常见器件损耗计算讲解学习
三极管损耗计算
三极管损耗计算（原创实用版）目录1.三极管概述2.三极管的损耗类型3.计算三极管损耗的方法4.应用实例正文一、三极管概述三极管，全称双极型晶体管，是一种常用的半导体器件。
它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。
二、三极管的损耗类型三极管的损耗主要分为两类：发热损耗和交流损耗。
1.发热损耗：由于三极管在工作过程中会产生热量，因此会导致温度升高。
发热损耗与电流、电压以及工作时间有关。
2.交流损耗：三极管在交流电路中工作时，由于其输入和输出特性非线性，会产生一定程度的损耗。
交流损耗与交流信号的频率、幅值以及三极管的工作状态有关。
三、计算三极管损耗的方法计算三极管损耗需要知道其电流、电压等参数。
具体方法如下：1.发热损耗计算：发热损耗可以通过公式 P 热=I^2*R 来计算，其中P 热表示发热损耗，I 表示电流，R 表示电阻。
2.交流损耗计算：交流损耗可以通过公式 P 交流=U^2/R 来计算，其中 P 交流表示交流损耗，U 表示电压，R 表示电阻。
四、应用实例假设有一个 NPN 型三极管，其电流放大系数为 100，当输入端施加1V 的直流电压时，输出端的电流为 10mA。
现在需要计算该三极管的损耗。
1.首先计算三极管的直流电阻：R=U/I=1V/10mA=100Ω。
2.计算发热损耗：P 热=I^2*R=(10mA)^2*100Ω=1mW。
3.计算交流损耗：假设交流信号的频率为 1kHz，幅值为 1V，则交流损耗为 P 交流=U^2/R=1V^2/100Ω=0.01W。
综上所述，该三极管在 1kHz、1V 幅值的交流信号下的损耗为 P 热+P 交流=1mW+0.01W=0.011mW。
功率器件损耗计算
功率器件损耗计算功率器件的损耗计算是电力系统设计中非常重要的一部分。
功率器件损耗是指在功率器件（如变压器、线路、电机等）中转化过程中消耗的能量，主要表现为热量的形式。
对于电力系统而言，合理估算和控制功率器件的损耗，可以提高系统的效率，减少能源的浪费。
首先，我们需要明确功率器件的类型和工作原理，以便准确估算其损耗。
常见的功率器件包括变压器、电动机、发电机、电缆等。
不同的功率器件有不同的损耗计算方法。
对于变压器而言，其损耗主要包括铜损和铁损。
铜损是由于电流通过变压器的线圈时产生的电阻而造成的损耗，可以通过欧姆定律计算。
铁损则是由于变压器的铁芯在磁场作用下产生涡流和剩磁损耗而引起的，可以通过变压器的参数和工作条件来计算。
对于电机而言，其损耗主要包括铜损、机械损失和铁损。
铜损和铁损的计算方法与变压器类似。
机械损失主要包括轴承摩擦损失、风阻损失等，可以通过测量和实验进行估计。
对于发电机而言，其损耗主要包括电枢损耗、铁损和机械损失。
电枢损耗是由于电流通过发电机的电枢时引起的铜损，可以通过测量和实验进行估算。
铁损和机械损失的计算方法与上述类似。
对于电缆而言，其损耗主要包括电阻损耗和电介质损耗。
电阻损耗是由于电流通过电缆的导体时引起的铜损。
电介质损耗是由于电缆的绝缘材料在电场作用下引起的能量损耗，可以通过测量和实验进行估算。
除了以上常见的功率器件，还有很多其他的器件（如开关、保护器等）在电力系统中也会引起一定的损耗。
这些损耗可以通过测量、实验和理论计算等方法进行估算。
总的来说，功率器件的损耗计算需要考虑器件的类型、参数和工作条件等因素，并结合实际情况进行估算。
合理估算和控制功率器件的损耗，可以提高电力系统的效率，减少能源的浪费，对于电力系统的设计和运行至关重要。
MOSFET损耗计算
MOSFET损耗计算MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于电力电子领域。
在使用MOSFET进行功率开关时，会产生一定的损耗，包括导通损耗和关断损耗。
正确计算MOSFET的损耗对于设计和选择合适的散热系统非常重要，下面将详细介绍MOSFET的损耗计算方法。
1.导通损耗计算：导通损耗是指MOSFET在导通状态下产生的功耗。
导通损耗可以通过以下公式计算：P_cond = I^2 * Rds(on)其中，P_cond为导通损耗，I为MOSFET的导通电流，Rds(on)为MOSFET的导通电阻。
导通损耗主要由两部分组成：静态导通损耗和动态导通损耗。
静态导通损耗是指MOSFET在导通状态下的稳态功耗，可以通过上述公式计算得到。
动态导通损耗是指由于MOSFET的导通电阻在开关过程中的变化引起的功耗，通常可以通过MOSFET的参数手册或者开关特性曲线来得到。
2.关断损耗计算：关断损耗是指MOSFET在关断状态下产生的功耗。
关断损耗由MOSFET 的关断电流和关断电压引起，可以通过以下公式计算：P_sw = Vds * Id * t_sw其中，P_sw为关断损耗，Vds为MOSFET的关断电压，Id为MOSFET 的关断电流，t_sw为关断时间。
关断损耗由两部分组成：静态关断损耗和动态关断损耗。
静态关断损耗是指MOSFET在关断状态下的稳态功耗，可以通过上述公式计算得到。
动态关断损耗是指由于开关过程中MOSFET的关断电流和关断时间的变化引起的功耗，通常可以通过MOSFET的参数手册或者开关特性曲线来得到。
3.总损耗计算：总损耗是指MOSFET在导通和关断状态下产生的功耗之和。
总损耗可以通过以下公式计算：P_total = P_cond + P_sw4.散热设计：4.1确定MOSFET的最大工作温度，一般来说，MOSFET的最大工作温度应该低于其额定温度。
4.2 计算MOSFET的热阻（Rth）：Rth = (Tj - Ta) / P_total其中，Tj为MOSFET的结温，Ta为环境温度，P_total为MOSFET的总损耗。
常见器件损耗计算讲解学习
常见器件损耗计算常见器件损耗计算方法 - 开关电源电磁元件类输入滤波器差模电感器以铜损为主，器件工作频率低，故磁损忽略哪些参数来自 Datasheet/ 承认书？ --- 常温 24℃下直流电阻值 R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？ -- 常温 24℃下直流电阻值 R 0、输入有效电流值 I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为 110℃，电 阻值 R 110 为R 110R 0（110 234.50）（234.5 表示铜的 K 值常数，铝的 K 值常数是 228.1）24 234.50铜损为P cu I R 2MS R 110 （ 工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应 ） 共模电感器 以铜损为主，由于噪声的 Vt 值小，故磁损忽略哪些参数来自 Datasheet/ 承认书？ ---常温 24℃下直流电阻值 R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？ --常温 24 ℃下直流电阻值 R 0、输入有效电流值 I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110 ℃，电阻值 R 110 为R 110 R 0（110 234.50）（234.5 表示铜的 K 值常数，铝的 K 值常数是 228.1） 11024 234.50铜损为P cu I R 2MS R 110 （工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应 ）PFC 电路PFC 电感器 以铜损为主，磁损为副，磁芯磁导率 / 工作状态表现为增量磁导率，即在一定偏置磁场下叠加一振幅较小的交变磁 场；磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自 Datasheet/ 承认书？ --- 常温 24℃下直流电阻值 R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电 感量 L哪些参数需要设计提供或实测提供？ -- 常温 24℃下直流电阻值 R 0、输入有效电流值 I RMS 、 最大电流峰值：低压输入时峰值处的纹波电流 di 、工作频率 f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为 110℃，电 阻值 R 110 为R 110 R 0（110 234.50）（234.5 表示铜的 K 值常数，铝的 K 值常数是 228.1） 11024 234.50铜损为附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算( 圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度 )：Rac0.96 0.0035x 0.0038x 3Rdcx d1 0.0039f3(T 20)d 线径 (inch) f磁损计算：工作时的工作磁密最大值：Ldi N ?dB?Ae dB LdiL 是工作状态时的电感量，N ?Ae磁芯 100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息 ( 损耗公式来自于此 ) ：铁氧体类 PC40相当材：P Fe af cdB dP Fe 磁芯单位损耗 mW/cm 3dB 工作磁密 kG f 工作频率 kHz工作频率acd f<100kHz 0.074 1.43 2.85 100kHz=<f<500kHz 0.036 1.64 2.68 f>=500kHz 0.014 1.84 2.28铁氧体类 PC44相当材：P Fe af cdB dP Fe 磁芯单位损耗 mW/cm 3 dB 工作磁密 kG f 工作频率 kHz工作频率acd f<100kHz 0.158 1.36 2.86 100kHz=<f<500kHz 0.04341.632.62 f>=500kHz 7.36*10 -73.47 2.54每升高 10℃，损耗近似增加 40%；RMS R110工作频率 (Hz) T 工作温度 (℃)精品文档收集于网络，如有侵权请联系管理员删除粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关；FeSiAl 粉芯材料损耗公式--损耗与磁导率无关：PFef2.0dB1.46P Fe磁芯单位损耗mW/cm3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHzFeSi 粉芯材料损耗公式-- 损耗与磁导率无关：MMG CSC DongBu1.5085 0.7701P=5.92e-06*B1.5085*f0.77012.05 1.535P=1.78*B2.05*f1.5352.196 1.352P=2.751*B2.196*f1.352P=power loss density(mw/cm 3)F/f=frequency(Hertz)B=flux density(gauss)附：参考损耗曲线图—推导损耗公式：查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗P Core P Fe ?Ve P core磁芯损耗mW P Fe磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm3总损耗 P Total 为DC~DC 电路谐振电感器以磁损为主，铜损为副，不考虑邻近效应磁芯磁导率 / 工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自 Datasheet/ 承认书？ --- 常温 24℃下直流电阻值 R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电 感量 L哪些参数需要设计提供或实测提供？ -- 常温 24℃下直流电阻值 R 0、输入有效电流值I RMS 、PCuPCore（ 最高） 工作频率 f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为 110℃，电 阻值 R 110 为R 110R0(2141023243.45.050)(234.5 表示铜的 K 值常数，铝的 K 值常数是 228.1)铜损为附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算（ 圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度 ）：ac0.96 0.0035x 0.0038x3 Rdcx d1 0.00393(T 20) d 线径 (inch) f磁损计算：工作时的工作磁密最大值：Ldi N ?dB ?Ae dB LdiL 是工作状态时的电感量，由于谐振电感器的电感量要 N ?Ae 求基本不变化，与来料的承认书要求一致； di 取电感器输入有效电流值 I RMS ；dB 是双向工作状态，故工作时的磁密取值为 2Bm ，所以以下的磁芯损耗取值为 Bm磁芯 100 ℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息 （损耗公式来自于此 ）：铁氧体类 PC40 相当材：P Fe af cB m dP Fe 磁芯单位损耗 mW/cm 3dB 工作磁密 kG f 工作频率 kHzPcu2 RMSR110 工作频率 （Hz ） T 工作温度 （℃）铁氧体类PC44相当材：P Fe af c B m d P Fe磁芯单位损耗mW/cm3 