模拟电子线路习题.doc
模拟电子线路习题习题答案
第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm 3-。
（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。
（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。
（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。
（4）若D N =1610cm 3-，A N =1410cm 3-，重复（1）。
解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。
（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。
（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。
（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm 3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。
已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。
（1） 试求流过二极管的直流电流。
（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。
大工18秋《模拟电子线路》在线作业2(满分题)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题) 1: 放大电路的三种组态()。
A: 都有电压放大作用B: 都有电流放大作用C: 都有功率放大作用D: 只有共射极电路有功率放大作用正确答案:(单选题) 2: PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。
A: 大于B: 小于C: 等于D: 无法确定正确答案:(单选题) 3: 交流信号从b、c极之间输入,从e、c之间极输出,c极为公共端的放大电路是()。
A: 共基极放大器B: 共模放大器C: 共发射极放大器D: 共集极放大器正确答案:(单选题) 4: 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。
A: 耦合电容和旁路电容的存在B: 半导体管极间电容和分布电容的存在C: 半导体管的非线性特性D: 放大电路的静态工作点不合适正确答案:(单选题) 5: 适合做高频放大或宽频带放大电路及恒流源的放大组态是()。
A: 共发射极放大电路B: 共集电集放大电路C: 共基极放大电路D: 共模放大电路正确答案:(单选题) 6: 由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。
则这种失真为()。
A: 饱和失真B: 截止失真C: 交越失真D: 频率失真正确答案:(单选题) 7: NPN型和PNP型三极管的主要区别是()。
A: 由两种不同材料构成B: 掺入的杂质不同C: P区和N区的位置不同D: 放大倍数不同------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 正确答案:(单选题) 8: 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。
模拟电子线路期末试题和答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1 •由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 ___________________ 性。
2、 双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 ________________________________ 。
3. _______________________________________________ 从信号的传输途径看，集成运放由 ___________________________________________________ 、 _____________________ 、_________________ 、 ____________________ 这几个部分组成。
4•某放大器的下限角频率 L ，上限角频率H ,贝U 带宽为Hz。
5. 共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 ________ 才能起振。
7. 电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 _____ 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 _________ 次跃变。
8. _______________________________________________ 直流稳压电源的主要组成部分是 ______________________________________________________ 、 ___________ 、、单项选择题（15分）1. ________________________________________________________ 当温度升咼时，二极管反向饱和电流将 _______________________________________________ 。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
《模拟电子电路》练习册 (答案)
《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。
2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。
3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。
4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。
5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。
6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。
7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P）型半导体。
8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。
9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。
10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。
11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。
12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。
