半导体工艺原理 思 考 题
半导体公司笔试题
半导体公司笔试题
半导体公司笔试题目通常会涵盖半导体技术、半导体市场、半导体工艺等方面的知识点。
以下是一些可能的题目：
1.什么是半导体？请简述半导体的基本特性。
2.什么是PN结？请简述PN结的形成过程。
3.请简述晶体管的放大原理。
4.请简述集成电路的基本构成和分类。
5.请简述半导体制造的基本工艺流程。
6.什么是CMOS图像传感器？请简述其工作原理。
7.请简述半导体存储器的基本分类和特点。
8.请简述集成电路封装的基本类型和作用。
9.请简述半导体的应用领域和发展趋势。
10.请简述半导体的主要生产国家和地区，并分析其优劣势。
以上题目仅供参考，具体的笔试题目还需要根据具体的半导体公司和招聘岗位来确定。
半导体加工工艺(复习整理)
一、半导体衬底1、硅是目前半导体中用的最多的一种衬底材料2、硅的性能：屈服强度7x109 N/m2 弹性模量 1.9x1011 N/m2 密度2.3 g/cm3热导率 1.57 Wcm-1°C-1 热膨胀系数2.33x10-6 °C-1 电阻率(P) n-型 1 - 50 Ω.cm 电阻率(Sb) n-型0.005 -10Ω.cm 电阻率(B) p-Si 0.005 -50 Ω.cm 少子寿命30 -300 μs 氧5 -25 ppm 碳 1 - 5 ppm 缺陷<500 cm-2 直径Up to 200 mm 重金属杂质< 1 ppb3、硅的纯化SiO2+2C◊Si(冶金级）+2CO、Si+3HCl SiHCl3+H2、2SiHCl3(蒸馏后的)+2H2 2Si(电子级)+6HCl4、直拉法单晶生长（p19）：多晶硅放在坩埚中，加热到1420oC将硅熔化，将已知晶向的籽晶插入熔化硅中然后拔出。
硅锭旋转速度20r/min 坩埚旋转速度10r/min 提升速度：1.4mm/min (φ100mm) 掺杂P、B、Sb、As5、芯片直径增大, 均匀性问题越来越突出6、区熔法晶体生长（p28）：主要用于制备高纯度硅或无氧硅。
生长方法：多晶硅锭放置在一个单晶籽晶上，多晶硅锭由一个外部的射频线圈加热，使得硅锭局部熔化，随着线圈和熔融区的上移，单晶籽晶上就会往上生长单晶。
特点：电阻率高、无杂质沾污、机械强度小，尺寸小。
7、二、热氧化1、SiO2的基本特性：热SiO2是无定形的、良好的电绝缘材料、高击穿电场、稳定和可重复的Si/SiO2界面、硅表面的生长基本是保形的、杂质阻挡特性好、硅和SiO2的腐蚀选择特性好。
2、热氧化原理：反应方程：Si(固体)+O2(气体)-->SiO23、含Cl氧化：氧化过程中加入少量的HCl 或TCE(三氯乙烯):减少金属沾污、改进Si/SiO2界面性能（P70）4、氧化中消耗硅的厚度：1umSI被氧化——>2.17umSIO25、热氧化的影响因素：温度、气氛（干氧、水汽、HCl）、压力、晶向、掺杂6、高压氧化：对给定的氧化速率，压力增加，温度可降低；温度不变的情况下，氧化时间可缩短7、氧化层的缺陷：表面缺陷：斑点、白雾、发花、裂纹体内缺陷：针孔、氧化层错8、氧化诱生堆垛层错：三、扩散1、掺杂在半导体生产中的作用：形成PN结；形成电阻；形成欧姆接触；形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂；形成电桥作互连线2、扩散的定义：在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂质分布，从而改变导电类型或杂质浓度。
半导体工艺半导体制造工艺试题库1 答案
一、填空题（每空1分，计31分）1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有 吸附法 和 精馏法 。
2、在晶片表面图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有 湿法腐蚀 和 干法腐蚀 。
3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括 下种 、 缩颈 、放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。
3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有 化学抛光 、 机械抛光 和 化学机械抛光 。
4、掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、合金和中子嬗变等多种方法。
5、晶片中的锂、钠、钾等碱金属杂质，通常以 间隙式 （空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为 快扩散 （快扩散或慢扩散）杂质。
6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高斯分布函数 ； 而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余误差分布函数 。
7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于 R P 处。
8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激光退火 。
9、根据分凝现象，若K 0＞1，则分凝后杂质集中在 尾部 （头部或尾部）；若K 0＜1，则杂质分凝后集中在 头部 （同上）。
10、把硅片置于氯化氢和氧气的混合气体中进行的氧化，称为 掺氯氧化 。
11、在二氧化硅的热氧化方法中，氧化速度最快的是 干氧氧化 方法。
12、氢氧合成氧化设备中，两个重要的保险装置是 氢气流量保险装置 和 温度保险装置 。
13、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有 比色法 和 椭圆偏振光法 。
14、固态源硼扩散中常用的硼源是 氮化硼 ，常用的液态磷源是 三氯氧磷 。
15、箱法扩散在工艺中重要用来进行TTL 电路 隐埋层 的锑扩散。
半导体器件物理与工艺期末考试题
半导体器件物理与工艺期末考试题一、简答题1.什么是半导体器件？半导体器件是利用半导体材料的电子特性来实现电流的控制与放大的电子元件。
