模电第五版康华光第四章课后答案 (2)
(完整word版)电子技术基础数字部分第五版康光华主编第4章习题答案
第四章习题答案4.1.4 试分析图题4.1.4所示逻辑电路的功能。
解：（1）根据逻辑电路写出逻辑表达式：()()L A B C D =⊕⊕⊕ （2）根据逻辑表达式列出真值表：由真值表可知，当输入变量ABCD 中有奇数个1时，输出L=1，当输入变量中有偶数个1时，输出L=0。
因此该电路为奇校验电路。
4.2.5 试设计一个组合逻辑电路，能够对输入的4位二进制数进行求反加1 的运算。
可以用任何门电路来实现。
解：（1）设输入变量为A 、B 、C 、D ，输出变量为L3、L2、L1、L0。
（2）根据题意列真值表：（3）由真值表画卡诺图（4）由卡诺图化简求得各输出逻辑表达式()()()3L AB A C AD ABCD A B C D A B C D A B C D =+++=+++++=⊕++ ()()()2L BC BD BCD B C D B C D B CD =++=+++=⊕+ 1L CD CD C D =+=⊕0L D =（5）根据上述逻辑表达式用或门和异或门实现电路，画出逻辑图如下：A B CDL 3L 2L 1L 04.3.1判断下列函数是否有可能产生竞争冒险，如果有应如何消除。
（2）(,,,)(,,,,,,,)2578910111315L A B C D m =∑ （4）(,,,)(,,,,,,,)4024612131415L A B C D m =∑解：根据逻辑表达式画出各卡诺图如下：（2）2L AB BD =+，在卡诺图上两个卡诺圈相切，有可能产生竞争冒险。
消除办法：在卡诺图上增加卡诺圈（虚线）包围相切部分最小项，使2L AB BD AD =++，可消除竞争冒险。
（4）4L AB AD =+，在卡诺图上两个卡诺圈相切，有可能产生竞争冒险。
消除办法：在卡诺图上增加卡诺圈（虚线）包围相切部分最小项，使4L AB AD BD =++，可消除竞争冒险。
4.3.4 画出下列逻辑函数的逻辑图，电路在什么情况下产生竞争冒险，怎样修改电路能消除竞争冒险。
数电课后答案解析康华光第五版（完整）
数电课后答案解析康华光第五版（完整）第⼀章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的⼆进制数0101101001．1．4⼀周期性数字波形如图题所⽰，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空⽐例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所⽰为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空⽐为⾼电平脉冲宽度与周期的百分⽐，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列⼗进制数转换为⼆进制数，⼋进制数和⼗六进制数（要求转换误差不⼤于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4⼆进制代码1.4.1将下列⼗进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试⽤⼗六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表⽰：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：⾸先查出每个字符所对应的⼆进制表⽰的ASCⅡ码，然后将⼆进制码转换为⼗六进制数表⽰。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的⼗六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的⼗六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表⽰⽅法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输⼊信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与⾮， (b)为同或⾮，即异或第⼆章逻辑代数习题解答2.1.1 ⽤真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案共102页文档
模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案
61、辍学如磨刀之石，不见其损，日 有所亏 。 62、奇文共欣赞，疑义相与析。
63、暧暧远人村，依依墟里烟，狗吠 深巷中 ，鸡鸣 桑树颠 。 64、一生复能几，倏如流电惊。 65、少无适俗韵，性本爱丘山。
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
(完整word版)数字电子技术基础-康华光第五版答案
第一章数字逻辑习题1．1 数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4 一周期性数字波形如图题所示，试计算:(1）周期;(2)频率；(3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 (ms)解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100％=10％1.2 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于2−4（2）127 （4)2。
718 解：(2）（127）D= 27 —1=(10000000）B—1=（1111111）B=（177)O=（7F）H（4)(2。
718)D=(10.1011）B=（2.54）O=（2。
B）H1。
4 二进制代码1。
4。
1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码：（1)43 (3）254。
