BOSA器件各种参数含义

BOSA器件各种参数定义

BOSA器件各种参数定义BOSA器件是一种高度集成的光电子器件，用于光通信系统中的光发射和接收功能。

它结合了光学封装、激光器、调制器、探测器和电子驱动器等组件，具有高速、高灵敏度和低功耗等优势。

下面将详细介绍BOSA 器件的各种参数定义。

1.带宽：BOSA器件的带宽是指其传输信号的频率范围。

通常用频率响应曲线表示，单位为赫兹（Hz）。

带宽越大，表示器件可以传输更高频率的信号，具有更高的数据传输能力。

2.器件增益：BOSA器件的增益是指在光通信系统中，光信号在器件中的放大程度。

它是输入光功率和输出光功率之间的比值。

增益通常用分贝（dB）表示。

较高的增益表示器件具有较好的光信号放大效果。

3.器件失真：BOSA器件的失真是指器件对输入信号的变形或改变。

常见的失真类型有调制失真和色散失真。

调制失真是指信号在传输过程中波形发生改变，色散失真是指由于信号在光纤中的传播速度不一致导致的失真。

较低的失真表示器件对信号的传输和处理更加准确。

4.器件灵敏度：BOSA器件的灵敏度是指器件在接收端能够检测到的最小光功率。

它表示接收器对光信号的敏感程度。

灵敏度通常用单位面积上的瓦特（W）或者毫瓦（mW）表示。

较高的灵敏度表示器件可以在较低的光功率下实现较高的信号检测能力。

5.器件偏置电压：BOSA器件的偏置电压是指器件在工作状态下所需的电压值。

它对器件的正常工作和性能有重要影响。

较低的偏置电压表示器件工作时的能耗较低。

6.器件工作温度范围：BOSA器件的工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围。

常规的工作温度范围为-40℃至85℃，但也可以根据具体应用需求定制。

工作温度范围确定了器件在各种环境条件下的可靠性和稳定性。

7.器件封装类型：BOSA器件的封装类型是指器件的物理封装形式。

常见的封装类型有无源封装和有源封装。

无源封装中，激光器、调制器和探测器等组件分别封装在不同的封装盒中，最后通过光纤连接；有源封装中，这些组件集成在同一封装盒中，形成一个完整的光收发器。

场效应管参数含义

场效应管参数含义1、BVdss漏极耐压测试漏极电压测试是测试管子的漏极最大承受电压的值，其测试条件将设置栅极-源极电压VGS=0，并将漏电流限制在规定值以内，进行的耐压测试。

范围：50V~1000V。

2、Vgs(th)开启电压测试开启电压测试是测试管子的栅极的电压值，其测试条件将设置栅极电压等于源极电压VGS=VDS，并将漏电流限制规定值的恒流条件下，进行的开启电压测试。

范围：2V~4V。

3、Igss栅极漏电流测试栅极漏电流测试是测试栅极在一定的电压条件下的漏电流，其测试条件将设置VDS=0，并将栅极电压设置规定值，进行栅极漏电流测试。

范围：〈100nA 。

4、Idss漏极漏电流测试漏极漏电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的漏电流，其测试条件将设置VGS=0，并将漏极电压设置规定值，进行漏极漏电流测试。

范围：〈100uA；〈500 uA；〈1000uA。

5、Id(on)漏极通态电流测试漏极通态电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的通态电流，其测试条件将设置VGS=10V，并将漏极电压、电流设置规定值，进行漏极通态电流测试。

6、Rds漏极与源极内阻漏极与源极内阻测试是测试漏极对源极在一定的条件下的内阻，其测试条件将设置VGS=10V，并将漏极电压、电流设置规定值，进行漏极内阻测试。

7、Gfs跨导跨导是反映场效应管的栅极电压的变化，使漏极电流产生变化，这种特性称之为跨导。

其测试条件将设置VGS置于某一值，测试此时漏极的“电流值1”，然后将设置VGS增加一定值，测试此时漏极的“电流值2”，并计算漏极电流差值与栅极电压差值之比。

此仪器配合相应的软件可以测试三极管、二极管、可控硅、IGBT 等分离器件的参数。

因此可实现一台仪器代替多台仪器使用场效应管参数符号意义作者：时间：2007-01-30 来源: 浏览评论推荐给好友我有问题个性化定制关键词：场效应管Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。