dB工作磁密kG f 工作频率kHz每升高10℃，损耗近似增加40%；粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关；MMP–26材粉芯材质：5.437 f 1.25dB2.55P Fe磁芯单位损耗mW/cm3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHzPFeMMP–60材粉芯材质：P Fe 0.625 f 1.41dB2.24P Fe磁芯单位损耗mW/cm3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz 查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve，计算功耗P Core P Fe ?Ve P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm3 Ve 磁芯体积mm3总损耗P Total 为P Total主变压器以磁损为主，铜损为副，考虑邻近效应磁芯磁导率/ 工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率；磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；由于方波的损耗要比正弦波损耗低10%，故损耗可降低10%；哪些参数来自Datasheet/ 承认书？--- 常温24℃下原副边直流电阻值R0 Max，磁芯体积Ve哪些参数需要设计提供或实测提供？-- 常温24℃下原副边直流电阻值R0、占空比Dmax、（最高）工作频率 f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R110 为R110 R0（2141023243.45.050）（234.5 表示铜的K值常数，铝的K值常数是228.1）铜损为I RMS R110附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算( 圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度 )：ac 3ac0.96 0.0035x 0.0038x 3 R dcx d 1 0.0039f 3(T 20) d 线径 (inch) f 邻近效应系数： 为了简化计算，我们通过以下绕制方式进行系数增加损耗，条件为1. d/T=<1 (d/T 是导体直径与趋肤深度之比， d ：导体直径 (mm) T ：趋肤深度 (mm))2. 原边一次绕制完成层数 <2 层3. 副边一次绕制层数 <3 层磁损计算：通过法拉第定律，推导工作磁密V N d dt NAe dBdt 双向磁化时的工作磁密为dB 2Bm工作频率 (Hz) T 工作温度 (℃)绕制结构铜损总功耗乘积 原~副~原 ~副/ 副~原~副~原 2P pri +1.5P sec ~副~原 / 副~原~副2P pri +3P sec 原~副/ 副 ~原 3P pri +3P secPcuTotal RMSP R 110 P 总铜损为原副边铜损之RMSS R110SBm 2V N To A ne ，移向全桥时， Bm V 4DNA MA e X f单向磁化时的工作磁密为磁芯 100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息 （ 损耗公式来自于此 ） ：铁氧体类 PC40相当材：P Fe af c B m d P Fe 磁芯单位损耗 mW/cm 3 dB 工作磁密 kG f 工作频率 kHz铁氧体类 PC44相当材：P Fe af c B m d P Fe 磁芯单位损耗 mW/cm 3 dB 工作磁密 kG f 工作频率 kHz每升高 10℃，损耗近似增加 40%；查磁芯手册中对应磁芯的体积 Ve ，计算功耗P Core P Fe ?Ve P Core 磁芯损耗 mW P Fe 磁芯单位损耗 mW/cm 3 ，Ve 磁芯体积mm 3 总损耗 P Total 为P Total P Cu P Core附：邻近效应分析对计算圆形截面导体中，由邻近效应引起的损耗为：2 2 4 3.14159 w 2B 2 Id 4Gr P PP 128 cdB Bm VTon NAePp：邻近效应损耗；w：磁场角速度；B：磁感应强度；l ：导体长度；d：导体直径；Gr：邻近效应因子；PC：导体电阻率；邻近效应因子Gr 是无量纲因子，它的变化规律仅适合于圆形截面积导体。
功率半导体元件的损耗计算分析方法
功率半导体元件的损耗计算分析方法导通损耗：导通损耗是在功率器件导通状态下消耗的功率，主要由导通电阻和开关元件的导通电压引起。
导通电流越大、导通压降越大，导通损耗也就越大。
关断损耗：关断损耗是在开关管和二极管关断时消耗的功率，主要由开关过程中的存储电荷和关断电压引起。
关断电流越大、关断压降越大，关断损耗也就越大。
2.导通损耗计算方法导通损耗的计算方法主要有两种：基于静态条件的方法和基于动态条件的方法。
基于静态条件的方法：即根据功率半导体元件的静态参数来计算导通损耗。
主要考虑的静态参数有导通电阻和导通电流。
导通损耗可以通过下式计算得到：Pcon = Rcon * Icon^2其中，Pcon为导通损耗，Rcon为导通电阻，Icon为导通电流。
基于动态条件的方法：即根据功率半导体元件的开关特性来计算导通损耗。
主要考虑的动态参数有开关时间和导通电压。
导通损耗可以通过下式计算得到：Pcon = Ucon * Icon * tsw其中，Pcon为导通损耗，Ucon为导通电压，Icon为导通电流，tsw 为开关时间。
3.关断损耗计算方法关断损耗的计算方法主要有两种：基于静态条件的方法和基于动态条件的方法。
基于静态条件的方法：即根据功率半导体元件的静态参数来计算关断损耗。
主要考虑的静态参数有关断电流和关断电压。
关断损耗可以通过下式计算得到：Psw = Isw * Vsw其中，Psw为关断损耗，Isw为关断电流，Vsw为关断电压。
基于动态条件的方法：即根据功率半导体元件的开关特性来计算关断损耗。
主要考虑的动态参数有开关时间和存储电荷。
关断损耗可以通过下式计算得到：Psw = Qrr * Urr * fsw其中，Psw为关断损耗，Qrr为存储电荷，Urr为反向恢复电压，fsw 为开关频率。
4.总损耗计算方法总损耗为导通损耗和关断损耗之和。
根据上述导通损耗和关断损耗的计算方法，可以得到总损耗的计算方法：Ptotal = Pcon + Psw其中，Ptotal为总损耗，Pcon为导通损耗，Psw为关断损耗。
主要电感损耗计算方法
主要电感损耗计算方法电感损耗是电感器件中电流通过时产生的能量损耗，主要由电阻损耗和涡流损耗两部分组成。
以下是主要的电感损耗计算方法。
