常见器件损耗计算新选
功率器件损耗计算
功率器件损耗计算功率器件的损耗计算是电力系统设计中非常重要的一部分。
功率器件损耗是指在功率器件（如变压器、线路、电机等）中转化过程中消耗的能量，主要表现为热量的形式。
对于电力系统而言，合理估算和控制功率器件的损耗，可以提高系统的效率，减少能源的浪费。
首先，我们需要明确功率器件的类型和工作原理，以便准确估算其损耗。
常见的功率器件包括变压器、电动机、发电机、电缆等。
不同的功率器件有不同的损耗计算方法。
对于变压器而言，其损耗主要包括铜损和铁损。
铜损是由于电流通过变压器的线圈时产生的电阻而造成的损耗，可以通过欧姆定律计算。
铁损则是由于变压器的铁芯在磁场作用下产生涡流和剩磁损耗而引起的，可以通过变压器的参数和工作条件来计算。
对于电机而言，其损耗主要包括铜损、机械损失和铁损。
铜损和铁损的计算方法与变压器类似。
机械损失主要包括轴承摩擦损失、风阻损失等，可以通过测量和实验进行估计。
对于发电机而言，其损耗主要包括电枢损耗、铁损和机械损失。
电枢损耗是由于电流通过发电机的电枢时引起的铜损，可以通过测量和实验进行估算。
铁损和机械损失的计算方法与上述类似。
对于电缆而言，其损耗主要包括电阻损耗和电介质损耗。
电阻损耗是由于电流通过电缆的导体时引起的铜损。
电介质损耗是由于电缆的绝缘材料在电场作用下引起的能量损耗，可以通过测量和实验进行估算。
除了以上常见的功率器件，还有很多其他的器件（如开关、保护器等）在电力系统中也会引起一定的损耗。
这些损耗可以通过测量、实验和理论计算等方法进行估算。
总的来说，功率器件的损耗计算需要考虑器件的类型、参数和工作条件等因素，并结合实际情况进行估算。
合理估算和控制功率器件的损耗，可以提高电力系统的效率，减少能源的浪费，对于电力系统的设计和运行至关重要。
MOSFET损耗计算
MOSFET损耗计算MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于电力电子领域。
在使用MOSFET进行功率开关时，会产生一定的损耗，包括导通损耗和关断损耗。
正确计算MOSFET的损耗对于设计和选择合适的散热系统非常重要，下面将详细介绍MOSFET的损耗计算方法。
1.导通损耗计算：导通损耗是指MOSFET在导通状态下产生的功耗。
导通损耗可以通过以下公式计算：P_cond = I^2 * Rds(on)其中，P_cond为导通损耗，I为MOSFET的导通电流，Rds(on)为MOSFET的导通电阻。
导通损耗主要由两部分组成：静态导通损耗和动态导通损耗。
静态导通损耗是指MOSFET在导通状态下的稳态功耗，可以通过上述公式计算得到。
动态导通损耗是指由于MOSFET的导通电阻在开关过程中的变化引起的功耗，通常可以通过MOSFET的参数手册或者开关特性曲线来得到。
2.关断损耗计算：关断损耗是指MOSFET在关断状态下产生的功耗。
关断损耗由MOSFET 的关断电流和关断电压引起，可以通过以下公式计算：P_sw = Vds * Id * t_sw其中，P_sw为关断损耗，Vds为MOSFET的关断电压，Id为MOSFET 的关断电流，t_sw为关断时间。
关断损耗由两部分组成：静态关断损耗和动态关断损耗。
静态关断损耗是指MOSFET在关断状态下的稳态功耗，可以通过上述公式计算得到。
动态关断损耗是指由于开关过程中MOSFET的关断电流和关断时间的变化引起的功耗，通常可以通过MOSFET的参数手册或者开关特性曲线来得到。
3.总损耗计算：总损耗是指MOSFET在导通和关断状态下产生的功耗之和。
总损耗可以通过以下公式计算：P_total = P_cond + P_sw4.散热设计：4.1确定MOSFET的最大工作温度，一般来说，MOSFET的最大工作温度应该低于其额定温度。
4.2 计算MOSFET的热阻（Rth）：Rth = (Tj - Ta) / P_total其中，Tj为MOSFET的结温，Ta为环境温度，P_total为MOSFET的总损耗。
变频器功率器件选型与损耗计算
L2
-
B
C1
直流电感取值不当的坏处
过大 过小 母线电容的纹波电流 带恒功率负载时，容 过大，产生较大损耗， 易出现振荡 缩短电容寿命 电抗器压降过大，直 流母线电压偏低
功率因数降低
较高的THD
直流电抗器与系统稳定性
带恒功率负载时，等效电路传递函数 的特征方程为
R P 1 O _ DC DC s s 2 LDC C V LDC C DC DC DC
直流电抗器选型
直流电抗器选型
直流电抗器的感值过大或过小，都会 导致不好的后果。
L1
k k k
T1
g a
T2
g a
T3
g a
A
+
Controlled Current Source
s
C
-P Load D1 D2 D3
+ v -
Three-Phase Source
Divide
Voltage Measurement
Kf KB
整流器损耗计算
二极管模型
二极 管可近似 等效为一 个直流电 压源与一 个电阻串 联的模型。
整流器的损耗
由于采用工频整流，因此开关损耗相 对导通损耗而言很小，主要考虑导通损耗。
2 Ploss _ arm VTO I AV _ Re c I RMS _ Re c r T
2
RDC PO _ DC 1 2 VDC
0
式中，RDC为整流滤波回路上的直流等 效电阻，LDC为直流电感，VDC为直流母线 电压的平均值。
直流电抗器与系统稳定性
一般地，有
RDC PO _ DC VDC
2
主要电感损耗计算方法
主要电感损耗计算方法电感损耗是电感器件中电流通过时产生的能量损耗，主要由电阻损耗和涡流损耗两部分组成。