[光模块电路原理]培训教材-黄祥灿

10 LDIP 11 LDIN 12 BENP 13 BENN 14 MD
发射信号正向输入，采用交流耦合，差分线具有100Ω输入阻抗。此信号连接BCM68461芯片。发射信号反向输入，采用交流耦合，差分线具有100Ω输入阻抗。此信号连接BCM68461芯片。突发信号正向输入端，连接BCM68461芯片。此信号下拉10KΩ电阻到GND。突发信号反向输入端（此信号悬空未用）。发射监测光电输入端，连接BOSA第T3引脚（PD+）。
BOSA关键器件
名词术语 BOSA：Bi-Directional Optical Sub-Assembly 光发射接收组件。 TOSA：Transmitting Optical Sub-Assembly 光发射组件。 ROSA：Receiving Optical Sub-Assembly 光接收组件。 LD：Laser Diode 激光二极管。 PD：Photodiode 光电二极管。 MD：Monitor Diode 监控光电二极管。 PIN：Positive Intrinsic Negative 同质PN结光电二极管。 APD：Avalanche Photo-Diode 雪崩光电二极管。 TIA：Trans-impedance Amplifier 跨阻放大器。 LA：Limiting Amplifier 限幅放大器。 LDD：Laser Driver 突发模式激光驱动器。 WDM：Wavelength Division Multiplexing 波分复用。 OLT：Optical Line Termination 光线路终端。 ONU：Optical Network Unit 光网络单元。
21 TX_SDO 可选的突发发光状态指示输出端/长发光指示端，连接BCM68461芯片。

bosa光器件工艺流程

bosa光器件工艺流程英文回答：BOSA (Bidirectional Optical Subassembly) is an important component in optical communication systems. It is used for transmitting and receiving optical signals in both directions. The manufacturing process of BOSA involves several steps, including chip fabrication, assembly, and testing.Firstly, the chip fabrication process begins with the growth of a high-quality semiconductor material, such as indium phosphide (InP). This material is chosen for its excellent optical properties. The InP material is then processed to form various components, such as lasers, detectors, and modulators. This involves steps like lithography, etching, and deposition.Once the chips are fabricated, they are assembled onto a substrate. The substrate provides mechanical support andelectrical connections for the chips. The chips arecarefully aligned and bonded to the substrate using advanced bonding techniques, such as flip-chip bonding or wire bonding. This ensures precise alignment and reliable electrical connections.After the assembly, the BOSA undergoes rigorous testing to ensure its performance meets the required specifications. This includes testing the optical power output, wavelength accuracy, modulation efficiency, and receiver sensitivity. Various testing equipment and techniques, such as optical spectrum analyzers and bit error rate testers, are used for the testing process.Once the BOSA passes the testing phase, it is packaged into a protective housing. The packaging provides mechanical protection and environmental stability for the BOSA. The packaged BOSA is then integrated into the optical communication system, where it plays a crucial role in transmitting and receiving optical signals.中文回答：BOSA（双向光子组件）是光通信系统中的重要组件。

晶闸管的各项参数指标(精)

如何形象理解晶闸管的各项参数对于大多数从事电力电子整机和器件的技术人员来说，晶闸管的各项参数的真正含义理解起来是很困难的事，如果单从字面去理解需要十几年甚至几十年才能有正确的认识，而且需要大量的实践经验作依托，没有足够的临场经验可能永远也无法理解其真正的含义。

本人从事电力电子整机技术工作十几年，主要接触过的产品有中频电源、整流器、逆变及整流焊机、直流调速电源、变频调速电源、控温装置、开关电源等，之后又从事电力电子器件的技术工作十几年，主要是器件产品测试仪表的制作、维修、管理等工作，通过测试仪表的这些工作（因为制作仪表、维修仪表必须掌握器件各参数的标准，否则无法做出合格的仪器仪表）让我对晶闸管各项参数的标准有了新的认识，并且将整机技术与器件技术融为一体，由此总结出一套适合所有从事电力电子整机和器件技术人员正确、形象理解晶闸管各项参数的方法，稍微有一些电常识的人利用此方法很短时间内就可以从一名普通技术人员上升为高级设计者，本方法形象生动、通俗易懂、老少皆宜、一经理解终身不忘。

