常见器件损耗表
BUCK同步整流MOS损耗
基于Ｂｕｃｋ同步整流电路中功率ＭＯＳＦＥＴＳ管参数的优化 华晓辉1 林维明21 2)福州大学电气工程与自动化学院 福州 3500021)Email ：hxh_1889@ 2) Email ：weiming @摘 要 本文是分析BUCK 同步整流电路中开关管与整流管的损耗模型，以两支管的损耗最小为目标，并以输入电压IN V =5V ，输出电压OUT V =1.8V ，开关频率s f =5MHZ为例，用MATLAB 工具对其进行优化计算，得出该条件下器件物理参数。
关键词 SR-Buck, MOSFET 损耗模型 , MATLAB 优化1．引言MOSFET 现已成为高频开关变换器、微处理器与半导体存储器等先进集成电路(IC)中最主要的器件单元，它尺寸小、功耗低、并与数字电路的主流工艺兼容。
近年来，使用MOSFET 的模拟IC 逐渐已成为主流，改变了以往主要使用双极型器件的局面。
GENFET MOSFET 器件就采用了Genera l Semiconductor 公司的0.35um 深槽工艺制造出了每平方英寸含200M 单元，集成度提高了4倍，更加适合了移动电话机，笔记本电脑，PDA 以及其它的无线电产品的应用。
因此在高功率密度集成Buck 同步整流电路中，确定MOSFET 的损耗模型，优化电路中主开关管与同步整流管的最小损耗模型显得十分重要。
2．寄生参数随着器件尺寸的不断减小，电路模拟程序中的器件模型也越来越复杂，以保证模拟结果的精确度；然而电路的模拟精确度不仅与器件模型有关，还与给定的器件模型参数有关。
功率MOSFET 的常用等效模型如图1，其中dson R 为导通电阻，Cgs 及Cds 和Cgd 为MOSFET 的寄生电容[1]，它们的值是非线性的与施加在MOSFET 上的栅极的电压有关。
为简化分析，在此的模型的优化过程中忽略了引线电感等，并使器件工作在线形放大区。
在图1中:Cgov W Cox L W Cgd Cgs ⋅+⋅⋅==2 (1)Cgs 、Cgd 分别是栅极与源极、栅极与漏极之间的电容，Cgov 是栅极与源极、漏极之间的重叠电容[2];图1 MOSFET 常用等效电路模型Cox =ox ox T /97.3ε 是每单位面积的氧化层的电容，其中o ε是真空介电 常数，ox T 为栅极氧化层的厚度，ox ε为栅极氧化层的介电常数。
无线覆盖系统各种器件技术指标介绍(无源、有源、天馈)
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
传输线有三种状态：1、无反射状态（行波）2、全反射状态（驻波）3、行驻波 驻波比（回波损耗） 驻波比（回波损耗）：行驻波状态时，波腹电压与波节电压之比（VSWR）
附：驻波比——回波损耗对照表： SWR 回波损（dB） 1.2 21 1.25 19 1.30 17.6 1.35 16.6 1.40 15.6 1.50 14.0
工作频段 工作带宽 矩形系数 插入损耗 带内波动 带外抑制 驻波比 回波损耗 隔离度 耦合度 功率容量 衰减量
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
工作频段：满足一定工作指标要求的频率范围。 如某器件工作频段为： 上行：885～909MHz，下行：930～954MHz 或上下行都工作在800～2500MHz等 工作带宽：当器件的增益下降3dB时的频率宽度。 矩形系数：增益下降3dB时频率宽度/增益下降10dB时频率宽度
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
无线覆盖系统 各种器件技术指标介绍
京信系统公司技术咨询部 2005年5月 2005年
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
目录
无源器件技术指标介绍 天馈线技术指标介绍 有源器件技术指标介绍
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
无源器件技术指标介绍
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
功分器测试指标示意图
如图所示，1口可测得驻波比；2，3口可测得插入损耗，而 由于腔体功分器本身的器件特点，输出口驻波以及输出口 的隔离不作为声明值提出。 可测指标：插损
可测指标：驻波
可测指标：插损
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
功分器
无线覆盖系统各种器件指标技术交流
RD-52（ 3/4）N/NP-F2 （ ）
温升计算
压降乘上RMS电流就是损耗，然后用热阻来计算温升，在加上环境温度就是最终的结温，如果不超过datasheet给出的值就OK。
Ploss=0.9*3=2.7W 公式中0.9是VFRt=37℃/WRth=2℃/W不需要加散热器。
