多晶硅片产品规格书

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多晶硅组件技术规范书

``多晶硅组件技术规范书买方：卖方：目录1一般规定与规范................................................................. (4)1.1总则................................................................................. . (4)1.2包装和运输....................................................................... .. (4)1.3*企业资质要求................................................................... . (5)1.4*产品质保和使用寿命要求................................................ (5)1.5卖方权利和义务.................................................................. .. (6)1.6买方权利和义务................................................................... . (6)2标准与规范............................................................................... (7)3*专用技术要求........................................................................... .. (8)3.1组件规格.................................................................................. . (8)3.2组件认证要求.............................................................................. . (10)3.3组件原材料清单........................................................................... (10)3.4关键元器件及材料要求 (11)3.5EL测试要求................................................................................... (15)3.6组件生产设备和关键工艺的控制................................................ .. (16)3.7生产车间和人员要求..................................................................... . (17)3.8组件标准版...................................................................................... (17)3.9质量控制措施 (17)3.10结构、外形尺寸、支装尺寸及质量 (19)3.11外观要求 (19)3.12电气性能技术参数 (20)3.13电流分档............................................................................ (20)3.14绝缘强度 (21)3.15载荷要求 (21)3.16强度要求............................................................................. .. (21)3.17温度冲击要求...................................................................... . (21)3.18测试和检验........................................................................... (22)3.19安装附件 (22)3.20盐雾腐蚀要求................................................................................... (22)3.21抗PID效应要求 (22)3.22防火要求 (23)3.23其它要求 (23)4供货范围 (23)4.1一般要求 (23)4.2供货范围.............................................................................................. .. (23)5交货检验与验收 (26)5.1一般要求 (26)5.2质量保证 (26)5.3*生产控制与出货检验......................................................................... .. (27)5.4*实验室抽样检验........................................................................... .. (30)5.5*出货前运行程序 (32)5.6现场验收......................................................................................... . (33)5.7最终验收.................................................................................. .. (34)6技术资料及交付进度................................................................ (35)6.1概述........................................................................................ . (35)6.2卖方提供的技术文件及图纸 (35)7设备交货进度 (36)7.1*供货进度.................................................................................... .. (36)7.2包装和运输................................................................................. .. (36)7.3散装部件 (36)7.4包装箱 (36)7.5裸装货物...................................................................................... . (37)7.6装箱单........................................................................................... (37)7.7零星部件 (37)7.8箱号................................................................................................ .. (37)7.9加工面.............................................................................................. (37)7.10技术资料........................................................................................ (38)7.11交货进度表 (38)7.12*售后服务要求................................................................................ .. (39)1一般规定与规范1.1总则1.1.1本技术规范书适用光伏电站工程多晶硅光伏组件设备的采购。

3种晶硅片的规格

电阻率Resistivity
1~3Ωcm
掺杂剂/型号Dopant/ Donor type
Boron/P
少子寿命Lifetime
≥10s
氧含量Oxygen Content
＜1×1018/cm3
碳含量Carbon Content
＜5×1016/cm3
线痕Saw marks
深度≤15m
Depth≤15m
TTV
156×156单晶硅片产品规格
156×156monocrystal silicon wafer specification
材料特性Material properties
边长Dimensions(W×W)
156×156±0.5mm
直径Diameter
200±0.5mm
厚度Thickness
200±20μm
产品规格
Product Specification
产品名称Product Name
多晶硅片Multi-Crystalline Siwafer
文件名称Document Name
156×156多晶硅片产品规格
156×156Multi-Crystallinewafer specification
材料特性Material properties
≤3‰
崩边Edge Chip
崩边宽度≤0.5 mm，长度≤1.0mm，数量≤2个。
Wide≤0.5 mm，Length≤1.0mm，Count≤2。
表面质量Surface quality
产品表面光洁，无异常油污、裂纹、针孔。
Cleaned,no grease stains, No crack or pinhole
≤3‰

