氮化硅

氮化硅

由于科学技术的不断发展需要，科学家们一直在不停顿地寻找适用于苛刻条件下使用的理想的新材料。在层出不穷的大量新材料队伍中，氮化硅陶瓷可算是脱颖而出，十分引人注目，日益受到世界各国科学家们的重视。

氮化硅（Si3N4）是氮和硅的化合物。在自然界里，氮、硅都是极其普通的元素。氮是生命的基础，硅是无机世界的主角，这两种元素在我们生活的世界上无所不在，然而，至今人们还未发现自然界里存在这两种元素的化合物。

氮化硅是在人工条件下合成的化合物。虽早在140多年前就直接合成了氮化硅，但当时仅仅作为一种稳定的“难熔”的氮化物留在人们的记忆中。二次大战后，科技的迅速发展，迫切需要耐高温、高硬度、高强度、抗腐蚀的材料。经过长期的努力，直至1955年氮化硅才被重视，七十年代中期才真正制得了高质量、低成本，有广泛重要用途的氮化硅陶瓷制品。开发过程为何如此艰难，这是因为氮化硅粉体和氮化硅陶瓷制品之间的性能和功能相差甚远，没有一个严格而精细的对氮化硅粉体再加工过程，是得不到具有优异性能的氮化硅陶瓷制品的。没有氮化硅陶瓷就没有氮化硅如今的重要地位。

1.优异的性能

氮化硅陶瓷的优异的性能对于现代技术经常遇到的高温、高速、强腐蚀介质的工作环境，具有特殊的使用价值。比较突出的性能有：

(1)机械强度高，硬度接近于刚玉，有自润滑性，耐磨。室温抗弯强度可以高达980MPa以上，能与合金钢相比，而且强度可以一直维持到1200℃不下降。

(2)热稳定性好，热膨胀系数小，有良好的导热性能，所以抗热震性很好，从室温到1000℃的热冲击不会开裂。

(3)化学性能稳定，几乎可耐一切无机酸（HF除外）和浓度在30％以下烧碱（NaOH）溶液的腐蚀，也能耐很多有机物质的侵蚀，对多种有色金属熔融体（特别是铝液）不润湿，能经受强烈的放射辐照。

(4)密度低，比重小，仅是钢的2/5，电绝缘性好。

2.重要的应用

氮化硅陶瓷的应用初期主要用在机械、冶金、化工、航空、半导体等工业上，作某些设备或产品的零部件，取得了很好的预期效果。近年来，随着制造工艺和测试分析技术的发展，氮化硅陶瓷制品的可靠性不断提高，因此应用面在不断扩大。特别值得赞赏的是，正在研制氮化硅陶瓷发动机，并且已经取得了很大的进展，这在科学技术上成为举世瞩目的大事。有关应用的主要内容有：

(1)在冶金工业上制成坩埚、马弗炉炉膛、燃烧嘴、发热体夹具、铸模、铝液导管、热电偶测温保护套管、铝电解槽衬里等热工设备上的部件。

(2)在机械工业上制成高速车刀、轴承、金属部件热处理的支承件、转子发动机刮片、燃气轮机的导向叶片和涡轮叶片等。

(3)在化学工业上制成球阀、泵体、密封环、过滤器、热交换器部件、固定化触媒载体、燃烧舟、蒸发皿等。

(4)在半导体、航空、原子能等工业上用于制造开关电路基片、薄膜电容器、承受高温或温度剧变的电绝缘体、雷达天线罩、导弹尾喷管、原子反应堆中的支承件和隔离件、核裂变物质的载体等。

(5)在医学工程上可以制成人工关节。

(6)正在研制的氮化硅质的全陶瓷发动机代替同类型金属发动机。

所有这些应用都有很好的或者突出的经济效益和社会效益，甚至是重大变革。如用于制作刀具，耐用度比合金车刀高4～5倍，可以实现高速切削和断续切削，切削效率可提高2.2～10倍，对金属材料的车削光洁度可达到七级。如用于化工厂的耐蚀泵、轴承、设备，可以保证长期正常运转，增加生产，建立“无泄漏工厂”。如用于制造发动机成为现实，则将是热机的根本变革，具有划时代的意义。那时的发动机的机械效率将达到45～50％，可望实现发动机的轻量、小型、高

