90 年度期末考试题 半导体制程安全期末考
半导体器件制造质量控制与安全生产考核试卷
B.磨削
C.化学气相沉积
D.离子注入
11.下列哪种设备不属于半导体器件制造的关键设备？( )
A.光刻机
B.蚀刻机
C.离子注入机
D.质检测设备
12.在半导体器件制造过程中，下列哪种安全防护措施是错误的？( )
A.佩戴护目镜
B.穿戴防静电服
C.在危险区域吸烟
D.佩戴耳塞
13.下列哪种因素可能导致半导体器件的短路？( )
3. CVD是利用化学反应在基底表面形成薄膜的技术。应用于硅、氧化物、氮化物等材料的生长，不同的反应气体和条件可生长不同类型的薄膜。
4.静电放电可能导致器件短路或损坏。防护措施包括使用防静电装备、控制环境湿度、接地等。
12. ABCD
13. ABCD
14. ABCD
15. ABCD
16. ABCD
17. ABCD
18. ABC
19. ABCD
20. ABCD
三、填空题
1.超声波清洗、化学清洗、水基清洗
2.负性
3.温度循环测试
4.高效空气过滤器
5. III-V族、II-VI族
6.球栅阵列（BGA）
7.洁净度等级
8.氯气、氧气、氩气
8.等离子体蚀刻工艺中，常用的气体有______、______和______。（）
9.半导体器件的______测试可以评估器件在高温下的长期稳定性。（）
10.安全生产中，______是防止静电放电的最有效方法之一。（）
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
四、简答题（本题共5小题，每小题10分，共50分）
五、计算题（本题共2小题，每小题20分，共40分）
半导体制程安全期末考试题
半導體製程安全期末考試題學號：___________________ 姓名：__________________是非題（每題2.5 分）1. 矽晶體中若摻雜砷（As）元素會形成正型（p-type）半導體。
2. 依危險物及有害物通識規則物質安全資料表至少應三年更新一次。
3. 微影成像（photolithography）可對晶體材料進行摻雜（doping）。
4. 正型光阻劑的溶解度隨曝光程度的增加而降低。
5. 依NFPA 規範，當風管貫穿半導體廠防火結構時，在防火牆兩側之防火結構延伸距離應選擇六公尺或兩倍管徑中較大者。
6. FM 之耐燃材料規範，係測試材料之火焰傳播指標與煙產生指標。
7. UL 以Cone Calorimeter 材料測試方法，測試材料之耐燃特性。
8. 機械設備用語「Fail-Safe」係指「失效也安全」。
9. ITRS 國際半導體技術里程每年修訂一次，資料可由美國SEMATECH 機構取得。
10. SEMI S2是有關於半導體排氣安全的規範。
11. 隨著半導體製程限距的縮小，元素週期表中之過度金屬越被使用，環安工程師應注意過度金屬及其氧化物對員工的危害。
選擇題（單選，每題2.5 分）答案可能為01. 所謂負型（n-type）半導體係指 接近或位於導帶的電子洞較電子多 半導體中淨電荷為負 半導體中淨電荷為正 為本徵半導體 接近或位於導帶的電子較電子洞多。
2. 下列何族元素的化合物不可做為半導體基質材料？ IV-IV III-V II-VIIV-VI III-V。
3. 各級積體電路所含的元件數，何者為是？ MSI < LSI < ULSI < VLSI MSI < LSI< VLSI < ULSI MSI > LSI > VLSI > ULSI MSI > LSI > ULSI > VLSI LSI > MSI > VLSI > ULSI。
半导体行业安全生产与事故预防考核试卷
B.使用个人防护装备
C.定期对员工进行健康检查
D.增加员工工作时间
7.以下哪些化学品在半导体生产过程中需要特别注意储存和使用？（）
A.易燃液体
B.氧化剂
C.有毒品
D.腐蚀品
8.以下哪些因素可能影响半导体生产车间的环境安全？（）
A.温度
B.湿度
C.噪音
D.照明
9.以下哪些是半导体行业环境安全管理的主要内容？（）
A.废气处理
B.废水处理
C.噪音控制
D.固体废物处理
10.以下哪些措施有助于提高半导体行业员工的安全意识？（）
A.定期进行安全演练
B.张贴安全标语和标志
C.对安全事故进行案例分析
D.加大对违章行为的处罚力度
11.以下哪些设备在半导体生产过程中需要严格控制温度和压力？（）
A.化学气相沉积设备
B.蚀刻机
3. AB
4. ABC
5. ABC
6. ABC
7. ABCD
8. ABCD
9. ABCD
10. ABC
11. ABC
12. ABCD
13. ABCD
14. ABCD
15. ABC
16. ABC
17. ABCD
18. ABC
19. ABC
20. ABC
三、填空题
1.去离子水
2.清洗
3.使用
4.氯化氢
5.使用个人防护装备
C.长时间接触去离子水
D.长时间接触氮气
14.下列哪种措施不能降低半导体生产车间的噪音污染？（）
A.设置隔音屏障
B.使用低噪音设备
C.增加生ห้องสมุดไป่ตู้班次
《半导体集成电路》期末考试试题库..