常见的半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管等。
2.请简述PN结的工作原理。
PN结是由P型半导体和N型半导体连接而成的结构。
当外加正向偏置时，P端为正极，N端为负极，电子从N端向P端扩散，空穴从P 端向N端扩散，形成扩散电流；当外加反向偏置时，P端为负极，N端为正极，由于能带反向弯曲，形成电势垒，电子与空穴受到电势垒的阻拦，电流几乎为零。
3.简述晶体管的工作原理。
晶体管是一种三极管，由一块绝缘体将N型和P型半导体连接而成。
晶体管分为三个区域：基区、发射区和集电区。
在正常工作状态下，当基极与发射极之间施加一定电压时，发射极注入的电子会受到基区电流的控制，通过基区电流的调节，可以控制从集电区流出的电流，实现电流的放大作用。
4.请简述场效应管的工作原理。
场效应管是利用电场的作用来控制电流的一种半导体器件。
根据电场的不同作用方式，场效应管分为增强型和耗尽型两种。
在增强型场效应管中，通过控制栅极电压，可以调节漏极与源极之间的通导能力，实现电流的控制与放大。
5.简述MOSFET的结构和工作原理。
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）是一种常用的场效应管。
它由金属栅极、氧化物层和P型或N型半导体构成。
MOSFET的工作原理是通过改变栅极电势来控制氧化物层下方的沟道区域的电阻，从而控制漏极与源极之间的电流。
6.什么是集电极电流放大系数？集电极电流放大系数（β）是指集电区电流（Ic）与发射区电流（Ie）之间的比值。
在晶体管中，β值越大，表示电流放大效果越好。
7.简述三极管的放大作用。
三极管作为一种电子元件，具有电流放大的功能。
通过控制基区电流，可以影响发射极与集电极之间的电流，从而实现电流的放大作用。
二、计算题1.已知一个PN结的硅材料的势垒高度为0.7V，求该PN结的电势垒宽度。
半导体集成电路考试题目及参考答案
第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。
2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法？6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
半导体制造技术题库答案
半导体制造技术题库答案1.分别简述R V D和G I L D的原理，它们的优缺点及应⽤⽅向。
快速⽓相掺杂(RVD,RapidVapor-phaseDoping)利⽤快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂⽓氛中的硅⽚快速均匀地加热⾄所需要的温度，同时掺杂剂发⽣反应产⽣杂质原⼦，杂质原⼦直接从⽓态转变为被硅表⾯吸附的固态，然后进⾏固相扩散，完成掺杂⽬的。
同普通扩散炉中的掺杂不同，快速⽓相掺杂在硅⽚表⾯上并未形成含有杂质的玻璃层；同离⼦注⼊相⽐(特别是在浅结的应⽤上)，RVD技术的潜在优势是：它并不受注⼊所带来的⼀些效应的影响；对于选择扩散来说采⽤快速⽓相掺杂⼯艺仍需要掩膜。
另外，快速⽓相掺杂仍然要在较⾼的温度下完成。
杂质分布是⾮理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于表⾯处。
⽓体浸没激光掺杂(GILD:GasImmersionLaserDoping)⽤准分⼦激光器(308nm)产⽣⾼能量密度(0.5—2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光，照射处于⽓态源中的硅表⾯；硅表⾯因吸收能量⽽变为液体层；同时⽓态掺杂源由于热解或光解作⽤产⽣杂质原⼦；通过液相扩散，杂质原⼦进⼊这个很薄的液体层，溶解在液体层中的杂质扩散速度⽐在固体中⾼⼋个数量级以上，因⽽杂质快速并均匀地扩散到整个熔化层中。
当激光照射停⽌后，已经掺有杂质的液体层通过固相外延转变为固态结晶体。
由液体变为固态结晶体的速度⾮常快。
在结晶的同时，杂质也进⼊激活的晶格位置，不需要近⼀步退⽕过程，⽽且掺杂只发⽣在表⾯的⼀薄层内。
由于硅表⾯受⾼能激光照射的时间很短，⽽且能量⼜⼏乎都被表⾯吸收，硅体内仍处于低温状态，不会发⽣扩散现象，体内的杂质分布没有受到任何扰动。
硅表⾯溶化层的深度由激光束的能量和脉冲时间所决定。
因此，可根据需要控制激光能量密度和脉冲时间达到控制掺杂深度的⽬的。
2.集成电路制造中有哪⼏种常见的扩散⼯艺？各有什么优缺点？扩散⼯艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和⽓态源扩散。
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题• 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
• 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
• 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
• 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
• 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。
• 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。
•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。
•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。
•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。
•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。
•11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。
•12.微波混合集成电路是指工作频率从300 ～100 的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。