电源设计都要考虑效率与散热问题,此公式供大家参考:T=(P/Fm)^0.8 *539/AP : 损耗(热量);Fm: 散热面积;A :散热校正系数,与散热材料有关;T :温升.A的取值范围,要看你所用的散热材料,是用铜,铝还是铁,要查下它们的参数,导热系数,热阻.散热设计是一个比较复杂,也很头痛的事情,相互学习吧.希望有更多的人来参与,讨论.任何器件在工作时都有一定的损耗,大部分的损耗变成热量.小功率器件损耗小,无需散热装置.而大功率器件损耗大,若不采取散热措施,则管芯的温度可达到或超过允许的结温,器件将受到损坏.因此必须加散热装置,最常用的就是将功率器件安装在散热器上,利用散热器将热量散到周围空间,必要时再加上散热风扇,以一定的风速加强冷却散热.在某些大型设备的功率器件上还采用流动冷水冷却板,它有更好的散热效果. 散热计算就是在一定的工作条件下,通过计算来确定合适的散热措施及散热器.功率器件安装在散热器上.它的主要热流方向是由管芯传到器件的底部,经散热器将热量散到周围空间.采用什么方式散热以及散热片要多大,由以下条件决定:1、元件损耗2、元件散热环境3、元件最高允许温度如果要进行散热设计,上面的三个条件必须提供,然后才能进行估算.大部分TO-220三极管,一般中间那个脚是C,它又跟管子本身的金属片相连,也有不相连的.散热片与金属片那个脚相连,所以一些高压,绝缘不良的问题要主意啦,要留有一定的距离,或选好的绝缘材料.以7805为例说明问题.设I=350mA,Vin=12V,则耗散功率Pd=(12V-5V)*0.35A=2.45W按照TO-220封装的热阻θJA=54℃/W,温升是132℃,设室温25℃,那么将会达到7805的热保护点150℃,7805会断开输出.正确的设计方法是:首先确定最高的环境温度,比如60℃,查出7805的最高结温TJMAX=125℃,那么允许的温升是65℃.要求的热阻是65℃/2.45W=26℃/W.再查7805的热阻,TO-220封装的热阻θJA=54℃/W,均高于要求值,都不能使用,所以都必须加散热片,资料里讲到加散热片的时候,应该加上4℃/W的壳到散热片的热阻.计算散热片应该具有的热阻也很简单,与电阻的并联一样,即54//x=26,x=50℃/W.其实这个值非常大,只要是个散热片即可满足.国际化标准组织ISO规定:确定散热器的传热系数K值的实验,应在一个长( 4±0.2 )m×宽( 4±0.2 )m×高( 2.8±0.2 )m的封闭小室内,保证室温恒定下进行,散热器应无遮挡,敞开设置.散热器的传热系数是表示:当散热器内热媒平均温度与室内空气温度的差为1℃时,每㎡散热面积单位时间放出的热量.单位为W/㎡.℃.散热量单位为W.传热系数与散热量成正比.影响散热器传热系数的最主要因素是热媒平均温度与室内空气温度的温差△T,散热器的材质、几何尺寸、结构形式、表面喷涂、热媒温度、流量、室内空气温度、安装方式、片数等条件都会影响传热系数的大小.散热器性能检测标准工况(当△T=64.5℃时),即:热媒进口温度95℃,出口温度70℃,空气基准温度18℃.安规要求:对初/次级距离有三种方式:1.爬电距离达到要求.2.空间距离达到要求.3.采用绝缘材料:a.用大于0.4mm厚的绝缘材料.b.用能达到耐压要求的多层安规绝缘材料距离可小于0.4mm如变压器中用三层黄胶纸.散热器的计算:总热阻RQj-a=(Tjmax-Ta)/PdTjmax :芯组最大结温150℃Ta :环境温度85℃Pd : 芯组最大功耗Pd=输入功率-输出功率={24×0.75+(-24)×(-0.25)}-9.8×0.25×2=5.5℃/W总热阻由两部分构成,其一是管芯到环境的热阻RQj-a,其中包括结壳热阻RQj-C和管壳到环境的热阻RQC-a.其二是散热器热阻RQd-a,两者并联构成总热阻.管芯到环境的热阻经查手册知RQj-C=1.0 RQC-a=36 那么散热器热阻RQd-a应<6.4. 散热器热阻RQd-a=[(10/kd)1/2+650/A]C其中k:导热率铝为2.08d:散热器厚度cmA:散热器面积cm2C:修正因子取1按现有散热器考虑,d=1.0 A=17.6×7+17.6×1×13算得散热器热阻RQd-a=4.1℃/W,热量传递的三种基本方式:导热、对流和辐射.传热的基本计算公式为:Φ=ΚAΔt式中:Φ——热流量,W;Κ——总传热系数,W/(m2·℃);A ——传热面积,m2;Δt——热流体与冷流体之间的温差,℃.散热器材料的选择:常见金属材料的热传导系数:银429 W/mK铜410 W/mK金317 W/mK铝250 W/mK铁90 W/mK热传导系数的单位为W/mK,即截面积为1平方米的柱体沿轴向1米距离的温差为1开尔文(1K＝1℃)时的热传导功率.5种不同铝合金热传导系数:AA1070型铝合金226 W/mKAA1050型铝合金209 W/mKAA6063型铝合金201 W/mKAA6061型铝合金155 W/mKADC12 型铝合金96 W/mK绝缘系统与温度的关系:insulation class Maximum Temperatureclass Y 194°F (90℃)class A 221°F (105℃)class E 248°F (120℃)class B 266°F (130℃)class F 311°F (155℃)class H 356°F (180℃)摄氏度,华氏度换算:摄氏度C=(华氏度-32)/1.8华氏度F= 32+摄氏度x1.8绝缘系统是指用于电气产品中兩个或數个绝缘材料的组合.基本绝缘:是指用于带电部分,提供防触电基本保护的绝缘.附加绝缘:是为了在基本绝缘失效后提供防触电保护,而在基本绝缘以外另外的单独绝缘.双重绝缘:是由基本绝缘和附加绝缘组合而成的绝缘.加强绝缘:是用于带电部分的一种单一绝缘系统,其防触电保护等级相当于双重绝缘.根据你提供的:热传导系数的单位为W/mK,即截面积为1平方米的柱体沿轴向1米距离的温差为1开尔文(1K＝1℃)时的热传导功率.则:铝板的热传导能力就是:热功率(W}=250*铝板厚度{M)*铝板宽度(M)/铝板长度(M)/温差(℃)对不?做散热用,最好用6063、6061、6060等铝合金型材,便宜,散热好,但是不绝缘.传热的基本计算公式为:Φ=KAΔtΦ - 热流量,W;Κ - 总传热系数,W/(m2·℃);A - 传热面积,m2;Δt- 热流体与冷流体之间的温差,℃.导热基本定律—傅立叶定律:500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。
ODN介绍