13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。
14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。
15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。
16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。
17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。
18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。
选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。
22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。
23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。
24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。
25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。
26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。
27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。
28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。
29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。
30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。
31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。
模拟电子线路理论知识考核试题及答案
模拟电子线路理论知识考核一、选择题1、分压式共射放大电路中的反馈类型是（）。
[单选题] *A、是电流串联负反馈√B、是电流串联正反馈C、是电流并联负反馈D、不存在反馈2、功率放大器的主要作用是不失真地放大信号的（）。
[单选题] *A、电压B、电流C、频率D、功率√3、互补对称式功放电路为了克服（），应将静态工作点设置在甲乙类状态。
[单选题] *A、饱和失真B、截止失真C、交越失真√D、双向失真4、甲类功率放大电路结构简单，但最大的缺点是（A ）。
[单选题] *Ａ、效率低√Ｂ、有交越失真Ｃ、易产生自激D、波形失真严重5、甲乙类OTL电路中，功放管静态工作点设置在（），以克服交越失真。
[单选题] *A、放大区B、饱和区C、截止区D、微导通区√6、甲类功放的理想效率为（）[单选题] *A、75％B、50%√C、78.5%D、58.5%7、乙类推挽（互补对称）功率放大电路的理想最大效率为（）[单选题] *A、50.5%B、60.5%C、75.5%D、78.5%√8、能把交流电变成脉动直流电的是（）[单选题] *A、变压器B、整流电路√C、滤波电路D、稳压电路9、在单相桥式整流电路中，如果一只整流二极管内部断开，则（）[单选题] *A、引起电源短路B、输出电压为零C、输出电压减小√D、输出电压上升10、半导体三极管是一种（）。
[单选题] *A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件√D、电流控制电压的器件11、要获得+12V的稳定电压，集成稳压器的型号应选用（）。
[单选题] *A、CW117B、CW317C、CW7812√D、CW791212、晶体三极管处于截止状态的条件是（）。
[单选题] *A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏√13、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）。
[单选题] *A、NPN管的发射极B、PNP管的发射极√C、PNP管的集电极D、NPN管的基极14、某三极管的发射极电流IE =3.8mA，基极电流IB=40μA，则集电极电流IC为（）[单选题] *A、3.24mAB、4.2 mAC、3.40mAD、3.76mA√15、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（）。
模拟电子线路试题
模拟电子线路试题一、题目要求设计一个模拟电子线路，满足以下条件：1. 电路包括电源、电容、电感和电阻四个基本元件；2. 电路运行稳定，能够实现一个简单功能；3. 电路设计合理，电压和电流能够在一定范围内变化；4. 根据题目要求，在电路中添加适当的元件，以满足功能需求。
二、电路设计方案本次设计的模拟电子线路，旨在实现一个简单的振荡器，产生稳定的正弦波信号。
1. 元件选取根据振荡器的要求，选择以下元件：- 电源：使用稳定的直流电源，保证电路电压的稳定性；- 电容：选择符合频率范围要求的电容，用于调节振荡频率；- 电感：选择具有合适电感值的元件，用于调节振荡频率和振幅；- 电阻：选择适当阻值的电阻，用于限制电流和调节振幅。
2. 电路连接将电容、电感和电阻按照以下连接方式连接：- 将电源正极与电感一端相连；- 将电阻与电容串联后，再将其与电感另一端相连；- 将电源负极与电容与电阻串联点相连。
3. 频率调节根据振荡器频率的要求，可以通过改变电容和电感的数值来实现频率的调节。
增大电容或电感的数值，可以降低频率；减小数值，可以提高频率。
4. 振幅调节振荡器的振幅可以通过改变电源的电压或调节电阻的数值来实现。
增加电源电压或电阻阻值，可以增大振幅；减小电源电压或电阻阻值，可以减小振幅。
5. 功能实现通过以上连接和调节，电路可以实现一个稳定的振荡器功能，产生正弦波信号。
三、总结本次设计的模拟电子线路是一个振荡器电路，通过选择合适的元件并连接起来，实现了频率和振幅的调节。
振荡器电路广泛应用于通信、音频等领域，具有重要的实际意义。
在电子线路的设计过程中，要考虑到元件的选取、连接方式以及功能要求，以保证电路的正常运行和稳定性。
通过本次设计，不仅加深了对模拟电子线路的理解和实践能力，也提升了对振荡器电路的认识。
希望今后能够继续学习和探索模拟电子线路的设计与应用。
《电子线路》考试模拟试题及其参考答案
《电子线路》考试模拟试题及其参考答案（试卷总分值为100分，考试时间为120分钟，闭卷考试）姓名﹍﹍﹍﹍﹍﹍一、填空题：（每空1分，共30分）1.高频功率放大电路根据静态工作点的位置可分为 , , 等三种。
2．为实现电信号的有效传输，无线电通信通常要进行调制。
常用的模拟调制方式可以分为、和三种。
3．小信号调谐放大器按调谐回路的个数分和。
4．高频功率放大器主要用来放大高频信号，为了提高效率，一般工作在类状态。
5．产生正弦波振荡的条件，。
6.无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率_ ，波长越长。
7．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路；画交流通路时，把视为短路。
