电子技术复习(1)
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术基础试题(一)
电子技术基础试题(一)一、选择题：（每小题3分，共30分）1、D 触发器在D=1时，输入一个CP 脉冲，其逻辑功能是（ ）。
A ．置1 B ．清0 C ．保持 D ．翻转2、如图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V ，则Y= （ ）。
A ．0.7V B ．3.7V C ．10VD ．1.5V3、以下表述正确的是（ ）。
A ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C ．组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。
D ．组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ，化简后的结果是（ ）。
A ．2AB ．AC ． 1D ．A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为（ ）。
A ．EFB ．EF C ． 0 D ． 16、基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（ ）。
A ．恢复原状态 B ．保持现状态 C ．出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位（ ）。
A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（ ）。
A ． 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A ． I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是（ ）。
A ． 10 B. 50 C. 500 D.100 二．填空题：（每题3分，共30分）1．半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
![电子技术基础题库(I_II类题)[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/0d71ad21192e45361066f55f.png)
第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题()
第一章二极管及直流稳压电源一、填空题1．二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
2．二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4．单相电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括、等。
6．W7805的输出电压为，额定输出电流为；W79M24的输出电压为，额定输出电流为。
7．开关稳压电源的调整管工作在状态，脉冲宽度调制型开关稳压电源依靠调节调整管的的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换为信号，它工作时需加偏置电压；光电二极管能将信号转换为电信号，它工作时需加偏置电压9.判断大容量电容器的质量时，应将万用表拨到挡，倍率使用。
当万用表表笔分别与电容器两端接触时，看到指针有一定偏转，并很快回到接近于起始位置的地方，则说明该电容器；如果看到指针偏转到零后不再返回，则说明电容其内部。
二、判断题(填“是”或“否”)1．加在二极管两端的反向电压高于最高反向工作电压时，二极管会损坏。
（）2．稳压二极管在电路中只能作反向连接。
（）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（）4．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）5．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。
（）三、选择题1．下列符号中表示发光二极管的为（）。
A． B ． C．D．2．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正向导通状态A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降3．用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡旋到（）位置A ．ΩB ．ΩC ．ΩD．Ω4．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。
电子技术基础1复习题
电子技术基础1复习题一、电压放大1、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）试估算电路的静态工作点I CQ、U CEQ；（3）求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R O；（4）若信号源内阻R S=600Ω，求源电压放大倍数A us。
（5）若去掉旁路电容，则A u、R i和R O如何变化？2、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）估算静态工作点I CQ、U CEQ；（2）估算电压放大倍数A u；（3）求输入电阻和输出电阻；（4）若C E断开，电压放大倍数将有何变化？CC o二、功放1、OTL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点的电位应是多少？（2）若两管子的饱和压降均为2V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）分析VD1、VD2的作用。
