模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案
模拟电子技术基础自测题及答案
B ．电压并联
C ．电流串联
D ．电流并联
三、填空题
1．在 放大电路中，若要稳定放大倍数，应引入
。
2．在放大电路中，希望展宽频带，应引入 3．在放大电路中，如要减少输入电阻，应引入
。 。
6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的
。
自测题六
一、判断题
1.对 2.错 3.错 4.错 5.错 6.错 二、单选题 1.D 2.C 3.D 4.D 5.C 6.B 7.A 8.C 三、填空题
性能。
6．三极 管最重要的特性是
。
8．场效 应晶体管属于 9．场效 应管的最大优点是
控制器件。 。
自测题一
一、判断题 1.错 2.对 3.错 二、单选题 1.D 2.C 3.B 4.A 5.B 6.A 7.B 8.B 9.B 10.D 11.B 12.B 三、填空题 1.掺杂浓度 2.漂移 3.单向导电性 4.变窄 5.削弱 6.电流放大作用 9.输入电阻高 10.增强型 MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型
电路。
13． 差分放大器的基本特点是放大
、抑制
。
自测题四
一、判断题 1.对 2.对 3.对 4.对 二、单选题 1.D 2.C 3.A 4.A 5.C 6.C 7.B 8.D 三、填空题 1.克服温漂 2.差 3.平均值 4.带负载能力强 5.好 6.零点漂移 7.无穷大 8.10mV 9. 克服零漂 10.射极跟随器 11.共模 11.输入级 中间级 输出级 偏置电路 13.差模信号 共 模信号
则对应该管的管脚排列依次是（
）。
A ． e, b, c
B ． b, e, c
C． b, c, e
D． c, b, e
《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题解答-第3章
第3章3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波,已知R S =600Ω，U S =30mV,U i =20mV ，R L =1k Ω,U o =1。
2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。
解：(1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o to o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图P3.2所示放大电路中,已知三极管β=80，r bb'=200Ω,U BEQ =0.7V ，试:（1)求I CQ 、I BQ 、U CEQ ;图P3.1（2)画出H 参数小信号等效电路,求A u 、R i 、R o 、A us ;(3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U m A m AI I m A m A R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路,求Au 、R i 、R o 、A us图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β图P3.2图解P3.2（3）当β=60,说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化.因β改变时对I CQ 影响很小，可认为I CQ =1。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第八章 课后答案
.c
图 P8.3 99
1 1 = Hz = 971Hz 3 2πRC 2π × 8.2 × 10 × 0.02 × 10 −6 1 （2） Rt 应具有正温度系数， Rt 冷态电阻 < R F = 5kΩ 2
故正反馈过强，uo 为方波。
w
1+
.k
（2） Auf = 1 +
（3）RF 冷态阻值大于 20kΩ，则 1 +
因此可画出传输特性和 uO 波形分别如图解 P8.11(a)、(b)所示。
8.12 迟滞比较器如图 P8.12 所示，试计算门限电压 UTH、UTL 和回差电压，画出传输 特性；当 u I = 6 sin ωt (V ) 时，试画出输出电压 uO 的波形。
w
解：由图可得
.k
图 P8.12
w w
U TH = U TL
.c
图 P8.5
om
振荡频率。
图 P8.6
解：(a)同名端标于二次侧线圈的下端
(b)同名端标于二次侧线圈的下端
fo =
2π 140 × 10 −6 ×
(c)同名端标于二次侧线圈的下端
.k
−6
fo =
2π 560 × 10 × 200 × 10
w w
图 P8.7
w
8.7 根据自激振荡的相位条件，判断图 P8.7 所示电路能否产生振荡，在能振荡的电路
10 × 6V = −3V ；当 UREF=2V 时，得 20 20 + 10 U TL = × 2V − 3V = 0 20 uP = R1u I RU + 2 OL R1 + R2 R1 + R2
令 uP=UREF，则可求得下门限电压为
模电单元测验题胡宴如(3版)答案
模电单元测验题胡宴如(3版)答案案场各岗位服务流程销售大厅服务岗：1、销售大厅服务岗岗位职责：1)为来访客户提供全程的休息区域及饮品;2)保持销售区域台面整洁;3)及时补足销售大厅物资,如糖果或杂志等;4)收集客户意见、建议及现场问题点；2、销售大厅服务岗工作及服务流程阶段工作及服务流程班前阶段1）自检仪容仪表以饱满的精神面貌进入工作区域2）检查使用工具及销售大厅物资情况，异常情况及时登记并报告上级。
