最新模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个极（A、B、C）？A.发射极B.基极C.集电极D.以上都是答案：D2. 在放大电路中，为了提高输入阻抗，通常在输入端并联一个（A、B、C、D）？A.电感B.电容C.电阻D.电感耦合答案：C3. 运算放大器在电路中的作用主要是（A、B、C、D）？A.放大信号B.滤波信号C.转换信号D.以上都是答案：D4. 场效应晶体管的输入阻抗与（A、B、C、D）有关？A.栅极电压B.漏极电流C.源极电压D.源极电流答案：A5. 下列哪种电路具有反馈作用（A、B、C、D）？A.串联反馈B.并联反馈C.电压反馈D.电流反馈答案：D二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、_______和_______。
答案：基极、集电极2. 运算放大器是一种具有_______的高增益放大器。
答案：差分输入3. 整流电路的主要作用是将交流电信号转换为_______电信号。
答案：直流4. 稳压二极管的最大特点是当其两端电压超过_______时，电流会急剧增加。
答案：额定电压5. 在 RC 滤波器中，截止频率 fc 与电阻 R 和电容 C 的关系为_______。
答案：f c =1/(2πRC)三、判断题1. 晶体管的工作原理是利用电子在半导体中的迁移率来控制电流。
（）2. 运算放大器的输出阻抗很高，因此可以直接驱动负载。
（）3. 场效应晶体管的输入阻抗与栅极电压有关。
（）4. 并联反馈会降低放大器的输入阻抗。
（）5. 稳压二极管在电路中主要用于保护电源免受过大电压的影响。
（）答案：1.对 2.错 3.对 4.对 5.对四、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
答案：双极型晶体管（BJT）是一种三端半导体器件，具有发射极、基极和集电极。
它的工作原理是利用基极电流来控制发射极和集电极之间的电流。
当在基极施加一个适当的正向偏置电压时，基极-发射极间形成少数载流子注入，这些载流子在电场的作用下向集电极移动，并在集电极形成电流。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子考试题及答案
模拟电子考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体二极管的主要特性是______。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 稳压作用D. 整流作用2. 稳压二极管的稳压值是由______决定的。
A. 电流B. 电压C. 温度D. 材料特性3. 晶体三极管的放大作用是通过控制______来实现的。
A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 电源电压4. 运算放大器的开环增益非常高，通常可以达到______。
A. 10^3B. 10^5C. 10^7D. 10^95. 正弦波振荡器的振荡条件是______。
A. 相位条件B. 幅度条件C. 频率条件D. 相位条件和幅度条件6. 电源滤波器的主要作用是______。
A. 整流B. 稳压C. 滤除噪声D. 放大7. 负反馈放大器可以提高放大电路的______。
A. 增益B. 稳定性C. 带宽D. 线性度8. 场效应管的控制方式是______。
A. 电压控制B. 电流控制C. 温度控制D. 压力控制9. 模拟乘法器通常用于实现______。
A. 线性运算B. 非线性运算C. 信号调制D. 信号解调10. 理想运算放大器的输入阻抗是______。
A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值二、简答题（每题5分，共20分）1. 请简述二极管的整流原理。
2. 什么是晶体三极管的饱和区、截止区和放大区？3. 什么是线性集成稳压器？它有哪些主要特点？4. 请解释什么是负反馈，并简述其在放大电路中的作用。
三、计算题（每题10分，共30分）1. 给定一个理想运算放大器电路，输入电压为Vin，输出电压为Vout。
假设运算放大器的开环增益为AOL，求输出电压Vout的表达式。
2. 假设有一个二极管整流电路，输入为正弦波电压，其峰值为10V。
求整流后输出的直流电压平均值。
3. 给定一个共射极放大电路，已知基极电流IB=20μA，集电极电流IC=2mA，求该电路的电流放大倍数β。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。
答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，以下哪种元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的主要作用是什么？A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案：A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号？A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A4. 在模拟电路设计中，为了减小温度对电路性能的影响，通常采用哪种方法？A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案：A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性？A. 锗（Ge）B. 硅（Si）C. 氮化镓（GaN）D. 氧化锌（ZnO）答案：B二、填空题1. 在模拟电子技术中，______和______是构成振荡器的基本元件。
答案：电阻、电容2. 为了实现信号的放大，通常需要在电路中引入______。
答案：负反馈3. 在模拟信号处理中，______是用来描述信号频率内容的工具。
答案：傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案：低频5. 在模拟电路中，为了提高电路的稳定性和可靠性，常常使用______电源。
答案：稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件，主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中，晶体管可以作为放大器使用，通过小信号控制大信号的放大过程，实现信号的增益。
同时，晶体管还可以用作开关，控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中，运算放大器因其优良的放大性能和灵活性，被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中，是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术习题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、等腰三角波;B、仍为正弦波。
C、矩形方波;D、正弦半波;正确答案：D2.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
正确答案：A3.基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案：A4.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
（）A、对 :B、错正确答案：B5.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现顶削波时的失真为（）失真。
B、交越C、截止D、频率正确答案：C6.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于( )A、50B、60C、61D、100正确答案：B7.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（）A、对 :B、错正确答案：B8.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、克服交越失真B、稳定放大倍数C、提高输入电阻D、抑制零漂正确答案：D9.当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）A、0.9B、0.5C、0.4正确答案：D10.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。
