最新1.1-1.3模电课件
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模电第五版完整课件
8
Байду номын сангаас
法拉第1791年9月22日生在一个手工工人家庭,21岁时 当上了戴维的助手。法拉第所研究的课题广泛多样，按编 年顺序排列,有如下各方面：铁合金研究（1818－1824）； 氯和碳的化合物（1820）；电磁转动（1821）；气体液化 （1823，1845）；光学玻璃（1825－1831）；苯的发明 （1825）；电磁感应现象（1831）；不同来源的电的同一 性（1832）；电化学分解（1832年起）；静电学，电介质 （1835年起）；气体放电（1835年）；光、电和磁（1845 年起）；抗磁性（1845年起）；“射线振动思想”（1846 年起）；重力和电（1849年起）；时间和磁性（1857年起） 1821年他研究了奥斯特发现的电流的磁作用，作出了一 项重大发现：磁作用的方向是与产生磁作用的电流的方向 垂直的。法拉第还制成了一种电动机，证明了导线在恒定 磁场内的转动。 法拉第坚信，电与磁的关系必须被推广，如果电流能 产生磁场，磁场也一定能产生电流。法拉第为此冥思苦想 了十年。他做了许多次实验结果都失败了。直到1831年年 底，他才取得了巨大的突破，他发明最原始的发电机。奠
CTGU
Fundamental of Electronic Technology
1
CTGU
Fundamental of Electronic Technology
2
1.1 课程慨述 1.2 电子学发展史 1.3 信号的传输与电子系统 1.4 放大电路的基本知识
1.5 学习方法与要求
3
1.1 课程慨述
电子学是一项迷人 的领域，发展速度日 新月异，未来的机遇 一如既往，建议投身 其中，从头做起。
13
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展 起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广 泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。电子 计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子 技术发展的四个阶段的特性 第一代（1946~1957年）是电子计算机，它的基本电 子元件是电子管，运算速度为每秒几千次~几万次 第二代（1958~1970年）是晶体管计算机。 第三代（1963~1970年）是集成电路计算机。开始采 用性能更好的半导体存储器，运算速度提高到每秒 几十万次基本运算。 第四代（1971年~日前）是大规模集成电路计算机。 运算速度可达每秒几百万次，甚至上亿次基本运算。
Байду номын сангаас
法拉第1791年9月22日生在一个手工工人家庭,21岁时 当上了戴维的助手。法拉第所研究的课题广泛多样，按编 年顺序排列,有如下各方面：铁合金研究（1818－1824）； 氯和碳的化合物（1820）；电磁转动（1821）；气体液化 （1823，1845）；光学玻璃（1825－1831）；苯的发明 （1825）；电磁感应现象（1831）；不同来源的电的同一 性（1832）；电化学分解（1832年起）；静电学，电介质 （1835年起）；气体放电（1835年）；光、电和磁（1845 年起）；抗磁性（1845年起）；“射线振动思想”（1846 年起）；重力和电（1849年起）；时间和磁性（1857年起） 1821年他研究了奥斯特发现的电流的磁作用，作出了一 项重大发现：磁作用的方向是与产生磁作用的电流的方向 垂直的。法拉第还制成了一种电动机，证明了导线在恒定 磁场内的转动。 法拉第坚信，电与磁的关系必须被推广，如果电流能 产生磁场，磁场也一定能产生电流。法拉第为此冥思苦想 了十年。他做了许多次实验结果都失败了。直到1831年年 底，他才取得了巨大的突破，他发明最原始的发电机。奠
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1
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Fundamental of Electronic Technology
2
1.1 课程慨述 1.2 电子学发展史 1.3 信号的传输与电子系统 1.4 放大电路的基本知识
1.5 学习方法与要求
3
1.1 课程慨述
电子学是一项迷人 的领域，发展速度日 新月异，未来的机遇 一如既往，建议投身 其中，从头做起。
13