班中工作程序服务流程行为规范迎接指引递阅资料上饮品（糕点）添加茶水工作要求1）眼神关注客人，当客人距3米距离时，应主动跨出自己的位置迎宾，然后侯客迎询问客户送客户注意事项15度鞠躬微笑问候：“您好！欢迎光临！”2）在客人前方1-2米距离领位，指引请客人向休息区，在客人入座后问客人对座位是否满意：“您好！请问坐这儿可以吗？”得到同意后为客人拉椅入座“好的，请入座！”3）若客人无置业顾问陪同，可询问：请问您有专属的置业顾问吗？，为客人取阅项目资料，并礼貌的告知请客人稍等，置业顾问会很快过来介绍，同时请置业顾问关注该客人；4）问候的起始语应为“先生-小姐-女士早上好，这里是XX销售中心，这边请”5）问候时间段为8:30-11:30 早上好11:30-14:30 中午好 14:30-18:00下午好6）关注客人物品，如物品较多，则主动询问是否需要帮助（如拾到物品须两名人员在场方能打开，提示客人注意贵重物品）；7）在满座位的情况下，须先向客人致歉，在请其到沙盘区进行观摩稍作等待；阶段工作及服务流程班中工作程序工作要求注意事项饮料（糕点服务）1）在所有饮料（糕点）服务中必须使用托盘；2）所有饮料服务均已“对不起，打扰一下，请问您需要什么饮品”为起始；3）服务方向：从客人的右面服务；4）当客人的饮料杯中只剩三分之一时，必须询问客人是否需要再添一杯，在二次服务中特别注意瓶口绝对不可以与客人使用的杯子接触；5）在客人再次需要饮料时必须更换杯子；下班程序1）检查使用的工具及销售案场物资情况，异常情况及时记录并报告上级领导；2）填写物资领用申请表并整理客户意见；3）参加班后总结会；4）积极配合销售人员的接待工作，如果下班时间已经到，必须待客人离开后下班；1.3.3.3吧台服务岗1.3.3.3.1吧台服务岗岗位职责1）为来访的客人提供全程的休息及饮品服务；2）保持吧台区域的整洁；3)饮品使用的器皿必须消毒；4）及时补充吧台物资；5）收集客户意见、建议及问题点；1.3.3.3.2吧台服务岗工作及流程阶段工作及服务流程班前阶段1）自检仪容仪表以饱满的精神面貌进入工作区域2）检查使用工具及销售大厅物资情况，异常情况及时登记并报告上级。
模拟电子技术胡宴如主编习题解答-第3章
第3章放大电路如图所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）图若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mAmAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图的H 参数等效电路如图解所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
模拟电子技术胡宴如主编习题解答-第3章
第3章放大电路如图所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）图若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mAmAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图的H 参数等效电路如图解所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第5章
图P5.2图P5.1第5章5.1写出图P5.1所示各电路的名称,分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
解：(a)反相比例运算电路,Ω=-=-=k R A if uf 1,20120'(b) 同相比例运算电路, ∞→=+=',211201if uf R A(c)同相比例运算电路, Ω==++=k R A if uf 21,2012020)1201('5.2运算电路如图P5.2所示,试分别求出各电路输出电压的大小。
解: (a) V V U O 2.6)305.1102201(62=+-⨯-= (b) VV U O 8.2)24101022410242)(10241(=+⨯-++⨯+=(c)V V V U o 65.110201020601()102201(60=⨯⨯++++--=图P5.45.3运放应用电路如图P5.3所示,试分别求出各电路的输出电压U o 值。
解（a ） V V R RU A 515-=⨯-= V U U U RRU A A A O 012=-=--=（b ） V U A 2-=V U R R U A O 4211=-= 5.4图P5.4所示的电路中,当u I =1V 时，u o =-10V ,输入电阻为3 k Ω，试求电阻R F 。
R 1.R 2的值。
解：R 1=3 k Ω 10110-=-==I O uf u u A而由图可得Ω-=k R A Fuf 3 故Ω=Ω-⨯-=k k R F 30)3(10图P5.3图P5.6R 2=R 1∥R F =2.73 k Ω5.5 图P5.5是利用集成运算放大器构成的电流-电压转换器，试求该电路输出电压u o与输入电流i s 的关系式。
图P5.5解：u o=-i F R F =-i sR F u o 与i s 成正比。
5.6由集成运放组成的三极管电流放大系数β的测试电路如图P5.6所示，设三极管的U BE =0.7V 。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 第四版)习题解答 第2章