2、OCL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点电位是多少？（2）若两管子的饱和压降均为3V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）说明图中VD1、VD2的作用。
ccu Su ou o－+o三、运算电路1、运算电路如下图所示，（1）A1组成何种运算电路，有何特点？（2）当u i=1V，计算输出电压u o1值和u o值。
2、运算电路如下图所示，（1）A1、A2分别组成何种运算电路？（2）当u i1=0.1V，u i2=2V，试计算输出电压u o1值和u o 值。
四、深度负反馈的近似计算1、负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析其反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
（3）指出运放的反相输入端是否为虚地端。
2、1、（14分）负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析此反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
《电子技术》期末复习试题及答案
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
数电复习题1(1)
数字电子技术基础复习题一、设计题1、用与非门设计四变量的多数表决电路。
当输入变量A 、B 、C 、D 有3个或3个以上为1时，输出为1，输入为其他状态时输出为0。
（要求列写真值表、逻辑表达式、画出逻辑电路图） 解：由真值表得输出与输入之间的关系：化简为：转化为与非形式：画出逻辑电路图：（3分）2、试用4选1 数据选择器74HC153实现交通灯监视电路。
每一组信号灯由红、黄、绿三盏灯组成，正常情况下，任何时刻必有一盏灯点亮，而且只允许一盏灯点亮。
而当出现其他点亮状态时，电路发生故障，这时要求发出故障信号，以提醒维修人员前去维修。
解：设输入变量为R 、Y 、G ，输出变量为Z,由题意得输入与输出之间的逻辑关系表达式为：与4选1选择器的标准表达式010*********()()()()Y D A A D A A D A A D A A ''''=+++比较得：画出电路图如下：A 1=Y ，A 0=GD 0=R' D 1=D 2=R D 3=1Y A BCD AB CD ABC D ABCD ABCD''''=++++1()'Y ABD =2()'Y ABC =1234()'(()'()'()'()')'Y YY Y Y ABD ABC ACD BCD ==3()'Y ACD =4()'Y BCD ='''''''('')(')(')(')()Z R Y G RYG RY G R YG RYG R Y G R Y G R YG R R YG =++++=++++Y ABD ABC ACD BCD =+++二、逻辑功能分析题1.试分析下图所示时序逻辑电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程，画出电路的状态转换图，检查电路能否自启动。
电子技术复习练习题1
一、判断题4只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（错）1．三级管只要工作在线性放大区就有Vc>Vb>Ve （错）有pnp和npn两种类型2、放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
（）3产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（对）3、集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
（错）4只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（错）1 P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（错）⒈因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( 错 )5．稳压二极管稳压电路中，限流电阻可以取消。
（错）5二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到。
(对 )2若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈( 错 )6、逻辑变量的取值，１比０大。
（错）6．优先编码器只对同时输入的信号中的优先级别最高的一个信号编码.（对）7．时序电路不含有记忆功能的器件。
（错）二、填空题5半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（（根号2））。
6．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。
1晶体管的输出特性主要分为3个区域，即___截止区____、___饱和区_____、___放大区_____。
1使晶体管工作于放大状态的外部条件是发射结_正偏____，集电结_反偏______。
1在P型半导体中，空穴_________是多数载流子，_自由电子__是少数载流子。
1在常温下，硅二极管的开启电压是_0.7_V，导通后在较大电流下时正向压降约_0.7_V。
2、负反馈放大电路的放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（ 1 ）。
3、差模信号是大小（相同），极性（相反）。
3、共模信号是大小（相同），极性（相同）的两个信号。
⒌不管是单相半波整流电路或是单相全波和单相桥式整流电路，都是利用二极管具有单向导电性，将交流电压变换为单向脉冲电压。
