EEPROM.
eeprom擦写原理
eeprom擦写原理EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种常见的非易失性存储器，它具有可擦写的特性，允许数据在不丢失的情况下被重写。
EEPROM的擦写原理是通过使用电场来改变存储单元的状态，从而实现数据的擦除和写入。
EEPROM的存储单元由一对互补的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）构成，其中包含一个浮栅。
在正常操作时，浮栅上的电荷决定了存储单元的状态。
通过改变浮栅上的电荷量，可以实现数据的擦除和写入。
擦除操作是将存储单元的电荷量恢复到初始状态，以便写入新的数据。
擦除过程通常需要高电压，以产生足够的电场来清除浮栅上的电荷。
在擦除过程中，浮栅上的电荷会逐渐被电场击穿，从而导致电荷被释放。
擦除完成后，存储单元的状态被重置为逻辑“1”。
写入操作是将新的数据写入存储单元。
写入操作需要在特定的电压下，将电荷注入到浮栅中。
为了确保只有目标存储单元被写入，周围的存储单元会被屏蔽，以免受到误写的影响。
写入操作完成后，存储单元的状态被重置为新的数据。
EEPROM的擦写原理使得它成为一种重要的存储器，可以用于存储需要频繁更新的数据，如配置信息、用户数据等。
与传统的ROM （只读存储器）相比，EEPROM具有更高的灵活性和可擦写性。
它可以被多次擦写，而不会导致存储单元的损坏。
这使得EEPROM成为许多电子设备中的重要组成部分。
总结而言，EEPROM的擦写原理是通过使用电场来改变存储单元的状态，从而实现数据的擦除和写入。
擦除操作将存储单元的电荷量恢复到初始状态，写入操作将新的数据写入存储单元。
EEPROM的可擦写性使得它在许多应用中都有重要的作用，为电子设备提供了灵活且可靠的数据存储解决方案。
EEPROM简介演示
EEPROM在智能家居中心设备中用于存储场景设置、设备联动规则、语音助手配置等。 这些设置可以实现智能家居设备的智能化、自动化和互联互通。
医疗器械
医疗设备配置
EEPROM在医疗设备中用于存储设备配置参数，如输液泵流速设置、呼吸机潮气量设定、心电监护仪导联配置等。这 些配置参数对于设备的正常运行和治疗效果至关重要。
并行EEPROM使用并行接口 进行数据传输，它提供了更
高的读取和写入速度。
SPI（Serial Peripheral Interface）EEPROM是一种 使用SPI接口进行通信的串行 EEPROM，它具有高速和简
单的特点。
I2C（Inter-Integrated Circuit）EEPROM是一种使 用I2C接口进行通信的串行 EEPROM，它适用于多设备
EEPROM市场发展趋势
技术创新
随着技术的不断发展，EEPROM 在存储容量、读写速度、耐久性 等方面将持续提升，满足更多应
用场景的需求。
环保趋势
环保成为全球电子产业的重要议 题，EEPROM厂商将更加注重产 品的环保性能，推广无铅、低功
耗等环保型EEPROM产品。
市场拓展
随着物联网、智能家居、汽车电 子等新兴市场的崛起，EEPROM 将在更多领域得到应用，市场空
通信和长距离传输。
02
EEPROM的特点和优势
可重复编程
灵活性高
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可被多次编程和擦除， 使得其在存储器应用中具有很高的灵 活性。
无需外部编程器
与一次性可编程（OTP）存储器相比 ，EEPROM无需外部编程器进行编程 操作，进一步降低了开发和生产成本 。
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。
不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。
在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPR OM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
EEPROM-背景知识在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
RO M是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
eprom和eeprom的读写过程
eprom和eeprom的读写过程
EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）都是一种非易失性存储器，可以用来存储数据并在需要时进行读取。
两者之间的主要区别在于擦除的方式不同。
1. EPROM的读写过程：
- 写入：EPROM使用特定的设备（EPROM编程器）将数据写入芯片。
设备通过一个特定的电压脉冲将数据编程到存储单元中，并将存储单元的电平状态改变从1变为0，以此来表示数据的存储。
- 读取：EPROM的读取是通过将特定地址的存储单元的电平状态转换为电压信号来完成的。
如果存储单元的电平为1，则读取的电压为低电平；如果存储单元的电平为0，则读取的电压为高电平。
2. EEPROM的读写过程：
- 写入：EEPROM的写入过程与EPROM相比更灵活。
可以通过特定的设备将数据写入EEPROM。
写入时，需要将要写入的地址和写入的数据发送给EEPROM，并将特定的命令信号发送给EEPROM，以启动写入操作。