1.电阻损耗计算方法：电感器件内部的电阻引起的功率损耗称为电阻损耗。
通常可以通过以下公式计算电阻损耗：P_R=I^2*R其中，P_R为电阻损耗功率，I为电感器件通过的电流，R为电感器件的电阻。
2.涡流损耗计算方法：涡流损耗是由于电感器件内部的导体中电流变化引起的能量损耗。
涡流损耗与导体的电导率、导体材料、导体形状、导体尺寸、磁场的频率和幅度等因素有关。
通常可以通过以下公式计算涡流损耗：P_e=K*B^2*f^2*V_m*A其中，P_e为涡流损耗功率，K为比例系数，B为磁感应强度，f为磁场的频率，V_m为磁场变化的速度，A为涡流密度。
3.总损耗计算方法：电感器件的总损耗等于电阻损耗和涡流损耗的和，即：P_total = P_R + P_e4.温升计算方法：电感损耗会产生热量，导致电感器件温度升高。
可以通过以下公式计算电感器件温升：ΔT = P_total / (M * C)其中，ΔT为温升，P_total为总损耗功率，M为电感器件的质量，C 为电感器件的比热容。
需要注意的是，电感器件中的磁芯材料对涡流损耗有很大影响。
常见的磁芯材料有铁氧体、软磁合金等，它们具有不同的磁导率和导电性能，因此涡流损耗也会有所不同。
此外，对于高频电感器件的损耗计算，还需要考虑器件的限频特性和损耗因素的频率依赖性。
不同频率下的涡流损耗和电阻损耗也有所不同。
这时需要根据具体情况运用适当的理论模型和计算方法进行分析。
二极管损耗计算方法
二极管损耗计算方法引言：二极管是一种常见的电子器件，广泛应用于电子电路中。
在使用二极管时，我们需要了解其损耗情况，以确保其工作在安全范围内。
本文将介绍二极管损耗的计算方法，帮助读者更好地理解和应用二极管。
一、二极管的基本结构和工作原理二极管由PN结构组成，其中P区富集了正电荷，N区富集了负电荷。
当施加正向偏置电压时，电子从N区流向P区，形成电流；而当施加反向偏置电压时，电子无法通过PN结，形成截止状态。
二极管的主要特性包括正向电压降和反向击穿电压。
二、二极管的损耗类型二极管的损耗主要分为正向损耗和反向损耗两种类型。
1. 正向损耗正向损耗是指二极管在正向工作状态下的功率损耗。
当二极管导通时，会有一定的电压降，导致功率损耗。
正向损耗的计算方法如下：正向损耗功率P = 正向电流I * 正向电压降Vf2. 反向损耗反向损耗是指二极管在反向工作状态下的功率损耗。
当二极管反向击穿时，会有电流流过，导致功率损耗。
反向损耗的计算方法如下：反向损耗功率P = 反向电流Ir * 反向电压Vr三、二极管损耗计算实例为了更好地理解二极管损耗的计算方法，我们来看一个实际的例子。
假设我们有一枚二极管，其正向电流为10mA，正向电压降为0.7V，反向电流为1μA，反向电压为50V。
我们可以按照上述计算方法，计算出该二极管的正向损耗和反向损耗。
1. 正向损耗计算：正向损耗功率P = 正向电流I * 正向电压降Vf= 10mA * 0.7V= 7mW2. 反向损耗计算：反向损耗功率P = 反向电流Ir * 反向电压Vr= 1μA * 50V= 50μW根据计算结果可知，该二极管的正向损耗为7mW，反向损耗为50μW。
结论：通过上述计算实例，我们可以看出，二极管的损耗主要取决于正向电流和反向电流的大小，以及正向电压降和反向电压的数值。
在实际应用中，我们需要根据二极管的规格和工作条件，合理选择二极管以确保其在安全范围内工作。
总结：本文从二极管的基本结构和工作原理入手，介绍了二极管的损耗类型及其计算方法。
变压器损耗计算方法解读
变压器损耗计算方法解读铁损是由于变压器的铁芯在磁通变化时所产生的涡流损耗和磁滞损耗。
涡流损耗是指铁芯中由磁通变化引起的电流在铁芯内部产生的功率损耗，而磁滞损耗是指磁通变化引起的铁芯中分子磁化定向变化而产生的能量损耗。
铜损是由于变压器的线圈内通电流产生的电阻损耗。
电阻损耗是通过欧姆定律计算得到的，即电流的平方乘以绕组的电阻。
为了计算变压器的损耗，我们首先需要了解变压器的额定数据，包括额定功率、额定电压、额定电流、短路阻抗等。
根据这些额定数据，我们可以使用以下方法进行损耗计算：1.铁损计算：铁损可以通过变压器的额定功率和额定电流来估算。
一般情况下，变压器的铁损在额定负载下可以忽略不计，所以一般只需要计算额定负载以下的工作情况。
铁损可以使用以下公式来估算：铁损=铁损常数*铁损电流的平方铁损常数是变压器的一个参数，可从变压器型录或制造商提供的额定数据中获得。
铁损电流是指变压器在额定负载下的负载电流。
2.铜损计算：铜损可以通过变压器的额定电流和绕组电阻来计算。
变压器的铜损主要是由于线圈的电流通过线圈的电阻产生的。
铜损可以使用以下公式来计算：铜损=额定电流的平方*绕组电阻绕组电阻可以通过变压器的额定电流和额定电压来计算。
3.总损耗计算：总损耗可以通过铁损和铜损之和来计算。
总损耗=铁损+铜损总损耗表示变压器在运行时的总能量损耗。
在实际情况中，为了准确估算变压器的损耗，还需要考虑其他因素，如温升、环境温度等。
这些因素会对变压器的损耗产生一定影响，因此在计算变压器的损耗时应该进行修正。
总之，变压器损耗计算方法是通过估计铁损和铜损来计算变压器在运行时的能量损耗。
通过精确计算变压器的损耗，可以为变压器的选型和运行提供指导，并帮助提高变压器的工作效率。
MOSFET损耗计算
MOSFET损耗计算MOSFET损耗计算是在电路设计和工程应用中非常重要的一项工作，它可以帮助工程师评估MOSFET在特定工作条件下的热管理和效率。
本文将详细介绍MOSFET损耗计算的方法，并分析其对电路性能和可靠性的影响。
MOSFET是一种常见的功率开关器件，在众多电子设备和系统中被广泛采用。
它的主要作用是通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流，实现电路功能的开关控制和功率放大。
然而，MOSFET在工作过程中会引起一定的功率损耗，这些损耗主要分为导通损耗和开关损耗两类。
导通损耗是指MOSFET在导通状态下的功率消耗，导通损耗主要取决于MOSFET的导通电流和导通电压降。
导通损耗可以通过下面的公式进行计算：P_cond = I_D * V_DS其中，P_cond表示导通损耗，I_D表示MOSFET的导通电流，V_DS表示MOSFET的导通电压降。
开关损耗是指MOSFET在开关过程中的功率损耗，开关损耗主要取决于MOSFET的开关频率和开关电荷。
开关损耗可以通过下面的公式进行计算：P_sw = f_sw * Q_g * V_DS * δ其中，P_sw表示开关损耗，f_sw表示开关频率，Q_g表示MOSFET的总栅电荷量，V_DS表示MOSFET的导通电压降，δ表示MOSFET的耗散因子。
总的损耗可以通过将导通损耗和开关损耗相加来计算：P_total = P_cond + P_swMOSFET损耗计算的目的是为了评估MOSFET在特定工作条件下的热管理和效率。