2多级放大器的极间耦合方式有_阻容耦合放大电路_______，_直接耦合放大电路_________，__变压器耦合放大电路_________。
电子技术基础(1、2、5)复习题
半导体二极管一、、选择1、下图中，（）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。
2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（）。
A．强B．弱C．一样3.PN结正向偏置时（）。
A．P区接电源正极，N区接电源负极B．N区接电源正极，P区接电源负极C．电源极性可以任意调换D．不接电源4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。
A．不变B．增加C．显著增加D．先减小后增加5. PN结的最大特点是具有（）。
A．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单向导电性6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。
A．正向运用B．反向运用 C. 正反向均可7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽8. 测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。
A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。
A．正偏B．反偏C．零偏10. 测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。
A．变大B．先变大后变小C．变小D．不变11. 2AP9表示（）。
A．N型材料整流管B．N型材料稳压管C．N型材料普通管D．N型材料开关管12.二极管正反向电阻相差（）。
A．越小越好B．越大越好C．无差别最好D．无要求13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。
A.随所加电压增加而变大B. 0.7V左右C.随所加电压增加而减小D．随所加电压增加变化不大14. 用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中( )说明管子是好的。
A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A．基本正常B．击穿C．烧坏D．电流为零16.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。
电力电子技术复习资料（1）
电力电子技术复习资料填空题1. 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
（1）2. 电力电子技术是应用在电力变换领域的电子技术。
（1）3. 电能变换的含义是在输入与输出之间，将电压、电流、频率、相位、相数的一项以上加以改变。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在开关状态，这样才能降低损耗。
5. 电力电子技术的研究内容包括两大分支：电力电子器件制造技术和变流技术。
6.半导体变流技术包括用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术，以及构电力电子装置和电力电子系统的技术。
7. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
8.处理信息的电子器件一般工作于放大状态，而电力电子器件一般工作在开关状态。
9.主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。
10.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
11.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控器件、全控器件。
12. 按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型、电压驱动型。
13. 电力二极管的工作特性可概括为 单向导电性 。
14.电力二极管的主要类型有 普通二极管 、快恢复二极管 、 肖特基二极管 。
15. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为 1K Hz 以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在 5μs 以上。
16. 快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较长，一般在 5μs 以下。
17.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在 10～40ns ns之间18.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为 维持电流 。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为 擎住电流 。
对同一晶闸管来说，通常L I 约为H I 的称为 2~4 倍。
电路与电子技术基础总复习题及解 (1)
总复习题及解总复习题及解一、问 答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。
第二章答题1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。
2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。