8．调幅的就是用信号去控制，使载波的随大小变化而变化。
9．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。
10．通常将携带有信息的电信号称为，未调制的高频振荡信号称为，通过调制后的高频振荡信号称为。
11.石英晶体振荡器是利用石英晶体的工作的，其频率稳定度很高，通常可分为和两种。
12．为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在状态。
二、单项选择题：（每小题2分、共30分）1．石英晶体谐振于fp时，相当于LC回路的（）A．串联谐振现象 B．并联谐振现象 C．自激现象 D．失谐现象2．丙类高频功率放大器的导通角（）A．360 ° B．180°-360° C．＜180°3．在高频放大器中，多用调谐回路作为负载，其作用不包括（）A．选出有用频率 B．滤除谐波成分 C．阻抗匹配 D．产生新的频率成分4．石英晶体振荡器的主要优点是（）A．容易起振 B．振幅稳定 C．频率稳定度高 D．减小谐波分量5．无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路（）A．调谐放大器 B．谐振功率放大器 C．检波器 D．鉴频器6．振荡器与放大器的区别是（）A．振荡器比放大器电源电压高B．振荡器比放大器失真小C．振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号D．振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号7．在一块正常放大的电路板上，测得某三极管的三个极对地电位如图所示，则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为（）A．NPN型、bec B．NPN型、ebcC．NPN型、ecb D．NPN型、bce8．判断下图是哪一类振荡器（）A．电感三点式B．电容三点式C．改进的电容三点式D．变压器耦合式9.晶体三极管作为放大应用时，其极间电压的设置，首先应该保证( )。
《模拟电子线路》各章节习题答案
各章节部分习题答案第一章半导体器件【练一练1】1. 导体绝缘体2. N P3. 电子空穴4. 空穴电子5. 电子空穴6. 正负7. 单向导电导通截止【练一练2】1. 正向；反向；0.7V；0.2V2. 最大整流电流IF；最高反向工作电压UR3. 硅，锗；点接触型，面接触型；N；硅；整流4. 小；大5. R=U/I；也要改变【练一练3】1. 发射；基; 集电，ｅ；b; c2. 正向，反向3. 截止区；放大区；饱和区4. 集电结，发射结5. PNP；NPN；NPN；PNP6. 发射；集电；基；发射；集电7. I E=ＩB＋ＩC；直流电流放大系数； ；交流电流放大系数，β8. 基极；集电极；微弱；较大9. 反向；反向；零10. 正向；正向；零【习题1】一、选择题1.ａ2.ｃ３.ｂ４.ｃ 5.ｃ 6.C 7.b 8.ｂ 9.ｂ 10.a 11.c 12.c三、问答题14. 从晶体二极管的伏安特性曲线上看，导通电压低的为诸管，导通电压高的为硅管。
16. 晶体三极管电流放大作用的实质是用微弱的电流控制较大的电流。
晶体三极管具有电流放大作用必须给它的各级加上适当的电压，即：发射结正偏，集电结反偏。
18. 用万用表欧姆挡置“R×100Ω或R×1ｋΩ”处，将红、黑表笔对调分别接触二极管两端，表头将有两次指示。
若两次指示的阻值相差很大，阻值大的那次红笔所接为正极，黑笔所接为负极。
19. 因为在测量阻值时，为使测试棒和管脚接触良好，用两只手捏紧进行测量，相当于给所测元件并联一个人体电阻，所以测量值比较小，认为不合格，但用在设备上却工作正常。
20.（a）截止区（b）放大区 (c) 饱和区第二章放大电路【练一练1】1. 180o;放大器的倒相作用 2. 共发射极；共集电极；共基极 3. 发射极；基极；发射极；集电极；电流；电压 4. 隔直流作用；交流 5. 发射结；集电结6. 不能放大交流信号的电路为（a ）、（b ）、（c ）、（f ）能放大交流信号的电路为 （d ）、（e ） 【练一练2】1. 没有输入信号；估算；图解2. I BQ 、I CQ 和U CEQ3. 减小；增加4. 右移5. 陡6. 晶体管的特性曲线；放大电路的工作状态 【练一练3】1. 倒相；反相器2. 特性曲线；输入电阻；输出电阻3. 输入电阻；r be4. 输出电阻；r o5. LR '1；陡一些；R ’L =R C //R L 6. 大；小 7. 直流负载线的中心 8. 短【习题2】 一、选择题1. b2. a3. b4. c5. b6. c7. c 二、计算题8．I BQ =11 A ，I CQ =0.9mA ，U CEQ =4.2V ，A u = –61，r be =2640 ，r o =2k ； 9．I CQ =3mA ，U CEQ =6V ；10．r i =1668Ω，r o =2kΩ，A u = –72；第三章 含负反馈的放大电路【练一练1】1. B2.B3.A4.C5.C6.A ；B ；B ；B7. 图3.2-11所示电路中，通过R3和R7引入的是：直流电压并联负反馈； 通过R4引入的是：交、直流电流串联负反馈。
模拟电子线路习题集
1.在本征半导体中加入（D）元素可形成N型半导体。
A.二价B.三价C.四价D.五价2.稳压管是工作在（C）区的二极管。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向导通3.PNP三极管工作在放大状态时，U BE和U BC需满足的关系是（B）。
A.U BE>0，U BC<0B.U BE<0，U BC>0C.U BE<0，U BC<0D.U BE>0，U BC>04. 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图所示，该晶体管的类型是（A）。
A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管5.PN结加反向电压时，空间电荷区将（C）。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不确定6. 半导体稳压二极管正常稳压时，应工作于（A ）A 反向偏置击穿区B 反向偏置未击穿区C 正向偏置导通状态D 正向偏置未导通状态7. 三极管的工作机理是（A ）A 输入电流控制输出电流B 输入电流控制输出电压C 输入电压控制输出电流D 输入电压控制输出电压8．PN结反向偏置时，其内电场被（B）。
A．削弱B．增强C．不变D．不确定9．放大电路中，已知UA=－9V, UB=－6.2V,UC=－6V,则该三级管是（B）。
A. NPN ，硅管B.PNP, 锗管C.NPN, 锗管D.PNP, 硅管10. PN 结形成后，空间电荷区由（B ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴11．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ） 。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B. P 沟道结型场效应管C ．N 沟道增强型MOS 管 D. N 沟道耗尽型MOS 管12.两个参数完全相同的放大电路串联起来后，总的上限频率H f 和下限频率L f 将发生怎样改变（ B ）A.H f 升高，L f 降低B.H f 降低，L f 升高C .H f 、L f 均升高 D.H f 、L f 均降低13.在共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO 将（ B ）。