写入操作完成后，EEPROM中相应地址的存储单元将保存写入的数据。
- 读取：EEPROM的读取过程与EPROM相似，通过将特定地址的存储单元的电平状态转换为电压信号来读取数据。
EEPROM的读取可以直接通过数据总线传输读取命令和地址，不需要额外的编程器。
需要注意的是，在实际操作中使用EPROM和EEPROM时，需要严格按照相关规范和设备说明进行操作，确保正确的读写过程，以免损坏芯片或丢失数据。
eeprom的写入时序
eeprom的写入时序EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，它可以被多次擦除和写入。
EEPROM的写入时序是指在进行数据写入时所需的操作步骤和时间顺序。
下面是关于EEPROM写入时序的文章：EEPROM的写入时序是指在对EEPROM进行数据写入时所需的操作步骤和时间顺序。
EEPROM是一种非易失性存储器，它可以被多次擦除和写入，因此在实际应用中，对EEPROM进行数据写入是非常常见的操作。
在进行EEPROM写入时，首先需要确定要写入的数据，然后将数据发送给EEPROM，接着进行写入操作。
在进行写入操作时，需要遵循一定的时序要求，以确保数据能够正确地被写入并保持稳定。
通常，EEPROM的写入时序包括以下几个步骤：1. 发送写入命令，首先需要向EEPROM发送写入命令，以告知EEPROM即将进行数据写入操作。
2. 发送地址，接着需要发送要写入数据的地址，以指定数据写入的位置。
3. 发送数据，一旦地址确定，就可以发送要写入的数据。
4. 写入确认，在数据发送完成后，需要发送写入确认命令，以告知EEPROM可以开始写入数据。
5. 写入时间，EEPROM需要一定的时间来完成数据写入操作，这个时间通常是毫秒级别的。
6. 写入完成确认，最后，需要发送写入完成确认命令，以告知系统数据写入已经完成。
在进行EEPROM写入时，以上步骤需要严格遵循，以确保数据能够正确地被写入并保持稳定。
同时，EEPROM的写入时序也受到EEPROM型号和制造商的影响，因此在实际应用中，需要根据具体的EEPROM型号和规格来确定相应的写入时序。
总之，EEPROM的写入时序是进行数据写入时所需的操作步骤和时间顺序，严格遵循写入时序是确保数据写入正确和稳定的关键。
对于工程师和开发人员来说，了解并掌握EEPROM的写入时序是非常重要的，可以帮助他们更好地进行EEPROM的数据写入操作。
eeprom名词解释
eeprom名词解释
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦
除和可编程的只读存储器，属于非易失性存储器的一种。
它能够在通电和非通电的情况下保持存储的数据，即使在断电的情况下也能保留数据。
EEPROM通过电子
电荷来存储数据，具有读取和写入数据的能力。
EEPROM在计算机和电子设备中广泛应用。
它常用于储存系统的配置信息、
固件升级程序、加密算法、数据存储等需要长期保存且需要经常更新的数据。
相比于传统的ROM芯片，EEPROM的重要特点在于它的可编程和可擦除性。
用户可以通过特定的编程器将数据写入EEPROM，并且可以根据需要随时擦除和重写其中
的数据。
EEPROM的擦除和写入操作是通过在芯片上施加高电压和地电压来实现的。
当需要擦除数据时，EEPROM会根据数据位的0和1在特定的位置存储电子电荷。
在写入新数据时，EEPROM会自动将原有的电子电荷擦除，并将新的电荷存储到
相关位置。
由于EEPROM具有可擦除和可编程的特性，它在电子设备中的应用非常广泛。
它不仅被用于存储固件和程序代码，还可以用于存储关键性数据，如设备ID、序
列号、密钥和密码等。
这些数据的长期保存和保密性对于设备的正常运行和安全性至关重要。
总结来说，EEPROM是一种可擦除和可编程的只读存储器，用于长期保存数
据和程序代码。
由于其高度可靠性和可编程性，EEPROM成为了各类电子设备中
不可或缺的一部分。
EEPROM 原理知识详解
EEPROM 原理知识详解EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。
不像EPROM 芯片，EEPROM 不需从计算机中取出即可修改。
在一个EEPROM 中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM 的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
一般用于即插即用（Plug Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的”硬件锁”上面。
EEPROM-背景知识在微机的发展初期，BIOS 都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM 内部的资料是在ROM 的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM 是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