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展 起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广 泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。电子 计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子 技术发展的四个阶段的特性 第一代（1946~1957年）是电子计算机，它的基本电 子元件是电子管，运算速度为每秒几千次~几万次 第二代（1958~1970年）是晶体管计算机。 第三代（1963~1970年）是集成电路计算机。开始采 用性能更好的半导体存储器，运算速度提高到每秒 几十万次基本运算。 第四代（1971年~日前）是大规模集成电路计算机。 运算速度可达每秒几百万次，甚至上亿次基本运算。
模电知识复习ppt
ui
R1
R2
§6.5 负反馈对放大电路性能的影响
一、使放大倍数降低了 (1A倍F) 二、放大倍数的稳定性提高了(1A倍F)
三、减小非线性失真
四、抑制干扰和噪声 五、频带展宽了 (1 A倍F)
六、对输入电阻和输出电阻的影响
⒈对输入电阻的影响
⑴串联反馈： 输入电阻增加 ⑵并联反馈： 输入电阻减小
2V 2.7V 5V ( a)
2V 4.3V 5V ( b)
－5V －1V －1.3V ( c)
解：（a）NPN，硅，左起e、b、c；放大状态。
（b）PNP，硅，左起 c、b、e；放大状态。 （c）PNP，锗，左起 c、e、b。放大状态。
3：现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流 如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际 方向，并在圆圈中画出管子。且分别求出他们的 电流放大系数。
空穴数>>自由电子数 ★ 1.1.3 PN结 单向导电性:PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电阻很 低，正向电流大，PN结导通。PN结加反向电压时，PN结变 宽，反向电阻很大，PN结截止。这种特性称为单向导电性。
§1.2 半导体二极管
★ 1.2.2 二极管的伏安特性
1.正向特性 2.反向特性 3.反向击穿 ⒋二极管电流方程
U
I IS(e UT 1)
★ 1.2.5 稳压管 稳压管工作在反向击穿区。
§1.3 双极型晶体管
晶体管是一个电流控制元件
iC iB
|UCE常数
晶体管的电流分配关系 IE=IC+IB
★ 1.3.3 晶体管的共射特性曲线
输出特性曲线
1.截止区： 特点：①Je、Jc均反偏；②IB=0 ，IC≈ICEO≈0；
模电教材（PDF）
1．正向特性2．反向特性3．反向击穿特性4．温度对特性的影响1.2.3 半导体二极管的主要参数1．最大整流电流IF2．最大反向工作电压URM3．反向饱和电流IR4．二极管的直流电阻R5．最高工作频率fM1.2.4 半导体二极管的命名及分类1．半导体二极管的命名方法第2章半导体三极管及其放大电路本章重点内容�晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线�基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式�利用估算法求静态工作点�微变等效电路及其分析方法�三种基本放大电路的性能、特点2.1 半导体三极管2.1.1 三极管的结构及分类1．三极管的内部结构及其在电路中的符号N PP2．输出特性曲线(1)放大区(2) 饱和区(3) 截止区2.1.4 三极管正常工作时的主要特点1．三极管工作于放大状态的条件及特点2．三极管工作于饱和状态的条件及特点3．三极管工作于截止状态时的条件及特点＊2.1.5 特殊晶体管简介1．光电三极管2.1.6 三极管的主要参数1．电流放大系数2．反向饱和电流ICBO3．穿透电流ICEO4．集电极最大允许电流ICM5．集电极、发射极间的击穿电压UCEO。
6．集电极最大耗散功率PCM2.1.7 三极管的检测与代换1．国产三极管的命名方法简介2．三极管三个电极（管脚）的估测（aωωωωω2.4.2 放大电路的图解分析法1．用图解法确定静态工作点的步骤：（1）在i c 、u ce 平面坐标上作出晶体管的输出特性曲线。
（2）根据直流通路列出放大电路直流输出回路的电压方程式：U CE = V CC －I C ·R C（3）根据电压方程式，在输出特性曲线所在坐标平面上作直流负载线。
因为两点可决定一条直线，所以分别取（I C =0，U CE =V CC ）和（U CE =0，I C =E C /R c ）两点，这两点也就是横轴和纵轴的截距，连接两点，便得到直流负载线。
（4）根据直流通路中的输入回路方程求出I BQ 。
模电第一章课件
பைடு நூலகம்
图1.6 PN结的形成过程
空间电荷区：在交界面附近出现的带电离子集中 的薄层，又称耗尽层、阻挡层。