25 解：(43）D=（01000011)BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28(1）+ （2)＠（3）you (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示.（1）“+”的ASCⅡ码为 0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为 1000000,(01000000）B=（40）H(3）you 的ASCⅡ码为本 1111001,1101111,1110101，对应的十六进制数分别为 79,6F，75(4)43 的ASCⅡ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,331.6 逻辑函数及其表示方法1。
6。
1 在图题 1. 6.1 中，已知输入信号 A,B`的波形，画出各门电路输出 L 的波形。
解: （a)为与非, （b）为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式（3)A⊕ =B AB AB+(A⊕B)=AB+AB解：真值表如下由最右边2栏可知，A⊕B与AB+AB的真值表完全相同。
模电第五版康华光答案
模电第五版康华光答案【篇一：模电康华光思考题题】2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即vvo很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的vo达到极值，等于v+或者v-。
理想情况下输出电压+vom=v+,-vom=v-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书p27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使vn自动的跟从vp，使vp≈vn，或vid=vp-vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间ip=in≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压vi通过r1作用于运放的反相端，r2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，vn≈vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使vp≈vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地vp,vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压vid=vi-vf=vp-vm,由于是正相端输入，所以vo为正值，vo等于r1和r2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，vn增大了，vp不变，所以vid变小了，vo变小了，电压增益av=vo/vi变小了。
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题
第四章部分习题解答4．1．3某BJT的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V（BR）CEO=30V，若它的工作电压V CE=10V，则工作电流IC不得超过多大？若工作电流I C=1mA，则工作电压的极限值应为多少？解:BJT工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
当工作电压V CE确定时，应根据P CM及I即应满足ICV CE≤PCM及IC≤ICM。
当V CE=10V时，CM确定工作电流IC，I P CMC15VCEm A此值小于I CM=100mA，故此时工作电流不超过15mA即可。
同理，当工作电流I c确定时，应根据I CV CE≤P CM及V CE≤V（BR）CEO确定工作电压VCE的大小。
当IC=1mA时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V。
4．3．3若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路，并设V CC=12V，R C=1kΩ，在基极电路中用V BB=2.2V和R b=50kΩ串联以代替电流源i B。
求该电路中的I B、I C和V CE的值，设V BE=0.7V。
图题3.3.1图题3.3.3解:由题3.3.1已求得β=200，故I VV BBBEB0.03mARbI C=βI B=200×0.03mA=6mAV CE=V CC-I C R c=6V4.3.5图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IB、I压降VCE的值；（2）电阻R b、R e的值；（3）输出电压的最大不失真幅C和管度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC值的大小，故V CC=6V。
由Q点的位置可知，IB=20μA，IC=1mA，V CE=3V。
（2）由基极回路得VccR b300IBk由集-射极回路得Rc V VCCCE3k IC（3）求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知，在输入信号的正半周，输出电压v CE从3V到0.8V，变化范围为2.2V；在输入信号的负半周，输出电压v CE从3V到4.6V，变化范围为1.6V。
模电第4章频率响应答案.docx
4.1已知某放大器的幅频特性如题图4」所示。
(1)试说明该放大器的中频增益、上限频率扁和下限频率九、通频带BW。
⑵当甘：=10sin(4;r -106K)+ 20sin(27r x 104t\tn V)和乞=10加(2”・5/X〃7)+20沏(2龙xlOh)(加7)时，输出信号有无失真？是何种性质的失真？分别说明之。