由于ROM 制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM 内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM 的特性和ROM 相同，但是其成本比ROM 高，而且写入资料的速度比ROM 的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM 量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM 芯片只能写入一次的弊端。
eeprom单元结构
eeprom单元结构EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种主要用于存储数据的电子器件。
它的存储过程是通过电流的方式来擦除和编程，相比于传统的ROM（Read-Only Memory），EEPROM具有可重写的特点，因此被广泛应用于各种电子设备中。
EEPROM的单元结构由位（Bit）和字节（Byte）组成。
在EEPROM 中，位是最小的存储单元，表示二进制的0或1。
而字节则是由8个位组成，可以存储一个字符或者一个整数。
每个EEPROM芯片都由多个单元组成，每个单元都有一个唯一的地址，通过这个地址可以定位到特定的存储单元。
在EEPROM中，单元的地址从0开始递增，可以分别读取和写入每个单元中存储的数据。
在使用EEPROM之前，需要先对其进行擦除操作。
擦除操作会将存储单元中的数据全部清空，使其恢复到初始状态，以便进行后续的编程操作。
在擦除完成后，可以对特定的单元进行编程，将所需的数据存储到相应的位置。
编程操作是通过向EEPROM芯片中写入电流来实现的。
编程时，需要指定一个地址，并将要存储的数据发送给芯片。
芯片会将数据写入到指定地址的存储单元中，从而完成编程操作。
读取操作则是相反的过程，通过指定地址，可以从EEPROM中读取相应的数据。
需要注意的是，EEPROM的写入操作通常比读取操作慢很多。
因为编程操作需要对存储单元进行改变，而读取操作只是简单地读取存储单元中的数据。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求来选择合适的读取和编程速度。
总之，EEPROM的单元结构是由位和字节组成的，每个单元具有唯一的地址，可以进行读取和编程操作。
它是一种可重写的存储器，广泛应用于各种电子设备中。
在实际使用过程中，需要注意编程操作的速度和数据的读取。
通过合理使用EEPROM，可以实现数据的存储和读取，为电子设备的功能提供支持。
EEPROM原理知识详解
EEPROM原理知识详解EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 的缩写，即可擦除可编程只读存储器。
它是一种非易失性存储设备，可以在电源断开时保持数据内容不变。
EEPROM是一种用于存储数据的半导体存储设备，它可以被多次编程和擦除。
EEPROM原理知识如下：1.存储结构：2.数据读取：在数据读取时，传输栅允许电流通过，并将浮栅电容的电压提取到位线上，然后通过电路解码器将其转换为数字信号。
通过扫描操作从矩阵中读取指定地址的数据。
3.数据编程和擦除：在数据编程时，电子注入或去注入技术被用来改变浮栅电容中的电荷量。
对于电子注入，通过向传输栅施加一个较高的电压，电子将被注入浮栅中，从而改变其电荷量。
对于电子去注入，一个电压较高的信号被施加到传输栅，以将电子从浮栅中取出，从而改变其电荷量。
编程和擦除过程是通过在特定的时序下施加电压来实现的。
4.工作原理：EEPROM工作的时候，电压控制器将传输栅与浮栅电容分离，让传输栅允许电流通过。
在读取数据时，电压控制器连接传输栅和浮栅电容，以便将浮栅电容的电压提取到位线上。
在编程和擦除操作中，浮栅电容与传输栅被分离，电压控制器会将特定的电压序列施加到浮栅上，以改变电荷量。
通过施加适当的电压，数据可以从浮栅移动到传输栅，或者从传输栅移动到浮栅。
5.存储密度和速度：由于EEPROM的存储单元是矩阵结构，其存储密度相对较高，可以容纳大量的数据。
此外，EEPROM具有较快的速度，因为读取和编程擦除操作可以在不更改其他存储单元的情况下独立进行。
6.电源断电保护：总结：EEPROM是一种非易失性存储器，它使用浮栅电容和传输栅来存储和读取数据。
其通过电子注入或去注入技术来实现数据的编程和擦除。
EEPROM具有较高的存储密度和速度，并且具有电源断电保护功能。
关于EEPROM的应用总结
关于EEPROM的应用总结关于EEPROM的应用总结当在程序运行的过程中你希望修改某个变量并且此变量的值在掉电以后不丢失，那么你就可以采用将变量数据写入EEPROM的方式来实现。
什么是EEPROM，即Electrically Erasable ProgrammableRead_Only Memory首先它是一种存储器，并且可以通过高电压来进行反复擦写的存储器。
具有掉电数据不丢失的特点。
比如常用的24C系列，93C系列的器件。
一般这种器件采用I2C的方式与单片机进行通讯，对于这种通讯方式及器件的应用另作总结。
这里主要总结一下，STC12C5204AD芯片内部包含的EEPROM的应用方法。
STC12C5201AD系列单片机内部集成了EEPROM是与程序空间分开的，利用ISP/IAP技术可将内部data flash当EEPROM，擦写10万次以上。
EEPROM可分为若干个扇区，每个扇区包含512字节。
使用时建议同一次修改的数据放在同一个扇区，不是同一次修改的数据放在不同的扇区，不一定要用满。