以下是主要的电感损耗计算方法。
1.电阻损耗计算方法：电感器件内部的电阻引起的功率损耗称为电阻损耗。
通常可以通过以下公式计算电阻损耗：P_R=I^2*R其中，P_R为电阻损耗功率，I为电感器件通过的电流，R为电感器件的电阻。
2.涡流损耗计算方法：涡流损耗是由于电感器件内部的导体中电流变化引起的能量损耗。
涡流损耗与导体的电导率、导体材料、导体形状、导体尺寸、磁场的频率和幅度等因素有关。
通常可以通过以下公式计算涡流损耗：P_e=K*B^2*f^2*V_m*A其中，P_e为涡流损耗功率，K为比例系数，B为磁感应强度，f为磁场的频率，V_m为磁场变化的速度，A为涡流密度。
3.总损耗计算方法：电感器件的总损耗等于电阻损耗和涡流损耗的和，即：P_total = P_R + P_e4.温升计算方法：电感损耗会产生热量，导致电感器件温度升高。
可以通过以下公式计算电感器件温升：ΔT = P_total / (M * C)其中，ΔT为温升，P_total为总损耗功率，M为电感器件的质量，C 为电感器件的比热容。
需要注意的是，电感器件中的磁芯材料对涡流损耗有很大影响。
常见的磁芯材料有铁氧体、软磁合金等，它们具有不同的磁导率和导电性能，因此涡流损耗也会有所不同。
此外，对于高频电感器件的损耗计算，还需要考虑器件的限频特性和损耗因素的频率依赖性。
不同频率下的涡流损耗和电阻损耗也有所不同。
这时需要根据具体情况运用适当的理论模型和计算方法进行分析。
常见器件损耗计算
常见器件损耗计算方法----开关电源电磁元件类输入滤波器 差模电感器以铜损为主，器件工作频率低，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)共模电感器以铜损为主，由于噪声的Vt 值小，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)PFC 电路 PFC 电感器以铜损为主，磁损为副，磁芯磁导率/工作状态表现为增量磁导率，即在一定偏置磁场下叠加一振幅较小的交变磁场；磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 最大电流峰值：低压输入时峰值处的纹波电流di 、工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi ∙=→∙∙= L 是工作状态时的电感量，磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关；FeSiAl 粉芯材料损耗公式--损耗与磁导率无关：46.10.2dB fP Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz附：参考损耗曲线图—推导损耗公式：查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core ∙= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=DC~DC 电路 谐振电感器以磁损为主，铜损为副，不考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 (最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi ∙=→∙∙= L 是工作状态时的电感量，由于谐振电感器的电感量要求基本不变化，与来料的承认书要求一致；di 取电感器输入有效电流值I RMS ；dB 是双向工作状态，故工作时的磁密取值为2Bm ，所以以下的磁芯损耗取值为Bm磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关； MMP –26材粉芯材质：55.225.1437.5dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHzMMP –60材粉芯材质：24.241.1625.0dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core ∙= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=主变压器以磁损为主，铜损为副，考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算； 由于方波的损耗要比正弦波损耗低10%，故损耗可降低10%；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下原副边直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下原副边直流电阻值R 0、占空比Dmax 、(最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)邻近效应系数：为了简化计算，我们通过以下绕制方式进行系数增加损耗，条件为1. d/T=<1 (d/T 是导体直径与趋肤深度之比，d ：导体直径(mm) T ：趋肤深度(mm))2. 原边一次绕制完成层数<2层3. 副边一次绕制层数<3层S RMSS P RMSP cuTotal R I R I P 11021102+=磁损计算：通过法拉第定律，推导工作磁密dtdB NAe dt d NV ==φ双向磁化时的工作磁密为 Bm dB 2=NAeVTonBm 2=，移向全桥时，NAef VD Bm MAX 4=单向磁化时的工作磁密为NAeVTonBm dB ==磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core ∙= Core P 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 ，Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=附：邻近效应分析对计算圆形截面导体中，由邻近效应引起的损耗为：cP Gr Id B w P ρ12814159.3422=P p ：邻近效应损耗；w ：磁场角速度；B ：磁感应强度；l ：导体长度；d ：导体直径； Gr ：邻近效应因子；P C ：导体电阻率；邻近效应因子Gr 是无量纲因子，它的变化规律仅适合于圆形截面积导体。