我们知道电荷的移动形成电流、水分子的移动形成水流，要想使电荷移动必须有电压差、要想使水分子移动必须有水位差，由此可以看出，电流可以形象地理解为水流；控制水流要有阀门、控制电流也必须要有“阀门”，这个“阀门”我们就用晶闸管。

水路由水流和阀门构成、电路由电流和晶闸管构成，通过阀门控制水流的大小、有无，通过晶闸管控制电流的大小、有无，可见二者的基础理论基本是一样的，因此我们就可以把电路形象地理解为水路，更确切的说就是可以把晶闸管形象的理解为阀门。

阀门的原理很简单，一种是调节阀门，通过调节阀门可以控制水流的大小；一种是通断阀门，通过阀门可以控制水流的有无。

阀门是我们的日常用品，每天都要接触，因此对于大多数人来说理解阀门的工作原理是很容易的事情。

而且阀门作为一种产品自然有其制作标准，也需有各项参数指标，只要理解了这些参数指标的含义，然后把他们“照抄照搬”到理解晶闸管中就可以了，就是说如想了解晶闸管的参数含义直接套用阀门的参数指标的含义就实现。

晶体管的各种参数有什么意义

晶体管的各种参数有什么意义？晶闸管的电参数，在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。

但在实际的使用中，我发现还有许多想测而无法测量到的参数，为使工作方便，我便称其为“功能参数”。

分别述之：一、极限参数所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不允许超过的参数。

这些参数常规的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作的环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等)、存储条件等。

在民用电子产品的应用中，基本只关心前三个。

1、晶体管的反向击穿电压定义：在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压，观察其PN结的电流变化情况，当PN结的反向电流出现剧烈增加时，此时施加到此PN结两端的电压值，就是此PN结的反向击穿电压。