在高功率应用中，如果MOSFET的损耗过大，会导致器件温度升高，从而影响电路的可靠性和寿命。
因此，在设计过程中，需要根据MOSFET的特性和工作条件，合理评估损耗，并采取相应的散热措施，确保电路的正常运行和可靠性。
在MOSFET损耗计算中，需要注意的是准确估计MOSFET的导通电流、导通电压降、开关频率和栅电荷量等参数。
这些参数可以通过MOSFET的数据手册、实验测量或者仿真模拟来获取。
IGBT损耗计算
IGBT损耗计算IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压功率半导体器件，常用于交流电驱动汽车电机、电机驱动器、逆变器等高功率应用中。
IGBT在工作过程中会产生一定的损耗，包括导通损耗、开关损耗和封装损耗等。
下面将从这三个方面对IGBT的损耗进行计算。
1. 导通损耗（Conduction Losses）：导通损耗是指IGBT开关处于导通状态时导通电流通过器件内的正向电压降所引起的损耗。
导通损耗的计算公式如下：Pcon = Vceon * Icav其中，Pcon为导通损耗，Vceon为IGBT的导通电压降，Icav为平均导通电流。
2. 开关损耗（Switching Losses）：开关损耗是指IGBT在开关状态下因开关过程中的电流和电压变化而产生的损耗。
开关损耗可以分为开关过渡损耗和开关导通损耗两部分。
开关过渡损耗由于开关过程中外部负载电流和电压变化引起，可以通过计算开关过程中的高电平和低电平时间来估算，计算公式如下：Pswg = (Eon / Ton) * (Ic + IL) * (Ton / T) + (Eoff / Toff) * (Ic + IL) * (Toff / T)其中，Pswg为开关过渡损耗，Eon为开开关过程中的功耗，Ton为开斩波时间，Ic为平均导通电流，IL为负载电流，T为一个周期时间。
开关导通损耗是指IGBT从关态切换到导通态时，由于电导下降导致的损耗，可以通过计算开关导通时间和导通电流来估算，计算公式如下：Pswc = (Econ / Tcon) * (Ic + IL) * (Tcon / T)其中，Pswc为开关导通损耗，Econ为开关导通过程中的功耗，Tcon 为开关导通时间。
3. 封装损耗（Package Losses）：封装损耗是指由于封装本身的热阻和热容导致的损耗。
封装损耗主要由于IGBT的开关过程中产生的瞬时热量，根据IGBT封装的热阻和热容来计算。
损耗计算
单元损耗计算单元内部损耗主要由单元内部的IGBT 、整流桥、均压电阻、电解电容等产生，算出这些器件的损耗值便能算出单元的效率。
一、IGBT 损耗计算IGBT 的损耗主要分为IGBT 的通态损耗和开关损耗以及IGBT 中续流二极管的通态损耗和开关损耗，（1）IGBT 的通态损耗估算IGBT 的通态损耗主要由IGBT 在导通时的饱和电压Vce 和IGBT 的结热阻产生， IGBT 通态损耗的计算公式为：)38(cos )4(21_22ππIp Rthjc Ip Vce m Ip Rthjc Ip Vce igbt Pt +*++=φ式中：Pt-igbt----IGBT 的通态损耗功率（W ）Vce----IGBT 通态正向管压降（V ）Rthjc----IGBT 结热阻（K/W ）Ip----IGBT 通态时的电流（A ）m----正弦调制PWM 输出占空比cos φ----PWM 输出功率因数（2）IGBT 开关损耗计算IGBT 的开关损耗主要是由于IGBT 开通和关断过程中电流Ic 与电压Vce 有重叠，进而产生开通能耗Eon 和关断能耗Eoff ，IGBT 的开关能耗大小与IGBT 开通和关断时的电流Ic 、电压Vce 和芯片的结温有关， IGBT 开关能好的计算公式为：)(**1E o f f E o n f i g b t Pk +=-π式中：Pk-igbt----IGBT 开关热损耗值（W ）f----IGBT 开关频率（Hz ）Eon----IGBT 单次接通脉冲的能量损耗（W ）Eoff----IGBT 单次关断脉冲的能量损耗（W ）（3）续流二极管通态损耗计算续流二极管在导通状态下存在正向导通压降Vf ，其大小由通过的电流和芯片的结温有关。
由于Vf 和结热阻的存在，当有电流通过时会生成二极管在通态状态下的损耗。
二极管在通态时的损耗计算公式为：)38(c o s )4(21_22ππIp Rthjk Ip Vf m Ip Rthjk Ip Vf diode Pt +*-+=φ 式中：Pt-diode----续流二极管开关热损耗（W ）Vf----续流二极管通态正向管压降（V ）Ip----IGBT 通过续流二极管的运行电流（A ）m----正弦调制PWM 输出占空比cos φ----PWM 输出功率因数Rthjk----二极管结热阻（K/W ）（4）续流二极管开关损耗计算续流二极管的开关损耗主要由续流二极管恢复关断状态产生，其大小与正向导通时的电流、电流的变化率di/dt 、反向电压和芯片的结温有关。
三极管损耗计算
三极管损耗计算（最新版）目录1.三极管概述2.三极管损耗的种类3.三极管损耗的计算方法4.应用实例正文一、三极管概述三极管，又称双极型晶体管，是一种常见的半导体器件。
它具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路。
在实际使用过程中，三极管会产生损耗，了解其损耗特性对于优化电路性能至关重要。
二、三极管损耗的种类1.发射极损耗：发射极电流流经发射极电阻时产生的损耗。
2.基极损耗：基极电流流经基极电阻时产生的损耗。
3.集电极损耗：集电极电流流经集电极电阻时产生的损耗。
4.结温损耗：由于三极管工作时产生的热量导致结温升高，从而引起的损耗。
三、三极管损耗的计算方法1.发射极损耗计算：发射极损耗 = 发射极电流^2 ×发射极电阻。
2.基极损耗计算：基极损耗 = 基极电流^2 ×基极电阻。
3.集电极损耗计算：集电极损耗 = 集电极电流^2 ×集电极电阻。
4.结温损耗计算：结温损耗 = (发射极电流 + 基极电流 + 集电极电流) ×结温系数×结温电阻。
四、应用实例假设一个三极管的发射极电流为 50mA，基极电流为 20mA，集电极电流为100mA，发射极电阻为 100Ω，基极电阻为 1kΩ，集电极电阻为 50Ω，结温系数为 1.5，结温电阻为 400Ω。
则可以计算出各项损耗：1.发射极损耗 = (50mA)^2 × 100Ω = 25mW。
2.基极损耗 = (20mA)^2 × 1kΩ = 4mW。
3.集电极损耗 = (100mA)^2 × 50Ω = 5mW。
4.结温损耗 = (50mA + 20mA + 100mA) × 1.5 × 400Ω = 120mW。
综上所述，三极管损耗包括发射极损耗、基极损耗、集电极损耗和结温损耗，通过计算各项损耗，有助于了解三极管的性能和使用寿命。