第三章答题1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为：，2、换路定律是指： 3、全响应解的两种表达式：（1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应） （2）三要素法： 第四章答题1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压u(t) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为uUUθ∠=•。
3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。
4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的31倍，且相电压滞后对应线电压30°。
对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。
5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。
2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。
3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。
4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。
6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。
第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比。
2、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用差放电路。
3、差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。
电力电子技术复习范围 (1)
一．1．电力电子技术通常可分为电力电子器件制造技术和变流技术两个分支。
2．在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为矩形波。
3．PWM逆变电路的控制方法有计算法和调制法两种。
其中调制法又可以分为异步调制和同步调制两种。
4．为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，当器件的工作频率较高时，开关损耗会成为主要的损耗。
5．单相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动 3 次。
6．在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为载波比，当它为常数时的调制方式称为同步调制。
7．有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给电网的装置。
8．SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输出端得到一系列幅值相等脉冲列来等效正弦波。
9．具有自关断能力的电力半导体器件称为全控型器件。
10．晶闸管的伏安特性指的是阳极电压和阳极电流的关系。
11．改变频率的电路称为变频电路，变频电路可以分为交交变频电路和交直交变电路两种类型，前者又称为直接变频电路，后者又称为间接变频电路。
12．三相桥式全控整流电路中带大电感负载，控制角α的范围是 0°到90°。
13．直流斩波电路是一种变换电路。
14．在单相半控桥式带电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是防止失控现象产生。
15．三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0°时，输出的负载电压平均值为2.34U2 。
16.单相桥式全控整流电路电阻性负载的移相范围为________，三相桥式全控整流电路电阻性负载的移相范围为_____0°~120°_______.17．对于单相全波电路，当控制角0<α<90°时，电路工作在_____整流_______状态，当控制角90°<α<180°时，电路工作在_____逆变_______状态。
电子技术总复习
数字电路基础
逻辑门电路
AND门
输出信号只有在输入信号都为高电平时才为高电 平，否则输出为低电平。
OR门
输出信号在输入信号中至少有一个为高电平时为 高电平，否则输出为低电平。
NOT门
输出信号与输入信号相反。
触发器
同步RS触发器
在时钟脉冲的驱动下，根据输入信号R和S的状态变化，输出 信号Q和Q'的状态也会随之变化。
定义
01
振荡电路是用于产生交流信号的电路，通过正反馈和选频网络
的作用，使信号不断放大并维持振荡。
工作原理
02
振荡电路通常由电阻、电容、电感等无源元件和有源器件组成，
通过调整元件的参数和加入正反馈，实现信号的振荡。
分类
03
根据振荡电路的用途和性能，可以分为RC、LC、石英晶体等不
同类型的振荡电路。
稳压电路
03
04
类型
固定电阻、可变电阻、敏感电 阻等。
作用
在电路中起到分压、限流等作 用。
电容
定义
电容是一种存储电荷的电子元件。
单位
法拉（F）。
类型
固定电容、可变电容、电解电容等。
作用
在电路中起到滤波、耦合、旁路等作 用。
电感
定义
电感是一种存储磁能的电子元件。
类型
固定电感、可变电感、线圈电感等。
单位
亨利（H）。
定义
稳压电路是用于稳定输出电压的电路，通过负反馈和调整元件的作 用，使输出电压保持恒定或稳定变化。
工作原理
稳压电路通常由电阻、电容、二极管等无源元件和有源器件组成， 通过调整元件的参数和加入负反馈，实现输出电压的稳定。
分类
根据稳压电路的用途和性能，可以分为线性稳压、开关稳压等不同类 型的稳压电路。
模拟电子技术试题(一)---答案
模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。