变频器功率器件损耗计算
vo 2V0 sin(t )
(
V
/
2
v
)
d
(
v
(
V
/
2
))(
1
d
)
dc
o
IGBT
o
dc
IGBT
1
d
1
m
sin(
t
)
IGBT
2
2V 0
m
V dc / 2
IGBT模块损耗计算(两电平)
•
IGBT通态损耗计算
Pfw
T
1
=
2π
π
0
[VCE 0 + rCE ∙ I p sin t ] ∙ I p sin t ∙
应的点(VF2,IF2)，由此可得
进一步求得
rF
VF1 VF2
IF1 IF2
V
V
r
IF1
F
0
F
1
F
IGBT模块损耗计算
Lin
Ldc
Lout
R
U
S
V
T
W
IGBT模块损耗计算
•
IGBT模块损耗构成
IGBT通态损耗：
IGBT开关损耗：
Pfw /T
1
=
T
T
0
VCE (t) ∙ iC (t)dt
1
二极管通态损耗
IGBT和二极管的开关损耗与SPWM调制相同。
2
I
I
1I
p
p
p1 2 1
2
P
功率器件损耗计算
功率器件损耗计算于两个方面：器件内部和器件外部。
器件工作时所耗散的功率要通过发热形式耗散出去。
若器件的散热能力有限，则功率的耗散就会造成器件内部芯片有源区温度上升及结温升高，使得器件可靠性降低，无法安全正常工作。
在实际应用中，为了保证某些重要功率器件，在这些器件上使用散热器来控制其的工作温升。
功率器件常用的散热方式是使用散热器。
散热器设计的选用主要依靠功率器件的损耗发热量。
在计算出损耗量的前提下，对散热器的各个参数进行设计。
在开关电源系统中功率器件有7 个IGBT 和2 个整流桥，其损耗量计算如下：IGBT 的散热器有两组：其中U1、U2、U3 为一组，U4、U5、U6、U7 为一组。
U1、U2、U3 损耗：流过电流Io=228A工作电压Vcc=620V工作频率fc=3kHZ其它计算参数由CM600DU-24NFH 提供的参数表查得;通过CM600DU-24NFH 自带损耗计算软件可算得一个IGBT 模块的损耗量，如下图：由计算结果可知：P1=389.51WPo=3 乘以P1=3 乘以389.51=1168.53WU4、U5、U6、U7 损耗：流过电流Io=114A工作电压Vcc=620V工作频率fc=20kHZ其它计算参数由CM600DU-24NFH 提供的参数表查得;通过CM600DU-24NFH 自带损耗计算软件可算得一个IGBT 模块的损耗量，如下图：由计算结果可知：P1=476.82WPo=4 乘以P1=4 乘以476.82=1907.28W整流桥D1、D2 损耗计算整流桥是由四个二极管构成，主要的损耗来自二极管PN 结。
二极管的损耗包括正向导通损耗、反向恢复损耗和断态损耗。
肖特级二极管的反向时间很短，反向损耗可以忽略不计。
一般来说，二极管的截止损耗在总功耗中所占的比例很小，可以忽略不计。
在实际应用中，只考虑其的正向导通损耗。
二极管的正向导通损耗可由下式求出：v L@--防复制原创安全保护系统a),S #$`Pdiode.F=VFIFd@_bo]Kpqq]--cn-pereMHUhp|=式中VF DD 二极管正向导通压降; ujOn?€}4--防复制原创安全保护系统w Yu5 4I+IF DD 二极管的正向导通电流; |W+)w F--未经许可，禁止转载Hinwl N])dDD 二极管工作的占空比根据查SKKE 310F 参数可知：VF = 2.1 V IF=400 A d = 0.25由此可得单个二极管的损耗Pdiode.FPdiode.F=VFIFd=2.1V 乘以400A 乘以0.25=210W整流桥中的四个上二极管是交替工作的,每次工作是只有两个,所以整流桥的损耗为二极管的两倍，则：P=2 乘以Po=2 乘以210W=420W整个开关电源系统中共有两个整流桥同时工作，它们共有一个散热器进行散热。
功率半导体元件的损耗计算分析方法
影响IGBT的损耗的损耗的因 素
导通损耗主要由以下因素决定 - 导通电流（输出特性曲线VCE=f(IC)确定） - Duty Cycles 开关损耗主要由以下因素决定 - 导通电流 - DC 关断电压 - 开关频率
相关概念
IGBT和DIODE输出特性曲线
VCE (t ) = VCE 0 + K * I CE (t )
VF (t ) = VF 0 + K * I F (t ) − −方法一
相关概念—IGBT损耗分布
IGBT总损耗
导通损耗
开关损耗
驱动损耗
开通损耗
关断损耗
Ptot / T = Pon / T + Pswon / T + Pswoff / T
F 0
F
(t )dt
DIODE的损耗—关断损耗
关断损耗主要与二极管的反向恢复电流有 关. 求得二极管平均电流,作为IF, VD为反 向恢复电压. 反向恢复电流与VD的积分为 二极管的关断损耗.