数据存储器的擦除操作是按扇区进行的。
在程序中可对EEPROM进行字节读写/字节编程/扇区擦除操作。
在工作电压Vcc偏低时，建议不要进行EEPROM/IAP操作。
以免发生数据错误。
应用的步骤1、声明与EEPROM相关的寄存器2、编写EEPROM初始化函数3、编写字节擦除函数4、编写字节编程函数5、编写字节读取函数6、在需要读取EEPROM字节内容时直接调用字节读取函数即可7、在需要进行写EEPROM字节时，先调用字节擦除函数，将字节内容擦除成FFH后，在调用字节编程函数，将数据写入到EEPROM的地址单元中。
与EEPROM应用相关的寄存器符号描述地位地址及符号复位值址IAP_DATA ISP/IAP flash dataregisterC2H11111111BIAP_AD DRH ISP/IAP flashaddress highC3H00000000BIAP_AD DRL ISP/IAP flashaddress lowC4HIAP_CMDISP/IAP flashcommand registerC5HMS1MSIAP_TRIGISP/IAP flashcommand triggerC6HxxxxxxxxxBIAP_CO NTR ISP/IAP controlregisterC7HIAPENSWBS SWRSTCMD_FAILWT2WT1WT0000X000BPCON Power control87H SOMDSMOD0LVDFPOFGF1GFPDIDL00110000B1、IAP_DATA：ISP/IAP数据寄存器ISP/IAP操作时的数据寄存器。
EPROM与EEPROM的区别
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损EEROM？还是EPROM？EPROM就是Erasable Programmable Read Only Memory，中文含意为“可擦除可编程只读存储器”。
它是一种可重写的存储器芯片，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。
换句话说，它是非易失性的。
它通过EPROM编程器进行编程，EPROM编程器能够提供比正常工作电压更高的电压对EPROM编程。
一旦经过编程，EPROM只有在强紫外线的照射下才能够进行擦除。
为了进行擦除，EPROM的陶瓷封装上具有一个小的石英窗口，这个石英窗口一般情况下使用不透明的粘带覆盖，当擦除时将这个粘带揭掉，然后放置在强紫外线下大约20分钟。
主要IC有27XX系列和27CXX系列。
EEPROM就是electrically erasable, programmable, read-only是一种电可擦除可编程只读存储器，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。
eeprom 原理
eeprom 原理
EEPROM是电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的简称，它是一种非易失性存储器。
EEPROM的原理是基于电荷积累效应和场效应晶体管来实现数据存储和读取。
EEPROM的存储单元被分为许多电容和晶体管的组合。
每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，晶体管用于控制电容中的电荷读写。
在写入数据时，EEPROM的晶体管被进行编程或擦除操作。
编程操作时，晶体管的栅极上加上一个高电压，这会使得电容中的电荷被注入到栅极中，从而改变晶体管的导通状态，实现数据的写入操作。
擦除操作时，晶体管的栅极上加上一个更高的电压，导致电荷从栅极中移除，将晶体管恢复到初始未编程状态。
进行数据读取时，EEPROM通过读取每个存储单元中的电荷量来判断相应存储单元的状态。
检测到有电荷表示存储单元被编程为1，无电荷表示被编程为0。
EEPROM的优点是可编程性强，可以多次擦写和读取数据，但擦写操作比较耗时。
相比于传统的ROM存储器，EEPROM 存储器采用电场操作而不需要外部光源，因此更便于数据的读取和擦写。
需要注意的是，EEPROM在不同厂商和型号之间可能存在一些细微的差异，但基本的工作原理和实现方式大致相同。
eeprom使用方法
eeprom使用方法EEPROM（电可擦可编程只读存储器）使用起来还挺有趣的呢！EEPROM就像是一个小仓库，用来存放数据。
它的好处是数据不会因为断电就消失哦。
那怎么往这个小仓库里放东西呢？这得看你用的是什么设备或者开发板啦。
一般来说，你得先在你的编程环境里找到对应的库或者函数。
比如说，在Arduino里使用EEPROM就超级简单。
你只要包含EEPROM库，然后就可以像给小盒子贴标签放东西一样，用函数来指定地址，再把你想要存的数据放进去。
就好像你把小宝贝放进一个个小格子里，每个格子都有自己的编号，这个编号就是地址啦。
从EEPROM里取数据也不难。
还是按照那个地址，用对应的函数把数据拿出来就好啦。
不过要小心哦，如果你取数据的时候地址弄错了，那就可能拿到错误的东西，就像你本来想拿糖果，结果拿到了小石子一样。
在使用EEPROM的时候，还有个要注意的点就是它的寿命。
它虽然能擦写很多次，但也不是无限的。
所以不要没事就一直擦了写、写了擦，要像爱护小宠物一样爱护它呢。
如果你是在做一些小项目，比如自制一个小的温度记录器。