多晶8寸硅片出厂标准、参数、不良品图面、测量图、太阳能行业

版本修订<Revision history>
中卫市银阳新能源有限公司
版本 Rev.No.
日期 Date
Rev.1 2011.10.15
描述 Description 初次发布 Initial release
拟定
审核
Proposed Approved
PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建
项目 Items
形状 Shape
厚度 Thickness 总厚度变化
TTV
对边距 Dimension
对角线 diagonal Length
倒角长 Bevel edge Length
倒角角度 Bevel edge Angle
直角度 Right Angle
弯曲度 Bow
翘曲度 Warpage
线痕 Saw Marks
1. 基本参数 Basic Parameters
项目 Items
生长方法 Growth Method
型号 Conductance Type
掺杂剂 Donor Type
规格 Spec.
ZD
P
B
中卫市银阳新能源有限公司
检测标准 Inspection Standard
GB/T 1550-1997
2. 电化学性能 Electrochemical Performance
线痕 Saw Marks
≤15μm
ATM 分选机 WIS AL3000 AS
孔洞 Pin holes
无 None
ATM 分选机 WIS AL3000 AS
V 型缺口 V-Chips
无 None
ATM 分选机 WIS AL3000 AS

多晶硅产品规格

结构
块状硅多晶结构应致密，无氧化夹层。
表面质量
多晶硅的外观应无色斑、变色、水渍、酸渍，无可见的污染物和氧化的外表面。无碳头料及杂质（如石墨）存在。
产品包装标准
内部包装
两层普通聚乙烯塑料袋包装，每个包装为10公斤，单件小包装误差±0.5%。
外部包装
强度瓦楞纸箱，规格为580mm*390mm*240mm,内部有附件1
*********高科技有限公司——多晶硅产品规格
质量标准
项目
太阳能级硅多晶等级
执行标准
1级品
2级品
3级品
N型电阻率，Ω·cm
≥100
≥40
≥20
GB/T25074-2010
施主杂质浓度/ppba
≤1.5
≤3.76
≤7.74
P型电阻率，Ω·cm
≥500
≥200
≥100
受主杂质浓度/ppba
≤0.5
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn TMI≤0.2
注：基体金属等杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。
产品尺寸、结构及表面质量
尺寸
块状多晶硅的尺寸分布范围为：a）3mm～25mm的最多占重量的15%；
b）25mm～100mm的占重量的15%～35%；c）100mm～150mm的最少占重量的65%。
≤1.3
≤2.7
氧浓度，atoms/cm3
≤1.0×1017
≤1.0×1017
≤1.5×1017
碳浓度，atoms/cm3
≤2.5×1016
≤4.0×1016
≤4.5×1016
少数载流子寿命，μs
≥100
≥50
≥30

多晶硅太阳的能电池组件全参数

多晶硅太阳能电池组件参数多晶硅电池片的规格：156mm。

精彩文档1956×992×50 6×12=72 精彩文档1482×992×50 6×9=541482×676×35 4×9=36 产品外形及安装尺寸精彩文档精彩文档产品图片展示230W~280W 220W~190W 110W精彩文档性能结构参数Conditions (STC) (条件) Irradiance（光照强度）: 1000 W/m2Cell temperature（测试温度）: 250CAM:1.5System design characteristics （系统设计特点）Maximum system voltage 1000 V （最大系统电压1000V）精彩文档Cells per module 72（组件所需电池片数量72）Solar cells polycrystal silicon （多晶硅电池片）Cell dimensions 156 x 156 mm （电池片的尺寸）Operation Temperature Range:-400C~850CThermal characteristics （温度系数）NOCT 460CTK Isc +0.08 %/0CTK Voc -0.35 %/0CTK Pm -0.36%/0CRated power and maximum tolerance(最大允许额定功率) Module Efficiency >13.3% （件转换效率）Rated power 230w~280w正负5%Warrantise （保证）精彩文档25-year limited warranty on power output Warranties （25年的功率输出维护）2-year limited warranty on materials and workmanship （两年的原料以及人力维护）精彩文档。