A、四价B、三价C、五价正确答案：B11.晶体三极管的极是它的( )。
A、基极B、集电极C、栅极D、发射极正确答案：D12.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。
（）A、对 :B、错正确答案：B13.理想集成运放的两个重要结论是( )。
A、虚断与虚短;B、虚短与虚地;C、断路与短路。
正确答案：A14.晶体三极管的输出特性曲线上可分为 ( )A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区D、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区正确答案：B15.NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于 ( )。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷——2024年整理
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。
（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将()。
（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了，则输出()。
（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
(完整版)模拟电子技术测试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。
13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
电子技术基础模拟练习题及参考答案
电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1.一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有（）种A、8B、15C、1正确答案：C2.组合逻辑电路有若干个输入端，只有一个输出端。
A、×B、✔正确答案：A3.用三极管构成的门电路称为（）门电路。
A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案：B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时，应该（）偏置电阻。
A、减小。
B、增大C、保持。
正确答案：A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（）A、相位差90°。
B、同相位。
C、相位差180°。
正确答案：C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。
A、✔B、×正确答案：B7.理想运算放大器的输出电阻为（）A、无穷B、不定正确答案：B8.下列逻辑代数运算法则中，错误的是（）A、A（B+C）=AB+ACB、A+（B+C）=（A+B）+CC、A+BC=（A+B）C正确答案：C9.半导体导电能力（）导体。
A、等于B、小于C、大于正确答案：B10.与非门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、全低为高。
C、部分高为高。
正确答案：B11.逻辑代数运算中1+1=（）A、3B、2C、1正确答案：C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共（）电路。
A、集电极。
B、基极C、发射极。
正确答案：A13.RS出发去具有（）种逻辑功能。
A、3B、1C、2正确答案：A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、不想同B、有的相同，有的不相同。
C、相同正确答案：B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是，-0.7，-1，-6责-0.7对应的是（）A、基极B、发射极。
C、集电极。
正确答案：B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中（）A、有瞬间微弱电流。
B、有微弱电流。
C、无电流。
正确答案：C17.半导体材料有（）种A、2B、1C、3正确答案：A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：A19.在截止区三极管（）电流放大作用。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模拟电子计算考试题及答案
模拟电子计算考试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，下列哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 二极管答案：D2. 一个理想运算放大器的开环增益是多少？A. 100B. 1000C. 10000D. 无穷大答案：D3. 以下哪个不是模拟信号的特性？A. 连续性B. 可重复性C. 可量化性D. 可模拟性答案：C4. RC电路的充电时间常数τ是如何定义的？A. τ = RB. τ = CC. τ = R * CD. τ = 1/(R * C)答案：C5. 一个共模抑制比（CMRR）高的放大器意味着什么？A. 放大器对差模信号的放大能力很强B. 放大器对共模信号的抑制能力很强C. 放大器对信号的失真度很低D. 放大器对噪声的抑制能力很强答案：B二、填空题6. 在模拟电子技术中，放大器的增益定义为输出电压与输入电压的________。
答案：比值7. 一个理想滤波器的传递函数具有_________特性。
答案：理想矩形8. 模拟电子电路中的反馈可以是_________反馈或_________反馈。
答案：正，负9. 一个电路的带宽是指该电路能够通过的信号频率范围，通常用_________和_________来表示。
答案：下限频率，上限频率10. 在模拟电子技术中，一个电路的稳定性可以通过_________判据或_________判据来检验。
答案：劳斯，赫尔维茨三、简答题11. 简述负反馈在放大器中的作用。
答案：负反馈在放大器中可以提高放大器的稳定性，减少非线性失真，增加带宽，提高输入和输出阻抗的匹配性。
12. 解释什么是积分器和微分器，并简述它们在电路中的基本应用。
答案：积分器是一种将输入信号的瞬时值累积起来，输出信号是输入信号的积分结果。
微分器则是输出信号是输入信号的导数。
积分器常用于消除直流分量，微分器常用于检测信号的快速变化。
四、计算题13. 给定一个RC低通滤波器，其电阻R=1kΩ，电容C=0.01μF，计算其-3dB截止频率。
电工电子技术模拟习题含答案
电工电子技术模拟习题含答案一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.通信网的基本结构形式有五种,以下正确的说法是( )。
A、网型、星型、复合型、环型、总线型B、网型、环型、线型、复合型、树型C、网型、星型、线型、复合型、环型D、网型、星型、树型、环型、总线型正确答案：D2.视频信号画面的像素数量1080P指( )A、720 X 576B、1920 X 1080C、352 X 288D、1280 X 720正确答案：B3.非均匀量化的实现方式是采用了什么技术( )A、压缩扩张技术B、调制解调技术C、编码解码技术D、扩频解频技术正确答案：A4.IP地址设置选项在( )中。
A、TCP/IP协议B、网络连接C、控制面板D、网络邻居正确答案：A5.在internet的基本服务功能中,远程登录所使用的命令是( )。
A、openB、mailC、telnetD、ftp正确答案：C6.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。
A、10分钟B、3分钟C、5分钟D、2分钟正确答案：C7.我国PCM数字设备间的传输接口码型是( )。
A、AMI码B、HDB3码C、NRZ码D、RZ码正确答案：BN是( )的英文缩写。
A、局域网B、网络操作系统C、广域网D、城域网正确答案：A9.一座建筑物中的几个办公室要实现连网,应该选择的方案属于( )。
A、PANB、LANC、MAND、WAN正确答案：B10.(考题) Optix155/622H设备中IU1、IU2、IU3、IU4板为。
( )A、风扇板B、电源板C、支路板D、主控板正确答案：C11.网管终端操作用户登录后,可以修改自己的( )。
A、登录密码B、维护权限C、维护级别D、登录权限正确答案：A12.275W扩音机工作在( )工作状态。