热阻分析
Ploss
Rthjunction-case Rthcase-sink Rthsink-ambient Ta
DIODE的损耗—导通损耗
第四步，根据DIODE电流波形函数，及 DIODE的输出阻抗特性计算导通损耗。
VF (t ) = VF 0 + K * I F (t ) − −方法一
VF (t ) = VF (I F (t )) − −方法二
Pon _ loss
1 = Tbf
Tbf / 2
∫ V (t ) * I
讨论题目
分析两电平逆变的主要开关管的损耗,列出 分析思路,并指出温升实验时的最大允许温 度. 分析三电平逆变的主要开关管的损耗,列出 分析思路,并指出温升实验时的最大允许温 度. 分析影响开关管损耗的主要因素
开关器件开关过程损耗计算公式
开关器件开关过程损耗计算公式开关器件开关过程损耗计算公式是电力电子学中的重要内容，它是评估开关器件性能的关键指标之一。
下面是相关的公式和计算方法。
1. 理想开关器件的损耗计算公式理想开关器件的损耗只有导通损耗和关断损耗两种，可以用下面的公式计算：$P_{SW} = V_{DS} \cdot I_D \cdot (t_{on} + t_{off}) \cdot f_{SW}$其中，$P_{SW}$ 是开关器件的总损耗，$V_{DS}$ 是开关器件的漏电压降，$I_D$ 是开关器件的平均导通电流，$t_{on}$ 是开关器件的导通时间，$t_{off}$ 是开关器件的关断时间，$f_{SW}$ 是开关器件的开关频率。
2. 实际开关器件的损耗计算公式实际开关器件的损耗比理想开关器件要复杂，因为实际开关器件存在许多非理想因素，比如开关器件的内部电阻、电感、电容等等。
因此，实际开关器件的损耗可以分为导通损耗、关断损耗、开关过渡损耗和反向恢复损耗四种，可以用下面的公式计算：$P_{SW} = P_{con} + P_{dis} + P_{tr} + P_{rr}$其中，$P_{con}$ 是导通损耗，可以用下面的公式计算：$P_{con} = V_{DS} \cdot I_D \cdot t_{on} \cdot f_{SW}$$P_{dis}$ 是关断损耗，可以用下面的公式计算：$P_{dis} = V_{DS} \cdot I_D \cdot t_{off} \cdot f_{SW}$$P_{tr}$ 是开关过渡损耗，可以用下面的公式计算：$P_{tr} = \frac{1}{2} \cdot V_{DS} \cdot I_D \cdot (t_{r} + t_{f}) \cdot f_{SW}$$P_{rr}$ 是反向恢复损耗，可以用下面的公式计算：$P_{rr} = V_{RR} \cdot I_{RR} \cdot f_{SW}$其中，$t_{r}$ 和$t_{f}$ 分别是开关器件的上升时间和下降时间，$V_{RR}$ 和$I_{RR}$ 分别是开关器件的反向恢复电压和反向恢复电流。
开关器件开关过程损耗计算公式
开关器件开关过程损耗计算公式
开关器件是电子电路中常用的元件，它可以控制电路的通断，实现电路的开关功能。
在开关器件的使用过程中，会产生一定的损耗，这些损耗会影响电路的性能和稳定性。
因此，了解开关器件开关过程的损耗计算公式是非常重要的。
开关器件的损耗主要包括导通损耗和关断损耗两部分。
导通损耗是指在开关器件导通状态下，由于电流通过器件产生的损耗。
关断损耗是指在开关器件关断状态下，由于电感和电容等元件的反向电压产生的损耗。
在计算开关器件的导通损耗时，可以使用以下公式：
Pd = Vce × Ic
其中，Pd表示导通损耗，Vce表示开关器件的导通电压，Ic表示开关器件的导通电流。
这个公式的意义是，导通损耗等于导通电压和导通电流的乘积。
在计算开关器件的关断损耗时，可以使用以下公式：
Pf = Vf × If
其中，Pf表示关断损耗，Vf表示开关器件的反向电压，If表示开关器件的反向电流。
这个公式的意义是，关断损耗等于反向电压和反向电流的乘积。
需要注意的是，开关器件的损耗与其工作状态、工作频率、温度等因素都有关系。
因此，在实际应用中，需要根据具体情况进行计算和分析，以确保电路的稳定性和可靠性。
开关器件的损耗计算是电子电路设计和应用中的重要内容。
掌握开关器件的损耗计算公式，可以帮助我们更好地理解开关器件的工作原理，优化电路设计，提高电路的性能和稳定性。
开关器件开关过程损耗计算公式
开关器件开关过程损耗计算公式开关器件是电路中常用的元件，用于控制电流的通断。
在开关过程中，由于器件内部存在一定的电阻和电容，会产生一定的损耗。
开关过程损耗的计算公式如下：损耗 = 0.5 * C * U^2 * (1 - cos(2π * f * t))其中，C为开关器件的等效电容，U为开关器件的电压，f为开关频率，t为开关时间。
开关过程损耗主要包括导通损耗和关断损耗。
导通损耗是指在开关器件导通时，由于内部电阻产生的功耗。
关断损耗是指在开关器件关断时，由于内部电容放电产生的功耗。
在导通过程中，开关器件的电压为正，电流流经器件内部的导通电阻，产生导通损耗。
导通损耗与电压的平方成正比，与导通时间成正比。
因此，当电压或导通时间增大时，导通损耗也会增大。
在关断过程中，开关器件的电压为负，内部电容需要放电。
由于放电过程中存在电流，会产生关断损耗。
关断损耗与电压的平方成正比，与关断时间成正比。
因此，当电压或关断时间增大时，关断损耗也会增大。
通过以上公式，我们可以计算出开关过程的损耗。
在实际应用中，为了减小损耗，可以采取以下措施：1. 选择合适的开关器件。