每个晶体管都有三个反向击穿电压，分别是：基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。

此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的电压范围。

由此电参数的特性可知，当晶体管在工作中出现击穿状态，将是非常危险的。

因此，在设计中，都给晶体管工作时的电压范围，留有足够的余量。

实际上，当晶体管长期工作在较高电压时(晶体管实测值的60%以上)，其晶体管的可靠性将会出现数量级的下降。

有兴趣的可以参考《电子元器件降额准则》。

许多公司在对来料进行入库检验时发现，一些品种的反向击穿电压实测值要比规格书上所标的要大出许多。

这是怎么回事呢?晶体管在生产制造过程中，与一些我们常见的生产完全不一样。

在晶体管的生产过程中，可以分成二大块：芯片制造和封装。

在工程分类中，习惯把芯片制造统称为“前道”，而把封装行业统称为“后道”。

在前道生产中，从投料开始选原材料，到芯片出厂，一切控制数据，给出的都是范围。

芯片在正常生产时，投料的最小单位是“编号批”，每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。

晶闸管的主要参数

晶闸管的主要参数之阳早格格创做(1) 断态没有沉复峰值电压UDSM门极启路时，施加于晶闸管的阳极电压降下到正背伏安个性直线慢遽转合处所对于应的电压值UDSM .它是一个没有克没有及沉复，且屡屡持绝时间没有大于10ms 的断态最大脉冲电压. UDSM值应小于转合电压Ub0.(2) 断态沉复峰值电压UDRM晶闸管正在门极启路而结温为额定值时，允许沉复加于晶闸管上的正背断态最大脉冲电压.每秒50次屡屡持绝时间没有大于10ms，确定UDRM为UDSM的90%.(3) 反背没有沉复峰值电压URSM门极启路，晶闸管启受反背电压时，对于应于反背伏安个性直线慢遽转合处的反背峰值电压值URSM.它是一个没有克没有及沉复施加且持绝时间没有大于10ms 的反背脉冲电压.反背没有沉复峰值电压URSM应小于反背打脱电压.(4) 反背沉复峰值电压URRM晶闸管正在门极启路而结温为额定值时，允许沉复加于晶闸管上的反背最大脉冲电压.每秒50次屡屡持绝时间没有大于10ms.确定URRM为URSM的90%.(5) 额定电压UR断态沉复峰值电压UDRM战反背沉复峰值电压URRM二者中较小的一个电压值确定为额定电压UR.正在采用晶闸管时，该当使其额定电压为仄常处事电压峰值UM的2~3倍，以动做仄安裕量.(6)通态峰值电压UTM确定为额定电流时的管子导通的管压落峰值.普遍为1.5~2.5V，且随阳极电流的减少而略为减少.额定电流时的通态仄衡电压落普遍为1V安排.(7) 通态仄衡电流IT(A V）正在环境温度为+40℃战确定的集热热却条件下，晶闸管正在导通角没有小于170°电阻性背载的单相、工频正弦半波导电，结温宁静正在额定值125°时，所允许通过的最大电流仄衡值.——允许流过的最大工频正弦半波电流的仄衡值.采用一个晶闸管时，要根据所通过的简直电流波形去估计出容许使用的电流灵验值，该值要小于晶闸管额定电流对于应的灵验值.晶闸管才没有会益坏.设单相工频正弦半波电流峰值为Im时通态仄衡电流为：正弦半波电流灵验值为：灵验值与通态仄衡电流比值为：则灵验值为：根据灵验值相等准则去估计晶闸管的额定电流.若电路中本质流过晶闸管的电流灵验值为I ，仄衡值Id ，定义波形系数：则由于晶闸管的热容量小，过载本领矮，果此正在本质采用时，普遍与1.5~2倍的仄安系数，(8) 保护电流IH (针对于闭断历程)——是指晶闸管保护导通所必须的最小电流.普遍为几十到几百毫安.保护电流与结温有闭，结温越下，保护电流越小，晶闸管越易闭断.(9) 断态电压临界降下率du/dt——电压降下率过大，便会使晶闸管误导通.——指正在额定结温战门极启路的情况下，没有引导晶闸管从断态到通态变换的中加电压最大降下率.(10) 通态电流临界降下率di/dt——如果电流降下太快，大概制成局部过热而使晶闸管益坏 f d I K I。

BOSA测试培训

Header PD Chip LD Chip Fiber Stub Split Sleeve To-Can
SiOB Lens Window-cap Isolator Z-Bushing Receptacle LD Submount LD Chip
Header+SiOB+LD Chip+PD Chip+Cap =To-Can To-Can+Isolator+Z-Bushing+Receptacle =TOSA
WDM: Wave Division Multiplexing, 波分复用
光模块概述
光模块在通信设备中的作用：完成光电转换和电光转换信号通过光模块实现传输媒体的转换(光纤←→铜线) 按照系统需求将一定质量的光信号或者电信号转换成标准定义的光信号或者电信号
标题光模块的组成框图 NhomakorabeaTOSA基本结构
Typ.
Max.
Unit
Test Condition
Transmitter --Threshold Current Fiber Output Power (CW, Iop = Ith+ 20mA) Slope Efficiency Drop Δ SE PI Kink Forward Voltage Rise/Fall Time Ki VF Tr /Tf ----1290 Peak Wavelength Spectrum Width Monitor Current Capacitance (MPD) λ Δλ Im CPD 100 --1260 --Note4 --5 1500 20 --150 20 1.3 300 1330 1360 nm nm μ A pF % V ps Pf Ith --1.2 0.8 20 --45 ----15 35 2.5 mW % mA CW, TC=0℃ or 25℃ CW, TC=0℃~80℃ Kink free, TC=25℃ Kink free, TC=80℃ (SE(25℃)SE(80℃))/SE(25℃) CW,PL<2.5mW CW, Pf=2.5mW Ib=Ith, 10%~90%, Pf=2.5mw Tc =25℃ Tc=0~+80℃ CW, I=Ith+20mA,Tc=0~+80℃ CW, I=Ith+20mA VRMP=10V, f=1MHz Pf=1.26mW at 25℃ vs. Pf at 80℃ or 0℃ by the same Imon as 25℃. λ=1310nm ,Note 1 λ=1310nm