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ODN简介 简介
ODN是光分配网络的简称，又称光配线网。它是光纤接入网中设置在光线 是光分配网络的简称，又称光配线网。 是光分配网络的简称 路终端(OLT)和光网络单元 和光网络单元(ONU)之间的线路和设备的总称，用来分配光 之间的线路和设备的总称， 路终端 和光网络单元 之间的线路和设备的总称 信号功率， 之间提供光信号传输的物理通道。 信号功率，在OLT和ONU之间提供光信号传输的物理通道。 和 之间提供光信号传输的物理通道 ODN主要由光纤光缆、光衰减器、光纤接头、光连接器、分光器等无源光 主要由光纤光缆、光衰减器、光纤接头、光连接器、 主要由光纤光缆 器件组成。 器件组成。 ODN工程中使用的光配线架，光交接箱，光配线箱，光分路器、光分纤盒 工程中使用的光配线架，光交接箱，光配线箱，光分路器、 工程中使用的光配线架 等设备，内部集成了不同数量，不同种类的无源光器件， 等设备，内部集成了不同数量，不同种类的无源光器件，以满足光纤部署 和管理的需求。 和管理的需求。
ODN产生的光功率损耗主要包括光纤损耗 、 连接点 产生的光功率损耗主要包括光纤损耗、 产生的光功率损耗主要包括光纤损耗 损耗、分光器损耗等。 损耗 、 分光器损耗等 。 不同器件的损耗参数如左表所 示。 表 中 可 以 看 出 上 行 1310nm 波 长 的 损 耗 大 于 下 行 1490nm波长的损耗 。 实际估算光纤衰减时 ， 统一取 波长的损耗。 实际估算光纤衰减时， 波长的损耗 上行1310nm波长的每公里平均损耗（ 0.35dB）做为 上行 波长的每公里平均损耗（ ） 波长的每公里平均损耗 光纤损耗参考值， 光纤损耗参考值， 这其中已经包括光纤接续的熔接损 耗。 1550nm波长应用于 波长应用于CATV传输 ， 光纤损耗最低 。 有 传输， 波长应用于 传输 光纤损耗最低。 的链路功率预算需另外计算， 关CATV的链路功率预算需另外计算，Class B＋标准 的链路功率预算需另外计算 ＋ 不涉及。 不涉及。
常用电子元器件介绍
1T=103G=106 M=109 K=1012 R 1.1.6. 电阻器的特性： 电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段 导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 1.1.7. 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.1.8. 主要参数:标称阻值 额定功率 允许误差等级 阻值变化规律(电位器)
1.1.10.1. 直标法 将电阻器的标称值用数位元元元和文字元号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未 标偏差值的即为±20%. 1.1.10.2. 数码标记法 一般用三位元元数位元元元来表示容量的大小，单位元元元为欧姆()。前两位为有效数字， 后一位表示倍率。即乘以10i，i为第三位元数位，若第三位元数位9，则乘10-1。 如223J代表22103欧姆()＝22000欧姆 ()＝22千欧姆(K)，允许误差为5%；又如 479K代表4710-1欧姆()，允许误差为5%的电阻。这种表示方法最为常见。
为者常成，行者常至
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1.2.8. 标称容值的表示方法
1.2.8.1. 直标法
由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果 是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。
1.2.8.2. 数码标记法
不标单位的直接标记法：用1~4位元元元元数位元元元表示，容量单位元元元为pF，如350为350pF，3为3pF， 0.5为0.5pF
稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变 化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管 直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源， 也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是杂讯系 数较高，稳定性较差。
常见器件损耗计算
常见器件损耗计算方法----开关电源电磁元件类输入滤波器 差模电感器以铜损为主，器件工作频率低，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)共模电感器以铜损为主，由于噪声的Vt 值小，故磁损忽略哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu = (工作频率低，忽略趋肤效应；对称绕制，忽略邻近效应)PFC 电路 PFC 电感器以铜损为主，磁损为副，磁芯磁导率/工作状态表现为增量磁导率，即在一定偏置磁场下叠加一振幅较小的交变磁场；磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 最大电流峰值：低压输入时峰值处的纹波电流di 、工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi ∙=→∙∙= L 是工作状态时的电感量，磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d c Fe dB