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章第2章1○2○3测得对地电位-8V，放大电路中某三极管三个管脚○-3V,-和3V、12V、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管？解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
3为基三极管工作在放大区时，UB值必介于UC和UE之间，故-对应的管脚○2脚电位与○3脚基极电位差为-，2脚为发射极，1脚为集电极，极，UB=-，○所以○则○该管为PNP锗管。
3脚电位为介于3V和12V之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚于○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN硅管。
，故○对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP管，估算其β值。
图解：因为iB 49 ①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
电流流向知是PNP管iC1mA100 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。
图解：IB?6V??51k?设三极管工作在放大状态，则IC=βIB=100×=10mA UCE=16V－10mA×1kΩ=6V于UCE=6V>UCE=，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，IB=，IC=10 mA，UCE=6V。
IB?(5?)V?56k?设三极管工作在放大状态，则得IC=βIB=100×=则UCE=-(5V－×3kΩ)=-(5V－) ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为IC?ICS?VCCRC3k?因此三极管的IB=，IC=，UCE=UCES≈发射结零偏置，故三极管截止，IB=0，IC=0，UCE=5V。
图所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图所示，设UBEQ=0，当RB分别为300kΩ、150kΩ时，试用图解法求IC、UCE。
解：在输出回路中作直流负载线令iC=0，则uCE=12V，得点M；令uCE=0，则iC=12V/3k Ω=4mA，得点N，连接点M、N得直流负载线，如图解所示。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第7章
第7章7.1 图P7.1所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，交流电压有效值U 2=15V ，f=50HZ ，试决定滤波电容C 的大小并求输出电压U O （A V ）﹑通过二极管的平均电流I D （A V ）及二极管所承受的最高反向电压U RM 。
解：C ≥F μ1000~600501502)5~3R 2T 5~3L =⨯⨯=（）（ U O(A V)=1.2U 2=1.2×15=18V通过二极管的平均电流为二极管承受最高反向电压为7.2 图P7.2所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，C=2200μF ，测得交流电压有效值U 2=20V ，如果用直流电压表测得输出电压U O 有下列几种情况：（1）28V;(2)24V ；（3）18V;（4）9V 。
试分析电路工作是否正常并说明故障原因。
解：（1）R L 开路，U O =1.4×20=28V(2)正常，U O =1.2×20=24V 图P7.1图P7.2（3）C开路U O=0.9×20=18V（4）因二极管开路电路变为半波整流同时C开路，U O=0.45×20=9V7.3已知桥式整流电容滤波电路中负载电阻R L=20Ω，交流电源频率为50Hz，要求输出电压U O（A V）=12V，试求变压器二次电压有效值U2，并选择整流二极管和滤波电容。
解：变压器二次电压的有效值为通过二极管的平均电流二极管承受的最高反向电压为所以，可选择I1≥（2-3）I D（A V）=（0.6~0.9）A、U RM＞14V的二极管，查手册知，可用4只1N4001二极管组成桥式整流电路。
由于一般要求R L C≥（3~5）T/2，现取R L C≥4T/2，所以可得2U=14V，因此可选用2000μF、25V的铝电解由于滤波电容C承受的最大电压为2电容器。
7.4图P7.4为变压器二次线圈有中心抽头的单相整流滤波电路，二次电压有效值为U2，试：（1）标出负载电阻R L上电压U O和滤波电容C的极性。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
（2）画 H 参数等效电路，求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图（c）可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示，已知三极管的β=50，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ； （2）画出 H 参数小信号等效电路，求 Au、Ri、Ro； （3）求源电压增 益 Aus。 解： （1）求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题集解答
