半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂志和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律；p-n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；以及半导体的光、热、磁、压阻等物理现象。
二、考试内容第一章半导体中的电子状态§1、半导体的晶格结构和结合性质半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；半导体的闪锌矿型结构及其特点§2、半导体中的电子状态和能带电子共有化运动；晶体中的电子运动服从布洛赫定理；布洛赫波函数的意义；半导体（硅、锗）能带的特点；用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性。
§3、半导体中电子的运动有效质量导带中E（k）与k的关系；价带顶附近电子的运动；有效质量的意义§4、本征半导体的导电机构空穴导电条件：有外加电压，有载流子；载流子产生的途径；导电机构（电子导电、空穴导电）。
§5、回旋共振利用回旋共振实验测量有效质量；k空间等能面；回旋共振原理及条件。
§6、硅和锗的能带结构硅和锗的导带结构；硅和锗的价带结构；在硅、锗的能带图中指出导带底和价带顶的位置及禁带宽度。
§7、III-V族化合物半导体的能带结构化合物半导体的种类；化合物半导体的共同特性；化合物半导体能带结构的一般特征；掌握砷化镓的能带结构。
第二章半导体中杂质和缺陷能级§1、硅、锗晶体中的杂质能级晶体中杂质基本情况；硅、锗晶体中的施主杂质和受主杂质及其电离能；浅能级杂质电离能计算——类氢模型；杂质补偿作用；深能级杂质。
§2、III-V族化合物中的杂质能级杂质在砷化镓中的存在形式；各类杂质在砷化镓、磷化镓中的杂质能级。
§3、缺陷、位错能级掌握点缺陷和位错缺陷对半导体性能的影响。
第三章半导体中载流子的统计分布§1状态密度k空间的状态密度；导带和价带能量状态密度。
§2、费米能级和载流子的统计分布掌握费米分布函数和玻耳兹曼分布函数及费米能级的意义；费米能级的数值与温度、半导体材料的导电类型、杂质浓度及零点的选取有关，电子浓度、空穴浓度表达式的意义；导带电子浓度和价带空穴浓度公式。
§3、本征半导体的载流子浓度本征半导体费米能级；本征半导体的载流子浓度；热平衡条件写出本征半导体的电中性方程，并导出费米能级的表达式；了解通过测量不同温度下本征载流子浓度如何得到绝对零度时的禁带宽度；正确使用热平衡判断式。
§4、杂质半导体的载流子浓度根据电中性方程导出各个温度区间的费米能级和载流子浓度表达式；在掺杂浓度一定地情况下，能够解释多子浓度随温度地变化关系；能够较熟练地计算室温下地载流子浓度和费米能级（n型和p型）；杂质电离程度与温度、掺杂浓度及杂质电离能有关。
§5、一般情况下的载流子统计分布电中性方程的一般形式及费米能级；掌握半导体同时含有施主杂质和受主杂质情况下电中性方程的一般表达式，能较熟练地分析和计算半导体的载流子浓度和费米能级。
§6、简并半导体简并化条件；简并半导体的载流子浓度；简并半导体杂质不能充分电离；杂质带导电第四章半导体的导电性§1、载流子的漂移运动迁移率半导体中载流子的运动形式；欧姆定律的微分形式；载流子的漂移运动；§2、电阻率及杂质浓度和温度的关系散射对载流子运动的影响；散射结构——电离杂质散射、晶格振动散射、等同的能谷间散射、其它散射机构（中性杂质散射、位错散射）。
§3、迁移率与杂质浓度和温度的关系平均自由时间和散射几率的关系；迁移率与平均自由时间和有效质量的关系；迁移率与杂质浓度和温度的关系。
§4、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系电阻率与杂质浓度的关系；电阻率与温度的关系；不同导电类型半导体的电阻率，并注意杂质和温度这两个因素对电阻率的影响。
§5、玻尔兹曼方程电导率的统计理论玻尔兹曼方程电导率的统计理论§6、强电场下的效应热载流子主要可以从载流子与晶格振动散射时的能量交换过程来说明强电场下欧姆定律发生偏离的原因；平均漂移速度与电场强度的关系。
§7、多能谷散射耿氏效应耿氏效应原理及其与半导体的能带结构有关——负阻效应；掌握产生耿氏效应（负阻效应）的基本原理及定性描述砷化镓能带结构的特点。
第五章非平衡载流子§1、非平衡载流子的注入与复合非平衡载流子及其产生，光注入条件；非平衡载流子引起的附加电导率；净复合率。
§2、非平衡载流子的寿命非平衡载流子的衰减规律；非平衡载流子的寿命（少子寿命）。