•13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
•15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、淀积。
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)
《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
4. 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。
四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
5. 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的。
6. 画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。
并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性的矩形性。
7. 四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。
8. 为什么TTL与非门不能直接并联？9. OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题。
第5章MOS反相器1. 请给出NMOS晶体管的阈值电压公式，并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响（即各项在不同情况下是提高阈值还是降低阈值）。
2. 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？3. MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？4. 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
5. 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？6. 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？7.请画出晶体管的D DS特性曲线，指出饱和区和I V非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。
半导体面试题目(3篇)
第1篇一、基础知识部分1. 请简述半导体材料的基本概念及其分类。
2. 解释什么是本征半导体、n型半导体和p型半导体，并说明它们之间的区别。
3. 什么是掺杂？为什么掺杂对于半导体的应用至关重要？4. 什么是载流子？请分别说明电子和空穴载流子的性质。
5. 什么是能带？简述价带、导带和禁带的概念。
6. 什么是能级？请解释能级与能带之间的关系。
7. 什么是施主和受主？它们在半导体中的作用是什么？8. 请解释半导体中的电导率是如何受到温度影响的。
9. 什么是霍尔效应？它在半导体中的应用有哪些？10. 什么是PN结？简述PN结的形成过程、特性和应用。
二、器件原理部分1. 请简述晶体管的工作原理，包括NPN和PNP晶体管。
2. 什么是场效应晶体管（FET）？请解释其工作原理和特性。
3. 什么是MOSFET？请说明其结构、工作原理和优缺点。
4. 什么是二极管？请解释二极管的基本特性和应用。
5. 什么是三极管？请说明三极管的基本特性和应用。
6. 什么是整流器？请列举几种常见的整流器类型及其工作原理。
7. 什么是稳压器？请说明稳压器的工作原理和应用。
8. 什么是放大器？请解释放大器的基本特性和应用。
9. 什么是滤波器？请列举几种常见的滤波器类型及其工作原理。
10. 什么是振荡器？请解释振荡器的基本特性和应用。
三、电路设计部分1. 请简述半导体电路设计的基本流程。
2. 什么是模拟电路和数字电路？请分别说明它们的特点。
3. 什么是电路仿真？请列举几种常见的电路仿真软件。
4. 什么是版图设计？请说明版图设计的基本流程和注意事项。
5. 什么是集成电路封装？请列举几种常见的集成电路封装类型。
6. 什么是测试与验证？请说明测试与验证在半导体电路设计中的重要性。
7. 什么是电路优化？请列举几种常见的电路优化方法。
8. 什么是电源设计？请说明电源设计的基本原则和注意事项。
9. 什么是信号完整性？请解释信号完整性对电路设计的影响。
10. 什么是电磁兼容性？请说明电磁兼容性在电路设计中的重要性。
半导体工艺半导体制造工艺试题库2 答案
一、填空题（每空1分，计20分）1、微电子器件制造用单晶材料的直径越来越大，大直径单晶的制备方法主要有 直拉法 和 区熔法 。
2、常用的测量SiO 2薄膜厚度的方式有 比色法 和 双光干涉法 。
3、在工艺中，可用热分解 硅烷（SiH 4） 进行多晶硅薄膜的淀积。
4、在集成电路制造工艺中，通常采用 蒸发 和 溅射 进行铝膜的制备。
5、曝光前，光刻胶对于特定显影液来说是可溶的，曝光后，不能溶解于此显影液中，此光刻胶为 负胶 （正胶或负胶）。
6、工艺中主要采用含 氟（F ） 的气体来进行SiO 2的干法刻蚀；同时，在刻蚀气体中，添加一定量的氧元素，可以 提高 （提高或降低）刻蚀速率。
7、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 普通热退火 、 电子束退火 、 离子束退火 等。
8、常用的去胶方式有 溶剂去胶 、氧化去胶和 等离子体去胶 。
9、工艺中常用 磨角染色法 来测量扩散后的结深。
10、二氧化硅的湿法刻蚀中，采用的腐蚀液是 氢氟酸（HF ） ，而用于刻蚀氮化硅的腐蚀液通常是 热磷酸（H 3PO 4） 。
11、蒸发工艺中，常采用 钨丝（W ） 作为加热器。
12、光刻胶的核心成分是 感光树脂 。