你就可以把每次测量到的温度数据存到EEPROM里。
这样，就算突然断电了，之前的数据也还在，等来电了还能接着记录或者查看历史数据呢。
还有哦，不同的EEPROM芯片可能会有一些细微的差别。
有的可能存储容量大一点，有的可能读写速度快一点。
你在选择的时候，就像挑选小鞋子一样，要根据自己的“脚”（也就是项目需求）来选合适的。
要是你只是简单存几个小参数，那就不需要特别大存储容量的EEPROM啦。
总之呢，EEPROM就像是一个贴心的小助手，只要你按照它的规则来使用，就能很好地在你的小发明、小制作里发挥大作用啦。
EEPROM要点
EEPROM要点EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，被广泛用于各种电子设备中。
它具有许多独特的特点和优势，使其成为了现代电子产品的重要组成部分。
下面是关于EEPROM的一些要点。
1. 基本原理：EEPROM的存储单元是由一对互补MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）FET（Field-Effect Transistor）构成的。
通过给这对FET施加电压，可以在其中的“浮栅”区域中储存或擦除电荷。
由于这个电荷是通过电场控制的，所以EEPROM可以电擦写，这使得它区别于只能被紫外线擦除的传统EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）。
2.存储密度：EEPROM拥有较高的存储密度，即相比于其他非易失性存储器而言可以存储更多的数据。
EEPROM的存储密度通常以位/平方厘米或者字节/平方毫米来衡量。
随着技术的发展，EEPROM的存储密度也在不断提高。
3.随机读取性能：EEPROM支持随机读取操作，即可以直接从存储器中读取任意地址的数据，而不需要像序列式存储器那样需要按顺序读取。
EEPROM的读取速度通常在几十纳秒到几百纳秒之间。
4.电擦写性能：与传统的EPROM相比，EEPROM具有电擦写的优势。
擦除EEPROM中的数据只需要施加特定电压，而不需要使用紫外线。
电擦写操作可以在设备内部完成，比起使用紫外线擦除的EPROM，会更加方便快捷。
5.电子可重写次数：每个EEPROM存储单元的擦写操作次数都是有限的。
擦写次数的限制是由于在擦写周期中电荷被注入和排放的过程中，擦写门极其附近的电荷积累和电流流动的局部热效应导致的。
尽管EEPROM 的电子可重写次数有限，但通常这个次数足够满足大多数应用的要求。
6.数据保持性：EEPROM具有良好的数据保持性能，即即使在断电的情况下，存储在EEPROM中的数据仍然可以长时间保持。
EEPROM与FLASH
EEPROM与FLASH一、EEPROMEEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。
EEPROM不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。
在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。
在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
EEPROM由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
eeprom和flash的区别
eeprom和flash的区别
EEPROM和Flash都是非易失性存储器，它们都可以在掉电后保留数据。
但它们在很多方面存在一些差异，具体区别如下：
1.擦写方式：EEPROM的擦写是以字节为单位进行的，而Flash 通常需要按块进行擦写。
也就是说，在Flash中，要擦除一个数据，通常需要先擦除一整个块，然后再将该块中需要保留的数据重新写入。
因此，Flash的擦写操作相对EEPROM更为复杂。
2.写入方式：EEPROM的写入方式也是按字节进行，而Flash
的写入方式通常是按块进行。
这意味着，在Flash中，要写入一个数据，需要先将整个块擦除，然后再将新数据写入该块。
3.擦写速度：EEPROM的擦写速度通常比Flash慢得多，这可能会影响到系统的性能。
4.存储密度：EEPROM和Flash的存储密度都很高，可以存储大量的数据。
5.使用场景：EEPROM通常用于存储掉电后不希望丢失的数据，如配置参数等。
而Flash则更多地用于存储程序代码或大量数据。
6.可靠性：Flash的可靠性通常比EEPROM更高，因为它具有更高的擦写次数和更长的使用寿命。
7.价格：一般来说，Flash的价格比EEPROM要便宜一些。
综上所述，EEPROM和Flash在擦写方式、写入方式、擦写速度、存储密度、使用场景、可靠性和价格等方面都存在差异。
在选择使用哪种存储器时，需要根据具体的应用需求和系统要求来决定。
eeprom烧录方法
eeprom烧录方法EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写和可编程的存储器，它在数字电子设备中被广泛应用。
EEPROM的烧录方法是指将数据写入EEPROM芯片的过程。
本文将介绍EEPROM烧录的基本原理、步骤和注意事项。
一、EEPROM烧录的基本原理EEPROM是一种非易失性存储器，可以在断电后保持所存储的数据。
烧录是将数据写入EEPROM芯片的过程，通过电压的变化来改变芯片内部的存储状态。