模拟电子线路试题
模拟电子线路试题模拟电子线路一、单项选择题1、PN结加正向电压时，空间电荷区将（A）。
A．变窄B．不变C．变宽D．不确定2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C）。
A．温度B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度D．晶体中的缺陷3、在掺杂半导体中，少子的浓度受（A）的影响很大。
A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体缺陷4、N型半导体（C）。
A．带正电B．带负电C．呈中性D．不确定5、半导体二极管的重要特性之一是（B）。
A．温度稳定性B．单向导电性C．放大作用D．滤波特性6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在（B）。
A．死区电压B．击穿电压C．门槛电压D．正向电流7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（C）。
A．基本不变B．明显减小C．明显增加D．不确定变化8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（D）。
A．右移B．左移C．上移D．下移9、关于BJT的结构特点说法错误的是（C）。
A．基区很薄且掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C．基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D．集电区面积大于发射区面积10、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（C）。
A．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．击穿状态11、小信号模型分析法不适合用来求解（A）。
A．静态工作点B．电压增益C．输入电阻D．输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（B）。
A．直流参数C．静态工作点B．交流参数D．交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为，而输出信号的波形为，则该放大器出现了（C）失真。
A．交越B．截止C．饱和D．阻塞性14、交流信号从b、c极之间输入，从e、c极之间输出，c极为公共端的放大电路是（D）。
A．共基极放大器B．共模放大器C．共射极放大器D．共集电极放大器15、以下不是共集电极放大电路的是（D）。
A．射极输出器B．电压跟随器C．电流放大器D．电压放大器16、共发射极电路中采用恒流源作有源负载是利用其（B）的特点以获得较高增益。
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第0 页坑爹的模电试卷编号 01……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）：1． 整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2． 在PN 结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3． 放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4． 在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5． 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6． 正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成.7． 某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________.8． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR 为__________之比。
9． 某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB 。
图1二、判断（本题共10分，每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（ ）构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性. 2、( ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（ ）在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
模拟电子线路习题习题答案
第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm3-。
（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。
（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。
（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。
（4）若D N =1610cm3-，A N =1410cm3-，重复（1）。
解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。
（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。
（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。
（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。
已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。
（1） 试求流过二极管的直流电流。
（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。
电子线路综合测试卷(一)