二、选择题（每题2分，多项单项均有，计22分）1、加工净化车间的沾污类型主要有（ A 、B 、C 、D ）（A ）颗粒 （B ）金属杂质 （C ）有机物沾污 （D ）静电释放2、在IC 工艺中，制备高质量的SiO 2薄膜采用氧化方式，常用的氧化方式有（A 、B 、D ） （A ）水汽氧化 （B ）湿氧氧化 （C ）热分解正硅酸乙酯 （D ）干氧氧化3、SiO 2薄膜在微电子工艺中的主要用途有（A 、B 、C 、D ） （A ）掺杂用的掩蔽膜 （B ）对器件的保护和钝化作用 （C ）器件间的隔离 （D ）MOS 管的栅电极材料4、集成电路制造工艺中，对薄膜的质量有如下哪些要求（A 、B 、C 、D ） （A ）好的厚度均匀性 （B ）高纯度和高密度（C ）良好的台阶覆盖 （D ）良好的填充高的深宽比比间隙的能力5、薄膜淀积结束后，需进行的质量检测项目有哪些（A 、B 、C 、D ）（A ）膜厚 （B ）折射率 （C ）台阶覆盖率 （D ）均匀性 6、根据掩膜版与晶片表面的接触，光学曝光有如下哪几种曝光方式（A 、B 、C ） （A ）投影式 （B ）接触式 （C ）接近式 （D ）步进式 7、下述哪些离子是等离子体（A 、B 、C 、D ）（A ）电子 （B ）带电离子 （C ）带电原子 （D ）带电分子 8、在热扩散工艺中，需要控制的工艺参数主要有（A 、B 、C ）（A ）扩散时间 （B ）扩散温度 （C ）杂质源流量 （D ）离子能量 9、下列哪种物质是磷扩散时的固态杂质源（ D ）（A ）BBr 3 （B ）POCl 3 （C ）PH 3 （D ）偏磷酸铝 10、离子注入机中，偏束器的作用是（ C ）（A ）加速 （B ）产生离子 （C ）消除中性离子 （D ）注入扫描 11、下述哪些措施可以有效消除沟道效应（A 、C 、D ） （A ）大剂量注入 （B ）降低靶温 （C ）增大注入的倾斜角度 （D ）增加靶温三、判断题（每题1分，计14分）1、在氢氧合成氧化工艺中，要定期检查氢气、氧气、氮气气体管道是否存在漏气。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
本题答案： 2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？ 本题答案： 3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案： 4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line ，BEOL ）采用铜（Cu ）互连和低介电常数（low-k ）材料的必要性。
本题答案： 5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
本题答案： 6、问答题说明影响氧化速率的因素。
本题答案：姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？本题答案：8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
本题答案：9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
本题答案：10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
本题答案：11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
本题答案：12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？本题答案：13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
半导体工艺复习整理
工艺考试复习：整理者（butterflying 2011‐1‐11）1.在半导体技术发展的过程中有哪些重要事件?（一般）晶体管的诞生集成电路的发明平面工艺的发明CMOS技术的发明2.为什么硅是半导体占主导的材料？有哪些硅基薄膜？（一般）硅材料：优良的半导体特性、稳定的电的、化学的、物理的及机械的性能（特性稳定的金刚石晶体结构、良好的传导特性、优异的工艺加工能力、研究最透彻的材料、具有一系列的硅基化合物）（总结：半导体性、电、物理、化学、机械性）硅基薄膜：外延硅薄膜、多晶硅薄膜、无定形硅薄膜、SiO2与Si3N4介质膜、SiGe薄膜、金属多晶硅膜3. 微电子技术发展基本规律是什么？（重要）摩尔定律（Moore’s Law）：芯片内的晶体管数量每18个月～20个月增加1倍――集成电路的集成度每隔三年翻两番，器件尺寸每三年增加0.7 倍，半导体技术和工业呈指数级增长。
特征尺寸缩小因子，250→180→130→90→65→45→32→22→16(nm)等比例缩小比率（Scaling down principle）：在MOS器件内部恒定电场的前提下，器件的横向尺寸、纵向尺寸、电源电压都按照相同的比例因子k缩小，从而使得电路集成度k2倍提高，速度k倍提高，功耗k2倍缩小。
MOS管阻抗不变，但连线电阻和线电流密度都呈k倍增长。
（阈值电压不能缩得太小，电源电压要保持长期稳定）（总结：尺寸、电源电压变为1/k，集成度变为k^2.速度变为k倍。
（掺杂浓度变为k倍）Device miniaturization by “ Scaling‐down Principle”− Device geometry‐L g, W g, t ox, x j ⋅ 1/k− Power supply‐V dd ⋅1/k− Substrate doping‐N ⋅ k®Device speed ⋅ k® Chip density ⋅ k24. 什么是ITRS ?（重要）International Technology Roadmap for Semiconductors国际半导体技术发展蓝图技术节点：DRAM半间距Technology node = DRAM half pitch5. 芯片制造的主要材料和技术是什么？（一般）Si材料：大直径和低缺陷的单晶硅生长、吸杂工艺、薄膜的外延生长、SiGe/Si异质结、SOI 介质薄膜材料和工艺：热氧化、超薄高K栅氧化薄膜生长、互连的低K介质；高分辨率光刻：电子束掩膜版、光学光刻（电子束曝光EBL）、匹配光刻。
半导体工艺原理复习解析
晶体生长技术（直拉法（CZ）、区熔法（FZ））。
半导体：常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，如二极管、计算机、移动电话等。