EEPROM烧录原理基于浮栅效应，即通过给予浮栅电极一定的电压，改变存储器的电荷状态，从而实现数据的写入。
二、EEPROM烧录的步骤1. 准备工作：选择合适的EEPROM芯片，根据芯片型号查阅相关手册，了解芯片的电气特性和烧录方法。
2. 连接电路：根据芯片手册提供的引脚定义，将EEPROM芯片与烧录器或者目标系统的电路连接好。
确保电路连接正确，以免损坏芯片或者烧录器。
3. 设置烧录参数：根据芯片手册提供的信息，设置烧录器的工作模式、时钟频率、数据位宽等参数。
不同型号的EEPROM芯片可能有不同的烧录参数，需根据实际情况进行设置。
4. 编写烧录程序：根据需求，编写烧录程序。
烧录程序可以使用专门的烧录软件，也可以通过编程语言编写。
烧录程序应包括数据的读取、写入和校验等功能。
5. 烧录数据：将需要烧录的数据加载到烧录器或者目标系统中。
通过烧录程序将数据写入EEPROM芯片。
在写入数据时，需要注意数据的字节顺序和地址对应关系，确保数据被正确地写入芯片中。
6. 校验数据：烧录完成后，通过读取芯片中的数据，与原始数据进行比对，以验证烧录是否成功。
校验可以通过计算校验和、比较数据位等方式进行。
7. 测试和调试：烧录完成后，对烧录的EEPROM芯片进行测试和调试。
可以读取芯片中的数据，检查数据的正确性和完整性。
如果发现烧录错误或者异常，需要进行排查和修复。
EPROM与EEPROM的区别
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12-24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损EEROM？还是EPROM？EPROM就是Erasable Programmable Read Only Memory，中文含意为"可擦除可编程只读存储器"。
它是一种可重写的存储器芯片，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。
换句话说，它是非易失性的。
它通过EPROM编程器进行编程，EPROM编程器能够提供比正常工作电压更高的电压对EPROM编程。
一旦经过编程，EPROM只有在强紫外线的照射下才能够进行擦除。
为了进行擦除，EPROM的陶瓷封装上具有一个小的石英窗口，这个石英窗口一般情况下使用不透明的粘带覆盖，当擦除时将这个粘带揭掉，然后放置在强紫外线下大约20分钟。
主要IC有27XX系列和27CXX系列。
EEPROM就是electrically erasable, programmable, read-only是一种电可擦除可编程只读存储器，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。
EEPROM原理知识详解
EEPROM原理知识详解EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 的缩写，即电可擦写可编程只读存储器。
它是一种非易失性存储器，可以在电源断电的情况下保持数据的存储。
EEPROM与EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）相比，省去了使用紫外线擦除整个芯片的步骤，可以通过电信号擦除和编程。
EEPROM的工作原理是利用电子场效应晶体管（FET）中的浮栅效应。
EEPROM芯片由一个栅氧化物层和一个控制栅组成。
浮栅位于控制栅和通道之间，并通过栅氧化物层与通道隔离。
当正电压施加到控制栅时，电解液进入浮栅氧化层，电荷被输入浮栅。
在分组式编程模式下，EEPROM被划分为分组，每个分组有一个控制字节。
要修改一个字节的数据，需要将整个分组的数据读出，将要修改的字节数据进行修改后再写回。
优点是不会出现数据错误的情况，缺点是写操作比较耗时且读取数据时需要将整个分组读出。
在字节式编程模式下，每个字节都可以独立编程。
在修改一个字节的数据时，只需要将要修改的字节数据读出，进行修改后再写回即可。
优点是可以独立地对每个字节进行操作，缺点是可能会出现数据错误的情况。
EEPROM的擦除操作是通过一个特殊的擦除电压来实现的。
擦除操作需要先将要擦除的地址加载到控制寄存器中，然后发送擦除命令，EEPROM 芯片会将指定地址的数据擦除。
擦除操作会将数据置为1，但EEPROM不支持将数据置为0的操作。
为了提高EEPROM的存储密度和速度，厂商采用了一些技术改进。
例如，EEPROM可以采用多级单电荷技术（Multi-Level Single Charge）来存储多个比特的数据。
同时，还可以采用并行操作模式来提高读取和写入速度。
尽管EEPROM在存储密度和存储速度上具有一些限制，但它仍然是一种非常有用的存储器。
它广泛应用于电子产品中，如计算机、电视、手机等。
eeprom的读法
eeprom的读法
EEPROM的读法与普通的存储器读法类似，可以通过读取指定地址上的数据来读取EEPROM 中存储的数据。
通常需要进行以下步骤：
1. 初始化EEPROM，包括设置通信协议、设定地址和数据长度等参数。
2. 指定要读取的地址，通常是一个字节或多个字节的地址。
3. 发送读取指令，让EEPROM开始读取指定地址上的数据。
4. 等待EEPROM读取完成，通常需要一定的时间。
5. 读取EEPROM返回的数据，可以是一个字节或多个字节的数据。