af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关；FeSiAl 粉芯材料损耗公式--损耗与磁导率无关：46.10.2dB fP Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz附：参考损耗曲线图—推导损耗公式：查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core ∙= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=DC~DC 电路 谐振电感器以磁损为主，铜损为副，不考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 、电感量L哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下直流电阻值R 0、输入有效电流值I RMS 、 (最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)磁损计算：工作时的工作磁密最大值：AeN LdidB Ae dB N Ldi ∙=→∙∙= L 是工作状态时的电感量，由于谐振电感器的电感量要求基本不变化，与来料的承认书要求一致；di 取电感器输入有效电流值I RMS ；dB 是双向工作状态，故工作时的磁密取值为2Bm ，所以以下的磁芯损耗取值为Bm磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz粉芯材料相当材：粉芯材料由于均匀气隙分布，我们认为损耗值与温度无关； MMP –26材粉芯材质：55.225.1437.5dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHzMMP –60材粉芯材质：24.241.1625.0dB f P Fe = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core ∙= P core 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=主变压器以磁损为主，铜损为副，考虑邻近效应磁芯磁导率/工作状态表现为振幅磁导率，即交变磁场单向或双向振幅大的磁导率； 磁芯损耗只能近似采用标准功耗测试的一定频率和工作磁密下的正弦波损耗进行计算； 由于方波的损耗要比正弦波损耗低10%，故损耗可降低10%；哪些参数来自Datasheet/承认书？---常温24℃下原副边直流电阻值R 0 Max ，磁芯体积Ve 哪些参数需要设计提供或实测提供？--常温24℃下原副边直流电阻值R 0、占空比Dmax 、(最高)工作频率f铜损计算：工作条件下的电阻值由于工作温度作用，需重新计算，最高工作温度定义为110℃，电阻值R 110为50.23424)50.234110(0110++=R R (234.5表示铜的K 值常数，铝的K 值常数是228.1)铜损为1102R I P RMS cu =附：若考虑趋肤效应的影响，按下式进行趋肤效应下的电阻计算 (圆铜线按直径，铜皮或扁平线按厚度)：30038.00035.096.0x x R R dcac++= )20(00393.01-+=T fdx d 线径(inch) f 工作频率(Hz) T 工作温度(℃)邻近效应系数：为了简化计算，我们通过以下绕制方式进行系数增加损耗，条件为1. d/T=<1 (d/T 是导体直径与趋肤深度之比，d ：导体直径(mm) T ：趋肤深度(mm))2. 原边一次绕制完成层数<2层3. 副边一次绕制层数<3层S RMSS P RMSP cuTotal R I R I P 11021102+=磁损计算：通过法拉第定律，推导工作磁密dtdB NAe dt d NV ==φ双向磁化时的工作磁密为 Bm dB 2=NAeVTonBm 2=，移向全桥时，NAef VD Bm MAX 4=单向磁化时的工作磁密为NAeVTonBm dB ==磁芯100℃下的损耗公式，也可通过查磁芯损耗图获得相同信息(损耗公式来自于此)： 铁氧体类PC40相当材：d m c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz铁氧体类PC44相当材：dm c Fe B af P = P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3dB 工作磁密kG f 工作频率kHz查磁芯手册中对应磁芯的体积Ve ，计算功耗Ve P P Fe Core ∙= Core P 磁芯损耗mW P Fe 磁芯单位损耗mW/cm 3 ，Ve 磁芯体积mm 3总损耗P Total 为Core Cu Total P P P +=附：邻近效应分析对计算圆形截面导体中，由邻近效应引起的损耗为：cP Gr Id B w P ρ12814159.3422=P p ：邻近效应损耗；w ：磁场角速度；B ：磁感应强度；l ：导体长度；d ：导体直径； Gr ：邻近效应因子；P C ：导体电阻率；邻近效应因子Gr 是无量纲因子，它的变化规律仅适合于圆形截面积导体。
室分无源器件介绍2-2
合路器和电桥
合路器和电桥
电桥有3dB的损耗，工程应用中，也有RRU信号不接电桥直接进入分 布系统的情况，但是这样做会有两个问题 1、失去分集接收的增益。 2、会造成上下行功率不匹配，由此可能会引发掉话等问题。 所以我们在实际工程中都要求信源设备输出的信号经过电桥之后进入 分布系统。
两种类型：固定的和可变的，工程上多采用固定衰减器。 在工程测试中,用频谱仪测试信信号强度时,就要在频谱仪输入口加衰 减器,以免烧坏频谱仪. 衰减器是一个消耗多余功率的器件，在实际工程中应用很少。