内电场：空间电荷区的左半部是带负电的杂质离 子，右半部是带正电的杂质离子，空间电荷区中 就形成一个N区指向P区的内建电场。
接触电位差 U ：达到动态平衡后的PN结， 内建电场的方向由N区指向P区的电位差。
1.1 半导体的基础知识 1.2 PN结与半导体二极管 1.3 特殊二极管
1.4 半导体三极管
1.5 场效应晶体管
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 导体、绝缘体、和半导体 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体
1.1.1 导体、绝缘体和半导体
导体:导电的物质，如铜、铝、铁、银等。 绝缘体:不导电的物质，石英、橡胶等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之 间。常用的半导体材料有硅(Si)、锗 (Ge)、砷化镓(GaAs)等。
4．最大反向工作电压UFM：二极管安全运行时所能承受的最大反向电压。一 般取击穿电压U(BR)的一半作为UFM 。
5．反向电流：指二极管未击穿时反向电流。IR 值越小，二极管单向导电性越 好。随温度变化而改变。 6. 最高工作频率fM ：fM 由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过 fM，单向导电性变差。
1.2.3
PN结的电容效应
PN结的结电容:在外加电压发生变化时，PN结耗尽层内的空间电 荷量和耗尽层外的载流子数目均发生变化的电容效应。 按产生的机理不同结电容可分为：
一是势垒电容CB 二是扩散电容CD
一、势垒电容CB
指阻挡层中电荷量随外加电压变化而改变所呈 现的电容效应,用CB表示。CB的大小与PN结面积、 阻挡层宽度、半导体材料的介电常数有关， 且随外加反向电压变化而 变化。反向电压越大，CB 越小。 利用PN结的势垒电容 效应，可制造变容二极 管(压控可变电容器)
图1.6 PN结的形成过程
空间电荷区：在交界面附近出现的带电离子集中 的薄层，又称耗尽层、阻挡层。
内电场：空间电荷区的左半部是带负电的杂质离 子，右半部是带正电的杂质离子，空间电荷区中 就形成一个N区指向P区的内建电场。
接触电位差 U ：达到动态平衡后的PN结， 内建电场的方向由N区指向P区的电位差。
1.1 半导体的基础知识 1.2 PN结与半导体二极管 1.3 特殊二极管
1.4 半导体三极管
1.5 场效应晶体管
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 导体、绝缘体、和半导体 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体
1.1.1 导体、绝缘体和半导体
导体:导电的物质，如铜、铝、铁、银等。 绝缘体:不导电的物质，石英、橡胶等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之 间。常用的半导体材料有硅(Si)、锗 (Ge)、砷化镓(GaAs)等。
4．最大反向工作电压UFM：二极管安全运行时所能承受的最大反向电压。一 般取击穿电压U(BR)的一半作为UFM 。
5．反向电流：指二极管未击穿时反向电流。IR 值越小，二极管单向导电性越 好。随温度变化而改变。 6. 最高工作频率fM ：fM 由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过 fM，单向导电性变差。
1.2.3
PN结的电容效应
PN结的结电容:在外加电压发生变化时，PN结耗尽层内的空间电 荷量和耗尽层外的载流子数目均发生变化的电容效应。 按产生的机理不同结电容可分为：
一是势垒电容CB 二是扩散电容CD
一、势垒电容CB
指阻挡层中电荷量随外加电压变化而改变所呈 现的电容效应,用CB表示。CB的大小与PN结面积、 阻挡层宽度、半导体材料的介电常数有关， 且随外加反向电压变化而 变化。反向电压越大，CB 越小。 利用PN结的势垒电容 效应，可制造变容二极 管(压控可变电容器)
模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全
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透彻掌握器 件特性
1
重视对电路 构成原理的
学习
2
理论与实践 的关系
3