A、混合放大B、乙类放大C、甲类放大D、推动放大正确答案：B13.(题库原题). 郑西高铁ZXMP S385设备SE以太网板用户端口( )A、4个B、16个C、24个D、9个正确答案：D14.(考题)中兴传输网管操作终端上,主视图界面下的。
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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ )2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )时会损坏。
( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U=0.7V，试写出各电路的D(on)输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 0＝(6—0.7)V ＝5.3 V 。
(b)令二极管断开，可得U P ＝6 V 、U N ＝10 V ，U P <U N ，所以二极管反向偏压而截止，U 0＝10 V 。
(c)令V 1、V 2均断开，U N1＝0V 、U N2＝6V 、U P ＝10V ，U P —U N1>Up —U N2，故V 1优先导通后，V 2截止，所以输出电压U 0＝0.7 V 。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui ＝(sin ωt)V ，试对应画出u i 、u 0、i D 的波形。
解：输入电压u i 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u 0＝0，而流过二极管的电流i D ＝u i ／R ，为半波正弦波，其最大值I Dm ＝10 V ／1 k Ω＝10 mA ；当u i 为负半周时，二极管反偏截止，i D ＝0，u 0＝u i 为半波正弦波。
因此可画出电压u 0电流i D 的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z ＝5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○A1、○A2读数分别为多大?解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得ZA I mA K VR U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为ZR U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即mAK VR R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。
7．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2．2 单选题1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A ．NPN 型低频小功率硅晶体管 B ．NPN 型高频小功率硅晶体管 C ．PNP 型低频小功率锗晶体管 D ．NPN 型低频大功率硅晶体管 3．输入( C )时，可利用H 参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A ．正弦小信号 B ．低频大信号 C ．低频小信号 D ．高频小信号 4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。
A ．NPN 型管和PNP 型管B ．增强型场效应管和耗尽型场效应管C ．N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D ．晶体管和场效应管 5．当U GS ＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。
A ．JFETB ．增强型MOS 管C ．耗尽型MOS 管D ．NMOS 管 6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。
A ．N 沟道JFET B ．增强~AI PMOS 管 C ．耗尽型NMOS 管 D ．耗尽型PMOS 管 2．3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( × )2．MOSFET 具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √ ) 3．EMOS 管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( × ) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN 结反偏。
( √ ) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √ ) 2．4 分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE =U B —U E ＝0.7—0＝0.7V ，发射结正偏；U BC =U B —U C ＝0.7—3＝—2.3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE =U B —U E ＝2—3＝—1V ，发射结反偏；U BC =U B —U C ＝2—5＝—3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE =U B —U E ＝3—2.3＝0.7V ，发射结正偏；U BC =U B —U C ＝3—2.6＝0.4V ，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP 型晶体管U EB =U E —U B ＝(—2)—(—2.7)＝0.7V ，发射结正偏；U CB =U C —U B ＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-=设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mAU CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-=因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-=mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-=mA I I CSBS 039.01009.3===β因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有 I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V(b) A mA K VI B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-=设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mA U CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B＝0，I C ＝0，U CE ＝5 V3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C 1、C 2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C 1、C 2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P 沟道耗尽型MOS 管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS ＝0时，i D ＝—I DSS(b)为N 沟道增强型MOS 管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS ＝0时， i D ＝0(c)为N 沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS ＝0时，i D ＝I DSS ，且u GS ≤0第3章 放大电路基础3．1 填空题1．放大电路的输入电压U i ＝10 mV ，输出电压U 0＝1 V ，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB 。