（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。
（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。
（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。
（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。
（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。
（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。
《电子技术》复习题 (1)
《电子技术》复习题-—项目11。
图1所示电路中的二极管VD处于（）状态.A. 反向击穿B. 导通 C。
截止 D. 放大2。
图2所示电路中的二极管VD处于（ )状态。
A. 反向击穿 B。
导通 C. 截止 D. 放大3。
二极管的正极电位是—10V，负极电位是—9.3V，则该二极管处于( ）状态。
A。
正偏 B。
反偏 C. 零偏 D。
无法确定4.发光二极管的图形符号是( ）.A。
B. C. D.5.稳压二极管工作于（ )时具有稳压功能.A。
死区 B. 正向导通区 C。
反向截止区 D。
反向击穿区6。
二极管具有单向导电性。
当外加正向电压时,有较大的正向电流通过，此时二极管处于_______状态；当外加反向电压时，反向电流很小,此时二极管处于_________状态。
7.当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为。
8.在判别二极管的材料时，当测出正向压降约为0.7V时,此二极管为二极管；当测出正向压降约为0。
3V时，此二极管为二极管。
9。
整流就是将_________电转换为_________电的过程。
10.用来制作半导体器件的是本征半导体,它的导电能力比杂质半导体强得多。
( ）11。
稳压二极管只要外加反向电压就具有稳压功能. （）12.单相桥式整流电路的输出电压平均值是单相半波整流电路的两倍。
（)13.单相桥式整流电容滤波电路的输出电压平均值是单相半波整流电容滤波电路的两倍. （)。
（二极管的正14.分析图（a)、（b）所示电路中各二极管是导通还是截止？并求出1、2两端的电压U12向压降和反向电流忽略不计）15. 在下图所示的桥式整流电容滤波电路中，已知变压器次边电压有效值U2=15V，试求:(1）负载上输出电压的平均值U O=？（2)R L开路时U O=?（3）C开路时U O=？（4)若整流电桥中有1只二极管开路，此时U O=?《电子技术》复习题——项目21.要使三极管具有电流放大作用，必须保证发射结_______、集电结_______。
中级维修电工理论-电子技术(1)
中级维修电工理论知识复习题—电子技术一、选择题（每题1分）：1-25．型号为2A P9的晶体二极管表示（D）。
（Ａ）Ｎ型材料整流管（Ｂ）Ｎ型材料稳压管（Ｃ）Ｎ型材料开关管（Ｄ）Ｎ型材料普通管15-8. 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为(C)。
A、0.5V B、0.7V C、0.3V D、0.1V 2-53．用于整流的二极管型号是（C）。
（Ａ）2ＡＰ9 （Ｂ）2ＣＷ14Ｃ（Ｃ）2ＣＺ52B （Ｄ）2ＣＫ84Ａ3-52．下面型号中，表示稳压管型号的是（B）。
（Ａ）2AP1 （Ｂ）2C W54 （Ｃ）2CK84A （Ｄ）2CZ509-42．当反向电压小于击穿电压时二极管处于（B）状态。
（Ａ）死区（Ｂ）截止（Ｃ）导通（Ｄ）击穿9-43．晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性是（B）。
（Ａ）电压微变，电流微变（Ｂ）电压微变，电流剧变·（Ｃ）电压剧变，电流微变（Ｄ）电压不变，电流剧变9-69．晶体二极管正偏导通时，外电场（A）。
（Ａ）与ＰＮ结内电场方向相反，扩散运动加强（Ｂ）与ＰＮ结内电场方向相同，漂移运动加强（Ｃ）与ＰＮ结内电场方向相同，扩散运动减弱（Ｄ）与ＰＮ结内电场方向相反，漂移运动减弱9-70．硅二极管正向导通，其管压降为（A）。
（Ａ）０.７Ｖ（Ｂ）０.３Ｖ（Ｃ）1Ｖ（Ｄ）０.1Ｖ3-49．晶体二极管正向偏置是指（A）。
（Ａ）正极接高电位，负极接低电位（Ｂ）正极接低电位，负极接高电位（Ｃ）二极管没有正负极之分（Ｄ）二极管的极性任意接8-52．二极管两端加上正向电压时（B）。
（Ａ）一定导通（Ｂ）超过死区电压才导通（Ｃ）超过0.3Ｖ才导通（Ｄ）超过0.7Ｖ才导通14-62．半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（D）。
A、变容二极管B、稳压二极管C、点接触型二极管D、面接触型二极管（√）3-97．晶体二极管具有单向导电性。
（×）8-99．二极管正向电阻比反向电阻大（√）11-49．按制作材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。
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2、理想集成运放的传输特性
线性区：
uo = Auo(u+– u–)
非线性区(饱和区）：
u+> u– 时， uo = +Uo(sat) u+< u– 时， uo =–Uo(sat)
3. 理想运放工作在线性区特点
u＋≈u－
I－≈I+ ≈0
第16章 理想集成运算放大电路
4、理想集成运算放大电路的计算（掌握）
3、正反馈电路
1、正弦波振荡电路的振荡条件 振荡条件 A F 1
2、RC桥式正弦波振荡电路的电路组成，振荡频率。
振荡频率ω0=1/RC，F=1/3, A=3
第18章 直流稳压电源
1、了解直流电源电路的组成
2、掌握单相桥式整流电路的工作原理，及各参数的计算 （有滤波电容和无滤波电容两种情况），
3、了解整流管开路、短路的故障情况
电工电子学II复习
好好复习,考出好成绩,
第14章 半导体二极管和三极管