功率、节能、省料、高速度以及长寿命、少污染等目标。

3.氮化硅粉体的制造方法：

要制得高性能的氮化硅陶瓷制品，一般说来首先要有高质量的氮化硅粉料。理想的氮化硅粉料应是高纯、超细、等轴、球形、松散不团聚的一次粒子。实际上，目前要获得较为理想的Si3N4粉料，还未根本解决。根据文献资料的报导，

现在用以制造氮化硅粉料的方法已经较多，如：

(1)硅粉直接氮化法

3Si+2N2→Si3N4

(2)二氧化硅碳热还原法

2SiO2+6C+2N2→Si3N4+6CO

(3)四氯化硅或硅烷与氨的高温气相合成法

3SiCl4+4NH3→Si3N4+12HCl

3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2

(4)亚氨基硅或氨基硅的热分解法

3Si（NH）2→Si3N4+2NH3

3Si（NH2）4→Si3N4+8NH3

其它还有激光法、等离子体法等等方法。以下主要介绍硅粉直接氮化合成法。

一、生产工艺流程示意图：见图4—8。

二、主要工艺条件

(1)原料处理

常用的市售工业硅块总会含有一些金属氧化物，如钾、钠、铁、钙等的氧化物；工业氮气和氢气也总会含有少量的水、氧气等，这些都必须经过严格检测，并净化至允许的含量。

对硅粉的要求粒度＜40μm，对其中所含的金属杂质，一般可用酸洗的方法除去，对于球磨时带入的超硬合金杂质可用重力法或磁性法除去。硅粉表面的氧化膜可在氮化前通过还原活化法除去，即在低于烧结温度下，反复用低于常压的氢气还原和真空交换处理，待氧化膜除去后再进行氮化合成操作。

氮气中若含水和氧，在硅氮合成反应时，氧和水蒸汽首先会使硅粉表面生成二氧化硅，影响氮化反应；而且在高温作用下，二氧化硅又可以与硅反应生成气态的一氧化硅或SiO2分解生成一氧化硅，而造成硅组分的损失：

SiO2（固）+Si（固）→2SiO（气）

生成物氮化硅在高温下也会受氧气和水蒸汽的明显腐蚀。所以应尽可能地将其全部除去。气体净化系统示意图如下：

其中氧气的脱除是通过灼热的铜屑生成氧化铜，由于同时通入了氢气，既可以保持铜屑的活性，又可以使氧最终转化成水而易于除去：

(2)氮化合成反应

氮化反应是在氮化炉中进行的，氮化炉内的温度由炉壁内的发热体和控温系统来调节。

氮化反应开始进行非常缓慢，600～900℃反应才明显，1100～1320℃反应剧烈进行。粒度符合要求的硅粉，也要经过大约10小时才可以氮化完全。硅粉粒度大于40μm以上时，将难以氮化彻底。

因氮化反应中会放出大量反应热（727.5kJ/molSi3N4），所以在氮化初期应严格控制升温速度，以避免因积热引起局部过温，超过硅的熔点（1420℃）使硅粉熔合成团，妨碍继续氮化。所以整个氮化合成反应过程中控制温度≤1400℃为宜。

(3)氮化硅粉料的后处理

合成的氮化硅由于各种原因粒度不能满足要求，所以还需根据具体情况进行球磨、酸洗等后处理，最后要求至少得到粒度小于1μm的氮化硅粉料。但往往粒度分布较宽，颗粒表面及几何形状也不易符合理想要求，这是该法的缺点之一。

该方法合成氮化硅粉料，尽管工艺比较成熟，质量稳定，重复性好，粒度也可以基本满足，成本较低，但是存在粉料的纯度和相组成较难严格控制等问题，所以还需要进一步改进和完善这一工艺，以提高氮化硅粉料的质量。

4.氮化硅陶瓷的制造