负载是一种特殊的衰减器，衰减度为无限大。
负载用来防止系统空载，在实际工程中应用也很少。
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馈线
馈线是室分系统中使用量最大的。
6
耦合器 耦合器的作用是将信号不均匀的分为主干端和耦合端（也叫直
通端和耦合端）。
按耦合度分有有5dB、 6dB、 7dB、 10dB、 15dB、 20dB、 25dB、30 dB、 35dB、 40dB等。 按结构分有腔体和微带
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耦合器
耦合度：信号经过耦合器，从耦合端输出的功率和输入信号功率 的差值。理想的是5dB、 6dB、 7dB等，但实际上有个波动范围， 比如标称6dB的耦合器，实际耦合度可能是5.5 dB~ 6.5dB之间。 耦合损耗：由于一定能量传输到耦合端，而引起主干线输出功率 的减小，减小的值就是耦合损耗。 主线损耗：耦合损耗+插入损耗
两进两出的电桥如果只有一个端口输出使用的话，另一端口必须连接 匹配功率的负载，不能小于两个信号功率电平和的1/2，否则将严重 影响到系统的传输特性。
回波损耗
回波损耗一．专业术语:插入损耗—Return Loss光反射测量计---Optical ReflectometerOR光回损---Optical Return LossORL二．回波损耗:当光传输在某一光器件中时，总有部分光被反射回来，光器件中回波主要由菲涅尔反射（由于折射率变化引起）、后向瑞利散射（杂质微粒引起）以及方向性等因素产生的。
它是指在光线连接处，后向反射光相对输入光的比率的分贝数。
回波损耗RL计算方法为：RL(dB)=－10lg(反射光功率/入射光功率)较高的反射光被回送到发光器件, 对发出激光产生噪音, 线宽, 频率方面的干扰, 最终造成发射光的不稳定, 进而产生系统误码, 回损较大时, 将严重影响传输系统的传输性能不匹配主要发生在连接器的地方，但也可能发生于电缆中特性阻抗发生变化的地方，所以施工的质量是提高回波损耗的关键。
回波损耗愈大愈好，以减少反射光对光源和系统的影响。
尽量将光纤端面加工成球面或斜球面是改进回波损耗的有效方法。
三.回损形成的原因高反射的形成原因–因光纤接口、法兰盘、光盘的SC/SC适配器、FC/SC适配器等器件的不洁、–接触不充分或过紧–尾纤被挤压等情况–尾纤的曲率半径过小–光接头接触点湿度过大，会使光纤接口处形成反射膜，从而导致反射过大–光接头，法兰盘的物理损伤–纤芯熔接不好三.回波损耗指标简介：回波损耗是数字电缆产品的一项重要指标，回波损耗合并了两种反射的影响，包括对标称阻抗（如：100Ω）的偏差以及结构影响，用于表征链路或信道的性能。
它是由于电缆长度上特性阻抗的不均匀性引起的，归根到底是由于电缆结构的不均匀性所引起的。
由于信号在电缆中的不同地点引起的反射，到达接收端的信号相当于在无线信道传播中的多径效应，从而引起信号的时间扩散和频率选择性衰落，时间扩散导致脉冲展宽，使接收端信号脉冲重叠而无法判决。
信号在电缆中的多次反射也导致信号功率的衰减，影响接收端的信噪比，导致误码率的增加，从而也限制传输速度。
变压器损耗
铁损是磁滞损耗和涡流损耗之和，是个固定值，它约等于空载损耗，800KVA变压器空载损耗约1.2KW。
负载损耗是随负载的变化而变化，只能计算出大约值。
如果你还保留变压器的出厂检验报告，报告中有一个指标叫额定铜损（短路损耗），用这个额定铜损可以算出铜损。
铜损=（二次工作电流/二次额定电流）的平方*额定铜损（短路损耗）。
800KVA变压器额定铜损耗约8.9KW.计算方法：估算每小时平均用电量=52000KWH/30天/8小时=216.7KWH估算每小时平均电功率=216.7KWH/1H=216.7KW估算每小时平均电流=216.7KW/（1.732*380V*0.9）=366A计算额定电流=800KW/(1.732*400V)=1155A估算铜损=（366A/1155A）*（366A/1155A）*8.9KW（铜损）=0.89KW计算每小时铜损电度=0.89KW*H=0.89KWH（度）计算月铜损电度0.89KWH*8小时*30天=213.6KWH(度)估算每小时铁损电度数=1.2KW*1H=1.2KWH计算月铁损电度数=1.2KWH*8小时*30天=288KWH（度）月损耗合计=213.6KWH+288KWH=501.6KWH800KVA变压器月用电量是52000度左右，月电损量大约501度变压器损耗的计算方法：PZ=（S/SZ）2Pkn（1）式（1）中，S—变压器的实际负荷；SZ—变压器的额定容量；Pkn—变压器在额定电流下的短路损耗。
这样，单台变压器的总损耗为：P=P0＋PZ=P0＋（S/SZ）2Pkn（2）当两台变压器并列运行时，各变压器的负载分配与该变压器的额定容量成正比，与短路电压成反比，即：S=S1＋S2（3）S1:S2=（Sn1/Uk1）:（Sn2/Uk2）（4）式（4）中，S—总负荷；Uk—变压器的短路电压。
这时两台变压器并列运行的总损耗Pb为：Pb=P1＋P2=PO1＋PO2＋（S1/Sn1）2Pkn1＋（S2/Sn2）2Pkn2 （5）将（3）式代入为：Pb=PO1+PO2+[（Pkn1Uk22+Pkn2Uk12）/（Sn2Uk1+Sn1Uk2）2]S2（6）式（6）中，P的单位为kW，S的单位为MVA配电变压器保护主要有两个方法：1）采用熔断器作为保护熔断器是配电变压器最常见的一种短路故障保护设备,它具有经济、操作方便、适应性强等特点,被广泛应用于配电变压器一次侧作为保护和进行变压器投切操作用。
大功率三电平变频器损耗计算及散热分析