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目前国内使用较多的电路设计仿真软件有PSPICE、Proteus和Multisim 等。就模拟电路仿真来说,Multisim 以其界面友好、功能强大、易于学习 的优点而受到高校电类专业师生和工程技术人员的青睐。Multisim13.0版 本已上市,但目前使用比较稳定、用户数较多的还是10.0版本。对于使用 者来说,只要有一台计算机和Multisim 软件,就相当于拥有了一间设备齐全 的电路实验室,可以调用元器件,搭建电路,利用虚拟仪器进行测量,对电路 进行仿真测试,可以实时修改各类电路参数,实时仿真,从而帮助使用者了解 各种电路变化对电路性能的影响,对电路的测量直观、智能,是进行电路分 析和设计的有效辅助工具。使用者在学习和解题的过程中,可以通过 Multisim 对电路中某个节点的电压波形、某条支路的电流波形、电路结构 变化产生的影响等方方面面问题快速仿真而得到答案。
模拟电路基础教程PPT课件
1.1.4 一般电子系统的构成 1.电子系统的分类
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模拟电子 系统
数字电子 系统
模拟电路基础教程PPT课件
2.电子系统的构成
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模拟电路基础教程PPT课件
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1.1.5 模拟电子技术的发展
在式(1-1-1)中,K 为常数,使u(t)和T(t)之间形成如图1-1-1所示的相 似形关系。如果K 不能保持为常数,则称模拟信号发生了失真。失真问 题是模拟电路中始终需要引起注意和克服的重要问题。
模拟电子技术PPT课件
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi
郑州大学模电课件1.1~1.2
离散性压当量1的倍数介于k与k1之间时需根据阈值确定为k或k1任何瞬间的任何值均是有意义的三电子信息系统的组成模拟电子电路数字电子电路系统信号的提取信号的预处理信号的加工信号的驱动与执行ad转换计算机或其它数字系统da转换信号的提取信号的预处理信号的加工信号的驱动与执行ad转换计算机或其它数字系统da转换传感器接收器隔离滤波放大运算转换比较功放模拟数字混合电子电路模拟电子系统执行机构四模拟电子技术课程特点1工程性强调定性分析
0 2f
B. 周期信号
周期信号
离散频谱函数
通过将信号展开为傅里叶级数求出周期信号的频谱函数（傅里叶系数）。
T = 0
Vs O
时域
t
Vs
2Vs
Vs
O
0
2 T
频域
2Vs
2Vs
其中：
v (t) V 2 S 2 V S (s0 ti 1 n 3 s3 i0 n t 1 5 s5 i0 n t )
值得纪念的几位科学家
第一只晶体管的发明者
（by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab）
他们在1947年11月底发明了晶体管，并在12月 16日正式宣布“晶体管”诞生。1956年获诺贝尔 物理学奖。巴因所做的超导研究于1972年第二次 获得诺贝尔物理学奖。
4. 漂移运动 内电场有利于少子运动—漂移。
阻挡层
P
空间电荷区
少子的运动与多子运动方向相 反
内电场
N UD
5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流
0 2f
B. 周期信号
周期信号
离散频谱函数
通过将信号展开为傅里叶级数求出周期信号的频谱函数（傅里叶系数）。
T = 0
Vs O
时域
t
Vs
2Vs
Vs
O
0
2 T
频域
2Vs
2Vs
其中：
v (t) V 2 S 2 V S (s0 ti 1 n 3 s3 i0 n t 1 5 s5 i0 n t )
值得纪念的几位科学家
第一只晶体管的发明者
（by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab）
他们在1947年11月底发明了晶体管，并在12月 16日正式宣布“晶体管”诞生。1956年获诺贝尔 物理学奖。巴因所做的超导研究于1972年第二次 获得诺贝尔物理学奖。
4. 漂移运动 内电场有利于少子运动—漂移。
阻挡层
P
空间电荷区
少子的运动与多子运动方向相 反
内电场
N UD
5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流
模拟电子技术基础(完整课件)
>100000
封装好的集成电路
课程的教学方法
模电——“魔”电 特点：电路形式多、公式多、工程性强 教学方法： 课堂讲课 ——每章小结 ——自我检测题
——作业 ——作业反馈
——实验 ——答疑
总成绩＝期末（70％）＋平时（30％） 平时：作业、课堂、实验等
教材：《模拟电子技术基础》，李国丽王涌李如 春主编，高等教育出版社，国家级十二 五规划教材
就在这个过程中，爱迪生还发现了一 个奇特 的现象：一块烧红的铁会散发出电子云。后人 称之为爱迪生效应，但当时不知道利用这一效 应能做些什么。