第3章3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =1.2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图P3.2所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb ’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ 、图P3.1I BQ 、U CEQ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mA mAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 第四版习题解答 第章
第5章5.1写出图P5.1所示各电路的名称,分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
解：(a)反相比例运算电路,Ω=-=-=k R A if uf 1,20120'(b) 同相比例运算电路, ∞→=+=',211201if uf R A(c)同相比例运算电路, Ω==++=k R A if uf 21,2012020)1201('5.2运算电路如图P5.2所示,试分别求出各电路输出电压的大小。
解:(a) V V U O 2.6305.1102201(62=+-⨯-= (b) V V U O 8.224101022410242)(10241(=+⨯-++⨯+=(c)V V V U o 65.1)10201020601()102201(60=⨯⨯++++--=5.3运放应用电路如图P5.3所示,试分别求出各电路的输出电压U o 值。
解（a ） V V RRU A 515-=⨯-= （b ） V U A 2-=5.4图P5.4所示的电路中,当u I =1V 时，u o =-10V,输入电阻为3 k Ω，试求电阻R F 。
R 1.R 2的值。
解：R 1=3 k Ω 10110-=-==I O uf u u A而由图可得Ω-=k R A Fuf 3 故Ω=Ω-⨯-=k k R F 30)3(10 R 2=R 1∥R F =2.73 k Ω5.5 图P5.5是利用集成运算放大器构成的电流-电压转换器，试求该电路输出电压u o 与输入电流i s 的关系式。
图P5.5解：u o=-i F R F =-i sR F u o 与i s 成正比。
5.6由集成运放组成的三极管电流放大系数β的测试电路如图P5.6所示，设三极管的U BE =0.7V 。
求三极管的C 、B 、E 各极的电位值；若电压表读数为200mV ，试求三极管的β值。
解：根据“虚短”，由运放A 1可知U C =5V ；由运放A 2可知U B =0V ，U E =-0.7V 。
模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第3章
图P3.2的H参数等效电路如图解P3.2所示，由已求ICQ可得
故
（3）当β=60，说明ICQ、Au、Ri、Ro的变化。
因β改变时对ICQ影响很小，可认为ICQ=1.92mA不变，这样
故
3.3放大电路如图P3.3所示，已知三极管的β=100，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，试：（1）求静态工作点ICQ、IBQ、UCEQ；（2）画出H参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增 益Aus。
图P3.12
解：（1）求UCQ2
由图P3.12可得ICQ2=Io/2=0.5mA
故
（2）求Aud, Auc, KCMR
3．13电路如图P3.13所示，VCC=VEE=20V，RL=10Ω，晶体管的饱和压降UCES=0V，输入电压ui为正弦信号。试：（1）求最大不失真输出功率、电源供给功率、管耗及效率：（2）当输入电压振幅Uim=10V时，求输出功率、电源供给功率、功率及管耗；（3）求该电路的最大管耗及此时输入电压的振幅。
解：（1）求静态工作点
放大电路的直流通路如图解P3.4（a）所示，由图可得
故
则
（2）求主要性能指标
作出图P3.4电路的交流通路和H参数等效电路如图解P3.4（b）、（c）所示。图（c）中
由图（c）可得
3.5共集电极放大电路如图P3.5所示，已知β=100,rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V。试：（1）估算静态工作点ICQ、UCEQ；（2）求Au=uo/ui和输入电阻Ri；（3）us=2V，求输出电压uo和输出电阻Ro。
解：C点：uo=un=ui=1V
B点：反相端接地，开环uo=UOM=10V
中点：构成同相放大电路，
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模拟电子技术胡宴如(第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1.１填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PＮ结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为０.６5 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于2６Ω。
1.2 单选题１．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B.掺杂工艺Ｃ．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PＮ结形成后，空间电荷区由（Ｄ)构成。