2011年2月电工技术学报Vol.26 No. 2 第26卷第2期TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Feb. 2011大功率三电平变频器损耗计算及散热分析景巍谭国俊叶宗彬（中国矿业大学信息与电气工程学院徐州 221008）摘要准确计算功率器件损耗可优化变频器的散热设计。
功率器件的导通和开关特性对温度比较敏感，损耗计算必须考虑结温的影响。
本文分析了中点钳位式（NPC）三电平变频器功率器件导通和开关规律，在此基础上建立了一套实用的损耗计算方法。
通过热阻等效电路计算了功率器件的结温。
对一台1MVA NPC三电平变频器在逆变和整流两种典型工况下进行了试验分析，采用红外热成像仪对功率器件的温度进行测量，计算和测量结果误差率在5%以内，验证了损耗计算的准确性。
关键词：三电平变频器 IGBT模块损耗结温散热热阻中图分类号：TM464Losses Calculation and Heat Dissipation Analysis ofHigh-Power Three-Level ConvertersJing Wei Tan Guojun Ye Zongbin（China University of Mining and Technology Xuzhou 221008 China）Abstract Thermal design of the converter can be optimized if the power losses are precisely known. The device’s conduction and switching characteristics are very sensitive to the temperatures, so the influence of junction temperatures must be taken into consideration when calculating the power losses. In this paper, a practical loss calculation method is derived based on the analysis of the conduction and switching principles of the neutral point clamping three-level converters. Using thermal resistance equivalent circuit, the devices junction temperatures are acquired. An 1MVA NPC converter is tested in inverter and rectifier operating modes, and the infrared thermal imager is used to measure the devices temperatures. The error rates between measured and calculated temperatures are within 5% range and thus the validity of the loss calculation method is verified.Keywords：Three-level converter, IGBT module, loss, junction temperature, heat dissipation, thermal resistance1引言大功率变频器采用多电平技术可有效地降低变频器输出电压的谐波成分，改善其输出性能[1]。
电子设备行业深度研究：SiC：功率皇冠上的明珠，行业进入黄金期
[Table_Title]电子设备行业深度研究SiC：功率皇冠上的明珠，行业进入黄金期2021 年 12 月 20 日【投资要点】◆SiC高性能材料，适用于高压、高频场景。
与Si相交，SiC禁带宽度更大，热导率、击穿电厂强度更高，在高压高频等应用场景具有优势。
与SI器件相较，SiC器件的特性有1）耐高温，SiC器件的极限工作温度为600℃以上，Si器件不能超过300℃。
2）易散热，SiC材料的热导率是Si的2-3倍，因此SiC器件对散热设计的要求更低。
3）低损耗，相同规格下，SiC MOS的总能量损耗较Si IGBT降低70%。
4）可实现更高的工作频率。
因此SiC器件适用于高频率开关、650V-3.3kV 高压场景，目前制约SiC大规模应用的因素是价格，我们预计随着上游衬底产能逐步释放，良率提高，价格或将逐步降低。
◆SiC市场进入风口期。
根据Yole数据，全球SiC功率器件市场规模将从2019年的5.4亿美元增加至2025年的25.6亿美元，CAGR为30%，根据CASA Research数据，2020-2025年中国SiC、GaN电力电子器件市场规模CAGR为45%，新能源汽车和光伏储能是SiC功率器件增长的主要推动力。
补能焦虑是新能源汽车阿喀琉斯之踵，汽车800V高压平台技术逐渐冒尖，使用SiC的新能源汽车系统成本或与使用Si器件成本相差不大，因此我们认为汽车高压平台涌现促进SiC器件渗透率提升。
此外SiC器件能够促进能源高效转换，在光伏储能领域也起着至关重要作用，CASA预计至2025年光伏逆变器中SiC器件占比将提升至50%。
◆产能扩张+衬底尺寸扩大是未来的趋势。
SiC晶圆制造难度较大，全球SiC晶圆供给紧张，美国在SiC晶圆市占率较高，我们认为主因发达国家较早布局SiC晶圆片。
各国纷纷布局SiC产业，通过产能扩张和扩大衬底尺寸缓解产能紧平衡的状态，中国也在加大投资力度缩小与国外差距。