6. 关闭EEPROM，释放通信接口。
需要注意的是，EEPROM的读取速度相对较慢，通常需要几毫秒的时间才能完成一次读取操作。
此外，不同型号的EEPROM可能有不同的读取方法和参数设置，具体操作需要参考EEPROM的数据手册。
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常用串行EEPROM的编程应用EEPROM是"Electrically Erasable Programmable Read-only"（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据，所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使用特定的总线擦写命令就可以在在线的情况下方便完成数据的擦除和写入，这使EEPROM被用于广阔的的消费者范围，如：汽车、电信、医疗、工业和个人计算机相关的市场，主要用于存储个人数据和配置/调整数据。
EEPROM又分并行EEPROM和串行EEPROM，并行EEPROM器件虽然有很快的读写的速度，但要使用很多的电路引脚。
串行EEPROM器件功能上和并行EEPROM基本相同，提供更少的引脚数、更小的封装、更低的电压和更低的功耗，是现在使用的非易失性存储器中灵活性最高的类型。
串行EEPROM按总线分，常用的有I2C,SPI,Microwire总线。
本文将介绍这三种总线连接单片机的编程方法。
I2C总线I2C总线（Inter Integrated Circuit内部集成电路总线）是两线式串行总线，仅需要时钟和数据两根线就可以进行数据传输，仅需要占用微处理器的2个IO引脚，使用时十分方便。
I2C总线还可以在同一总线上挂多个器件，每个器件可以有自己的器件地址，读写操作时需要先发送器件地址，该地址的器件得到确认后便执行相应的操作，而在同一总线上的其它器件不做响应，称之为器件寻址，这个原理就像我们打电话的原理相当。
I2C总线产生80年代，由PHLIPS 公司开发，早期多用于音频和视频设备，如今I2C总线的器件和设备已多不胜数。
最常见的采用I2C总线的EEPROM也已被广泛使用于各种家电、工业及通信设备中，主要用于保存设备所需要的配置数据、采集数据及程序等。
生产I2C总线EEPROM的厂商很多，如ATMEL、Microchip公司，它们都是以24来开头命名芯片型号，最常用就是24C系列。
24C系列从24C01到24C512，C后面的数字代表该型号的芯片有多少K的存储位。
如ATMEL的24C64，存储位是64K位，也就是说可以存储8K（8192）字节，它支持1.8V到5V电源，可以擦写1百万次，数据可以保持100年，使用5V电源时时钟可以达到400KHz，并且有多种封装可供选择。
我们可以很容易的在身边的电器设备中发现它们的身影，如电视中用于保存频道信息，电脑内存条中保存内存大小等相关信息，汽车里用于保存里程信息等等。
图一就是ATMEL24C64芯片的PID封装和用于内存条SPD(Serial Presence Detect)上的24芯片。
图1图2图二是同一总线上有多个器件时，可以通过设置A0-A2引脚来确定器件地址。
SDA是串行数据引脚，用于在芯片读写时输入或输出数据、地址等，这个引脚是双向引脚，它是漏极开路的，使用时需要加上一个上拉电阻。
SLC脚是器件的串行同步时钟信号，如果器件是使用在单片机系统中，那么SLC脚应该由单片机控制，根据单片机的程序要求产生串行同步时钟信号，控制总线的存取。
WP脚是写保护脚，当这个脚接入高电平时，芯片的芯片数据均处于禁止写入状态（所禁止的地址段要看各芯片的详细资料），当把WP脚接到地线时，芯片处于正常的读写状态。
当一个电路要求正常使用时是不允许程序修改EEPROM中的数据，只有在维护设置才可以修改数据，这时可以在电路上设置WP跳线或用微处理器对WP进行控制，这样只有在特定的电路状态下才可以更改到数据。
要在单片机系统中应用I2C总线的EEPROM做存储设备时，先要了解I2C总线的基本驱动方法。
在I2C总线空闲时，SDA和SCL应为高电平，也只有在这个条件下，微处理器才可以控制总线进行传输数据。
在数据传输的刚开始时，总线要求有一个START（开始位）位做为数据开始的标识，它的要求是SCL为高时，SDA有一个从高到低的电平跳变动作，完成这个动作后才可以进行数据传输，时序图参看图三'开始'。
传输数据时，只有在SCL为高电平时，SDA上的电平为有效数据。
编写单片机向总线送数据程序时则可以在SCL还在低电平时，把数据电平送到SDA，然后拉高SCL，这时SDA不应有电平跳变，延时后拉低SCL，再进行下一位的数据传送直到完成。
在总线上读数据时也是只有在SCL为高时，SDA为有效数据。
时序参看图三'保持'。
传送数据完成后，总线要有一个STOP（结束位）位，来通知总线本次传输已结束，它的要求是SCL为高时，SDA有一个从低到高的电平跳变动作，正好和START位相反。
在编程时要注意的是：不要在SCL为高时改变SDA的电平状态，否则可能会被误认为是停止位，而使得操作失败。
图3I2C总线在每接收完一个字节（8个二进制位）后，在第九个时钟信号时，会在SDA上回应一个低电平的ACK应答信号，以此表明当前受控的器件已接收完一个字节，可以开始下一个字节的传送了。
时序图可以参看图四。
单片机编程时可以在传送完一个字节后，把连接SDA的IO口线设置回读数据状态，如使用51系列的单片机时就要把IO口置高电平。