不同类型的开关器件有不同的导通电阻和关断电容，选择合适的器件可以降低损耗。
2. 降低开关频率。
开关频率越高，导通和关断的次数越多，损耗也越大。
因此，降低开关频率可以减小损耗。
3. 控制开关时间。
合理控制开关时间可以减小损耗。
过长的开关时间会增加导通和关断的时间，导致损耗增加。
4. 优化电路设计。
合理布局和连接电路可以降低导线的电阻和电感，减小损耗。
开关过程损耗是开关器件在导通和关断过程中产生的功耗。
通过合理选择器件、降低频率、控制时间和优化电路设计，可以减小损耗，提高电路效率。
在实际应用中，需要根据具体情况进行计算和优化，以实现更好的性能和节能效果。
电容损耗计算公式(一)
电容损耗计算公式(一)
电容损耗计算公式
1. 损耗角正切公式
损耗角正切公式是用来计算电容器的损耗角正切的公式，表示为：tan(δ) = Ic / (V × ω × C)
其中，tan(δ)是损耗角正切，Ic是电容器的损耗电流，V是电容器的电压，ω是电容器的工作角频率，C是电容器的电容值。
2. 损耗功率公式
损耗功率公式是用来计算电容器的损耗功率的公式，表示为：
P = V × Ic × cos(δ)
其中，P是电容器的损耗功率，V是电容器的电压，Ic是电容器
的损耗电流，cos(δ)是损耗角的余弦。
3. 举例说明
假设有一个电容器的电压为200V，电容值为100μF，工作频率为
1kHz。
根据上述公式，可以计算出该电容器的损耗角正切和损耗功率。
首先，计算损耗角正切：
tan(δ) = Ic / (V × ω × C)
= Ic / (200 × 2π × 1000 × )
≈ Ic /
如果已知损耗角正切的值，可以进一步计算出损耗功率：
P = V × Ic × cos(δ)
= 200 × Ic × cos(δ)
假设损耗角正切为，代入上述公式进行计算：
200 × Ic × = P
Ic = P / (200 × )
通过以上公式计算，可以得到该电容器的损耗角正切和损耗功率的数值。
以上所列举的计算公式是电容损耗计算中常用的公式，可根据具体的电容器参数进行计算，帮助工程师进行设计和分析。
功率器件损耗计算
功率器件损耗计算在进行功率器件损耗计算时，需要考虑以下几个主要方面：1.集成电路：对于集成电路，损耗主要来自于内部晶体管的开关和传导损耗，以及电流通过它们时发生的漏电流散热损耗。
为了计算这些损耗，需要知道器件的开关速度、开关频率和电流负载等参数。
2.晶体管：对于晶体管，损耗主要来自于导通和截止过程中的能量耗散。
导通损耗由导通电压降和电流给出，截止损耗由输入和输出电容充放电时发生。
3.二极管：对于二极管，损耗主要包括正向电压降损耗和反向漏电流损耗。
正向电压降损耗由电流和电压给出，反向漏电流损耗由反向电压和反向电流给出。
4.功率模块：功率模块通常由多个功率器件组成，包括晶体管、二极管和其他被动元件。
在计算功率模块的损耗时，需要将各个器件的损耗相加。
在进行功率器件损耗计算时，需要使用适当的数学模型和公式。
以下是常用的一些方法和公式：1.线性电阻损耗计算：线性电阻损耗定义为电流通过电阻时产生的热量。
线性电阻损耗可以通过下式计算：P=I^2*R，其中P是功率损耗，I是电流，R是电阻。
2. 平方导通损耗计算：平方导通损耗定义为晶体管导通时电流和电压的乘积。
平方导通损耗可以通过下式计算：P = I^2 * Rds(on)，其中P是功率损耗，I是电流，Rds(on)是漏极-源极导通电阻。
3. 漏电流损耗计算：漏电流损耗定义为晶体管截止时漏极和源极之间的电压乘以反向漏电流。
漏电流损耗可以通过下式计算：P = Vds * Idss，其中P是功率损耗，Vds是漏极-源极电压，Idss是漏电流。
4.功率模块损耗计算：对于功率模块，可以通过将各个器件的损耗相加来计算总的功率损耗。
除了以上提到的计算方法和公式，还可以使用电路模拟软件进行功率器件损耗的模拟和计算。
这些软件可以提供更准确的结果，并且可以考虑更多的因素，如温度、材料特性等。
最后，功率器件损耗的计算对于设计和优化电路非常重要，可以帮助电路设计师确定器件的散热需求，评估电路的效能，并提高电路的可靠性。
开关电源电磁元件损耗计算
磁芯损耗 磁芯单位损耗 磁芯体积 PCore = PFe •Ve Pcore
mW PFe
mW/cm3 Ve
mm3
总损耗 为 PTotal
PTotal = PCu + PCore
主变压器
以磁损为主，铜损为副，考虑邻近效应 磁磁芯芯磁损导耗率只能/工近作似状采态用表标现准为功振耗幅测磁试导的率一，定即频交率变和磁工场作单磁向密或下双的向正振弦幅波大损的耗磁进导行率计；算； 由于方波的损耗要比正弦波损耗低 10%，故损耗可降低 ； 10%
常见器件损耗计算方法 ----开关电源电磁元件类
输入滤波器 差模电感器
以铜损为主， 器件工作频率低，故磁损忽略
哪哪些些参参数数来需自要设Da计ta提sh供ee或t/实承测认提书供？？----常-常温温242℃4℃下下直直流流电电阻阻值值RR0 0M、ax输入有效电流值 IRMS
工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为 110℃，电阻值 R110 为
层
绕制结构 原~副~原~副/副~原~副~原 原~副~原/副~原~副 原~副/副~原
铜损总功耗乘积
2Ppri+1.5Psec 2Ppri+3Psec 3Ppri+3Psec
总铜损为原副边铜损之和，若考虑邻近效应，按上式进行计算：
PcuTotal
=
I R 2 RMSP 110P
+
I
2 RMSS
