模拟电子技术试题2答案及评分标准
模拟电子技术ⅡB习题答案及评分标准
(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷 考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压 偏，集电结电压应为 偏。
3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为： 。
5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是 、 。
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
7．差分放大电路主要用来抑制 。
8．振荡电路一般有三种，分别是： 、 、 。
9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是： ，乙类功放电路的缺点是： ，甲乙类功放电路的优点是： 。
10．整流的作用是将 电转换成 电。
11．集成运放理想化的三个条件是： 、 、 。
二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。
（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。
四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图） （第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。
（第六题图） （第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)
习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示，已知1250ββ==，BEQ 0.7V U =，指出每级各是什么组态的电路，并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解： 第一级为共集放大电路，第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示，设两管的β=100，U BEQ =0.7V ，求：（1）I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2；（2）A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解： (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===，u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示，设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案.
模拟电子技术应用（二）复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管，正向压降为 0.7V ，试判断VD 是否导通，并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )（a ）设VD 断开，求得U O ≈－0.45V ，小于硅二极管的死区电压，所以VD 截止，U O ≈－0.45V（b ）VD 导通，U O ＝2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ，反向电流等于零。
( a )( b )（a ）V 1D -=U ，VD 截止，0D =I（b ） 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示，VD 为理想二极管，画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线），并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中，)V ( Sin 5i t u ω=，二极管正向压降为0.7V ，画出各电路中u O1、u O2波形，并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )－0－5. 在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1＝6.3V ， VD Z2的稳定电压U Z2＝7.7V ，它们的正向导通电压U D 均为0.7V ，U I 和R 的取值合理，U I 的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。
填空： U O1＝ V ，U O2＝ V ，U O3＝ V ，U O4＝ V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 ， 7， －0.7， －6.36. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
（A ．放大， B ．饱和 ， C ．截止 ， D ．损坏）⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V－－12V0V+2.3V( 4 )（1）C （2）A （3）C （4）B （5）D7. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
模拟电子技术习题2及答案
习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。
（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。
A ．1B ．10C ．1.414D ．0.707（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。
A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图2.1.5所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。
A ．R 1 B ．（1+β）R 1 C ．R 1/ 1+β D ．R 1/ β E ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A .差 B .和 C .平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）ACo s V2.2 将正确答案填入空内。
（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益A p 等于 。
模拟电子技术基础习题(选择题)2
模拟电子技术基础习题（选择题）在下列每小题的四个备选答案中选出一个正确的答案，并将其字母标号填入题干的括号内。
（注意：括号外的字母不是参考答案）二、半导体二极管及其基本电路1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体缺陷2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A．增大B．减小C．不变D．很难说3.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷4.当PN结外加反向电压时，耗尽层宽度（）。
A．变宽B．变窄C．不变D．不确定5.温度升高时，晶体二极管的V D(on)将（）。
A.增大B.减小C.不变D.近似不变6.P 型半导体可以在纯净半导体中掺入（）价元素实现。
A．3 B．4 C．5 D．67.当P 型半导体和N 型半导体相接触时，在P 型和N 型半导体交界处形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域（）？A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层三、半导体三极管及放大电路基础8.下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（）。
A．共射组态B．共基组态C．共集组态D．共漏组态9.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的方法是测量（）。
A.I BB.V CEC.V BED.I C10.某个放大电路的电压增益为60dB，相当于多大的电压放大倍数？（）。
A．120倍B．60倍C．100倍D．1000倍11.由PNP 管组成的共射放大电路，若测得V CEQ=-V CC,-V CC 为电源电压，则可判断该三极管处于（）状态。
A.放大B.饱和C.截止D.击穿12.由NPN 型管组成的共射放大电路，输入u i 为正弦波，输出u0为波形，则该电路产生了（）失真。