中国与全球在SiC产业的差距表现有：1）衬底：目前全球SiC衬底从6吋向8吋逐渐演变，中国SiC商业化衬底以4吋为主，正在逐步向6吋过渡。
buck同步整流电路mosfet损耗的计算
buck同步整流电路mosfet损耗的计算1. 引言1.1 背景介绍随着科技的不断发展，电子设备在我们生活中扮演着越来越重要的角色。
在许多电子设备中，直流电源是必不可少的组成部分。
而在直流电源中，buck同步整流电路是一种常见且有效的电路拓扑结构，广泛应用于各种领域中。
在buck同步整流电路中，mosfet作为电路的关键元件，承担着整流和开关的功能。
而mosfet在工作过程中会产生一定的损耗，影响整个电路的效率和性能。
对mosfet的损耗进行准确的计算和分析，对于优化整流电路的性能至关重要。
本文将重点研究buck同步整流电路中mosfet的损耗问题。
通过分析mosfet损耗的来源、计算方法、影响因素以及优化方法，希望能为电子设备的设计和性能优化提供一定的参考。
通过深入了解mosfet的损耗问题，可以更好地理解整流电路的性能特点，为未来的研究和发展方向提供指导。
本文旨在全面探讨mosfet损耗对整流电路的影响，并为未来在这一领域开展更深入的研究工作提供借鉴和参考。
1.2 问题提出在实际工程中，buck同步整流电路是一种常见的电源转换电路，它能够将输入电压转换为稳定的输出电压，广泛应用于电子设备中。
在buck同步整流电路中，mosfet器件的损耗问题一直是制约其性能的一个重要因素。
问题提出：mosfet器件在buck同步整流电路中存在着较大的损耗，这些损耗主要包括导通损耗和开关损耗。
导通损耗是mosfet器件在导通状态下的功耗，开关损耗是mosfet器件在切换过程中由于开关过程中的导通电阻带来的功耗。
这些损耗不仅会导致mosfet器件发热严重，影响整流电路的稳定性和效率，还会影响整个系统的性能表现。
如何减小mosfet器件的损耗，提高整流电路的效率和稳定性，成为了当前研究的焦点之一。
为了解决mosfet器件损耗的问题，需要对其损耗进行深入的研究和分析，探讨其来源和计算方法，寻找影响其损耗的因素，并提出相应的优化方法，以提高整流电路的性能和效率。
涡流损耗__概述说明以及解释
涡流损耗概述说明以及解释1. 引言1.1 概述涡流损耗是在电磁感应中常见的一种能量转化形式，也是电器设备和电力系统中不可避免的现象。
当导体中有交变磁场通过时，会在导体表面产生涡流电流，从而引起能量损耗。
涡流损耗的减小对于提高设备效率、降低能耗至关重要。
本文主要围绕涡流损耗展开，深入介绍涡流现象及其定义、分类以及影响因素等内容。
此外，我们还将研究涡流损耗的作用机理和常见表现形式，并参考实例进行分析和解释。
最后，本文还将探讨测量和评估涡流损耗的方法与技术进展，并对未来研究方向提出展望和建议。
1.2 文章结构本文共分为五个主要部分。
首先，在引言部分我们将对文章进行整体概述，并介绍各个章节的内容安排。
第二部分将详细定义涡流损耗并介绍其分类及影响因素；第三部分将阐释涡流损耗的作用机理以及常见的表现形式，并结合实例进行分析和解释；第四部分将探讨测量和评估涡流损耗的方法与技术进展，包括传统测量方法、新兴测量技术以及综合评估指标和模型发展情况的概述；最后，在结论与展望部分，我们将对研究内容进行总结回顾，并探讨未来研究方向的展望和建议。
1.3 目的本文的目的在于全面介绍涡流损耗，深入剖析其作用机理、表现形式以及影响因素，并系统阐述了测量和评估涡流损耗的方法与技术。
通过这篇长文，希望读者能够加深对涡流损耗的理解，了解其重要性，并掌握相关领域中正在发展的新技术和方法。
最终推动涡流损耗在电气工程中的应用和优化。
2. 涡流损耗的定义2.1 涡流现象简介涡流是一种在导体中产生的电磁现象，当导体中有变化的磁场时，会引发涡流。
涡流会形成一个环形电流在导体内部循环流动，这种电流由于存在电阻而会产生能量损耗，即涡流损耗。
2.2 损耗定义与分类涡流损耗指的是导体中由于涡流引起的能量转化为热能而散失的能量。
根据涡流引起的主要因素和产生机制不同，可以将涡流损耗分为以下几类：2.2.1 频率相关性：频率高低对涡流损耗具有显著影响。
在高频情况下，由于磁场变化更快速，导致涡流强度增大，相应地造成更高的能量损耗。
mos管损耗计算和三角形面积公式
一、概述MOS管损耗计算和三角形面积公式是电子工程领域中的两个重要概念。
MOS管损耗计算涉及到半导体器件的能量损耗和热量产生问题，是电路设计和功率管理的关键环节；而三角形面积公式则是数学中的基础知识，常用于计算三角形的面积，是几何学中的重要内容。
二、MOS管损耗计算1. MOS管的工作原理MOS管是一种重要的半导体器件，常用于电子电路中的开关和放大器。
其工作原理是利用电场控制载流子在介质中的流动，从而实现对电流的控制。
2. MOS管的损耗机制在MOS管工作过程中，会产生一定的能量损耗，主要包括导通过程中的导通损耗和开关过程中的开关损耗。
导通损耗主要是由于电流流动时产生的电阻损耗和通道的导通损耗；而开关损耗则是由于开关过程中产生的电荷积累和耦合损耗。
3. MOS管损耗的计算方法MOS管的损耗可以通过电路分析和仿真计算来获取，也可以利用功率损耗公式进行估算。
常用的功率损耗公式包括静态损耗和动态损耗的计算公式，通过这些公式可以快速有效地进行MOS管损耗的估算和分析。
三、三角形面积公式1. 三角形的面积计算三角形是几何学中最基本的图形之一，其面积计算是几何学中的基础知识。
三角形的面积可以通过多种方法进行计算，其中最常用的方法就是利用三角形的底和高来计算其面积。
2. 三角形面积公式常用的三角形面积公式有多种，最常见的是利用三角形的底和高进行计算的公式：S=1/2*底*高。
还有利用三边长进行计算的海伦公式、利用三个顶点坐标进行计算的海伦公式等多种计算方法。