导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。
N型半导体（电子型半导体），自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
硅晶体中掺入五价元素（如磷），自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。
自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。
掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能就越强。
P型半导体（空穴型半导体）即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
硅晶体中掺入三价元素（如硼）。
空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。
掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能就越强。
区熔法（FZ）特点：硅片含氧量低、纯度高、成本高、主要用于高功率IC。
难生长大直径硅晶棒。
低阻值硅晶棒、掺杂均匀度较差。
CZ法：成本低、可做大尺寸晶锭、材料可重复使用。
CZ工艺工程：籽晶熔接，引晶和缩颈，放肩，收尾。
影响因素：拉伸速率、旋转速率。
硅片制备步骤：机械加工，化学处理，表面抛光，质量测量制备流程：整形处理，去掉两端，径向研磨。
硅片制作流程：磨片和倒角（防止产生缺陷），刻蚀（去除沾污和损伤层）腐蚀液：HNO3+HF+醋酸，抛光（去除表面缺陷），清洗（去除残留沾污）晶体缺陷：点缺陷（空位缺陷；间隙原子缺陷；Frenkel缺陷）；位错；层错。
杂质的作用：调节硅原子的能级，由于晶体结构的原因，固体中的全部原子的各能级形成了能带，硅通常可以分为三个能带，导带，禁带，价带。
如果所有的自由电子都在价带上就是绝缘体；如果所有的自由电子都在导带上就是导体。
半导体的自由电子平时在价带上，但受到一些激发的时候，如热、光照、电激发等，部分自由电子可以跑到导带上去，显示出导电的性质，所以称为半导体。
施主能级杂质能级要么距离导带很近（如磷），是提供电子的；受主能级要么距离价带很近（如硼），是接受电子的。
“半导体制造技术”题库
E1 0.78eV
18. Si-SiO2 界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。 19.简述测量氧化层厚度常用的方法。 20.相较扩散掺杂，离子注入有哪些优缺点？ 21.下图为一个典型的离子注入系统。 （1）给出 1~6 数字标识部分的名称，简述其作用。 （2）阐述部件 2 的工作原理。
22.离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？ 两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？ 23.采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的 1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。 24.As 注入到轻掺杂的 P 型 Si 衬底内，能量 75eV，剂量为 1×1014cm-2。硅片相对于离子束 做 7°倾斜，使其貌似非晶。假设对注入区进行快速退火，结果得到了完全的电激活，其峰 值电子浓度为多少？所需参数可参考下图。
1. 分别简述 RVD 和 GILD 的原理，它们的优缺点及应用方向。 2. 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？ 3. 杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？ 4. 从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。 5. 写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。 6. 分别写出恒定表面源扩散和有限表面源扩散的边界条件、 初始条件、 扩散杂质的分布函数， 简述这两种扩散的特点。 7. 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？ 8. 什么是方块电阻？简述其常见的测量方法。 9. 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为 Q cm-2。 （1）如果这次预淀积进行了总共 t 分钟， 若预淀积温度不变，引入 3Q cm-2 的杂质需要多长 时间？ （2）预淀积后再进行推进扩散，要求推进的杂质足够深，使得最后表面杂质浓度等于其固 溶度 Cs 的 1%。若已知预淀积过程中的(Dt)predop，推导出推进扩散过程中(Dt)drive-in 的表达式。 9. 简述几种常用的氧化方法及其特点。 10. 说明 SiO2 的结构和性质，并简述结晶型 SiO2 和无定形 SiO2 的区别。 11. 以 P2O5 为例说明 SiO2 的掩蔽过程。 12. 简述杂质在 SiO2 的存在形式及如何调节 SiO2 的物理性质。 并说明在什么情况下氧化过程由 13. 简述常规热氧化办法制备 SiO2 介质薄膜的动力学过程， 反应控制或扩散控制。 14. 常用的薄氧层工艺有哪些？ 15. 说明影响氧化速率的因素。 16. 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。 17. 已知氧化层生长的抛物型速率系数 B 和线性速率系数 B/A 的表达式为
半导体器件工艺改进与优化考核试卷
B.减小栅极长度
C.提高掺杂浓度
D.降低介电常数
20.以下哪个因素会影响半导体器件的可靠性？（）
A.工艺参数波动
B.外部环境因素
C.材料性能
D.所有上述因素
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.以下哪些因素会影响半导体器件的电学性能？（）
