模拟电子技术基础B总结

模拟电子技术基础B总结

第一篇：模拟电子技术基础B总结

第一章半导体基础和二极管（以概念为主）

1、半导体的基本概念；

2、二极管的基本特性：单向导电性、伏安特性、反向击穿特性；

3、稳压管的伏安特性；

4、二极管和稳压管的主要参数；

第二章双极型晶体三极管和基本放大电路（重点）

1、双极型晶体管工作在放大状态的外部条件；（内部载流子的运动不要求）

2、双极型晶体管输入输出特性曲线（三个不同的工作区及特点）

3、放大的概念，放大电路工作在放大状态需要满足的条件；

4、放大电路的分析方法：先直流后交流，先静态后动态，区分直流通路和交流

通路；

5、静态工作点的位置对输出波形的影响；

6、晶体管的低频等效小信号模型及微变等效电路；（不要求推导）

7、三种基本放大电路（共射、共集、共基）的特点（交流参数）和求解，包括静态工作点和动态参数的求解（共集电路相对比较难）。

第三章场效应晶体管和基本放大电路（重点）

1、已知场效应管的三个电极电位，会判断管子工作在何种状态；

2、电路是否能正常放大；

3、场效应管的低频等效小信号模型及微变等效电路；（不要求推导）

4、共源、共漏基本放大电路的静态分析计算与动态分析计算。

5、第四章多级放大电路和集成运算放大电路

1、多级放大电路的几种耦合方式和优缺点；（基本概念）

2、多级阻容耦合放大电路的分析方法（如果共集电路作为输出级和输入级，解

算输入电阻和输出电阻会比较难）；

3、差动放大电路的组成和抑制温漂的原理；

4、双入双出差动放大电路静态和动态电路分析（半电路法），共模抑制比的概念。（区分其和单管放大电路的区别）。

5、集成运放的基本组成（基本概念）。

第五章功率放大电路

1、功率放大电路的特点和要求、晶体管工作状态的分类；

2、甲乙类互补功率放大电路的组成和工作原理；

3、甲乙类互补功率放大电路的分析计算，包括输出功率、效率的计算，晶体管的选择等。

第六章放大电路的频率响应（基本概念）

1、放大电路频率响应的基本概念；

2、单管共射放大电路的频率响应；

（参考课后作业和课件内容）

第七章放大电路中的反馈（会看，会判，会算，会连）

1、什么是反馈；

2、会看：有无反馈，直流还是交流，正反馈还是负反馈；

3、会判：四种基本组态；（交流负反馈才需要判断组态）；

4、负反馈在放大电路中的重要作用和性质；

5、负反馈对放大电路性能的影响；

6、会算：深度负反馈条件下的计算会算，深度负反馈的特点，反馈量等于输入量，净输入量近似为零。会算的步骤：判断组态，计算放大倍数，得到电压放大

倍数；

7、放大电路中反馈的正确引入，深度负反馈对电路性能的影响：稳定放大倍数，改变输入电阻和输出电阻等；

8、会连：根据电路要求引入负反馈。

第八章集成运算放大电路信号的线性应用

1、集成运放的应用分类：线性应用和非线性应用；

2、集成运放应用电路的分析方法；（线性应用和非线性应用）；

3、基本运算电路：比例，加减、积分运算电路。（对于RP=RN，计算可以简化）；

4、模拟乘法器的符号和输入输出关系；

5、滤波电路的频率特性、分类和主要参数：有源滤波电路的种类和各自特点（不

涉及具体电路）

第九章波形发生电路和和集成运算的非线性应用

（集成运放处于非线性工作状态）

1、正弦波发生电路的自激条件；

2、正弦波发生电路的组成和组成方法，判断电路是否可能产生正弦波振荡的方法和步骤；在正弦波振荡电路中通常包含正反馈和负反馈，通常引入正反馈的是选频网络；选频网络掌握 RC 串并联；

3、电压比较电路的特点（开环或正反馈），电压比较电路电压传输特性（三要素）；

4、两种不同的电压比较器：单限比较器和滞回比较器（重点在滞回比较器）；

5、非正弦波发生电路：矩形波发生电路、三角波发生电路，会定性画出对应的波形。

第十章直流电源

1、直流稳压电源原理框图及波形图，各组成部分和功能

2、两种不同的整流电路（半波整流和桥式整流）的工作原理、参数的计算和二极管的选择；

3、线性串联型稳压电路的工作原理及计算；

4、集成稳压电路78××的输出和应用（重点是电压扩展应用）。

一张 A4 纸，正反面都可以使用，要求自己手写。

认真复习，一定要掌握基本概念和基本分析方法。

答题时注意试卷要求，所有答案都写在答题纸上。

预祝大家考出好成绩。

第二篇：模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章

半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子

----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:

在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:

在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*

PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*

PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管