三极管损耗计算
三极管损耗计算摘要：1.三极管损耗计算简介2.三极管损耗的分类3.三极管损耗计算方法4.影响三极管损耗的因素5.降低三极管损耗的方法6.总结正文：三极管损耗计算三极管作为电子元件中的一种，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路中。
然而，在实际应用过程中，三极管会产生损耗，影响其性能和寿命。
因此，对三极管损耗进行计算和分析具有重要意义。
本文将详细介绍三极管损耗计算的相关知识。
三极管损耗的分类三极管损耗主要分为两类：静态损耗和动态损耗。
静态损耗是指在无信号输入时，三极管由于工作电流而产生的损耗；动态损耗是指在信号输入时，三极管由于信号电压变化而产生的损耗。
三极管损耗计算方法1.静态损耗计算静态损耗主要与三极管的电流和电压有关。
通常使用以下公式计算静态损耗：静态损耗= (I_s * V_s) / R_s其中，I_s为静态工作电流，V_s为静态工作电压，R_s为静态电阻。
2.动态损耗计算动态损耗与三极管的电流、电压以及开关频率有关。
通常使用以下公式计算动态损耗：动态损耗= (I_d * V_d * f) / 1000其中，I_d为动态工作电流，V_d为动态工作电压，f为开关频率。
影响三极管损耗的因素1.三极管的材料和结构2.三极管的工作状态（静态或动态）3.三极管的电流和电压4.三极管的开关频率降低三极管损耗的方法1.选择合适的材料和结构2.优化电路设计，降低工作电流和电压3.提高开关频率，减小动态损耗4.在可能的情况下，采用节能技术，如低功耗三极管、开关模式电源等。
总结三极管损耗计算是电子电路设计和分析中的一个重要环节。
功率器件损耗计算
功率器件损耗计算在进行功率器件损耗计算时，需要考虑以下几个主要方面：1.集成电路：对于集成电路，损耗主要来自于内部晶体管的开关和传导损耗，以及电流通过它们时发生的漏电流散热损耗。
为了计算这些损耗，需要知道器件的开关速度、开关频率和电流负载等参数。
2.晶体管：对于晶体管，损耗主要来自于导通和截止过程中的能量耗散。
导通损耗由导通电压降和电流给出，截止损耗由输入和输出电容充放电时发生。
3.二极管：对于二极管，损耗主要包括正向电压降损耗和反向漏电流损耗。
正向电压降损耗由电流和电压给出，反向漏电流损耗由反向电压和反向电流给出。
4.功率模块：功率模块通常由多个功率器件组成，包括晶体管、二极管和其他被动元件。
在计算功率模块的损耗时，需要将各个器件的损耗相加。
在进行功率器件损耗计算时，需要使用适当的数学模型和公式。
以下是常用的一些方法和公式：1.线性电阻损耗计算：线性电阻损耗定义为电流通过电阻时产生的热量。
线性电阻损耗可以通过下式计算：P=I^2*R，其中P是功率损耗，I是电流，R是电阻。
2. 平方导通损耗计算：平方导通损耗定义为晶体管导通时电流和电压的乘积。
平方导通损耗可以通过下式计算：P = I^2 * Rds(on)，其中P是功率损耗，I是电流，Rds(on)是漏极-源极导通电阻。
3. 漏电流损耗计算：漏电流损耗定义为晶体管截止时漏极和源极之间的电压乘以反向漏电流。
漏电流损耗可以通过下式计算：P = Vds * Idss，其中P是功率损耗，Vds是漏极-源极电压，Idss是漏电流。
4.功率模块损耗计算：对于功率模块，可以通过将各个器件的损耗相加来计算总的功率损耗。
除了以上提到的计算方法和公式，还可以使用电路模拟软件进行功率器件损耗的模拟和计算。
这些软件可以提供更准确的结果，并且可以考虑更多的因素，如温度、材料特性等。
最后，功率器件损耗的计算对于设计和优化电路非常重要，可以帮助电路设计师确定器件的散热需求，评估电路的效能，并提高电路的可靠性。
二极管损耗计算范文
二极管损耗计算范文二极管是一种常用的电子器件，主要用于整流电流、控制电压、开关电源等电路中。
在使用过程中，二极管会产生一定的损耗，需要进行损耗计算，以确保电路的正常工作和二极管的可靠性。
本文将介绍二极管的损耗计算方法，并通过一个实例详细说明计算过程。
一、二极管的损耗二极管的损耗主要包括导通损耗和截止损耗。
导通损耗是指二极管导通时的功率损耗，主要由二极管的导通电流和导通压降决定；截止损耗是指二极管截止时的功率损耗，主要由二极管的反向电流和背向电压决定。
二、计算公式导通损耗可以通过以下公式计算：Pd_on = Vf × If其中Pd_on 表示导通损耗（单位为瓦特），Vf 表示二极管导通时的电压降（单位为伏特），If 表示二极管的导通电流（单位为安培）。
截止损耗可以通过以下公式计算：Pd_off = Vr × Ir其中Pd_off 表示截止损耗（单位为瓦特），Vr 表示二极管的背向电压（单位为伏特），Ir 表示二极管的反向电流（单位为安培）。
三、实例分析假设有一个二极管工作在整流电路中，导通电流为0.5A，导通电压降为0.7V；在反向电压为100V，反向电流为10mA时，计算二极管的损耗。
首先，计算导通损耗：Pd_on = Vf × If=0.7V×0.5A=0.35W接下来，计算截止损耗：Pd_off = Vr × Ir=100V×10mA=1W因此，该二极管的总损耗为导通损耗和截止损耗的和：Pd_total = Pd_on + Pd_off=0.35W+1W=1.35W四、结论通过对上述实例的分析，我们可以得出结论：该二极管工作在整流电路中时的总损耗为1.35W。
五、注意事项在进行二极管的损耗计算时，需要注意以下几点：1.温度影响：二极管的导通损耗和截止损耗受温度影响较大，一般情况下，温度升高会导致损耗增加，因此在计算时需要考虑温度因素。
器件损耗计算
器件损耗计算1. 开关器件损耗计算 U inU BUS-U BUSSCR IGBT图1 PFC-BOOST 原理图输入电压wt V wt V t u in CP in sin 2sin )(⋅⋅=⋅=；输入电流wt I t i CP in sin )(⋅=；输出电压BU S out V U =1.1. IGBT 损耗1.1.1 IGBT 导通损耗IGBT 占空比wt m V wt V U t u t D BUS in out in IGBT sin 1sin 21)(1)(⋅-=⋅⋅-=-= 其中BUS in V V m ⋅=2 IGBT 导通压降，工程处理上根据datasheet 上的特性曲线拟合出导通压降u CE (t)关于i C (t)的函数式))(()(t i f t u C CE =常以一次函数式表示cond IG BT C CE CE R t i V t u _0)()(⋅+=IGBT 导通损耗⎰⎰⋅⋅⋅⋅=⋅⋅⋅⋅=ππ200_)()()(21)()()(1dwt wt D wt i wt u dt t D t i t u T P C CE T C CE cond IGBT ⎰⋅⋅⋅⋅=ππ0)()()(21dwt wt D wt i wt u C CE ⎰⋅⋅-⋅⋅⋅⋅⋅+⋅=ππ0_0)sin 1()sin ()sin (21dwt wt m wt I R wt I V CP cond IGBT CP CE )34222(2_0_0CP cond IGBT CE CP cond IGBT CE CP I m R V m I R V I ⋅⋅⋅-⋅⋅-⋅⋅+⋅=πππ 1.1.2 IGBT 开关损耗IGBT 开关损耗⎰⋅⋅⋅=T C CE SW IGBT dt t i t u T P 0_)()(1 ⎰⋅⋅⋅=ππ0)()(21dwt wt i wt u C CE ⎥⎦⎤⎢⎣⎡⋅+⋅⋅⋅⋅=SW off on test test P BUS IGBT f E E I U I V n )(21π 其中，E on 和E off 为IGBT 的datasheet 上给出U test 和I test 条件下测试得到的开通和关断损耗，n IGBT 为桥臂上并联的IGBT 数目。