电子线路模电小综合测试卷(一)(满分100分，时间90分钟)一、选择题（本大题共7小题，每小题4分，共28分）1.在图所示电路中，电阻R＝100Ω，稳压管D Z的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，输入电压u i＝12V，在稳定条件下，I L的数值最大不应超过（）A.40mAB.45mAC.55mAD.60mA第1题图2.3AX22型三极管的极限参数U（BR）CEO＝18V，I CM＝50mA，P CM＝125mW，试分析下列各静态工作点的参数，处于正常工作范围的是（）A.I CQ＝34mA，U CEQ＝4VB.I CQ＝10mA，U CEQ＝10VC.I CQ＝25mA，U CEQ＝7VD.I CQ＝5mA，U CEQ＝20V3.射极输出器输入正弦电压，用示波器观察到输出电压波形的正半周被削顶，该放大器的静态工作点设置得（）A.正常B.偏低C.偏高D.无法确定4.在实用型差分放大电路中，R e的主要作用是（）A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移，提高共模抑制比C.增大差动放大器的输入电阻D.减小差动放大器的输出电阻5.如图所示电路，以下说法正确的是（）A.该电路不满足相位平衡条件所以不能起振B.该电路不满足振幅平衡条件所以不能起振C.能起振，且是变压器耦合式的正弦波振荡器D.能起振，并且是电感三点式的正弦波振荡器第5题图第7题图6.某单管甲类功率放大器，若把输入信号减小到0，则（）A.直流电源提供的功率也为0B.功放管的管耗也减小到0C.直流电源提供的功率不变D.功放管的管耗不变7.电路如图所示，R1＝R P＝R2＝1kΩ，输出电压的范围最大的是（）A.当前电路B.1与2相连C.1与3相连D.2与3相连二、是非题（本大题共5小题，每小题2分，共10分，正确填A，错误填B）8.对于NPN三极管，当U BE＞0，U BE＞U CE，则该管的工作状态是饱和状态。
（）9.在NPN三极管共发射极放大电路中，若输出信号负半周平顶，则该放大器发生饱和失真。
电子专业电路模拟考试题
电子专业电路模拟考试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在电路中，电阻的单位是：A. 欧姆（Ω）B. 伏特（V）C. 安培（A）D. 瓦特（W）2. 下列哪个不是基本的电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 变压器3. 串联电路中，总电阻与各部分电阻的关系是：A. 等于各部分电阻之和B. 等于各部分电阻之积C. 等于各部分电阻之差D. 与各部分电阻无关4. 并联电路中，总电流与各支路电流的关系是：A. 等于各支路电流之和B. 等于各支路电流之差C. 等于各支路电流之积D. 与各支路电流无关5. 欧姆定律描述的是：A. 电压与电流的关系B. 电流与电阻的关系C. 电阻与电压的关系D. 电压、电流和电阻的关系6. 一个电路的功率是100W，电压是20V，根据欧姆定律，该电路的电流是：A. 5AB. 10AC. 20AD. 50A7. 电容的单位是：A. 法拉（F）B. 欧姆（Ω）C. 安培（A）D. 伏特（V）8. 电感器在直流电路中的作用是：A. 阻止电流流动B. 允许电流流动C. 存储能量D. 消耗能量9. 交流电与直流电的主要区别在于：A. 电流的方向是否变化B. 电流的大小是否变化C. 电压的高低D. 电流的频率10. 一个理想的二极管允许电流：A. 只能从正极流向负极B. 只能从负极流向正极C. 双向流动D. 不允许流动二、填空题（每空2分，共20分）11. 电路的基本组成部分包括电源、________、________和负载。
12. 串联电路中，总电阻等于各部分电阻之________。
13. 欧姆定律的数学表达式是________。
14. 电容的单位是法拉，符号是________。
15. 电感器在交流电路中会产生________，阻碍电流的变化。
16. 理想二极管的正向电阻为________，反向电阻为无穷大。
17. 交流电的频率是指单位时间内电流方向变化的次数，单位是________。
模拟电子线路试题
模拟电子线路试题（第一部分）一判断题：1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而不发生变化。
（）2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
( )3.P、N型半导体都不带电。
（）4.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）5.如果二极管的正反向电阻都很小或为零，则该二极管断路。
( )6.二极管正反向电流值大，说明其单向导电性能差，且受温度影响大。
（）7.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。
( )8.在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压为0.7V。
（）9.单相全波整流电路中，二极管承受的最高反向电压U M=√2U2 。
（）10.在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。
（）11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）13.用万用表欧姆档粗测2AP9时用R×100档。
（）14.单向桥式整流电路在输入交流电压时没半周内两只二极管都有可能导通。
（）15.全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流不相等。
（）16. PN结反向偏置时，电阻大，正向电流小，处于截止状态。
（）17.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。
（）18.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。
（）19.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。
（）21.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。
（）22.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
( )23.P型半导体带负电。
（）24.PN结处于反向偏置时，处于导通状态，说明正向电流大，电阻小，。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100 分）1. N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2•以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3. PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4. 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5. 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6. 在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7. 晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8. 晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9. 晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10. 三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11. 温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变12. 如果PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压）D.自由电子和空穴数目都不变，则（）。