SFP,TOSA,BOSA,光纤,Rosa,光模块,GB_Link光通信模块基础培训教材

常规光纤损耗随波长变化曲线图
损
耗
dB/km5
多
4
模
光
3
纤
（
2
1
O波段 E波段 S C L U OH-
850~900nm
） 900
波长不同,损耗不同
1200 1300 1400 1500 1600
1380nm附近由于氢氧根粒子吸收,光纤损耗急剧加大,俗称水峰
ITU-T将单模光纤在1260nm以上的频带划分了O、E、S、C、L、U几个波段
TOSA 生产工艺流程
领料
金属件清洗组装
压配
耦合
端面清洗
功率调整
初测
温循
激光打标
终测
目检焊点外观目检
每款TOSA的生产至少需要15道工序,1000pcs/3天,其中温循工序占用16小时.
激光焊接品检入库
BOSA 生产工艺流程
领料
端面清洗接收耦合终测发射
金属件清洗组装
功率调整接收初测
色散：G.653的零色散波长在1550nm附近，在 1525-1575nm范围内，最大色散系数是
3.5ps/nm-km，在1550nm窗口，特别是在
C_band，色散位移光纤的色散系数太小或可能
为零；
非零色散位移光纤
SDH/DWDM系衰减：1310nm波段：ITU-T无规定。1550nm波
（NZDSF），将色散零点统均可，但更适段：<0.35dB/km，目前一般在0.19-0.25dB/km。
G.655
的位置从1550nm附近移开合DWDM系统的色散：当1530nm <λ< 1565nn，0.1ps/nm-km <

光通信原理及光器件介绍

1400
光波长（nm）
全波光纤
1600
1800
9
光纤通讯系统知识介绍－光纤结构
光纤
光纤的结构
涂敷层
包层纤芯
10
光纤结构
光纤（Optical Fiber）是由中心的纤芯和外围的包层同轴组成的圆柱形细丝。
纤芯的折射率比包层稍高，损耗比包层更低，光能量主要在纤芯内传输。
包层为光的传输提供反射面和光隔离，并起一定的机械保护作用。
突变型多模光纤（Step-Index Fiber, SIF）渐变型多模光纤（Graded-Index Fiber, GIF）单模光纤（Single-Mode Fiber, SMF）相对于单模光纤而言，突变型光纤和渐变型光纤的纤芯直径都很大，可以容纳数百个模式，所以称为多模光纤。
13
横截面
偏振保持光纤用在外差接收方式的相干光系统，这种系统最大优点是提高接收灵敏度，增加传输距离。
17
光纤传输优点
1、通信容量大从理论上讲，一根仅有头发丝粗细的光纤可以同时传输1000 亿个话路 2、中继距离长 3、保密性能好光波在光纤中传输时只在其芯区进行，基本上没有光“泄露”出去，因此其保密性能极好 4、适应能力强适应能力强是指，不怕外界强电磁场的干扰、耐腐蚀，可挠性强 5、体积小、重量轻、便于施工维护光缆的敷设方式方便灵活，既可以直埋、管道敷设，又可以水底和架空 6、原材料来源丰富，潜在价格低廉制造石英光纤的最基本原材料是二氧化硅即砂子，而砂子在大自然界中几乎是取之不尽、用之不竭的。因此其潜在价格是十分低廉的
DFB LD module
Dual-baalog)
DFB LD module
1x4 Splitter