功率半导体元件的损耗计算分析方法
功率半导体元件的损耗计算分析方法引言：功率半导体元件在各种电力电子设备中广泛应用，如电源、变频器和驱动器等。
由于功率半导体元件在工作过程中会产生一定的损耗，因此准确计算和分析功率半导体元件的损耗是非常重要的。
本文将介绍功率半导体元件的损耗计算分析方法，包括导通损耗和开关损耗的计算方法。
一、导通损耗的计算方法导通损耗是功率半导体元件在导通状态下产生的损耗，主要由通态电阻引起。
导通损耗的计算方法如下所示：1.确定导通状态的电流和电压：根据电路工作条件和元件的导通方式，确定导通状态的电流和电压。
2.计算导通状态下的功率：使用下式计算导通状态下的功率：P_on = I_on * V_on3.计算导通损耗：使用下式计算导通损耗：P_cond = I_on^2 * Rds_on其中，Rds_on为通态电阻。
二、开关损耗的计算方法开关损耗是功率半导体元件在开关状态下产生的损耗，主要由开关过程中产生的开关电压和开关电流引起。
开关损耗的计算方法如下所示：1.确定开关状态的电流和电压：根据电路工作条件和元件的开关方式，确定开关状态的电流和电压。
2.计算开关状态下的功率：使用下式计算开关状态下的功率：P_sw = V_sw * I_sw * f_sw其中，V_sw为开关电压，I_sw为开关电流，f_sw为开关频率。
3.计算开关损耗：使用下式计算开关损耗：P_sw = V_sw * I_sw * t_sw其中，t_sw为每个开关周期内的开关时间。
三、损耗的分析和优化方法对于功率半导体元件的损耗分析和优化，以下是几种常用的方法：1.模拟仿真：使用电路仿真软件，将元件的导通和开关过程模拟为电路模型，进行电路仿真，得到元件的导通损耗和开关损耗。
2.实验测量：使用实验仪器，如功率分析仪和示波器，测量元件在实际工作条件下的导通损耗和开关损耗。
3.确定损耗最大的元件：通过计算和分析，确定在实际工作条件下损耗最大的元件，针对该元件进行优化设计。
coss损耗计算
coss损耗计算
标题：理解与计算Coss损耗
一、引言
在电子电路设计中，尤其是在开关电源的设计中，了解并准确计算各种损耗是非常重要的。
其中，Coss（电容杂散电感）损耗是一个不可忽视的部分。
本文将详细介绍Coss损耗的原理以及如何进行计算。
二、Coss损耗的原理
Coss损耗是由于开关过程中电容器两端电压变化导致的功率损耗。
当开关器件导通或关断时，电容器两端的电压会瞬间改变，这会导致电容器通过开关器件的电流发生变化，从而产生功率损耗。
这种损耗通常被称为Coss损耗。
三、Coss损耗的计算
Coss损耗的计算公式为：
Pcoss = 0.5 * Coss * V^2 * f
其中，Pcoss是Coss损耗，Coss是电容器的等效串联电阻，V是电容器两端的电压变化量，f是开关频率。
四、降低Coss损耗的方法
1. 选择低Coss的电容器：通过选择低Coss的电容器，可以有效降低Coss损耗。
2. 提高开关频率：虽然提高开关频率会增加Coss损耗，但是可以通过其他方式（如使用同步整流器）来抵消这部分损耗。
3. 使用软开关技术：软开关技术可以在开关过程中减小电压和电流的变化率，从而降低Coss损耗。
五、结论
总的来说，理解并正确计算Coss损耗对于优化电子电路设计，尤其是开关电源设计，具有重要的意义。
通过选择合适的电容器和优化开关过程，可以有效地降低Coss损耗，提高电路效率。
常见器件损耗计算
常见器件损耗计算在电子电路中，器件损耗是指电子器件在工作过程中产生的能量损耗。
器件损耗不仅会影响电路的效率，还会产生热量，可能导致器件过热甚至损坏。
因此，准确计算器件的损耗非常重要。
常见的器件损耗计算包括电阻损耗、电容损耗和电感损耗。
1.电阻损耗计算：电阻是一种主动器件，当电流通过电阻时，会产生热量，产生的热量可以通过电阻损耗计算。
电阻损耗的计算公式为:P=I^2*R，其中P为电阻损耗，I为电流强度，R为电阻值。
例如，当电流为2A，电阻值为10欧姆时，电阻损耗为40瓦特。
2.电容损耗计算：电容是一种无源器件，当电压施加到电容上时，会产生电流，从而产生电容损耗。
电容损耗的计算公式为: P = (V^2 * I * f * tanδ) / 2，其中P为电容损耗，V为电压，I为电流，f为频率，tanδ为损耗角正切。
电容损耗与频率成正比，当频率越高时损耗越大。
另外，损耗角正切值越大，电容损耗越大。
例如，当电压为10伏特，电流为2安培，频率为1千兆赫，损耗角正切为0.02时，电容损耗为10瓦特。
3.电感损耗计算：电感是一种无源器件，当电流通过电感时，会产生磁场，从而产生电感损耗。
电感损耗的计算公式为:P=I^2*R，其中P为电感损耗，I为电流强度，R为电阻值。
电感损耗与当前的电流强度平方成正比，当电流强度越大时，电感损耗越大。
例如，当电流为5安培，电感器内部电阻为2欧姆时，电感损耗为50瓦特。
除了上述常见的器件损耗计算，还有一些特殊器件的损耗需要额外考虑。
例如，二极管损耗可以通过计算正向电压降和正向电流得到，晶体管损耗可以通过计算静态和动态功耗得到。
在设计电子电路时，计算器件的损耗可以帮助工程师选择合适的器件和优化电路设计，提高效率和稳定性。
因此，了解常见器件损耗计算方法对于电子工程师非常重要。