daquan多晶硅料产品规格书

重庆大全新能源有限公司
多晶硅料规格书
概述
中等至特大太阳能级多晶硅块由Siemens 反应炉生产。

破碎和包装于洁净室中完成，其过程中最小化避免了表面污染。

无碳头料（石墨电极）。

详述
尺寸说明
>3mm ，<200 mm （85% 的多晶块尺寸在 25 – 200 mm)
质量保证
所有上述参数在每批产品中均有测量。

包装
方法 1: 聚乙烯包装袋单层包装, 每包10KG ，每箱 20KG.
方法2: 聚乙烯包装袋双层包装，外包装袋完整。

每包 5KG ，每箱
20KG 。

每包上贴有批号和重量标签。

每个发货单上列有工厂名称地址，客户名称地址，订购单号及产品。

产品规格书

背电极
背电极单个缺失≤1*5mm，总缺失≤10%总面积,不可断线
背面印刷上的其他污点
a)轻微的浆料颜色不协调是允许的
b)污点不能接触到电池片的边缘
背面印刷铝缺失
a)背电场铝浆缺失单个面积≤20mm2，总面积≤5%背电场
b)电极和Al背场的交迭长度要大于总长度的2/3
铝背场印刷不平整
a)不平整或者鼓包的高度≤0.2mm
附件一多晶电池片产品ຫໍສະໝຸດ 格参数规格尺寸
a)多晶156*156（±0.5）mm b)双主栅线距离78mm，宽度1.8mm、双背电极距离78mm，宽度3.5mm
翘曲度
翘曲度小于2.0mm
外观
颜色等级
深蓝、中蓝、浅蓝，但同一组件必须为同种颜色，做成组件后无色差
色差
a）电池片上出现色差总面积≤2cm²，且颜色属于以上颜色范围b）在边缘细栅线之外的色差，面积≤8mm²
b)每个电池片上只允许2处崩边,但要间隔30 mm.
背面
a)离背面电极5mm之外崩边长度≤5mm,宽度≤1.0mm b)每个电池片上只允许3处崩边,但要间隔30 mm
裂纹、穿孔、 V 型缺损
不允许
暗电流
暗电流<2.0A（反向电压-12V）
电极拉脱力测试
保证良好的可焊性，拉脱力≥3 N
正面印刷的其他污点(手印,真空吸笔的痕迹，水痕)
a)小的污点,很难发现,不会影响电池片的颜色效果b)单个脏污面积≤6mm²
正面印刷,漏浆点
漏浆点长≤2mm，宽≤0.5mm，数目≤5处
正面印刷缺失
D<0.5mm
正面印刷,断线
电极和细栅线接触处断线距离≤1mm,细栅线上断线距离≤2mm,断线总个数≤10条

SIP-多晶硅片成品标准1

版本号：A/6 页码：第1页共6页多晶硅片成品标准生效日期：2009年5月8日一、目的为加强公司多晶硅片的质量管控，指导使公司生产的产品，特制订本标准。

二、适用范围适用于公司生产的太阳能级多晶硅片的品质检测和判定。

三、标准内容1、检测环境要求：温度18~28℃，湿度不大于60%。

2、检验项目及要求：项目内容外观线痕、崩边、污片、凹坑、缺角、缺口、隐裂、穿孔、色差、微晶、雪花晶、分布晶、废片尺寸边长、对角线、垂直度、倒角、翘曲、厚度性能氧含量、碳含量少子寿命、极性、电阻率批准审核编制修改履历页码内容状态备注版本号：A/6 页码：第2页共6页多晶硅片成品标准生效日期：2009年5月8日3、名词解释线痕：硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹。

崩边：崩边（chip）：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。

污片：用清洗溶剂清洗不能去除的表面沾污。

凹坑：在适当的光照条件下，硅晶片表面上肉眼可见的一种具有渐变斜面呈凹面状的浅坑。

缺角：上下贯彻晶片边缘的缺损。

穿孔：在对光源观察时，晶片表面有用针或似用针刺的小孔。

微晶：1cm单位长度上个数超过5个。

雪花晶：呈连续分布，具有一定面积的晶体，2cm2内晶粒超过50个。

分布晶：大晶粒上分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒。

隐裂：硅片表面存在不惯穿的隐型的裂纹，裂纹宽度大于0.1mm。

弯曲度（bow）：晶片中心面凹凸形变的一种度量，它与晶片可能存在任何厚度变化无关。

弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面特性。

翘曲度（warp）：晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。

翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性。

厚度（thickness）：通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。

总厚度变化（total thickness variation）（TTV）：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。