3.金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，金属通常指的是______。
4.半导体器件的n型掺杂通常使用______元素。
5.用来衡量MOSFET开关速度的参数是______。
6.为了提高半导体器件的集成度，可以采用______技术。
7.在半导体器件中，用于防止源漏区域短路的结构是______。
8.用来衡量半导体器件热稳定性的参数是______。
A.清洗
B.刻蚀
C.氧化
D.光刻
2.下列哪种材料常用作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.硅氧化物
C.硅化物
D.碳化物
3.在半导体器件工艺中，以下哪种方法主要用于减小晶体缺陷？（）
A.提高掺杂浓度
B.减小晶圆直径
C.控制热处理工艺
D.增加光刻层数
4.下列哪种掺杂方式可以增加半导体的n型导电性？（）
A.硅掺杂磷
C.提高掺杂浓度
D.优化热处理工艺
5.以下哪些因素会影响半导体器件的热导率？（）
A.材料种类
B.晶圆尺寸
C.掺杂浓度
D.环境温度
6.下列哪些工艺可以用于半导体器件的后道工艺？（）
A.去胶
B.焊接
C.封装
D.测试
7.以下哪些参数是评价晶体管性能的重要指标？（）
半导体工艺原理作业题集
集成电路工艺作业第一章半导体衬底1、列举生产半导体级硅的三个步骤，给出反应方程式。
说明半导体级硅有多纯？2、为什么要用单晶进行硅片制造？3、CZ单晶生长法定义Czochralski(CZ)－查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。
85％以上的单晶硅是采用CZ法生长出来的。
CZ法特点：a. 低功率IC的主要原料。
b. 占有～80％的市场。
c. 制备成本较低。
d. 硅片含氧量高。
4、影响CZ法直拉工艺的两个主要参数是什么？拉伸速率和晶体旋转速率。
5、区熔法的特点是什么？a. 硅片含氧量低、纯度高。
b. 主要用于高功率IC。
c. 制备成本比CZ法低。
d. 难生长大直径硅晶棒。
e. 低阻值硅晶棒掺杂均匀度较差。
7、使用更大直径硅片的主要原因是什么？300mm硅片比200mm硅片面积大2.25倍，这样就会在一块硅片上生产更多的芯片。
每块芯片加工和处理时间都减少了，设备生产效率提高了。
使用300mm直径的硅片可以把每块芯片的成本减少30％。
节省成本是驱使半导体业转向使用更大直径硅片的主要原因。
8、硅中的晶体缺陷：点缺陷、位错、层错。
第二章氧化1、半导体器件生产中使用的介质材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物。
2、二氧化硅的基本性质有哪些？a、可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移、b、可以作为多数杂质掺杂的掩蔽、c、优秀的绝缘性能、d、很高的击穿电场(>107 V/cm)、e、体电学性能稳定、f、稳定、可重复制造的Si/ SiO2界面3、金属层间绝缘阻挡层目的：用于金属连线间的保护层。
4、热生长SiO2 的各种运用对厚度有不同要求栅氧（0.18μm工艺）：20~60埃；STI隔离氧化物：150埃；场氧：2500～15000埃5、有几种类型的电荷存在于氧化层内部或在SiO2和Si/SiO2界面附近？a)界面陷阱电荷; b)固定氧化层电荷; c)移动离子电荷; d)大量氧化层陷阱电荷6、干氧和湿氧氧化反应方程式及氧化层的特点？这两种反应都在700 ºC～1200 ºC之间进行，湿氧氧化比干氧氧化反应速率约高10倍。
半导体制造技术题库一
半导体制造技术题库一1、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
解析：2、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
解析：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。
该现象称为电迁移。
在导电过程中，电迁移不断积累，并最终在导体中产生分散的缺陷。
这些缺陷随后集合成大的空洞，造成断路。
因此，电迁移直接影响电路的可靠性。
采用铜互连可大幅降低金属互连线的电阻从而减少互连造成的延迟。
铜的电迁移比铝材料小很多：铜的晶格扩散的激活能为2.2eV，晶界扩散结合能在0.7到1.2eV之间；而铝分别为1.4eV和0.4-0.8eV.采用低介电常数材料填充平行导线之间的空间可降低金属互连线之间的电容从而减少延迟。
采用铜/low-k互连可大幅减小互连pitch，从而减少互连金属层数。
3、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
解析：APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的，由于反应速率快，CVD系统简单，适于较厚的介质淀积。
APCVD缺点：台阶覆盖性差；膜厚均匀性差；效率低。
常压下扩散系数小，hg<<ks，apcvd一般是由质量输运控制淀积速率一个主要问题是颗粒的形成。
在气体注入器处可能发生异质淀积，在淀积了若干晶圆片后，颗粒变大剥落并落在晶圆片表面。
为避免这一问题可采用多通道的喷头设计。
lpcvd——低压化学气相淀积系统淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比apcvd系统的要好，而且污染也少。
另外，在不使用稀释气体的情况下，通过降低压强就可以降低气相成核。
br="">在LPCVD系统中，因为低压使得扩散率增加，因此PECVD——等离子体增强化学气相淀积（PECVD.是目前最主要的化学气相淀积系统。
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第一章思考题
1、晶格、晶胞、原胞、单晶体、多晶体、晶向、晶面（表示方法）。
2、已知硅晶体晶格常数为a，根据硅晶体结构的特点，求硅晶体中原子密度、最小原子间距、空间利用率、<100><110><111>晶向原子线密度、(100)(110)(111)晶面原子面密度。
3、为什么硅晶体中的晶格为复式晶格？
4、为什么硅单晶在生长、化学腐蚀、解理、扩散速度等方面具有各向异性的特点?