第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。
2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法？6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体复习题(带答案)
半导体物理复习题一、选择题1.硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（D）P1A.1B.2C.4D.82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（C）P65A.本征半导体的费米能级E F=E i基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（D）P130A. B. C. D.4．下面pn结中不属于突变结的是（D）P158、159A.合金结B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结5.关于pn结，下列说法中不正确的是（C）P158、160A.pn结是结型半导体器件的心脏。
B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
6.对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（B）P128A. B. C. D.7.关于空穴，下列说法不正确的是（C）P15A.空穴带正电荷B．空穴具有正的有效质量C．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D．半导体中电子空穴共同参与导电8.关于公式，下列说法正确的是（D）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9.对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（C）P177A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比10.关于有效质量，下面说法错误的是（D）P13、14A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C.有效质量可正可负D.电子有效质量就是电子的惯性质量。
半导体生产安全监控系统考核试卷
B.在禁烟区吸烟
C.未穿戴适当的个人防护装备
D.擅自改动设备设置
12.以下哪些设备属于半导体生产安全监控系统的应急设备？（）
A.灭火器
B.应急照明
C.紧急洗眼器
D.防毒面具
13.下列哪些是半导体生产过程中的化学危害因素？（）
A.酸性气体
B.碱性液体
C.有机溶剂
D.重金属
14.以下哪些做法有助于提高半导体生产过程中的安全性？（）
A.定期对设备进行检修
B.对员工进行定期的安全知识培训
C.实施严格的生产管理制度
D.减少生产时间
15.下列哪些设备用于检测半导体生产过程中的环境参数？（）
A.气体分析仪
B.粉尘计
C.噪音计
D.温度计
16.以下哪些是半导体生产安全监控系统的关键性能指标？（）
A.灵敏度
B.பைடு நூலகம்确度
C.可靠性
D.更新速度
17.下列哪些行为可能导致半导体生产过程中的职业健康问题？（）
A.氧气
B.氮气
C.硅烷
D.氩气
9.以下哪些是半导体生产过程中的物理危害因素？（）
A.噪音
B.粉尘
C.紫外线辐射
D.高温
10.下列哪些措施可以防止半导体生产过程中的爆炸事故？（）
A.严格控制易燃易爆气体
B.使用防爆电气设备
C.定期清理生产线
D.加强员工安全意识
11.在半导体生产中，以下哪些操作可能存在安全隐患？（）
A.定期进行设备维护
B.加强安全培训
C.提高生产效率
D.严格执行操作规程
11.在半导体生产安全监控系统中，下列哪种设备主要用于实时监控生产现场？（）
半导体物理学期末复习试题及答案一(word文档良心出品)
一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接B.间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C-V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 2012. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
半导体物理期末试卷含部分答案
一、填空题1．纯净半导体Si 中掺错误!未找到引用源。
族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。
这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。
2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。