多晶硅双面双玻组件技术规范书

多晶硅双面双玻组件技术规范书1. 引言本技术规范书旨在规定多晶硅双面双玻组件的技术要求和规范。

旨在提供生产和安装多晶硅双面双玻组件的指导，确保组件的性能和质量达到预期的标准。

2. 术语定义- 多晶硅双面双玻组件：指由多晶硅组成的太阳能光伏电池组件，具有双面发电和双面发光的特性。

- 单元尺寸：指多晶硅双面双玻组件的单个电池片的宽度和长度。

- 透明度：指多晶硅双面双玻组件透光玻璃的透明程度。

- 光电转化效率：指多晶硅双面双玻组件将太阳能光转化为电能的效率。

- 功率温度系数：指多晶硅双面双玻组件在不同温度下功率输出的变化率。

3. 技术要求3.1 多晶硅双面双玻组件应符合以下技术要求：- 单元尺寸应符合设计规格，误差不得超过正负5%。

- 透明度应大于80%。

- 光电转化效率应不低于设计要求。

- 功率温度系数应在可接受范围内。

3.2 多晶硅双面双玻组件的安装要求：- 安装过程中应保证组件与支架之间的连接紧固可靠，防止松动或脱落。

- 多晶硅双面双玻组件安装角度应根据实际情况合理调整，以提高发电效率。

4. 检测标准4.1 多晶硅双面双玻组件的检测应符合以下标准：- 组件的电性能应符合相关国家或行业标准。

- 组件的外观应无裂纹、划伤、污染等缺陷。

- 组件的连接线应牢固可靠，无断裂或接触不良。

4.2 多晶硅双面双玻组件的抗风压性能检测：- 组件应能承受设计要求的风速和风压，并保持稳定的工作状态。

- 风压测试应在标准测试条件下进行，保证测试结果的准确性和可比性。

5. 安全要求5.1 多晶硅双面双玻组件的生产和安装应符合安全要求：- 生产过程中应在安全环保的条件下进行，不得有有害物质的污染。

- 安装过程中应确保工人的人身安全，使用合适的劳动保护措施。

5.2 多晶硅双面双玻组件的使用安全要求：- 用户在使用过程中应遵守产品说明书的要求，不得私自拆卸或改动组件。

- 组件连接线及接口应定期检修，确保安全可靠。

6. 质量保证6.1 多晶硅双面双玻组件的质量保证应符合以下要求：- 生产厂商提供的组件应符合国家或行业的有关规定和标准。

索纳多晶硅片产品规格说明书

线痕
线痕深度≤15μm
裂纹
无可视裂纹
孔洞
不能有穿孔现象
微晶
1cm长度上晶体个数<10个，横截面上枝蔓晶（雪花晶）面积<2cm2
崩边
深度≤0.3mm，长度≤0.5mm,少于2处,无V形缺口
缺角
无
硅晶脱落
深度≤0.3mm，少于2处
亮点
深度≤0.3mm
性能
导电
P型
少子寿命
≥2μs（多晶）
电阻率
1-3Ω.cm
附件一
多晶硅片产品规格说明书
检验项目
检验内容
检验标准
尺寸
边宽尺寸
156mm±0.5mm
厚度
200μm+/-20μm
TTV
TTV≤30μm
垂直度
相邻两边的垂直度为90°±0.2°
翘曲度
翘曲度≤50μm
对角线长度
219.2±0.5mm
倒角角度
倒角角度45°±10°
外观
表面
不允许有裂纹，明显刀痕，手感不明显；无凹坑、“V”型缺口、孔洞；无硅胶残留；表面干净无沾污和异常斑点。
氧含量
≤5×1017atom/cm3
碳含量
≤8×1017atom/cm3