1、半导体中有两种载流子 自由电子 空穴
2、本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体
3、杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力） N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子， 但半导体呈中性 P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子， 但半导体呈中性
4、 PN结的单向导电性
加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较 小，PN结处于导通状态。
加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大， PN结处于截止状态。
4、二极管 特性曲线：与PN结相同(p10)
P
N
主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、
5、二极管电路的分析计算（掌握）
ri RB //rbe (1 β)RE
ro RC
ro RC
• 共射分压式偏置放大电路
有旁路电容CE（掌握） 无旁路电容CE
RB1
C1 +
+
RC
+UCC +C2
+
Au
β
RL rbe
Au
rbe
βRL (1 β
) RE
RS +
ui RB2
eS
––
RE
+ RL CE
uo
ri RB // rbe
导通管的压降0V（理想二极管），相当于短路； 截止管所在支路看做断开， 电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各 物理量。
5、特殊二极管——稳压二极管（工作在反向击穿区）
反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都 加于稳压管上，使输出电压稳定
参数：VZ、IZ、PZM
三、差动放大电路
（1）理解差模信号、共模信号、共模抑制比的概念 （2）了解差动放大电路对温度漂移的影响
第16章 理想集成运算放大电路
1.运算放大器的理想化条件 开环电压放大倍数 Auo ； 差模输入电阻 rid ；
共模抑制比 rKidCMR R 0；
开环输出电阻 ro 0 ；
三大一小
–
ri RB1 // RB2 // rbe (1 β)RE
RB RB1 // RB2
ro RC ro RC
• 二、射极输出器（共基极）
+UCC
RB C1 +
RS +
es+–
ui –
RE
+C2 +
RL uo –
射极输出器的特点：
1. 电压放大倍数小于1，约等于1; 2. 输入电阻高； 3. 输出电阻低； 4. 输出与输入同相。
包括反相比例、同相比例、反相加法、同相加法、减法运算
5、电压比较器
第17章 负反馈
1、反馈组态的判断 （1）掌握正、负反馈的判断——用瞬时极性法 （2）掌握四种负反馈类型的判断
2、四种反馈类型对输入输出电阻的影响
对输入电阻
串联负反馈：使输入电阻增加 并联负反馈：使输入电阻减小
电压负反馈：使输出电阻减小 对输出电阻 电流负反馈：使输出电阻增加
VCE=Ucc,当 VBE＜0.5V 时已进入截止区
④放大条件 发射极正偏,集电极反偏 发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。
1、根据各电极对地电位判断管子类型（掌握NPN管） 2、会判断三极管的工作状态（放大、饱和、截止）
⑤参数 集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗 PCM 、反向 击穿电压V（BR）CEO 、
R
L
+ uo
–
偏置式
注意有Re时的计算
分压式
共射固定偏置放大电路
+UCC
RB
RC +C2
C1 +
RS + + ui
es– –
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
无射极电阻RE （掌握） 有射极电阻RE
Au
β
RL rbe
Au
rbe
βRL (1 β
) RE
ri RB // rbe
3、微变等效电路（对交流信号）
rbe是动态电阻，但与 静态电流IE有关。
其中 rbe
200
(1 )
26(mV ) IE (mA )
***掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置) 会 静态计算及动态计算，会画微变等效电路（计算题）
+UCC
RB
RC +C2
C1
+
RS
es–+
+ ui –
iBu+iBC–ETu–+CE iE
6、半导体三极管 ①类型：结构
发射结
②电流控制器件 ③三个工作区
iC=βiB iE=(1+β) iB iB+ iC =iE
特性曲线 输入：P22图14-5-7、14-5-8 输出： 饱和区： 发射结、集电结均正偏，
VBE=0.7V, VCE=0V 放大区: 发---正,集---反,
VBE=0.7，遵循iC=βiB 截止区: 发、集均反偏,
&
& Y
Y3
（2）根据波形图，写出逻辑式
A
B Y1
2、组合逻辑电路的设计
根据逻辑功能要求 设计 逻辑电路
例子：设计一个三变量奇偶检验器。
20章 逻辑代数基础（重点）
1. 掌握基本逻辑运算和逻辑门 2. 逻辑代数基本定律规则 3. 逻辑函数四种表示方法以及相互转换 4. 掌握逻辑函数的公式化简法 5. 理解加法器、编码器、译码器
组合逻辑电路（计算）
1. 组合逻辑电路功能分析
（1）根据逻辑图写出逻辑式，并分析
& Y2
. A
& Y1
. . B
第15章 三极管基本放大电路
一、基本放大电路
直流通路：Q点
—图解法、近似估算法
1、 交流通路： A U、R i、R O 、uo
—图解法、微变等效电路法
求Q点 直流负载线 交流负载线
图解法 分析非线性失真 饱和失真 静态点过高（NPN，底 ）
截止失真 静态点过低（NPN，顶 ）
பைடு நூலகம்
2、估算法（对直流信号） 求静态工作点Q: 计算IB,IC,UCE