TOSA_ROSA_BOSA光电组件介绍

5.8
77.4
64.0
71.6
62.4
54.3
50.0
82.9
70.2
77.1
68.7
58.3
54.5
5-2 TOSA
-热设计
Table 5 The relative thermal resistance, AlN soldered heat spreader with copper base as reference. Base of Invar or Copper, heat spreader bonded to base with solder or glue. The nominal power of the diode is given.
CW -
IF=Ith+20mA IF=Ith+20mA
IF=Ith+20mA
系统组成
一台Model2400 源表
一台双通道光功率计2500
一台带GPIB接口卡的PC
为用户定做的专
用程序
SourceMeter 2400 Trig
Dual Photodiode Meter 2500
IEEE-488 Interface PC Software
TEC BD
PD Sphere
TEC Control 2510-AT
Height of base Width of base Length of base
1.7
1.7
1.7
[mm]
1.2
1.2
1.2
[mm]
4
4
4
[mm]
5-2 TOSA
-热设计
Table 3 The maximum temperature in °C. Base of Invar or Copper, heat spreader bonded to base with solder or glue. Heat input in all cases 1 W, the nominal power of the diode is given.

磁通门传感器术语

测量本底噪声是指仪器潜在的内部噪声误差，在已知的零磁空间内测量 1Hz 处的剩余磁场。它确定了传感器在最佳条件下能够测量的最小磁场或磁场变化。
测量范围是指传感器能够精确测量的最大磁场强度。
零场偏差是指在零磁场环境测量的平均值
误差温度系数是指给定温度变化时偏移量的变化
正交误差是指三个互相垂直的磁通门元件之间的角度误差
输出阻抗是指传感器的输出阻抗。磁通门传感器通常具有相对较低的输出阻抗。
极性当指向磁北时，传感器将测量一个正的磁场强度值。
电源抑制比传感器电路抑制电源波动的能力。如果出现的变化或波动超过阈值，电源跳变将影响传感器的输出并产生噪声。
标度和标度误差传感器的电压输出与被测场线性相关。标度（mV/uT）是一个比例常数。标度误差是指在特点的场强下真实磁场和测量磁场之间的误差，表示理想的标度（满量程/最大输出）和测量测量标度之间的误差。
带宽和频率响应带宽和频率响应参数与传感器提供磁场强度读数的频率范围相对应。频率响应是传感器输出的振幅等于所测量的磁场振幅的频率范围(±5%)。带宽是指在 -3dB 点的频率范围，传感器输出的振幅相当于所所测量磁场的 70.1% 。注意，更高频磁场仍将会被测量，只是振幅会缩减。
电流消耗是指传感器从电源中获取的电流，用于传感器的正确操作。
预热时间是指传感器实现其性能指标所需的时间。实现标度性能的时间比实现噪声性能的时间短。参见启动时间。
激发穿透/激励频率是指磁通门激励频率在传感器信号输出端输出的信号量。激励频率是传感器最大带宽的几倍。为了获得最佳的性能，这个激励信号需要过滤掉（模拟或数字式）。
频率响应参考带宽和频率响应
磁滞
如果传感器受到的磁场大于全量程范围，则磁芯材料的磁化可能会永久改变。会导致改变偏移量。

磁芯各参数详解

一、磁芯初始磁导率磁感应强度与磁场强度的比值称为磁导率。

初始磁导率高：相同圈数感值大，反之亦然；初始磁导率高：相同电流下容易饱和，反之亦然；初始磁导率高：低频特性好，高频差，反之亦然；初始磁导率高：相同产品价格高，反之亦然；1、磁导率的测试仪器功能磁导率的测量是间接测量，测出磁心上绕组线圈的电感量，再用公式计算出磁心材料的磁导率。