解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB,即100倍，加“Hz,九=10Hz (在.力/和尢处，增益比中频增益卜降30dB), = 10")_ 10匕10&//z。
(2)当= 10-106t\m T)+ 20sin(27i x 104Z)(mT)llj",其中戶104Hz 的频率在屮频段，而/ =2X106/7Z的频率在高频段，可见输出信号要产牛失真，即高频失真。
当坷=10sm(17i-7)+ 20X 104t\mV)吋，.戶5Hz 的频率在低频段，＞104Hz 的频率在小频段，所以输出要产牛失真，即低频失真。
4.2某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。
设中频相移为零。
⑴写出AJjf)频率特性的表达式。
⑵求f=107Hz处的相移值。
(3)求下限频率纪的值。
⑷求fMOOHz处实际的dB值。
(5)求fMOHz和匸"Hz的相移值。
解：(1)'1'频放人倍数为1()3,高频有一个极点频率为105H Z , 一个零点频率为106H Z ,低频有 两个极点频率均为102H Z ,两个零点频率均为lOHzo 所以⑵f=107Hz 处的相移为零 （3） 九 «102/A/22 -1 = 155屁（4） 2018141^=54^（5） 如/削宓抢=—45。
A （#） = io 3（1-丿岁）"1 +丿缶） -耳4.3已知某晶体管电流放人倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出”的频率特性表（b题图4.3解：由0(e喲渐进波特图可知：00=100, co^=4Mrad/s 它是一个单极点系统，故相应的频率特性表达式为021001十丿——“0因为5 7蚀故co T=400Mrad/s.也可直接从其波特图根据兮的定义直接读出。
模拟电路课后第四章答案
模拟电路课后第四章答案第四章习题解答4-1 如题4-1图所⽰MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所⽰。
设漏极电流i D的实际⽅向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际⽅向是流进还是流出？答：（a ）P-JFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的µn C ox =100µA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ；（b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ；（c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ；（d ）V GS =V DS=5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C µµ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于⾮饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mAV V V VI V mA th GS GSLWC D D S D S x o n 7.3118.052101.02221222=-?-??=--=µ（b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 72.08.02101.02221221=-=-?=µ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于⾮饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-?-??=--=µ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212=-=-?=µ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，µn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
电子技术基础数字部分第五版康光华主编第4章习题答案
第四章习题答案4.1.4 试分析图题4.1.4所示逻辑电路的功能。
解：（1）根据逻辑电路写出逻辑表达式：()()L A B C D =⊕⊕⊕ （2）根据逻辑表达式列出真值表：由真值表可知，当输入变量ABCD中有奇数个1时，输出L=1，当输入变量中有偶数个1时，输出L=0。
因此该电路为奇校验电路。
4.2.5 试设计一个组合逻辑电路，能够对输入的4位二进制数进行求反加1 的运算。
可以用任何门电路来实现。
解：（1）设输入变量为A、B、C、D，输出变量为L3、L2、L1、L0。
（2）根据题意列真值表：（3）由真值表画卡诺图（4）由卡诺图化简求得各输出逻辑表达式()()()3L AB A C AD ABCD A B C D A B C D AB C D =+++=+++++=⊕++()()()2L BC BD BCD B C D B C D B C D =++=+++=⊕+ 1L CD CD C D =+=⊕0L D =（5）根据上述逻辑表达式用或门和异或门实现电路，画出逻辑图如下：A B CDL 3L 2L 1L 04.3.1判断下列函数是否有可能产生竞争冒险，如果有应如何消除。
（2）(,,,)(,,,,,,,)2578910111315L A B C D m =∑ （4）(,,,)(,,,,,,,)4024612131415L A B C D m =∑解：根据逻辑表达式画出各卡诺图如下：（2）2L AB BD =+，在卡诺图上两个卡诺圈相切，有可能产生竞争冒险。
消除办法：在卡诺图上增加卡诺圈（虚线）包围相切部分最小项，使2L AB BD AD =++，可消除竞争冒险。
（4）4L AB AD =+，在卡诺图上两个卡诺圈相切，有可能产生竞争冒险。