R110S
磁芯单位损耗 工作磁密 工作频率 PFe = af c Bmd PFe
mW/cm3 dB
kG f
kHz
工作频率
a
c
d
f<100kHz
器件损耗计算
器件损耗计算1. 开关器件损耗计算 U inU BUS-U BUSSCR IGBT图1 PFC-BOOST 原理图输入电压wt V wt V t u in CP in sin 2sin )(⋅⋅=⋅=；输入电流wt I t i CP in sin )(⋅=；输出电压BU S out V U =1.1. IGBT 损耗1.1.1 IGBT 导通损耗IGBT 占空比wt m V wt V U t u t D BUS in out in IGBT sin 1sin 21)(1)(⋅-=⋅⋅-=-= 其中BUS in V V m ⋅=2 IGBT 导通压降，工程处理上根据datasheet 上的特性曲线拟合出导通压降u CE (t)关于i C (t)的函数式))(()(t i f t u C CE =常以一次函数式表示cond IG BT C CE CE R t i V t u _0)()(⋅+=IGBT 导通损耗⎰⎰⋅⋅⋅⋅=⋅⋅⋅⋅=ππ200_)()()(21)()()(1dwt wt D wt i wt u dt t D t i t u T P C CE T C CE cond IGBT ⎰⋅⋅⋅⋅=ππ0)()()(21dwt wt D wt i wt u C CE ⎰⋅⋅-⋅⋅⋅⋅⋅+⋅=ππ0_0)sin 1()sin ()sin (21dwt wt m wt I R wt I V CP cond IGBT CP CE )34222(2_0_0CP cond IGBT CE CP cond IGBT CE CP I m R V m I R V I ⋅⋅⋅-⋅⋅-⋅⋅+⋅=πππ 1.1.2 IGBT 开关损耗IGBT 开关损耗⎰⋅⋅⋅=T C CE SW IGBT dt t i t u T P 0_)()(1 ⎰⋅⋅⋅=ππ0)()(21dwt wt i wt u C CE ⎥⎦⎤⎢⎣⎡⋅+⋅⋅⋅⋅=SW off on test test P BUS IGBT f E E I U I V n )(21π 其中，E on 和E off 为IGBT 的datasheet 上给出U test 和I test 条件下测试得到的开通和关断损耗，n IGBT 为桥臂上并联的IGBT 数目。
功率半导体元件的损耗计算分析方法
功率半导体元件的损耗计算分析方法引言：功率半导体元件在各种电力电子设备中广泛应用，如电源、变频器和驱动器等。
由于功率半导体元件在工作过程中会产生一定的损耗，因此准确计算和分析功率半导体元件的损耗是非常重要的。
本文将介绍功率半导体元件的损耗计算分析方法，包括导通损耗和开关损耗的计算方法。
一、导通损耗的计算方法导通损耗是功率半导体元件在导通状态下产生的损耗，主要由通态电阻引起。
导通损耗的计算方法如下所示：1.确定导通状态的电流和电压：根据电路工作条件和元件的导通方式，确定导通状态的电流和电压。
2.计算导通状态下的功率：使用下式计算导通状态下的功率：P_on = I_on * V_on3.计算导通损耗：使用下式计算导通损耗：P_cond = I_on^2 * Rds_on其中，Rds_on为通态电阻。
二、开关损耗的计算方法开关损耗是功率半导体元件在开关状态下产生的损耗，主要由开关过程中产生的开关电压和开关电流引起。
开关损耗的计算方法如下所示：1.确定开关状态的电流和电压：根据电路工作条件和元件的开关方式，确定开关状态的电流和电压。
2.计算开关状态下的功率：使用下式计算开关状态下的功率：P_sw = V_sw * I_sw * f_sw其中，V_sw为开关电压，I_sw为开关电流，f_sw为开关频率。
3.计算开关损耗：使用下式计算开关损耗：P_sw = V_sw * I_sw * t_sw其中，t_sw为每个开关周期内的开关时间。
三、损耗的分析和优化方法对于功率半导体元件的损耗分析和优化，以下是几种常用的方法：1.模拟仿真：使用电路仿真软件，将元件的导通和开关过程模拟为电路模型，进行电路仿真，得到元件的导通损耗和开关损耗。
2.实验测量：使用实验仪器，如功率分析仪和示波器，测量元件在实际工作条件下的导通损耗和开关损耗。
3.确定损耗最大的元件：通过计算和分析，确定在实际工作条件下损耗最大的元件，针对该元件进行优化设计。
常见器件损耗计算
常见器件损耗计算在电子电路中，器件损耗是指电子器件在工作过程中产生的能量损耗。
器件损耗不仅会影响电路的效率，还会产生热量，可能导致器件过热甚至损坏。
因此，准确计算器件的损耗非常重要。
常见的器件损耗计算包括电阻损耗、电容损耗和电感损耗。
1.电阻损耗计算：电阻是一种主动器件，当电流通过电阻时，会产生热量，产生的热量可以通过电阻损耗计算。
电阻损耗的计算公式为:P=I^2*R，其中P为电阻损耗，I为电流强度，R为电阻值。
例如，当电流为2A，电阻值为10欧姆时，电阻损耗为40瓦特。
2.电容损耗计算：电容是一种无源器件，当电压施加到电容上时，会产生电流，从而产生电容损耗。
电容损耗的计算公式为: P = (V^2 * I * f * tanδ) / 2，其中P为电容损耗，V为电压，I为电流，f为频率，tanδ为损耗角正切。
电容损耗与频率成正比，当频率越高时损耗越大。
另外，损耗角正切值越大，电容损耗越大。
例如，当电压为10伏特，电流为2安培，频率为1千兆赫，损耗角正切为0.02时，电容损耗为10瓦特。