§3、准费米能级准费米能级的引入；准费米能级与费米能级的关系。
§4、复合理论复合机构：直接复合、间接复合、表面复合；直接复合理论与寿命关系；间接复合理论与寿命关系。
§5、陷阱效应陷阱、陷阱中心、陷阱效应概念；利用间接复合理论对陷阱性质的讨论。
§6、载流子的扩散运动扩散流密度与扩散系数；非平衡载流子扩散方程的建立；稳态扩散方程及其解。
§7、载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式载流子的扩散与漂移；爱因斯坦关系，能导出爱因斯坦关系式并熟练应用。
§8、连续性方程式连续性方程是非平衡少数载流子同时存在扩散运动和漂移运动时所遵守的运动方程；掌握基本概念，能较熟练地应用连续性方程解决具体问题。
第六章p-n结§1、p-n结及其能带图理解p–n结的形成原因，能够证明平衡p–n结中费米能级处处相等，能画出平衡p –n结载流子的分布图。
§2、p-n结电流电压特性掌握非平衡p–n结能带图及其与平衡p–n结能带图的主要不同之处。
掌握肖克莱方程。
了解影响p–n结电流电压特性方程偏离肖克莱方程的原因。
§3、p-n结电容明晰p–n结电容的来源（即产生p–n结电容的原因），掌握基本概念，能够计算势垒高度、势垒宽度，能导出突变结电场分布，以及用突变结势垒电容公式，指导测量轻掺杂一边的杂质浓度和p–n结接触电势差。
§4、p-n结击穿能定性描述雪崩击穿、隧道击穿、和热电击穿的机理。
§5、p-n结隧道效应了解隧道结的伏安特性，能够定性解释隧道结的伏安特性。
第七章金属和半导体的接触§1、金属半导体接触及其能级图掌握金属和半导体功函数的定义，这是讨论接触电势差的基础；理解形成接触电势差的过程，理解表面态对接触势垒的影响以及阻挡层与反阻挡层的概念。
§2、金属半导体接触整流理论能定性解释阻挡层的整流作用，掌握热电子发射理论方程及其应用条件，理解扩散理论及其使用条件，了解镜像力和隧道效应对肖特基势垒的影响，了解肖特基二极管特性具有的特点。
§3、少数载流子的注入和欧姆接触能够解释利用隧道效应制造欧姆接触的基本原理。
第八章半导体表面与MIS结构§1、表面态了解表面态的产生原因及表面态的性质（受主型和施主型表面态）。
§2、表面电场效应能定性分析半导体表面层的几种状态，即多数载流子的堆积状态、平带状态、多数载流子的耗尽状态和反型状态。
掌握“耗尽层近似”的概念，并用以解决耗尽状态下的表面势、耗尽层宽度及电荷面密度；掌握强反型条件及强反型状态表面空间电荷层的基本性质。
§3、MIS结构的电容-电压特性掌握平带电容和高频最小电容与掺杂浓度和绝缘层厚度的关系；掌握金属和半导体功函数差及绝缘层中电荷对电容–电压特性的影响。
§4、硅-二氧化硅系统的性质掌握二氧化硅中可动电荷和固定电荷的性质及特征，和产生原因及它们对电容–电压特性的影响，并掌握它们的测量原理；对快界面态的产生原因及性质有所了解。
第九章异质结*§1、异质结及其能带图基本概念、绘制能带图§2、异质结的电流输运机构了解异质结几种电流输运机构模型，解释I-V特性曲线§3、异质结在器件中的应用了解几种器件的工作原理§4、半导体超晶格掌握基本概念、了解超晶格应用第十章半导体的光学性质和光电与发光现象§1、半导体的光学常数掌握4个基本光学常数§2、半导体的光吸收掌握5种光吸收机制§3、半导体的光电导掌握光电导概念、原理§4、半导体的光生伏特效应掌握光生伏特效应概念、原理§5、半导体发光掌握半导体发光条件、几种发光机制§6、半导体激光掌握半导体激光产生的三个条件第十一章半导体的热电性质§1、热电效应的一般描述掌握三种热电效应的概念、三者之间的关系§2、半导体的温差电动势率掌握一种载流子的温差电动势的公式、原理§3、半导体的珀耳帖效应掌握珀耳帖效应的概念、原理§4、半导体的汤姆孙效应掌握汤姆孙效应的概念、原理§5、半导体的热导率掌握热导率的概念及应用第十二章半导体的磁和压阻效应§1、霍耳效应掌握霍耳效应的概念、原理§2、磁阻效应掌握磁阻效应的概念、原理§3、磁光效应掌握磁光效应的概念、原理§4、量子化霍耳效应掌握量子化霍耳效应的概念、原理§5、热磁效应掌握热磁效应的概念、原理§6、光磁电效应掌握光磁电效应的概念、原理§7、压阻效应掌握压阻效应的概念、原理§8、声波和载流子的相互效应掌握声磁电效应的概念、原理三、试卷结构1．考试时间：180分钟2．满分：150分3．题型结构：（1）选择20分（2）填空40分（3）名词解释30分（4）图形简答30分（5）证明计算30分四、参考书目《半导体物理》，刘恩科、朱秉升、罗晋生，国防工业出版社，北京，1994年。