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常见器件损耗计算常见器件损耗计算方法 ----开关电源电磁元件类输入滤波器 差模电感器以铜损为主，器件工作频率低，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)共模电感器以铜损为主，由于噪声的Vt 值小，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)PFC 电路 PFC 电感器以铜损为主，磁损为副，磁芯磁导率/工作状态表现为增量磁导率，即在一定偏置磁场下叠加一振幅较小的交变磁场；磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 最大电流峰值：低压输入时峰值处的纹波电流di 、工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fd x d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi •=→••= L 是工作状态时的电感量，磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz每升高10℃，损耗近似增加40%；粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关；FeSiAl粉芯材料损耗公式--损耗与磁导率无关：0.2dB46.1PP Fe磁芯单位损耗mW/cm3 dB工作磁密kG f工作频率kHzfFeFeSi粉芯材料损耗公式--损耗与磁导率无关：MMG CSC DongBuP=5.92e-06*B1.5085*f0.7701P=1.78*B2.05*f1.535P=2.751*B2.196*f1.352 P=power loss density(mw/cm3)F/f=frequency(Hertz)B=flux density(gauss)附：参考损耗曲线图—推导损耗公式：查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core •= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=DC~DC 电路 谐振电感器以磁损为主，铜损为副，不考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、(最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fd x d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi •=→••= L 是工作状态时的电感量，由于谐振电感器的电感量要求基本不变化，与来料的承认书要求一致；di 取电感器输入有效电流值I RMS ；dB 是双向工作状态，故工作时的磁密取值为2Bm ，所以以下的磁芯损耗取值为Bm磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz每升高10℃，损耗近似增加40%；粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关； MMP –26材粉芯材质：55.225.1437.5dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHzMMP –60材粉芯材质：24.241.1625.0dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core •= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=主变压器以磁损为主，铜损为副，考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算； 由于方波的损耗要比正弦波损耗低10%，故损耗可降低10%；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下原副边直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下原副边直流电阻值R 0、占空比Dmax 、(最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)邻近效应系数：为了简化计算，我们通过以下绕制方式进行系数增加损耗，条件为1. d/T=<1 (d/T 是导体直径与趋肤深度之比，d ：导体直径(mm) T ：趋肤深度(mm))2. 原边一次绕制完成层数<2层3. 副边一次绕制层数<3层总铜损为原副边铜损之和，若考虑邻近效应，按上式进行计算： S RMSS P RMSP cuTotalR I R I P 11021102+=磁损计算：通过法拉第定律，推导工作磁密dtdB NAe dt d NV ==φ双向磁化时的工作磁密为Bm dB 2=NAeVTonBm 2=，移向全桥时，NAef VD Bm MAX 4=单向磁化时的工作磁密为NAeVTonBm dB ==磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz每升高10℃，损耗近似增加40%；查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core •= Core P 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 ，Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=附：邻近效应分析对计算圆形截面导体中，由邻近效应引起的损耗为：cP Gr Id B w P ρ12814159.3422=P p ：邻近效应损耗；w ：磁场角速度；B ：磁感应强度；l ：导体长度；d ：导体直径； Gr ：邻近效应因子；P C ：导体电阻率；邻近效应因子Gr 是无量纲因子，它的变化规律仅适合于圆形截面积导体。
趋肤深厚：fk T =f ：频率(Hz)；T ：趋肤深度(mm)；当d /T <=1时(线材直径与趋肤深度之比)，Gr →1；要求：变压器设计时考虑将d/T 接近于1；当d /T 增加到4以上时，Gr 近似用下式表示：432(1)/()d dGr T T=-实际上更多使用损耗角正切的形式，对于与邻近效应相应的损耗角正切tan&，是人们更为关心的参数。
为简单起见，假设绕组只有一个线圈，其中填有铁氧体磁芯，设绕组空间的磁感应强度与绕组的安匝数成正比，即B 2=k N 2I 2；B 2：B 2在绕组空间的平均值；k ：常数；将邻近效应引起的损耗公式用电阻形式表示，则得到22PP P P P P I R R I=→=R p ：由邻近效应引起的损耗电阻，它与绕组相串联；因为绕组的电感量L =u 0 u e N 2/c 1，由上述公式得出下列损耗角正切公式为：41122003.141592||32P P L e c eR P c kc fId Grtg Z I w N δμμρμμ=== 当工作频率较低时，当d /T 小于或等于1时，Gr →1；此时tan&与Gr 无关，与频率成正比；当d /T增加到3.5时，tan&达到最大值。