所以，磁导率的测试仪器就是电感测试仪。

在此强调指出，有些简易的电感测试仪器，测试频率不能调，而且测试电压也不能调。

例如某些电桥，测试频率为100Hz 或1kHz，测试电压为0.3V，给出的这个0.3V并不是电感线圈两端的电压，而是信号发生器产生的电压。

至于被测线圈两端的电压是个未知数。

如果用高档的仪器测量电感，例如Agilent 4284A 精密LCR测试仪，不但测试频率可调，而且被测电感线圈两端的电压及磁化电流都是可调的。

了解测试仪器的这些功能，对磁导率的正确测量是大有帮助的。

2、材料磁导率的测量方法和原理说起磁导率μ的测量，似乎非常简单，在材料样环上随便绕几匝线圈，测其电感，找个公式一算就完了。

其实不然，对同一只样环，用不同仪器，绕不同匝数，加不同电压或者用不同频率都可能测出差别甚远的磁导率来。

造成测试结果差别极大的原因，并非每个测试人员都有精力搞得清楚。

本文主要讨论测试匝数及计算公式不同对磁导率测量的影响。

2.1 计算公式的影响大家知道，测量磁导率μ的方法一般是在样环上绕N匝线圈测其电感L，因为可推得L的表达式为：L=μ0 μN2A/l（1）所以，由（1）式导出磁导率的计算公式为：μ=Ll/μ0N2A （2）式中：l为磁心的磁路长度，A为磁心的横截面积。

对于具有矩形截面的环型磁芯，如果把它的平均磁路长度l=π（D+d）/2就当作磁心的磁路长度l，把截面积A=h（D-d）/2，μ0=4π×10-7都代入（2）式得二、饱和磁通密度1.什么是磁通：磁场中垂直通过某一截面的磁感应线总数，称为磁通量（简称磁通）2.什么是磁通密度：单位面积垂直通过的磁感应线的总数（磁通量）称为磁通密度，磁通密度即磁感应强度。

BOSA on Board

▪ Nanotech芯片NT25L91
▪ 使用单闭环控制，高温必需预设调制电流补偿系数以保持消光比
▪ 必须有累计的统计数据来设定合适的补偿值
▪ 对BOSA的要求较低，单个芯片可以达到所有功能，不需外加电路 ▪ 可以分别关断RX跟TX电源，实现节电功能
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BOSA在板的设计，PCB设计
▪ 主流设计为APD/TIA直插入板，激光器弯脚后插入 PCB,LD脚位旋转45度让两弯脚长度一致。弯脚要保持大点的半径以降低高频损耗
Optical Chip
BOSA Vendor
Vendor
(Bi-Direction Optical Sub Assembly)
Transceiver Vendor
Laser FP Die DFB Die
TO-Can Packaging
BOSA Assembly
Transceiver Assembly
证。过程繁复，只较适合大量生产的机型。
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BOSA Structure
1550nm ANALOG
1310 nm upstream 1490 nm downstream
BIDI
14900nm Downstream Detector
1310nm Upstream Laser
Confidential
9-Nov-20
SoC Vendor 4
降成本方案 – BOSA在板（BOB）
▪ BOSA在板节省 $1.5 - $2.5 ▪ MAC内加入Bit Error Tester跟Pattern Generator – 集
成生产测试仪器简化生产设备投资
▪ 省掉原来模块里的MCU，使用PON MAC主芯片内的32位元的 MCU做生产测试校验程序，自动调校生产测试

SFP,TOSA,BOSA,光纤,Rosa,光模块,GB-Link光通信模块基础培训-PPT资料47页

大纲
TOSA/BOSA基础知识介绍光纤基础知识介绍 ROSA基础知识介绍光模块基础及相关知识点
gb-linksalesgb-link
光收发模块结构
结构由以下:
1. 光器件
外壳
2. PCBA
3. 机械
TOSA
Laser driver
LC 光纤接口
电接口金手指 PCBA
限幅放大器
ROSA
另：10G XFP 产品还包含CDR CHIP X2/XENPAK/SGMII 包含 physical PHY-IC
• 因为C波段和L波段这两个传输窗口的传输衰耗最小，所以DWDM系统中信号光选择在C波段和L波段 • 粗波分由于传输距离短，衰耗并非主要限制因素，所以CWDM系统中信号光跨越多个波段（1311~1611nm）
gb-linksalesgb-link
光纤中的色散特性
光脉冲中的不同频率或模式在光纤中的群速度不同，因而这些频率成分和模式到达光纤终端有先有后，使得光脉冲发生展宽，这就是光纤的色散
色度色散系数就是单位波长间隔内光波长信号通过单位长度光纤所产生的时延差，用 D表示，单位是ps/nm.km。偏振模色散系数则用PMDQ来表示，单位是ps/kmⁿ （n为1/2）
gb-linksalesgb-link
色散对传输的影响
从TDM角度上说，色散将导致码间干扰
T
T+ΔT
λ3 λ1 λ3 λ1
gb-linksalesgb-link
WDM中信号光窗口范围
波段 O波段 E波段 S波段 C波段 L波段 U波段
说明原始扩展短波长常规波长长波长超长波长
范围（nm） 1260~1360 1360~1460 1460~1525 1525~1565 1565~1625 1625~1675