3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。
4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 .5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 qT k D n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。
6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。
前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。
7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。
8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。
费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。
9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。
半导体期末试题及答案
半导体期末试题及答案[第一部分：选择题]1. 西格玛公司的闸流体是一种常见的半导体器件，其特点是：A. 具有较大的工作电压和电流B. 可以在高频率下工作C. 具有较大的输入电阻和输出电流D. 可以作为开关来控制电流答案：D2. 对于半导体材料来说，硅的能隙是：A. 0.7eVB. 1.1eVC. 1.4eVD. 1.7eV答案：C3. 在PN结的空间电荷区，以下哪个说法是正确的？A. N区内由于施主杂质的存在，有较多的自由电子B. P区内由于受主杂质的存在，有较多的空穴C. 空间电荷区中，有较多的固定正、负离子D. 空间电荷区中，能级呈谷布尔分布答案：C4. 当PN结处于正向偏置时，以下说法正确的是：A. P区电子进入N区B. N区电子进入P区C. P区空穴进入N区D. N区空穴进入P区答案：B5. 以下关于晶体管的说法，错误的是：A. 晶体管由三个电极组成，分别是基极、发射极和集电极B. PNP型晶体管的发射区域是N区C. PNP型晶体管的集电区域是P区D. 晶体管是一种电流放大器件答案：A[第二部分：填空题]1. 临界击穿电压是指______。
答案：PN结电容器击穿时所需要的最小电压。
2. 在增强型N沟道MOSFET中，当栅极电压大于门槽压的时候，沟道位置______。
答案：低电位区（Depletion Region）3. 理想二极管的伏安特性曲线是一条______。
答案：指数函数曲线。
4. 晶体管的三个工作区分别是______。
答案：截止区、放大区、饱和区。
5. TTL门电路是由______和______两种类型的晶体管构成。
答案：NPN型晶体管和PNP型晶体管。
[第三部分：计算题]1. 一台功率为500W的LED照明灯需要工作电压为3.5V、工作电流为100mA的LED作为光源。
计算此照明灯所需的串并联关系和所需电阻值。
设LED的工作电压为Vf，工作电流为If。
串联LED的总电压为Us，并联LED的总电流为Ip。
半导体期末考试地的题目
一、填空（每题3分）
1、在MIS结构的金属和n型半导体之间加偏压时，半导体表面处于多子积累状态；表面处于耗尽状态时，应施加偏压；表面进入强反型状态的条件是。
2、在硅-二氧化硅系统中，存在着多种形式的电荷或能量状态，一般可归纳为：、、、四种基本类型。
3、半导体异质结按照从一种材料过渡到另一种材料的变化情况可分为异质结和异质结，到目前为止人们对
异质结还了解甚少。
4、对于一个突变反型pN异质结，其Ec
∆= ；
∆+∆= ；∆= ；Ec Ev
Ev
5、已知GaAs的禁带宽度在300K时，Eg=1.424eV，则其本征吸收的长波限为。
6、在半导体中，除了本征吸收外，还存在着吸收、吸收、吸收等。
7、间接跃迁是指跃迁，跃迁前后电子波矢量遵守的规律是。
8、某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是型半导体。
9、半导体中的热电效应主要有：、、和。
10、非晶态半导体的结构特点是：长程，短程。
二、名词解释（每题6分）
1、表面势、费米势
2、同型异质结、反型异质结
3、带间吸收、激子吸收
4、辐射复合、非辐射复合
5、温差电动势、珀耳帖效应
三、分析、回答问题
1、比较异质结和同质结的不同，根据异质结的结构特征，说明异质结晶体管性能的优势。
（10分）
2、什么是激子？解释激子吸收，普通半导体中的激子和量子阱的激子有什么区别？（10分）
3、说明热探针测定半导体材料导电类型的原理，你认为这种方法对高阻和低阻材料的可靠性如何？为什么？（20分）。
半导体制造工艺期末考试重点复习资料
半导体制造工艺期末考试重点复习资料1、三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET。