1904年，英国发明家弗莱明在真空中加热的 电丝(灯丝)前加了一块板极，从而发明了第一 只电子管，称为二极管。
1906 年，美国发明家德福雷斯特，在二极管 的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而 发明了第一只真空三极管，建树了早期电子技 术上最重要的里程碑——电子工业真正的诞生 起点 。
2000年10月10日，基尔比 与另外两位科学家共同分享 诺贝尔物理学奖。
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片
1959年7月30日，硅谷的仙童半导体公司的诺依斯 采用先进的平面处理技术研制出集成电路，也申请到 一项发明专利 ，题为“半导体器件——导线结构”； 时间比基尔比晚了半年，但确实是后来微电子革命的 基础。
1959年仙童制造的IC
诺依斯
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel 公司推出，在它3毫米×4毫米的掩模上，有 2250个晶体管，每个晶体管的距离是10微米， 每秒运算6万次。也就是说，一粒米大小的芯片 内核，其功能居然与世界上第一台计算机—— 占地170平方米的、拥有1.8万个电子管的 “爱
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3. 电路元件的电功率（注意电源和负载的判断方法）
判断方法： 法1：根据功率的正负判断 法2：根据电压和电流的实际方向判断
①若一致，则为负载 ②若相反，则为电源
作业 P24 1-1，1-2 练习 1-3
结束语
谢谢大家聆听！！！
17
正电荷从元件上电压的负极经元件移动到电压的正极
时，电场力对正电荷作负功，则元件释放电能
一、电能
根据电压的定义式 uAB
W q
可知
从t0～t1时间内元件吸收的电能为
q(t )
W udq
i dq
dt
q(t0 )
W t u()i()d()
t0
《电路原理》多媒体课件
电子信息工程教研室
二、电功率
元件吸收的电功率 P(t)=u(t)i(t) 或 P=ui
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二、电压的方向
1.1-1.3模电课件
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二、电路原理的学习方法
电子信息工程教研室
1、认真听讲，有重点的作笔记；
2、课前预习，课后复习，有不懂的问题及时解决，不 能一直留到最后复习再解决；
3、认真做作业，作业都是有针对性对重点内容的理解、 巩固和记忆，避免抄袭现象；
4、对待实验要严肃、认真，实验不仅可以提高动手能 力，还可以加深对理论知识的理解和掌握。
说明 电能和电功率的单位
P>0（确实吸收） P<0（实际发出）
注意 ① 若u和i取关联参考方向时，p=ui表示元件吸 收功率（p>0确实吸收，p<0实际发出）。
② 若u和i取非关联参考方向时，p=ui表示元件发出功 率（p>0确实发出，p<0实际吸收）。
如：若电压和电流取关联 参考方向，如图（a）所示, 此时u=5V，i=2A，
i A
元件
u
B
p
电子信息工程教研室
若电压和电流取非关联参考方向，如图（b）所示。
则此时
i A
元件
B
u
(b)
u=-5V,i=2A
pu i 1W 0
《电路原理》多媒体课件
电子信息工程教研室
小结 1. 理想电路元件、电路模型
2. 电压、电流的实际方向与参考方向的关系
如图（c）所示
说明 电流和电压的单位（SI制）
《电路原理》多媒体课件
注意
电子信息工程教研室
在电路分析中，应在电路中标出电压和电流的 参考方向。习惯上取关联参考方向，此时，可只标 出电流（或电压）一个参考方向。
《电路原理》多媒体课件
电子信息工程教研室
1－3 电功率和电能
当正电荷从元件上电压的正极经元件移动到电压的负 极时，电场力对正电荷作正功则元件吸收电能
电压又称为电位差。如：UAB=UA-UB
《电路原理》多媒体课件
电子信息工程教研室
三、关联与非关联参考方向
1. 关联参考方向
若电压和电流的参考一致，则称为关联参考方向。
如图（a）和（b）所示
i 元件
u
（a）
i
_u_ N （b）
i
u_ N （c）
2. 非关联参考方向
若电压和电流的参考相反，则称为非关联参考方向。
1.电压的实际方向：规定为从高电位点指向低电位点
2.电压的参考方向 3.电压的实际方向与参考方向的关系
参考方向
+
U
–
参考方向
+
U
–
+ 实际方向
U >0
实际方向 +
U <0
《电路原理》多媒体课件
电子信息工程教研室
①箭头
4. 电压参考方向的表示法 ②正负极性
③双下标：如 uABAB
U
+
U
A
UAB
B
注意