A. 阻当层不变，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大B. 阻当层变厚，反向电流基本不变D.阻当层变厚，反向电流减小4. 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极8.测得三极管i b =30 yA 时i c =2.4mA ,而i b =40 ^A 时i c =3mA ，则该管的交流电流放大系数3为（）°A.60B.75C.80 D .1009. NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V 2=2.7V , V 3=2V ，贝U 1, 2, 3分别为（）°A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）°A.截止区B.放大区C.饱和区D .击穿区11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）A.输入电阻小，输出电阻大B.输入电阻小，输出电阻小作业1-2一、习题（满分100分）1. N 型半导体（ ）。
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一、判断题：（1）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ 错 ）（2）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ 对 ）（3）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ 错 ）（4）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ 错 ）（5）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ 对 ）（7）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ 错 ）（8）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ 对 ）（9）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（错 ）（11）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( 错 )（12）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( 对 )它只能放大交流信号。
( 对 )（13）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( 对 )它只能放大直流信号。
( 错 )（14）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
( 错 )（16）运放的共模抑制比cd CMR A A K ( 对 ) （17）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( 错 )（18）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ 错 ）（20）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ 错 ）（21）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（ 错 ）（22）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
（ 错 ）（23）反馈量仅仅决定于输出量。
（ 对 ）（24）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（ 错 ）（25）运算电路中一般均引入负反馈。
（ 对 ）（26）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（ 错 ）（27）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（对）（28）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（错 ）（29）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（ 错 ）（30）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（ 错 ）（31）因为RC 串并联选频网络作为反馈网络时的φF ＝0°，单管共集放大电路的φA ＝0°，满足正弦波振荡的相位条件φA ＋φF ＝2n π（n 为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。
（ 错 ）（32）在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率f 0＝1/RC 。
（ 错 ）（33）电路只要满足1＝F A ，就一定会产生正弦波振荡。
（ 错 ）（34）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
（ 错 ）（35）只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
（ 错 ）（36）当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
（ 对 ）（37）一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。
（ 对 ）（38）在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。
（ 对 ）（39）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ 错 ）（40）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（ 错 ）（41）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ 对 ）（42）直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（ 对 ）（43）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
（ 对 ）（44）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为22U 。