然后在SCL操作一个脉冲，在SCL为高时读取SDA，如不为低电平就说明器件状态不空闲或出错。
需要注意因为SDA是双向的IO，无论是微处理器接收还是器件接收，每个字节完成后，接收方都可以发送一个ACK回应给发送方。
图4I2C总线在操作受控器件时，需要先发送受控器件的器件地址，24系列的EEPROM也不例外，在每次命令前需要先发送一个字节的器件地址和读写标识，也可称为器件录址。
图五是24C64的器件寻址命令中每个位所代表的意思。
A2、A1、A0位是器件地址，它是对应于芯片的A2、A1、A0引脚，也就是说如果芯片A0引脚被设置成高电平时，在发送器件地址命令时字节中的A0位要设置为1，A0引脚为低电平时A0位设置为0。
这样不难看出在同一总线可以挂8个24C64。
ATMEL公司的24C系列芯片24C32及以上的型号使用16位地址进行寻址。
24C32之前的型号因为使用的是8位地址，所以在超过256字节的8位地址型号中会占用到A0、A1、A2位的来做页地址，每页有256字节，以此解决地址位不足的问题。
所以不同的型号器件地址位定义就有所不同，各型号的器件地址字节定义如图五至图七。
要注意的是24C01是没有器件地址的，还有24C16/16A的A0－A2已被页地址占用完，也就是说这三个型号的芯片只能在同一总线上挂一个，所以在设计电路选择器件时要注意这个问题。
器件地址字节中的R/W位是用于标识当前操作是读器件还是写器件，写器件时R/W位设置0，读器件时R/W位设置1。
图5图6图724C系列芯片的读写指令格式只有几种，下面以24C64芯片的指令格式来说明。
写入单个字节写入字节指令每次只能向芯片中的一个地址写入一个字节的数据。
首先发送开始位来通知芯片开始进行指令传输，然后传送设置好的器件地址字节，R/W位应置0，接着是分开传送十六位地址的高低字节，再传送要写入的数据，最后发送停止位表示本次指令结束。
图八是写入单个字节的时序图。
图8（点击看大图）页写入24C64支持32字节的页写入模式，它的操作基本和字节写入模式一样，不同的是它需要发送第一个字节的地址，然后一次性发送32字节的写入数据后，再发送停止位。
写入过程中其余的地址增量自己由芯片内部完成。
图九页写入的时序图。
无论那种写入方式，指令发送完成后，芯片内部开始写入，这时SDA 会被芯片拉高，直到写入完成后SDA才会重新变的有效，在编写微处理器程序时可以在写入的时候不停发送伪指令并查询是否有ACK返回，如果有ACK返回则可以进行下一步操作。
图9（点击看大图）读当前地址这种读取模式是读取当前芯片内部的地址指针指向的数据。
每次读写操作后，芯片会把最后一次操作过的地址作为当前的地址。
在这里要注意的是在微处理器接收完芯片传送的数据后不必发送给低电平的ACK给芯片，直接拉高SDA 等待一个时钟后发送停止位。
图十是读当前地址时序图。
图10读任意地址"读当前地址"可以说是读的基本指令，读任意地址时只是在这个基本指令之前加一个'伪操作'，这个伪操作传送一个写指令，但这个写指令在地址传送完成后就要结束，这时芯片内部的地址指针指到这个地址上，再用读当前地址指令就可以读出该地址的数据。
图十一是读任意地址的时序图图11（点击看大图）连续读取连续读取操作时只要在上面二种读取方式中芯片传送完读取数据后，微处理器回应给芯片一个低电平的ACK应答，那么芯片地址指针自动加一并传送数据，直到微处理器不回应并停止操作。
图十二是连续读取的时序图。
图12（点击看大图）ATMEL公司的24C系列的其它型号的读写操作方式基本和上面介绍的相同，只是在8位寻址的芯片中地址位只用一个字节，还有就是在24C01中没有器件地址，地址位只占用高7位，最低位为R/W位.。
其它公司的24系列的EEPROM芯片的驱动方式也基本和以上所介绍的一样。
图十三是笔者设计的制作简单的24C读写器。
可以用它来做24C芯片的驱动程序编写实验，也可以配合上位机程序做24C的读写器使用。
上位机程序及相关内容向笔者发送电邮索要pnzwzw@。
电路是由一片AT89C2051芯片做为主控芯片，作用是用于连接电脑的RS232和驱动24C芯片，晶振使用11.0592M。
RS232电平转换是使用二个PNP三极管组成。
电源部分则直接在RS232上的4、7引脚取电，取电时需要在用软件控制这两脚为+9V至+12V之间，再通过D5稳压得到5.1V，无需外加电源。
24C64的SCL和SDA连接到P1.2/P1.3脚，因这两个IO脚内部有上拉，所以无需外接上拉电阻。
图13（点击看大图）本文附带一份用C语言编写的实验源程序和编译好的HEX文件，把HEX 烧入到AT89C2051就可以开始实验了。
实验程序是可以读写24C32/64/128/256/512的任意地址,程序使用模块化函数设计，读者朋友可以方便的加入到自己的程序中。
实验时可以用的串口调试软件。
单片机程序设计了简单的通讯协议，使用57600比特率，通讯协议的数据包是这样定义的：每个包有4个字节，命令字、地址高位、地址低位、数据。
读取时命令字为00H，数据字节不可以用，返回读出的数据。
写入时命令字为01H，返回00H 为成功，返回01H为失败。
要在24C64的2F3H地址上写入数据05H，则要发送01 02 F3 05。
连接好实验电路板，按图十四设置好串口，打开串口后可以看到板上的LED 在闪烁。
输入01 02 F3 05，发送后便可以把05写入到24C64的02F3H地址中，返回00为写入成功。