消除办法：在卡诺图上增加卡诺圈（虚线）包围相切部分最小项，使4L AB AD BD =++，可消除竞争冒险。
4.3.4 画出下列逻辑函数的逻辑图，电路在什么情况下产生竞争冒险，怎样修改电路能消除竞争冒险。
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)章节题库-第一章至第四章【圣才出品】
图 2-2
解：（1）放大器 A2： vO2
vp2
vn2
R1 RW
vO
①
放大器 A1：
vi1 vn1 vn1 vn2
R
Rf
②
vn1
vp1
Rf R Rf
vi 2
③
由式①②③得： vO
10
Rw R1
vi2
vi1
。
（2）当 Rw 的滑动端在最上端时，若 Vi1＝10 mV，Vi2＝20 mV，则
20 lg
AV
40, AV
100, 100 70.7 ， 2
f
fL
70.7Hz ；
(5 1 )
f fH 10 2 70700Hz
二、选择题
1．某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12kΩ的负载电阻后，输出电压降
为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A．19kΩ
B．2kΩ
20
mV
14
V
R1
143
故 R2max RW R1min 9.86 k 。
2．设集成运放为理想器件，证明图 2-3 所示的电路图为一个双积分电路。
图 2-3
解：设两电阻 R 中间节点为 A，电压为 ul，两电容 C 中间结点 B，电压为 u2。由理想运
放可得 uN＝uP＝0。
A
处电容上的电流为：
图 2-6 解：（1）S 合上，由电路得到 u-＝u+＝0，由电流电压关系列出方程 （2）S 断开，因为是理想运放，所以同相端和反相端没有电流流入或流出。得到 u+＝ u-＝vi 列出电流电压方程 （3）由（1）和（2）的结果可以直接列出方程
极，为使差动放大电路的参数保持对称，应使两个差分对管基极对地电阻尽量一致，因而有
康华光五版模电第四章
§ 3.1.1 BJT的结构简介 的结构简介
___
IC β= IB
工作于动态的三极管， 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流 上的交流信号。基极电流的变化量为∆ 上的交流信号。基极电流的变化量为∆iB，相应的集 电极电流变化为∆ 则交流电流放大倍数为： 电极电流变化为∆iC，则交流电流放大倍数为：
∆iC β= ∆iB
§ 4.1.4 BJT的主要参数 的主要参数
N
从基区扩散 来的电子作 为集电结的 V 少子， CC 少子，漂移 进入集电结 而被收集， 而被收集， 形成I 形成 CE。
放大状态下BJT的工作原理 § 4.1.2 放大状态下 的工作原理
反向饱和电流I 反向饱和电流 CBO， 这个电流对放大 C 没有贡献 IB=IBE-ICBO≈IBE B IC=ICE+ICBO ≈ICE
§ 4.1.3 BJT的特性曲线 的特性曲线
1. 共射极连接时的 －I 特性曲线 共射极连接时的V－
iB µA RB V vBE V
mA
VCC vCE
VBB
共射极接法的实验线路
§ 4.1.3 BJT的特性曲线 的特性曲线
（1）输入特性 ）输入特性(input characteristic) vCE =0.5V vCE=0V 80 60 死区电压， 死区电压， 硅管0.6V， 硅管 ， 锗管0.2V。 锗管 。 40 20 vBE(V) 0.4 0.8 工作压降： 工作压降： 硅管 vBE≈0.6~0.7V,锗管 锗管 vBE≈0.2~0.3V。一般 。 用这一条曲线。 用这一条曲线。 iB(µA) µ vCE ≥1V
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题
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当工作电压VCE确定时，应根据PCM及ICM确定工作电流IC，即应满足ICVCE≤PCM及IC≤ICM。
当VCE=10V时，此值小于ICM=100mA，故此时工作电流不超过15mA即可。
同理，当工作电流Ic确定时，应根据ICVCE≤PCM及VCE≤V（BR）CEO确定工作电压VCE的大小。
当IC=1mA时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V。
4．3．3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路，并设VCC=12V，R C=1kΩ，在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50kΩ串联以代替电流源iB。
求该电路中的IB、IC和VCE的值，设VBE=0.7V。
图题3.3.1图题 3.3.3解: 由题3.3.1已求得β=200，故IC=βIB=200×0.03mA=6mA VCE=VCC-ICRc=6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；（2）电阻Rb、Re的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即VCC值的大小，故VCC=6V。
电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光 电子技术基础第五版康华光课后答案
电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光电子技术基础第五版康华光课后答案第一章数字逻辑习题1、1数字电路与数字信号图形代表的二进制数0001、1、4一周期性数字波形如图题所示，试计算：周期；频率；占空比例MSBLSB0121112解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%数制将下列进制数转换为二进制数，八进制数和六进制数127 解：D=-1=B-1=B=O=H72D=B=O=H二进制代码将下列进制数转换为8421BCD码：43解：D=BCD试用六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28+ @ you43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为六进制数表示。