2、晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。
3、砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。
4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度（晶片直径决定）、晶面倾斜度（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度（晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。
5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和氧化工艺）、线缺陷或位错（刃型位错和螺位错，金属易在线缺陷处析出）、面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续，出现在晶体生长时）、体缺陷（杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）。
6、最大面为主磨面，与<110>晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型。
7、半导体氧化方法：热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。
8、晶体区别于非晶体结构：晶体结构是周期性结构，在许多分子间延展，非晶体结构完全不是周期性结构。
9、平衡浓度与在氧化物表面附近的氧化剂分压值成正比。
在1000℃和1个大气压下，干氧的浓度C0是5.2x10^16分子数/cm^3，湿氧的C0是3x10^19分子数/cm^3。
10、当表面反应时限制生长速率的主要因素时，氧化层厚度随时间呈线性变化X=B(t+)/A线性区（干氧氧化与湿氧氧化激活能为2eV,）；氧化层变厚时，氧化剂必须通过氧化层扩散，在二氧化硅界面与硅发生反应，并受扩散过程影响，氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，生长速率为抛物线X^2=B(t+)抛物线区（干氧氧化激活能是1.24Ev,湿氧氧化是0.71eV）。
11、线性速率常数与晶体取向有关，因为速率常数与氧原子进入硅中的结合速率和硅原子表面化学键有关；抛物线速率常数与晶体取向无关，因为它量度的是氧化剂穿过一层无序的非晶二氧化硅的过程。
成电半导体物理期末考试试卷A及参考答案
成电半导体物理期末考试试卷A及参考答案1、在硅和锗的能带结构中，在布⾥渊中⼼存在两个极⼤值重合的价带，外⾯的能带（B ，对应的有效质量（ C ），称该能带中的空⽳为( E )。
A. 曲率⼤；B. 曲率⼩；C. ⼤；D. ⼩；E. 重空⽳；F. 轻空⽳ 2、如果杂质既有施主的作⽤⼜有受主的作⽤，则这种杂质称为（ F ）。
A. 施主 B. 受主 C.复合中⼼ D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（A ）型结构，具有（C ），它是（F ）半导体材料。
A. 纤锌矿型；B. 闪锌矿型；C. 六⽅对称性；D. ⽴⽅对称性；E.间接带隙；F. 直接带隙。
4、同⼀种施主杂质掺⼊甲、⼄两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是⼄的3/4， m n */m 0值是⼄的2倍，那么⽤类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲的施主杂质电离能是⼄的8/3，弱束缚电⼦基态轨道半径为⼄的3/4B.甲的施主杂质电离能是⼄的3/2，弱束缚电⼦基态轨道半径为⼄的32/9C.甲的施主杂质电离能是⼄的16/3，弱束缚电⼦基态轨道半径为⼄的8/3D.甲的施主杂质电离能是⼄的32/9，弱束缚电⼦基态轨道半径为⼄的3/85、.⼀块半导体寿命τ=15µs ，光照在材料中会产⽣⾮平衡载流⼦，光照突然停⽌30µs 后，其中⾮平衡载流⼦将衰减到原来的（ C ）。
A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2； D.1/26、对于同时存在⼀种施主杂质和⼀种受主杂质的均匀掺杂的⾮简并半导体，在温度⾜够⾼、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有（ B ）半导体的导电特性。
A. ⾮本征 B.本征8、在纯的半导体硅中掺⼊硼，在⼀定的温度下，当掺⼊的浓度增加时，费⽶能级向（ A ）移动；当掺杂浓度⼀定时，温度从室温逐步增加，费⽶能级向( C )移动。
A.Ev ； B.Ec ； C.Ei ； D. E F 9、把磷化镓在氮⽓氛中退⽕，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（ D ）。
半导体设备数据的安全管理考核试卷