12寸硅片规格书

12寸硅片规格书一、硅片的尺寸和形状12寸硅片是指直径为12英寸（约304.8毫米）的圆形硅片。

它是半导体材料的基础，用于制造集成电路和其他电子器件。

硅片通常具有平整的表面和规则的形状，以确保制造过程的精度和一致性。

二、硅片的厚度硅片的标准厚度为0.725毫米，但也可以根据具体需求定制其他厚度。

硅片的厚度对于半导体器件的性能具有重要影响，因此在制造过程中需要严格控制厚度的一致性和精度。

三、硅片的取向硅片的取向是指硅晶体的晶轴朝向。

常见的硅片取向有<100>、<111>和<110>。

不同的取向对于不同的应用有不同的影响。

例如，<100>取向的硅片在制造晶体管时具有更好的电子迁移特性，而<111>取向的硅片则用于制造特定类型的器件，如光电器件。

四、硅片的表面特性硅片的表面通常具有低反射镀膜，以减少光的反射损失。

此外，硅片的表面还必须经过化学和机械处理，以去除污染物和缺陷，并获得平整度和光洁度要求。

硅片的表面特性对于半导体器件的性能和可靠性至关重要。

五、硅片的掺杂硅片通常会通过掺杂来改变其电学性质。

常见的掺杂元素包括磷、硼、锗等。

掺杂过程会改变硅片的导电性能和能带结构，从而实现不同类型的半导体器件。

六、硅片的平整度硅片的平整度是指硅片表面的平坦程度。

硅片的平整度要求非常高，通常以纳米级别来衡量。

平整度的好坏对于半导体器件的制造和性能具有重要影响，因为它影响到各个工艺步骤的准确性和稳定性。

七、硅片的包装和运输硅片在制造过程中需要进行精细的包装和运输，以防止污染、损坏和变形。

常见的包装方式包括真空包装和氮气保护包装。

硅片在运输过程中需要避免受到振动、碰撞和温度变化等因素的影响，以确保其完整性和质量。

八、硅片的质量控制硅片作为半导体材料的基础，其质量控制至关重要。

硅片制造过程中需要进行严格的质量控制，包括原材料的筛选、工艺的控制和最终产品的测试。

只有确保硅片质量的稳定和一致性，才能保证半导体器件的性能和可靠性。

156硅片技术参数[1]..[1]1

附：156*156多晶硅片规格书材料特性Material properties特性Property规格Specification参考标准Referenced Standard生长方式Crystal Growth MethodDSS导电型号/掺杂剂Conductivity Type/DopantP/Boron ASTM F42 氧含量Oxygen Concentration≤1.0 × 1018 atoms/cm³ASTM F1188 碳含量Carbon Concentration≤8.0× 1017 atoms/cm³ASTM F1391 电学特性Electrical properties电阻率Resistivity 1~3 Ω.cmASTM F43，ASTM F84少子寿命Block Lifetime≥2 µs ASTM F28几何尺寸Geometry宽度Width 156 ±0.5mm方正度Rectangularangle90 ±0.3°对角线Diagonal 219.2 ±0.5 mm厚度Thickness 200 ±20 µm ASTM F533 TTV ≤30 µm ASTM F533,F657 线痕Saw marks ≤20 µm崩边Edge Chip崩边深度≤0.3 mm，长度≤0.5 mm; 最多2个/片Depth ≤ 0.3 mm ,Length ≤ 0.5 mm, less than two chips缺口Breakage无Not allowed翘曲度Warpage ≤ 50µm ASTM F657微晶Micrograin 单个微晶面积<3×3mm2；整个微晶区域面积<3×3cm2Single Micrograin Area<3×3mm2. Total MicrograinArea<3×3cm2隐裂Microcrack无Not allowed孔洞Hole无Not allowed表面质量Surface quality表面无损伤，无污点、无水渍、无污渍No surface damage, stains, water marks, or contaminationallowed包装和标识Package & Labels包装PackageGCL标准包装，100片/包，300片/盒，碎片率≤0.3%GCL standard package，100pcs/batch，300pcs/box，breakage rate ≤ 0.3%标识Labels订单号、批号、硅片数量、规格尺寸等Sales order No.,Lot No.,Wafer Quantity,Size etc.。

硅片规格说明书

所检每片硅片的平均厚度≥170μm
MS-203
所检每片硅片的平均厚度值：基本尺寸±20μm
所检硅片总体平均值允许误差：±10μm
硅片（同一片厚度）TTV≤30μm
MS-203
两个边的垂直度90°±0.3°
硅片无目视翘曲（翘曲度≤15μm）
目测、塞尺
倒圆角误差≤0.5mm
模板
外观检验
表面：洁净无残留硅粉，无污染、色斑、颜色均匀一致，无目视可见破损及针孔
目测
油污：面积小于20%且手套擦拭后变为较淡
目测
线痕深（高）度≤10μm，整个硅片最多一处线痕
千分尺
晶粒（多晶片）：在1cm长区域，晶粒个数小于10个。
硅片无可视裂纹、无应力
无明显缺角、崩边（亮点）
不允许有“V”字形缺口
导电类型
P型
RT-110
碳浓度
≤5×1016/cm3
氧浓度
≤1×1018/cm3
晶向
（100）±3°
位错密度
3×103个/cm2
电阻率
0.5～3Ω．cm
四探针测试仪
3～6Ω．cm
少子寿命
单晶：≥15μs
少子寿命仪
多晶：≥10μs
试制检验
单
200μm以上厚度：试制平均效率≥16.03%，碎片率≤3.0%，G档率≤1. 5%，合格率≥93.5%，300≤批量≤2400片
试制检验
晶
180μm厚度：试制平均效率≥16.03%，碎片率≤4.0%，G档率≤1. 5%，合格率≥92.5%，300≤批量≤2400片
多晶
200μm以上厚度：试制平均效率≥15.1%，碎片率≤3.5%，G档率≤1.5%，合格率≥93%，300≤批量≤2400片