A.频率B.交越C.截止D.饱和13.某单级放大电路的通频带为f Bω1，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带f Bω为（）。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(二)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。
2、二极管最主要的特性是。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。
图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。
A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。
A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：e 、2：b 、3：cB 1：c 、2：e 、3：bC 1：c 、2：b 、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（ ）。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。
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模拟电子技术试卷2答案及评分标准
一、判断题(每题1分，共10分)
1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（错）
2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（对）
3.放大电路的输出功率是由有源元件提供的。
（错）
4.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（错）
5.差分放大电路中的发射极公共电阻对共模信号和差模信号都存在影响，因此，这种电路是靠牺牲差
模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。
（错）
6.若放大电路的负载不固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反
馈。
（错）
7.电子电压表不可以用来测量三极管放大电路的静态工作电压。
（对）
8.功率放大电路的效率是指输出功率与输入功率之比。
（错）
9.迟滞比较器的抗干扰能力比过零比较器强。
（对）
10.在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则振荡频率
fo=1/RC。
（错）
二、填空题（每空1分，共20分）
1.硅二极管的门槛电压约为0.5v ，导通压降约为0.7v 。
2.要使三极管处于放大状态，发射结必须正偏，集电结必须反偏。
3.根据结构的不同，晶体三极管可分为NPN 和PNP两种类型。
4.理想运算放大器的开环放大倍数A od为_无穷大，输入阻抗R id为无穷大，输出阻抗R od为零_，共模
抑制比为K CMR为无穷大，频带宽度BW为无穷大。
5.功率放大器的基本要求是：1）应有尽量大的输出功率；2）效率要高；3）非线性失真要小；
4）放大管要采取散热等保护措施。
6.乙类互补对称功率放大电路的效率高，但存在交叉失真，解决的方法是采用甲乙类互补对称功
率放大电路。
7.为得到一电流-电压转换电路，应采用电压并联负反馈放大电路；为得到一电压-电流转换电路，
应采用电流串联负反馈放大电路。
8.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是三级管极间电容和分布
电容的存在。
三、单项选择题（每空2分，共20分）
1.在晶体管放大电路中，测得晶体管的三个电极的电位图3-1所示。
试判
断：管子的类型为 B ，三个电极：①②③为__ D _。
A． NPN B. PNP C. b,e,c D. c,e,b E. e,c, b
2.放大电路在已经设置了合理的静态工作点后，若在输入端加入交流信
号，这时工作点将 B 。
A.沿直流负载线移动
B.沿交流负载线移动
C.不移动
D.不确定
3.图3-3所示电路中，当输入1KHz、5mV的正弦波时，输
出信号波形出现了底部削平的失真，则：
①这种失真是 A ；
A．饱和失真 B．截止失真
C．交越失真D．频率失真
②为了消除此失真，应 C 。
A．减小集电极电阻Rc B．改换β小的管子
C．增大基极偏置电阻Rb D．减小基极偏置电阻Rb
图3-1 图3-3
4. C 电路中各级的静态工作点相互独立，互不影响，但不能用于直流或缓慢变化信号的
放大。
A. 直接耦合
B. 光电耦合 C．阻容耦合
5.三极管共集电极电路属于 A 负反馈。
A、电压串联
B、电压并联
C、电流串联
D、电流并联
6.若差分放大电路为双端输入，输出方式由双端输出变为单端输出时，其差模电压放大倍
数 B 。
A．增大一倍 B.减小一倍 C. 不变 D.不能确定
7、集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是 A 。
A．提高共模抑制比 B．提高电路的稳定性
C．提高电路的增益 D．增大输入电阻
8、正弦波振荡电路的振幅起振条件是 C 。
A.|AF|＜1
B. |AF|=1
C. |AF|＞1 D． |AF|＝0
四、某电子设备中一级放大电路如图4所示，已知V CC＝12V，Rc=2KΩ, R L开路,β=100,（C1、C2、Ce
容量足够大，对信号可视为短路，三极管为硅管）
（15分）
1.欲将I C调至1mA，问R b应调至多大？求此时的Au；
（10分）
2.在调整静态工作点时，如不小心把Rb调至零，这
图4
时三极管是否会损坏？为什么？如会损坏，为避免损坏，电路上可采取什么措施？（3分）若要求Au增大一倍，可采取什么措施？（2分）
解：
1.
Ω
=
≈
=M
R
R
V
I
I
b
b
cc
c
b
4.2
,代入数值解出
β
（3分）
Ω
=
Ω
=
+
+
=
-
=k
R
R
k
I
mv
r
r
R
R
A
L
C
C
be
be
L
C
u
2
//
(
83
.2
26
)
1(
200
//
(
）
，
，
）
β
β
（5分）
7.
70
83
.2
2
100
//
(
-
=
⨯
-
=
-
=
be
L
C
u r
R
R
A
）
β
（2分）
2.把Rb调至零，发射结将承受电源电压，三极管会损坏。
可将Rb分为固定电阻和电位器的串联。
（3分）；若要求Au增大一倍，可采取增大值为200或提高集电极静态电流到2mA或增大Rc=4K Ω。
（2分）
五、判断图5所示各电路的反馈类型，若为负反馈则求出反馈系数和满足深度负反馈条件时的电压放大
倍数f u
A&
或f s u
A&。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a图电流表的等效电阻为R L)（17分）
解：
图（a）所示电路中引入了电流串联负反馈。
（3分）反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u
A&
分别为
图5
L 3132
1f 32131 R R R R R R A R R R R R F
u ⋅++≈++=&
&
式中R L 为电流表的等效电阻。
（2分）
图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。
（3分）反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A &分别为（2分）
1
2f 2 1R R A R F u -≈-=&& 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈（3分）。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数
f u A &分别为（2分） 1 1f
≈=u A F && 图（d ）所示电路中引入了正反馈。
（2分）
六、 试分别画出图6（a ）(b)电路的电压传输特性。
（10分）
解：图（a ）所示电路为同相输入的过零比较器；图（b ）所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T ＝±0.5 U Z 。
两个电路的电压传输特性如解图所示（每图5分）
七、 电路如图7所示，试求解：(8分)
（1）R W 的下限值；(4分)
（2）振荡频率的调节范围。
(4分)
图6
解：（1）根据起振条件
22'W 'W f ＞，＞R R R R +k Ω。
故R W 的下限值为2k Ω。
（2）振荡频率的最大值和最小值分别为 Hz 145)
(π 21kHz 6.1π 2121min 01max 0≈+=
≈=
C R R f C R f
图7。