17.以下哪些是半导体设备数据安全管理的关键法规？()
A. GDPR
B. HIPAA
C. SOX
D. IEEE标准
18.以下哪些技术可用于数据脱敏？()
A.数据掩码
B.数据伪装
C.数据加密
D.数据混淆
19.以下哪些是半导体设备数据安全管理中的物理安全措施？()
A.安装监控摄像头
B.设置门禁系统
2.世界上最著名的个人数据保护法规是______。
3.在半导体设备数据备份策略中，全备份是对所有数据进行备份，而______备份只备份自上次全备份以来发生变化的数据。
4.数据泄露防护（DLP）系统的主要作用是防止______数据被未授权访问或泄露。
5.有效的半导体设备数据安全管理策略应包括______、检测、响应和恢复四个方面。
6.在半导体设备数据安全中，______是指数据在传输过程中被截取和读取的风险。
7.为了防止物理层面的数据泄露，应采取如安装______系统和视频监控系统等物理安全措施。
8.在进行数据安全风险评估时，需要对数据的重要性和______进行评估。
9.半导体设备数据安全管理中，______是指对敏感信息进行替换或隐藏，以减少数据泄露风险。
D.将数据存储在云服务器上
19.以下哪个不是数据泄露的主要原因？()
A.网络攻击
B.硬件故障
C.软件漏洞
D.天气原因
20.在半导体设备数据安全管理中，以下哪个措施有助于降低数据泄露的风险？()
A.定期进行员工安全意识培训
B.数据备份存储在本地
C.禁止使用移动存储设备
D.所有以上选项
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
半导体物理期末考试试卷及答案解析
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 半导体物理期末考试试卷及答案解析------------------------------装---------------------------------------------订----------------------------------------线----------------------------------------安徽大学 20 09—20 10 学年第一学期《半导体物理学》考试试卷（B 卷）（闭卷时间 120 分钟）题号一二三四五六七总分得分阅卷人学号答题勿超装订线姓名专业年级一、选择题（每小题 2 分，共 20 分）得分1. 本征半导体是指( )的半导体。
A. 不含杂质和缺陷B. 电子浓度和空穴浓度相等C. 电阻率高D. 电子浓度与本征载流子浓度相等2. 关于 Si 的能带特征，以下描述错误的是( )。
A. 导带底位于六个等效的<100>方向B. 价带顶位于布里渊区中心C. Si 是直接带隙半导体D. 导带底附件的等能面是旋转椭球面3. 导带底附件的状态密度为 gc (E) ，电子占据能级 E 的几率为 fB (E) ，则导带电子浓度为( )。
A. gc (E) fB ( E )B. gc (E) fB ( E ) dE4. 简并半导体是指( )的半导体。
Ec′∫ C. Ec gc (E)dE∫ ( ) Ec′D. Ec gc (E) fB E dEA. (Ec －EF)或(EF-Ev)≤0 B. (Ec－EF)或(EF-Ev)≥0C. 能使用玻尔兹曼近似计算载流子浓度D. 导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子5.1/ 14对于 n 型非简并半导体，在饱和区，电阻率随温度上升而增加，可能的原因是( )。
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半導體製程安全期末考試題
學號：___________________ 姓名：__________________
是非題（每題2.5 分）
1. 矽晶體中若摻雜砷（As）元素會形成正型（p-type）半導體。
2. 依危險物及有害物通識規則物質安全資料表至少應三年更新一次。
3. 微影成像（photolithography）可對晶體材料進行摻雜（doping）。
4. 正型光阻劑的溶解度隨曝光程度的增加而降低。
5. 依NFPA 規範，當風管貫穿半導體廠防火結構時，在防火牆兩側之防火
結構延伸距離應選擇六公尺或兩倍管徑中較大者。
6. FM 之耐燃材料規範，係測試材料之火焰傳播指標與煙產生指標。
7. UL 以Cone Calorimeter 材料測試方法，測試材料之耐燃特性。
8. 機械設備用語「Fail-Safe」係指「失效也安全」。
9. ITRS 國際半導體技術里程每年修訂一次，資料可由美國SEMATECH 機
構取得。
10. SEMI S2是有關於半導體排氣安全的規範。
11. 隨著半導體製程限距的縮小，元素週期表中之過度金屬越被使用，環安工
程師應注意過度金屬及其氧化物對員工的危害。
選擇題（單選，每題2.5 分）
●答案可能為0
1. 所謂負型（n-type）半導體係指✶接近或位於導帶的電子洞較電子多✷半導