5、晶体中缺陷的种类？
6、半导体材料中的杂质类型？
7、固溶体？固溶体主要可分为哪两类，各自特点？固溶度（最大溶解度）？
1.IC的性能及制造IC对半导体硅材料的要求有哪些？
2.高纯硅制备过程？
3.直拉法单晶生长过程（每步工艺）？
4.硅片加工过程？
第二章思考题
•IC中SiO2的作用有哪些？
•SiO2结构，桥键氧，非桥键氧，为什么无定形SiO2无固定熔点。
•为什么热氧化过程中是氧等氧化剂穿过SiO2而不是Si穿过SiO2发生氧化反应？
•了解SiO2的主要性质（密度、折射率、电阻率、介电常数、腐蚀）？
•杂质在SiO2中的存在形式及其对SiO2性质的影响。
•SiO2为什么可作为扩散掩蔽膜？IC工艺中为何要尽量避免Na污染？•SiO2扩散掩蔽层厚度的确定？计算题
制备SiO2的方法，其中热氧化可分为几种，说明各自的特点
•热氧化经历的几个步骤。
•氧化层厚度与时间关系。
计算题
影响氧化速率的各种因素。
何谓位阻现象？氧化过程中水汽的来源？氧化过程中加入氯可使二氧化硅性质得到哪些改善？
热氧化过程中决定杂质再分布的因素有哪几方面？何为分凝现象、系数。
热氧化过程中的杂质再分布的几种可能情况？再分布后硅表面杂质浓度与哪些因素有关？
•在ULSI中，薄栅氧化层（<10nm）应满足哪些要求？如何制备高质量的薄栅氧化层
在SiO2内和Si- SiO2界面有哪些电荷，对器件的性能有何影响？改进方法。
•氧化膜厚度的检测方法？
第三章思考题
扩散工艺，扩散在集成电路制造中的应用
杂质在硅中的两种扩散机构，间隙式杂质，间隙式扩散、替位杂质，替位式扩散、为什么替位杂质比间隙杂质运动困难。
菲克第一定律、表达式，决定扩散系数的基本量。
扩散方程（菲克第二定律）表达式。
恒定表面源扩散，杂质分布情况；恒定表面源扩散的主要特点；扩散结深，与哪些因素有关；有限表面源扩散、有限表面源扩散的特点、两步扩散，预扩散（预淀积）、主扩散（再分布）、
影响杂质分布的因素、本征扩散系数，非本征扩散系数，发射区推进效应、氧化增强扩散（OED），按原始扩散杂质源在室温下的相态可将扩散分为哪几类？说明各自特点。
固态源扩散系统可分为哪几类？简述开管扩散过程。
液态、气态扩散装置及过程。
快速气相扩散工艺（与普通扩散的区别，优点）、气相浸没激光掺杂工艺、气体浸没激光掺杂（GILD）和透射式（GILD）工艺。
第四章离子注入思考题
IC工艺中采用离子注入技术进行掺杂的工序主要有哪些？离子注入、离子注入技术的主要特点、无定形靶。
核碰撞、电子碰撞、射程、注入离子能量的三个区域及特点。
注入离子纵向分布、横向效应、沟道效应。
衬底的损伤有几种情况？轻离子和重离子引起的损伤有何不同？热退火的作用。
常规退火有哪些缺点？什么是快速退火，方法有哪些？离子注入系统结构（离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室）。
第五章物理气相淀积思考题
物理气相淀积(PVD)；真空蒸发，特点；真空蒸发设备结构，特点；真空蒸发制备薄膜基本过程；为何高纯薄膜的淀积必须在高真空度的系统中进行；饱和蒸汽压；蒸发温度；气体平均自由程，与压强的关系；蒸发速率与哪些因素有关；多组分薄膜的蒸发方法，各自过程；真空蒸发加热源有哪些，各自特点
非自持放电、自持放电、等离子体、等离子鞘层、射频辉光放电特点
溅射镀膜、离子对物体表面轰击时可能发生哪些效应。
与真空蒸发法相比，溅射法最突出的特点。
表征溅射特性的参量。
溅射阈值与什么有关。
溅射率。
与哪些因素有关。
溅射率与入射离子能量的关系。
溅射率与入射离子种类的关系。
为什么用氩作为工作气体。
溅射率与靶材种类的关系。
溅射率与入射角的关系。
溅射原子的能量和速度具有的特点。
溅射方法有哪些。
直流溅射中气压与溅射率和膜层质量的关系。
射频溅射中频率是多少，为何用射频，如何解决衬底被轰击问题。