A.价电子B.自由电子C．空穴 D.杂质离子3．硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而（B)。
A.减小B.基本不变C.增大４．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C )。
A.增大B．基本不变 C.减小５．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A.整流B．稳压 C.发光Ｄ．可变电容器１．３是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√）2．因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1．４分析计算题１．电路如图Ｔ1.1所示,设二极管的导通电压U D(oｎ）=0.7V,试写出各电路的输出电压Uｏ值。
解：（a)二极管正向导通,所以输出电压U0＝（6—０.7）Ｖ＝5.3 Ｖ。
(b)令二极管断开,可得ＵP=6 V、ＵN=10 Ｖ,ＵＰ<U N,所以二极管反向偏压而截止,U0=10 V。
(c）令Ｖ１、V2均断开，ＵN1=０V、U N2＝６Ｖ、ＵP=１０V，ＵP—U N >Up—U N2,故V1优先导通后，V2截止,所以输出电压U0=0.７V。
１2.电路如图Ｔ1．2所示，二极管具有理想特性,已知ui=(ｓinωt）Ｖ，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解:输入电压u i为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即u0=0,而流过二极管的电流ｉD＝u i/Ｒ，为半波正弦波，其最大值IＤm=10 Ｖ/1 kΩ为负半周时,二极管反偏截止,ｉD=０，u0=u i为半波正弦波。
因＝10 mＡ；当uｉ此可画出电压u0电流i D的波形如图(ｂ)所示。
３．稳压二极管电路如图T １．3所示，已知U Z =5 Ｖ,ＩZ =５ mA,电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开和闭合时，电压表错误!和电流表错误!、错误!读数分别为多大?解:当开关S 断开，Ｒ2支路不通，I Ａ2=0,此时Ｒ1与稳压二极管Ｖ相串联，因此由图可得Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合,令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为Z R U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此,R 1、Ｒ2构成串联电路,电流表A 1、Ａ２的读数相同，即mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（而电压表的读数,即Ｒ2两端压降为3.６ V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 P ＮP 和 N ＰN 两种类型,它工作时有2 种载流子参与导电。
2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ,集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4.当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ,I CB Ｏ 增大 ,导通电压U B Ｅ 减小 。
５.某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10μＡ变化到２0μA 时，集电极电流从1mA 变为1．99 ｍＡ,则交流电流放大系数β约为 99 。
6.某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM ＝100mW 、U (ＢＲ)CEO ＝30V ,因此,当工作电压U CE =10V 时,工作电流I C 不得超过 10 mA;当工作电压U C Ｅ=1V 时,I C 不得超过 20 m Ａ；当工作电流I Ｃ=2 ｍA 时，ＵCE 不得超过 30 V 。
７．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 ＭOS ；根据导电沟道的不同又可分为 Ｎ沟道 、 P 沟道 两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种: 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS （o ｆf)表示 夹断 电压,I DSS 表示 饱和漏极 电流,它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2.2 单选题1.某NPN 型管电路中，测得U BE =0 Ｖ,U BC = —5 V ,则可知管子工作于（ Ｃ )状态。
Ａ.放大Ｂ．饱和Ｃ．截止Ｄ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B）。
A．ＮPＮ型低频小功率硅晶体管 B.ＮＰN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPＮ型低频大功率硅晶体管3．输入（C）时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号B．低频大信号Ｃ.低频小信号Ｄ．高频小信号４．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