3.电感损耗计算：电感是一种无源器件，当电流通过电感时，会产生磁场，从而产生电感损耗。
电感损耗的计算公式为:P=I^2*R，其中P为电感损耗，I为电流强度，R为电阻值。
电感损耗与当前的电流强度平方成正比，当电流强度越大时，电感损耗越大。
例如，当电流为5安培，电感器内部电阻为2欧姆时，电感损耗为50瓦特。
除了上述常见的器件损耗计算，还有一些特殊器件的损耗需要额外考虑。
例如，二极管损耗可以通过计算正向电压降和正向电流得到，晶体管损耗可以通过计算静态和动态功耗得到。
在设计电子电路时，计算器件的损耗可以帮助工程师选择合适的器件和优化电路设计，提高效率和稳定性。
因此，了解常见器件损耗计算方法对于电子工程师非常重要。
电容损耗计算公式
电容损耗计算公式电容器是一种能够储存电荷的电子元件，具有一定的电容值。
然而，由于电容器中存在着一定的电阻，导致电能没有完全存储起来，而是以热能的形式散失出去，这就是电容损耗。
电容损耗是指电容器在正常工作中由于无法将全部电能储存起来而散失的能量。
电容损耗主要分为两部分：耗散损耗和介质损耗。
一、耗散损耗（Dielectric Loss）耗散损耗主要来自电容器中的电阻性元件，例如电解液、电阻性介质等。
电容器中的电流会通过这些电阻，产生焦耳热并散失出去。
耗散损耗可以用损耗角正切（Tanδ）来表示。
Tanδ是指由于电容器介质中电流通过所产生的损耗与电流通过电容器储存电荷所产生的能量之比。
耗散损耗可以用以下公式计算：Pd = I²R其中，Pd表示耗散损耗功率，I表示电流的有效值，R表示电容器的等效电阻。
二、介质损耗（Dielectric Loss）介质损耗是指电容器内的电介质对电能的吸收和散发。
电容器中的电场作用下，存在着介质的极化过程，使得电介质中产生能量散失。
介质损耗可以用电介质损耗角正切（Tanδd）来表示。
Tanδd是指介质的损耗与储存电能所需能量之比。
介质损耗可以用以下公式计算：Pdk = (2πfCv)² / Q其中，Pdk表示介质损耗功率，f表示电容器的工作频率，Cv表示电容器的等效电容值，Q表示电容器的品质因数。
综合考虑耗散损耗和介质损耗，可以计算电容器的总损耗功率（Pt）：Pt = Pd + Pdk电容器损耗功率越大，说明电容器的损耗越大，储存电能的效率越低。
因此，在实际应用中，需要选择合适的电容器，以及降低电容器的损耗功率，提升电能的存储效率。
总结：电容损耗是电容器在正常工作中由于无法将全部电能储存起来而散失的能量。
主要分为耗散损耗和介质损耗。
耗散损耗来自电容器中的电阻性元件，可以用损耗角正切（Tanδ）来表示。
介质损耗是指电容器内的电介质对电能的吸收和散发，可以用电介质损耗角正切（Tanδd）来表示。
常用器件及馈线损耗
一、常用器件损耗表（注: 耦合器耦合口输出功率=输入功率-耦合度-插入损耗耦合器输出口输出功率=输入功率-耦合损耗-插入损耗。
）（注：功分器每个输出口的输出功率=输入功率+分配比-插入损耗。
）二、常用馈线损耗表三、移动通信室内路径损耗传播公式1、自由空间传播公式：P（L）=32.4+20lgD+20lgfD为路径(km) f为频率(MHz)2、室内路径损耗传播公式：PL（d）=31.5+10·n·lgd+FAFPL（d）为路径d的总损耗值(dB)d为路径(m)n为同层损耗因子(1.6～3.3)FAF表示不同层路径损耗附加值(10～20dB)例：假设本工程为某一宾馆的室内分布系统工程，天线输入口功率Pt=5dBm，吸顶天线增益为Gm=2.1dBi，同原预测距离为d=15米，其中n假定为2.8代入室内路径损耗传播公式，P L（15m）=31.5+10×2.8×lg15+0=31.5+32.9=64.4dB预测出距离信号源15米处的场强(设衰减储备R为10dB)P dBm =Pt+Gm-PL(15m)-R=5+2.1-64.4-10=-67.3dBm注: n=2.0为室内结构简单近似于空间n=2.6为室内结构一般复杂n=3.0为室内结构较为复杂如计算隔层路径损耗则还需调整FAF值(10dB～20dB)。
四、馈线损耗这个型号是根据那个线的直接来命名的，单位是英寸。
损耗也是不同的，具体的连接和损耗如下：移动通信基站天馈系统的路径如下：基站－1/2跳线－避雷器－8/7馈线（或者4/5馈线）－短跳线－天线，除了天线系统有一定增益外，其它线路或者器件都有一定损耗。
其中GSM900系统：1/2跳线损耗是7db/100米，7/8馈线损耗是4.03db/100米，5/4馈线损耗是2.98DB/100米，连接接头损耗是0.05DB/个接头，避雷器损耗约0.5DB。
其中GSM1800系统：1/2跳线损耗是 8 DB/100米，7/8馈线损耗是5.87DB/100米，5/4馈线损耗是4.31DB/100米，其中CDMA2000系统：由于频段和GSM900相差不多，因此损耗也差不多相同。