BOSA on Board解析

快速调整激光眼图的算法 APD雪崩电压在板测试，或直接由BOSA厂数据输入 APD灵敏度做Go/No-Go测试，需要留较大冗余
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BOSA在板的设计，目前问题
整合芯片的温度感测器偏差校正
偏差校正
由于温度感测器在整合芯片内，芯片的温升影响量测精度，需要
– 必须有解决方案
BOSA品质一致性较难要求，影响直通率及良率。若直通率低时，BOB不会有成本优势 BOSA供应的稳定性 BOSA在板牵涉整体ONU设计，在更改设计后ONU必须重新认
Fiber Loop
(1) 基本树型及汇流排
ONU L ONU R ONU L ONU R ONU L ONU R Fiber Loop ONU L ONU R OLT L OLT R
(2) 干线保护树型
R L ONU ONU ONU R ONU L
1xn Coupler
OLT L OLT R
1xn Coupler
测试调校完整出厂
预调激光驱动参数及预先测试接收灵敏度调校及测试数据储存于整合芯片中
邮票大小的PCB

类似BOSA在板的设计，省略外壳，降低温升，减少灵敏度损失可以做成接头型降低ONU的成本，简化生产适用于EPON/GPON
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第一代ＢＯＳＡ贴－ＢＯＢ的ＰＣＢ
接脚定义
BOSA 贴
BOSA Attached Module
注记
BAM DFB PIN 不用弹性替换不用不用预先调校完成可以没有
相同 BOSA 贴较便宜省略高压产生器 BOB 要重新设计 ONU 省掉 MCU 的费用省掉外壳的费用容易生产 BOB 需送厂重调没有 DDMI 专利的问题

场效应管参数含义

1、BVdss漏极耐压测试漏极电压测试是测试管子的漏极最大承受电压的值，其测试条件将设置栅极-源极电压VGS=0，并将漏电流限制在规定值以内，进行的耐压测试。

范围：50V~1000V。

2、Vgs(th)开启电压测试开启电压测试是测试管子的栅极的电压值，其测试条件将设置栅极电压等于源极电压VGS=VDS，并将漏电流限制规定值的恒流条件下，进行的开启电压测试。

范围：2V~4V。

3、Igss栅极漏电流测试栅极漏电流测试是测试栅极在一定的电压条件下的漏电流，其测试条件将设置VDS=0，并将栅极电压设置规定值，进行栅极漏电流测试。

范围：〈100nA 。

4、Idss漏极漏电流测试漏极漏电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的漏电流，其测试条件将设置VGS=0，并将漏极电压设置规定值，进行漏极漏电流测试。

范围：〈100uA；〈500 uA；〈1000uA。

5、Id(on)漏极通态电流测试漏极通态电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的通态电流，其测试条件将设置VGS=10V，并将漏极电压、电流设置规定值，进行漏极通态电流测试。

6、Rds漏极与源极内阻漏极与源极内阻测试是测试漏极对源极在一定的条件下的内阻，其测试条件将设置VGS=10V，并将漏极电压、电流设置规定值，进行漏极内阻测试。

7、Gfs跨导跨导是反映场效应管的栅极电压的变化，使漏极电流产生变化，这种特性称之为跨导。

其测试条件将设置VGS置于某一值，测试此时漏极的“电流值1”，然后将设置VGS增加一定值，测试此时漏极的“电流值2”，并计算漏极电流差值与栅极电压差值之比。

此仪器配合相应的软件可以测试三极管、二极管、可控硅、IGBT等分离器件的参数。

因此可实现一台仪器代替多台仪器使用场效应管参数符号意义作者：时间：2007-01-30 来源: 浏览评论推荐给好友我有问题个性化定制关键词：场效应管Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。

半导体参数意义

一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。