Ａ．NPN型管和ＰNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管Ｃ.N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管5.当U GS＝0时,（B)管不可能工作在恒流区。
Ａ.JFＥT B．增强型ＭOS管C．耗尽型MＯS管 D.NＭOS 管6.下列场效应管中,无原始导电沟道的为( B）。
Ａ.N沟道JFET B.增强～ＡI PMOS管C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMＯＳ管2.3 是非题1.可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
(×)2．ＭOSFEＴ具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
（√) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
(×)４．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
( √)５.场效应管用于放大电路时,应工作于饱和区。
( √)2.4 分析计算题1.图T２．1所示电路中的晶体管为硅管,试判断其工作状态。
解:（a)UＢE=U B—U E=0.7—0=0.7Ｖ,发射结正偏;ＵBＣ=U B—U C=0.７—3＝—2．3 V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b)U BE=U B—ＵE=2—3＝—1V,发射结反偏;U BC＝U B—U C＝2—5＝—3 Ｖ,集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
（c) U BE=ＵB—U E=3—2.３=0．7Ｖ，发射结正偏;U BC =U Ｂ—U Ｃ＝3—２.6＝0.4V ，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d ）该管为PNP 型晶体管ＵEB ＝U E —ＵB ＝(—2)—(—2．7)＝0.７Ｖ，发射结正偏;U CB =U C —U B ＝(—５)—（—2.7)=—2.３V ,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管,β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-=设晶体管工作在放大状态,则有 I Ｃ＝βI B =1０0×0.05３＝５.３mAU C Ｅ=１２—5．3×３＝—3．９ V ＜0说明上述假设不成立,晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Ｓat)=０．３ Ｖ，则集电极电流为 mA R U V I C sat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= 因此可得晶体管的ＩB ＝0.053 mA 、I Ｃ=I C Ｓ＝３.9 mA 、U ＣE ＝U CE(Ｓａｔ)=0.３ Ｖ 方法二：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= mA I I CS BS 039.01009.3===β 因为I B >ＩBS ,所以晶体管处于饱和状态,因而有I B =0.0５3 mA 、I C =I CS ＝３.9 mA 、ＵCE =U CE(Sa ｔ)=0.3 V(ｂ) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-=设晶体管工作在放大状态，则有I C =100×0.00８ ４ mA ＝0.84 mAU C Ｅ=５ V —0.84×3=2.48 V ＞ U CE （S ａt)说明晶体管工作在放大状态,故上述假设成立，计算结果正确。
（c)基极偏压为负电压,发射结和集电结均反偏,所以晶体管截止,则I B =0，ＩC ＝0，U CE =5 Ｖ3.放大电路如图T2．3所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解:（a)将Ｃ1、C 2断开,即得直流通路如下图（ａ)所示;将C 1、C 2短路、直流电源对地短接,即得交流通路如下图(ｂ）所示;将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(ｃ)所示。
（b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a ）、（b)、(c)所示。
4.场效应管的符号如图Ｔ2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解:(a)为P沟道耗尽型MＯＳ管,它的转移特性曲线如下图(ａ）所示,其特点是u GＳ=０时，ｉD=—ＩDＳＳ(b）为Ｎ沟道增强型MＯS管,它的转移特性曲线如下图(ｂ）所示,其特点是uＧＳ＝0时，ｉＤ=0(c)为Ｎ沟道结型场效应管,它的转移特性曲线如下图(c）所示，其特点是u GS＝0时，i D=IＤSS,且u GＳ≤0第3章放大电路基础３.１填空题1．放大电路的输入电压Ｕi=10 ｍV,输出电压U0=1V，该放大电路的电压放大倍数为100,电压增益为40dB。
２．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小,放大电路的负载能力就越强。