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常见器件损耗计算方法----开关电源电磁元件类输入滤波器 差模电感器以铜损为主，器件工作频率低，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)共模电感器以铜损为主，由于噪声的Vt 值小，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)PFC 电路 PFC 电感器以铜损为主，磁损为副，磁芯磁导率/工作状态表现为增量磁导率，即在一定偏置磁场下叠加一振幅较小的交变磁场；磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 最大电流峰值：低压输入时峰值处的纹波电流di 、工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi •=→••= L 是工作状态时的电感量，磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关；FeSiAl 粉芯材料损耗公式--损耗与磁导率无关：46.10.2dB fP Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz附：参考损耗曲线图—推导损耗公式：查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core •= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=DC~DC 电路 谐振电感器以磁损为主，铜损为副，不考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 (最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi •=→••= L 是工作状态时的电感量，由于谐振电感器的电感量要求基本不变化，与来料的承认书要求一致；di 取电感器输入有效电流值I RMS ；dB 是双向工作状态，故工作时的磁密取值为2Bm ，所以以下的磁芯损耗取值为Bm磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关； MMP –26材粉芯材质：55.225.1437.5dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHzMMP –60材粉芯材质：24.241.1625.0dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core •= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=主变压器以磁损为主，铜损为副，考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算； 由于方波的损耗要比正弦波损耗低10%，故损耗可降低10%；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下原副边直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下原副边直流电阻值R 0、占空比Dmax 、(最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)邻近效应系数：为了简化计算，我们通过以下绕制方式进行系数增加损耗，条件为1. d/T=<1 (d/T 是导体直径与趋肤深度之比，d ：导体直径(mm) T ：趋肤深度(mm))2. 原边一次绕制完成层数<2层3. 副边一次绕制层数<3层S RMSS P RMSP cuTotal R I R I P 11021102+=磁损计算：通过法拉第定律，推导工作磁密dtdB NAe dt d NV ==φ双向磁化时的工作磁密为 Bm dB 2=NAeVTonBm 2=，移向全桥时，NAef VD Bm MAX 4=单向磁化时的工作磁密为NAeVTonBm dB ==磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core •= Core P 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 ，Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=附：邻近效应分析对计算圆形截面导体中，由邻近效应引起的损耗为：cP Gr Id B w P ρ12814159.3422=P p ：邻近效应损耗；w ：磁场角速度；B ：磁感应强度；l ：导体长度；d ：导体直径； Gr ：邻近效应因子；P C ：导体电阻率；邻近效应因子Gr 是无量纲因子，它的变化规律仅适合于圆形截面积导体。
趋肤深厚：fk T =f ：频率(Hz)；T ：趋肤深度(mm)；当d /T <=1时(线材直径与趋肤深度之比)，Gr →1；要求：变压器设计时考虑将d/T 接近于1；当d /T 增加到4以上时，Gr 近似用下式表示：432(1)/()d dGr T T=-实际上更多使用损耗角正切的形式，对于与邻近效应相应的损耗角正切tan&，是人们更为关心的参数。
为简单起见，假设绕组只有一个线圈，其中填有铁氧体磁芯，设绕组空间的磁感应强度与绕组的安匝数成正比，即B 2=k N 2I 2；B 2：B 2在绕组空间的平均值；k ：常数；将邻近效应引起的损耗公式用电阻形式表示，则得到22P P P P PP I R R I=→= R p ：由邻近效应引起的损耗电阻，它与绕组相串联；因为绕组的电感量L =u 0 u e N 2/c 1，由上述公式得出下列损耗角正切公式为：41122003.141592||32P P L e c eR P c kc fId Grtg Z I w N δμμρμμ=== 当工作频率较低时，当d /T 小于或等于1时，Gr →1；此时tan&与Gr 无关，与频率成正比；当d /T增加到3.5时，tan&达到最大值。