磁控溅射原理和特点。
反应溅射。
偏压溅射优点。
准直器在溅射镀膜中的作用，缺点。
长投准直溅射技术的缺点。
第六章化学气相淀积思考题
CVD；在特大规模集成电路中薄膜材料应该具有哪些特性？CVD的基本过程；CVD化学反应必须满足的条件是？边界层；CVD化学反应所需的激活能来源？了解Grove模型（简化、预测质量输运速率限制区和表面反应速度限制区）；CVD系统通常包括哪些子系统？液态源相对于气态源有哪些好处？其输送方式？何谓热（冷）壁式CVD系统？常用CVD系统的种类；APCVD系统的特点；LPCVD系统的特点；气缺现象，减小其影响的方法；PECVD系统的特点多晶硅在IC中的作用；
一般掺杂浓度下，为何多晶硅电阻率大于单晶硅；
淀积多晶硅的方法；
多晶硅掺杂的三种工艺，各自特点，何谓原位掺杂；
CVD SiO2在ULSI中的作用；
CVD SiO2的方法；
何谓保形覆盖；
氮化硅在ULSI中的应用，为何不能用作层间的绝缘层；
为何氮化硅适合于作钝化层；CVD 氮化硅的方法；为何在IC中钨是最常用的难熔金属，用途有哪些；
钨填充接触孔和通孔的工艺步骤？
TiN在IC中的作用？
CVD Al工艺存在的问题？
第七章外延思考题
外延、正向外延、反向外延、同质外延、异质外延；外延的类型；做在外延层上的CMOS电路与做在硅的抛光片上相比有哪些优点？硅气相外延的硅源有哪些，各自特点；了解外延薄膜的生长模型；了解硅气相外延化学反应过程；硅气相外延生长速率与哪些因素有关
外延层的掺杂原理
外延过程中的扩散效应、自掺杂效应、减小自掺杂效应影响的措施
低压外延的优点
选择外延，其三种类型
硅烷热分解法外延的特点（优、缺点）
SOI、SOS、SOI技术的优点
分子束外延
层错法测量外延层厚度注意事项
检测外延层电阻率的方法
了解扩展电阻法测量外延层电阻率的原理
第八章光刻思考题
光刻？ULSI中对光刻的基本要求包括那些？光刻工艺流程？为何在涂胶前对硅片进行烘焙？前烘的目的、热处理方式、真空热平板烘烤的优点？正负胶的显影过程有何不同？影响显影的因素？显影后的显微镜检查内容包括哪些？坚膜有哪些作用？去胶方法？举例说明几步工艺之间的相互影响？分辨率R？光学光刻中能达到的最高分辨率？
正、负光刻胶的差别？光学光刻胶成份？光刻胶的主要参数有哪些？为何正胶的分辨率高于负胶？提高光刻胶与衬底黏附力的方法。
影响匀胶后胶膜厚度的因素。
了解多层光刻胶工艺（光刻胶图形的硅化学增强（Si-CARL）工艺、涂覆对比增强层工艺、硅烷基化光刻胶表面成像工艺的工艺过程？）。
光刻中的驻波效应是如何形成的？对光刻有何影响？如何消除？
紫外光曝光的光源有哪些？对应波长？紫外曝光的方法有哪些？说明各自特点。
在X射线曝光中影响分辨率的主要原因？在X射线曝光中对射线源的要求有？X射线源有哪些？为何波段选择在2-40Å？电子束曝光主要应用在哪些方面？其中的邻近效应是如何产生的？
刻蚀
ULSI对图形转移的要求有哪些？什么是选择比？控制湿法腐蚀的主要参数有哪些？湿法腐蚀的特点？湿法腐蚀Si、SiO2 、Si3N4的方法。
等离子体刻蚀和溅射刻蚀各自的特点是什么？何谓反应离子刻蚀？Si、SiO2 的刻蚀方法，如何调整腐蚀的选择性？影响干法刻蚀速率的主要因素？
工艺集成
工艺集成、场区
MOS集成电路的隔离与双极集成电路相比有何区别？
MOS集成电路中防止寄生场效应管开启的方法、提高场效应管阈值电压的方法？
局部场氧化工艺步骤？该工艺过程中为何会形成“鸟嘴”结构。
局部场氧化工艺存在的问题？
侧墙掩蔽隔离工艺流程？
浅槽隔离工艺流程？
标准埋收集极双极工艺中的结隔离工艺步骤？工艺中需要注意的问题，该工艺存在的问题。
双极集成电路中的隔离技术有哪些？
采用N阱工艺制作CMOS反相器的工艺流程；
采用p阱工艺制作CMOS反相器的工艺流程；
标准埋层双极晶体管工艺流程；
BiCMOS的工艺流程；
大功率管工艺流程。