“+”的ASCⅡ码为0011，则B=H@的ASCⅡ码为1000000,B=Hyou的ASCⅡ码为本1111001,1111,1101,对应的六进制数分别为79,6F,7543的ASCⅡ码为0100,0110011,对应的六紧张数分别为34,33 逻辑函数及其表示方法在图题1、中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: 为与非，为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答用真值表证明下列恒等式ABABAB⊕=+=AB+AB解：真值表如下ABAB⊕ABABAB⊕AB+AB111111111111由最右边2栏可知，与AB+AB的真值表完全相同。
用逻辑代数定律证明下列等式AABCACDCDEACDE++++=++解：AABCACDCDE++++ABCACDCDE=+++AACDCDE=++ACDCDE=++ACDE=++用代数法化简下列各式ABCBC+解：ABCBC+ABABABAB=、+、+++BABAB=++ABB=+AB=+AB=ABCDABDBCDABCBDBC++++解：ABCDABDBCDABCBDBC++++ABCDDABDBCDCBACADCDBACADBACDABBCBD=++++=+++=+++=++=++画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图，限使用非门和二输入与非门LABAC=+LDAC=+LABCDBCDBCDBCDABD=+++用卡诺图化简下列个式ABCDABCDABADABC++++解：ABCDABCDABADABC++++ ABCDABCDABCCDDADBBCCABCDD=+++++++++ ABCDABCDABCDABCDABCDABCDABCD=++++++LABCDmd=+ΣΣ解：LAD=+LABCDmd=+ΣΣ解:LADACAB=++已知逻辑函数LABBCCA=++，试用真值表,卡诺图和逻辑图表示解:1>由逻辑函数写出真值表ABCL1111111111111111112>由真值表画出卡诺图3>由卡诺图,得逻辑表达式LABBCAC=++用摩根定理将与或化为与非表达式LABBCACABBCAC=++=、、4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图第三章习题MOS逻辑门电路根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。
模电第四章答案概要
第四章习题解答4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a）P-EMOSFET，开启电压V GS th =-2V（b）P-DMOSFET，夹断电压V GS off （或统称为开启电压V GS th ） = 2V（c）P-EMOSFET，开启电压V GS th 严-4V（d）N-DMOSFET，夹断电压V GS Off （或也称为开启电压V GS th ） = -4V4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、（b）、（c）、（d）所示。
设漏极电流i o 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET?分别指出i o的实际方向是流进还是流出？答：（a）P-JFET，i D的实际方向为从漏极流出。
（b）N-DMOSFET，i o的实际方向为从漏极流进。
（c）P-DMOSFET，i o的实际方向为从漏极流出。
（d）N-EMOSFET, i D的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的卩n C ox=100y A/V2，V GS（th）=0.8V, W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a）V GS=5V，V DS=1V ; （b）V GS=2V，V DS=1.2V ;（c）V GS=5V，V DS=0.2V; （d）V GS=V DS=5V。
解：已知N-EMOSFET 的jC ox =100」A/V2, V GS th = 0.8V W^10（a）当V GS =5V,V DS =1V 时，MOSFET 处于非饱和状态V DS：：： V GS -V GS thI D M^bV Gs-V Gsth V DS-V2DS】詔0.1mA v2 10〔25-0.8 1-12】 = 3.7mA（b）当V GS =2V,V DS =1.2V 时，V GS -V GS th = 1.2V 二V DS , MOSFET 处于临界饱和I D二于Mox ¥V GS -V Gsth 2窃0.叫10 2 - 0.8 2= 0.72mA（c）当V GS =5V,V DS =0.2V 时，V GS-V GSM =4.2v V DS，MOSFET 处于-50K 11VA _ 50VID — 10 mA由于r o^V DS.V DS V V DSVDS--"I DID I D10%V DSV A10%50 VDS= °.2%VDS （对二种情非饱和状态I D 7%C oxWL 2V GS —V Gsth V DS —V Ds 】打 0.1m Av 2109 5—0.8 0.2 - 0.22 0.82mA（d ）当 V GS =V DS =5V 时，V DS V Gs-V Gsth , MOSFET 处于饱和状态I D 二AnG 辛 V GS -V Gsth 2 多 0.1mA v 210 5-0.8=8.82mA4-4 N 沟道 EMOSFET 的 V GS （th ）=1V ,卩 n C ox （W/L ） =0.05mA/V 2, V GS =3V 。