（ 对 ）（45）当输入电压U I 和负载电流I L 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（ 错 ）二、选择题：（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 C 。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容 （6）选用差分放大电路的原因是 A 。
A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数 （7）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ，共模信号是两个输入端信号的 C 。
A.差B.和C.平均值（8）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e ，将使电路的B 。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（9）互补输出级采用共集形式是为了使 C 。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强（10）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 A 。
A ．交流功率B ．直流功率C ．平均功率（11）功率放大电路的转换效率是指 B 。
A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比（12）若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ C 。
A ．L 2CES CC 2)(R U V - B ．L 2CES CC )21(R U V - C ．L2CES CC 2)21(R U V -图T9.1（13）整流的目的是 A 。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波（14）在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 C 。
A. 输出电压约为2UDB. 变为半波直流C. 整流管将因电流过大而烧坏（15）直流稳压电源中滤波电路的目的是 C 。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉（16）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 C 。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差（17）当温度升高时，二极管反向饱和电流将。
[ A ]A 增大B 减小C 不变D 等于零18．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ C ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响20．差动放大电路的主要特点是 。
[ A ]A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
21．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强22．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 [ C ]A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻23．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。
[ D ] A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小24、对于稳压二极管，它正常工作时是处于 [ B ] 状态。
A 正向导通B 反向击穿C 截止D 随外加电压变化而变化25、当一个NPN三极管工作于放大状态时，其三个电极的偏置电压满足关系式 [ C ] 。
A V B>V E ；V B>V CB V B<V E ；V B<VC C V C>V B>V ED V C<V B<V E26、三极管放大电路中，静态工作点的合理设置影响到电路能否正常工作及性能如何。
共射电路中，若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生 [ C ]。
A 交越失真B 饱和失真C 截止失真D 不能确定的失真27、在放大器中引入不同反馈可以改变放大器的不同性能。
当我们希望达到稳定输出电流时应该引入 [ D ]。
A 电压正反馈B 电压负反馈C 电流正反馈D 电流负反馈28、集成运放的输入级广泛采用了差分放大电路，它的一大优点是 [ B ]。
A 有效地抑制差模信号，同时有效地放大共模信号B 有效地抑制共模信号，同时有效地放大差模信号C 既有效地抑制差模信号，同时又有效地抑制共模信号D 既有效地放大差模信号，同时又有效地放大共模信号29、放大电路在高频区放大倍数下降的原因是 [ B ]A 耦合电容和旁路电容等大电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容等小电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适30、在输入信号从极小到极大的一次变化过程中，迟滞比较器的输出会发生 [ B ] 次翻转。
A 0B 1C 2D 331．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的。
[ B ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小32. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。
［ D ］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v33. 根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于。
［ B ］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区34. 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：。
[ B ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大35.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
[ C ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响36.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是，而提高共模抑制比.[ A ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；37.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。
[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强38．集成运放电路的实质是一个的多级放大电路。