體中淨電荷為負✹半導體中淨電荷為正 為本徵半導體 接近或位於導帶的電子較電子洞多。
2. 下列何族元素的化合物不可做為半導體基質材料？✶IV-IV ✷III-V ✹II-VI
IV-VI III-V。
3. 各級積體電路所含的元件數，何者為是？✶ MSI < LSI < ULSI < VLSI ✷ MSI <
LSI < VLSI < ULSI ✹ MSI > LSI > VLSI > ULSI MSI > LSI > ULSI > VLSI LSI > MSI > VLSI > ULSI。
4. 有關半導體的導帶（conduction band）與價帶（valence band），以下何者為是？
✶導帶與價帶有重疊區域✷導帶最低能量低於價帶最高能量✹價帶最高能
量高於導帶最高能量 價帶最低能量高於導帶最低能量 導帶與價帶距離較絕緣體大。
5. 下列何者不是半導體元件所能提供的功能？✶放大✷整流✹發電 發光
記憶。
6. 在矽原料純化過程中，以焦炭冶鍊產生✶多晶矽✷非晶矽✹結晶矽 晶
圓 晶棒。
7. 在矽原料純化過程中，將矽氯化成SiCl4的原因是✶較安全✷易於保存✹
形成結晶 可使用蒸餾方式純化 易於輸送。
8. 以下何種製程需要使用到石英爐？✶擴散✷植離子✹蝕刻 微影成像
封裝。
9. 經長晶所形成的材料未切割前稱為✶ingot✷wafer✹ die silica chip。
10. 上圖中標示n+的區域可能是由何種製程所形成？✶氧化✷擴散✹蝕刻
磊晶 微影成像。
11. 續上題，哪一部分是由氧化製成所形成？✶p-substrate ✷ Al ✹ Polysilicon SiO2
n+。
12. 右圖中製程係屬於✶磊晶✷擴散✹
金屬化 氧化 植離子。
13. 有關矽甲烷，以下何者為非？✶於矽原料氯化時產生✷化學式SiCl4✹又名
silane 會發生危險之聚合 會與水反應。
14. 有關SiCl2H2，以下何者為非？✶又名二氯矽烷✷又名tetrachlorosilane ✹在
常溫下以氣體存在 與空氣中濕氣接觸會產生HCl 燻煙 會與鹼性物質反應。
15. WSC的PFC減量目標是預定於2010 年, 將PFC的排放減至各產業協會基
準年排放量之✶90%✷60%✹40% 10%。
16. 下列破壞PFC的設備，何者的有效操作溫度較低? ✶氫氧焰燃燒式✷甲烷燃燒
式✹觸媒裂解式 電熱裂解式。
17. 電漿式PFC破壞設備需少量加入下列何物質,以增加PFC 的轉化效率? ✶氧
✷二氧化碳✹氮 水。
18. The baseline year of TSIA PFC emission reduction is year ✶ 1995 ✷ 1997 ✹ 1998
1999.
19. The following chemicals which one is the best known PFC by-product of C3F8
chamber cleaning process? ✶ CF4✷ C4F8✹ C4F10 SiF4.
20. 下列法規何者與半導體之安全衛生較無關? ✶ NFPA 318 ✷ SEMI S8 ✹ FM 4910
UL 0200。
21. 下列何規範為半導體設備火災風險評估與消減之安全指引？✶SEMI S2 ✷
SEMI S8 ✹ SEMI S10 SEMI S14。
22. Regarding the monitoring principle, the following process monitoring tools which one
is a destructive detection method? ✶ QMS ✷ OES ✹ FTIR ultrasonic.
23. 有關Triple A損害控制保險，下列何者為非？✶係源於CIGNA 產險公司✷
本質上為設備安全之評估✹目標是協助客戶發現關鍵風險問題 可建立廠內防火安全。
24. 安全認證機構FM 的全名為✶Facility Motor ✷Friendly Manner ✹Factory
Mutual Frequency Modulation。
25. 未來印刷電路板中,將不含下列何物質? ✶鉛✷溴✹鈹 鎘。
26. CMP 製程之研磨廢液所含主要危害金屬為✶銅✷鋁✹鎢 銻。
27. 有關磺化過氟辛烷酯，下列何者為非？✶簡稱PFOS ✷ 3M公司有製造✹可
能具有生殖危害 光阻劑持成份之一。
28. 有關職業安全衛生管理系統，下列何者為非? ✶傾向與環境管理系統整合✷依
PDCA 的精神運作✹追求持續改善 講求風險評估與控制。
29. 在半導體新製程設計階段應考慮之化合物特性，下列何者較不需要？✶反應性
✷可燃性✹慢毒性 爆炸性。
半導體製程安全期末答案
1. 5
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3. 2
4. 0
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29. 3
是非題
1. X
2. O
3. X
4. X
5. X
6. O
7. O
8. O
9. O
10. X
11. O。