多晶硅片

6.6检验结果的判定
检验项目的合格质量水平详见附录表A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。
7包装、储存和运输要求
7.1需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。
7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10℃～40℃；湿度：≤60%；避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。
附录a检验项目检验方法及检验规则对照表检验项目检验要求检测工具抽样计划崩边缺口长05mm深03mm检测灯光照度1000lux表面粗糙度20m20m切割线痕20m无密集线痕30m无密集线痕直径05mm20m30m裂痕鸦爪表面清洁度表面无可见花斑油污污迹和化学药剂残留规格尺寸游标卡尺边长直径倒角万能角规垂直度边长垂直变maxmin06125125125512459005156156156515559005tv20m30m厚度计ttv30m翘曲度弯曲度30m50m随机抽供每批硅片的检测报极性仪电阻率1cm3cm1cm3cm电阻率测1018atomscm氧碳含量测试仪碳含量51016atomscm
7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。
8附录
旧底图总号
底图总号
拟制
日期
签字
校对
审核
更改
数量
文件号
签名
日期
第4页
附录A检验项目、检验方法及检验规则对照表
检验项目
检验要求
检测工具
抽样计划和验收标准
硅片等级
A级品Βιβλιοθήκη B级品外观崩边∕缺口
长≤0.5mm深≤0.3mm数量≤2个
全
检
表面粗糙度
5.3.3硅棒少子寿命≥2us（此寿命为硅棒切片前的少子寿命）；

硅片技术规格(125×125mm)

硅片技术规格（125×125mm）
特性
规格
说明
抽测比率
生长方式
CZ
不得使用物理提纯法的硅料
每根棒子抽测20片，其中若有一片不合格，加抽20片
晶向
<100>±1°
型号/掺杂剂
P/B
氧含量
≤1.0×1018/cm3
碳含量
≤5.0×1016/cm3
电阻率
1.0—3.0Ω•㎝
单片电阻率不均匀性＜10％
少子寿命
表面
光滑，无刀痕、划痕、暗裂、崩边
若有磨不去的刀痕、划痕、暗裂、崩边等情况，其长度在合格长度中减去
≥1.3μs
裸片数据
几何尺寸
外形
准方
中心厚度
200±20μm
TTV
≤±0.3mm
直径
150±0.3 mm
弦长
83±0.8mm、30±0.8mm
Lmax－Lmin＜1mm
线痕
深度＜15μm
外观质量
表面干净，不得有孪晶、裂纹、缺角、气孔、未滚圆
边缘崩边
不允许
崩边深度≤0.3mm，长度≤0.8mm，单片崩边数量≤2个，不允许有“V”形缺口的，可以放入B类品中
翘曲度
≤75μm
单晶硅棒参数
1、圆棒（每根硅棒在头尾各取2mm左右的样片）：
项目
要求
说明
直径
≥153mm
电阻率
1.0—3.0Ω•㎝
少子寿命
≥1.3μs
裸测数据
导电类型
P
2、方棒：
项目
要求
说明
外形
准方
直径
150±0.3 mm
开方尺寸
125×125±0.3mm

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多晶硅片产品规格书
太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日
中心厚度
中心厚度
4.2多晶硅片表面质量
4.3多晶硅片电学性能
4.4杂质含量
太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21
日
所用硅原材料的杂质含量标准如下：
a)氧含量应不大于8.0×1017
atoms/cm3；b)碳含量应不大于1.0×1018
atoms/cm3。

多晶硅片材料特性参数见下
5检验规则
5.1检验多晶硅片生产完成后，硅片分选进行全检，由IPQC进行制程检验合格后
5.2交收检验
交收检验，抽检方案按GB/T2828.1中的规定进
太阳能级多晶硅片产品规格书2010年2月21日
图2多晶硅片包装示意图
6.3运输
产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取较好的减震、防雨措施。

6.4贮存
产品应在温度为0℃～35℃、相对湿度为20％～60％的条件下贮存。