3. 三角形面积的应用三角形面积公式在日常生活和工程领域中有着广泛的应用，如在建筑设计、地图测绘、图像处理等领域均有三角形面积的计算需求。
掌握三角形面积公式是非常重要的。
四、结论MOS管损耗计算和三角形面积公式是电子工程和数学中的两个重要内容，它们对于电路设计和几何学计算有着重要的意义。
通过深入学习和掌握这两个概念，可以更好地应用于工程实践和学术研究中，促进相关领域的发展与进步。
驻波比和回波损耗和传输损耗
驻波比和回波损耗和传输损耗1.引言1.1 概述驻波比和回波损耗以及传输损耗是在电子通信和信号传输领域中非常重要的概念和指标。
它们在电路设计、天线设计、无线通信系统和光纤通信系统等许多领域中扮演着不可忽视的角色。
驻波比，即站在某一点上的波的最大幅值与最小幅值的比值，是评估信号传输线路中反射和传输性能的参数。
驻波比的值越接近1，说明信号传输线路的反射较小，传输性能越好；而驻波比的值越大，说明反射越严重，传输性能越差。
因此，准确地控制驻波比的值对于保证信号传输的稳定性和质量至关重要。
回波损耗则是指信号在传输线路上受到反射而损失的信号强度。
回波损耗的大小直接影响着信号传输的质量和稳定性。
反射现象常常会导致信号的干涉和失真，从而对信号的传输产生不利影响。
因此，在设计传输线路时，减小回波损耗是一项重要的任务。
传输损耗指的是信号在传输过程中所受到的总体损耗。
它包括了所有因素导致的信号强度减弱，例如电阻、电容、电感等元件的损耗，以及信号在传输线路上的回波损耗。
传输损耗的大小直接影响着信号的传输距离和传输质量。
因此，在信号传输系统的设计中，需要综合考虑各种因素，最大限度地减小传输损耗，以保证信号的可靠传输。
本文将深入探讨驻波比、回波损耗和传输损耗的概念、定义、影响因素，以及计算方法和减小它们的措施。
通过对这些重要概念的研究，可以帮助读者更好地理解电子通信和信号传输中的关键问题，并为实际工程设计提供指导和参考。
1.2 文章结构文章结构部分的内容本文将从驻波比、回波损耗和传输损耗三个方面进行阐述。
首先，引言部分概括了全文的内容和目的。
其次，在正文部分，分为三个小节分别介绍了驻波比、回波损耗和传输损耗的定义、原理和影响因素。
最后，结论部分对驻波比的重要性和影响进行了总结，同时总结了回波损耗和传输损耗的关系和影响。
整篇文章结构清晰，层次分明，旨在全面介绍驻波比和回波损耗以及传输损耗的相关知识。
通过本文的阅读，读者将能够深入了解驻波比、回波损耗和传输损耗的概念、计算方法以及其影响因素，为相关领域的研究和应用提供参考和指导。
常用器件及馈线损耗
一、常用器件损耗表（注: 耦合器耦合口输出功率=输入功率-耦合度-插入损耗耦合器输出口输出功率=输入功率-耦合损耗-插入损耗。
）（注：功分器每个输出口的输出功率=输入功率+分配比-插入损耗。
）二、常用馈线损耗表三、移动通信室内路径损耗传播公式1、自由空间传播公式：P（L）=32.4+20lgD+20lgfD为路径(km) f为频率(MHz)2、室内路径损耗传播公式：PL（d）=31.5+10·n·lgd+FAFPL（d）为路径d的总损耗值(dB)d为路径(m)n为同层损耗因子(1.6～3.3)FAF表示不同层路径损耗附加值(10～20dB)例：假设本工程为某一宾馆的室内分布系统工程，天线输入口功率Pt=5dBm，吸顶天线增益为Gm=2.1dBi，同原预测距离为d=15米，其中n假定为2.8代入室内路径损耗传播公式，P L（15m）=31.5+10×2.8×lg15+0=31.5+32.9=64.4dB预测出距离信号源15米处的场强(设衰减储备R为10dB)P dBm =Pt+Gm-PL(15m)-R=5+2.1-64.4-10=-67.3dBm注: n=2.0为室内结构简单近似于空间n=2.6为室内结构一般复杂n=3.0为室内结构较为复杂如计算隔层路径损耗则还需调整FAF值(10dB～20dB)。
四、馈线损耗这个型号是根据那个线的直接来命名的，单位是英寸。
损耗也是不同的，具体的连接和损耗如下：移动通信基站天馈系统的路径如下：基站－1/2跳线－避雷器－8/7馈线（或者4/5馈线）－短跳线－天线，除了天线系统有一定增益外，其它线路或者器件都有一定损耗。
其中GSM900系统：1/2跳线损耗是7db/100米，7/8馈线损耗是4.03db/100米，5/4馈线损耗是2.98DB/100米，连接接头损耗是0.05DB/个接头，避雷器损耗约0.5DB。
其中GSM1800系统：1/2跳线损耗是 8 DB/100米，7/8馈线损耗是5.87DB/100米，5/4馈线损耗是4.31DB/100米，其中CDMA2000系统：由于频段和GSM900相差不多，因此损耗也差不多相同。
(完整)关于介质损耗的一些基本概念
第一篇关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗与介质损耗因数：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。
也叫介质损失,简称介损。
介质损耗指的是电介质在电场作用下引起的能量损耗,主要分为三种形式:漏导引起的损耗、电介质极化引起的损耗、局部放电引起的损耗。
直流电压作用下电介质里的损耗主要是漏导损耗，用绝缘电阻或漏导电流表示就可以了,因此平常讨论的介质损耗均为针对交流电压作用下电介质中的损耗。
2、介质损耗角δ：在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角为φ）的余角（δ）。
简称介损角。
3、介质损耗正切值tgδ：又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值。
简称介损角正切。
根据推导当电介质、外加电压及其频率一定时，介质损耗P与介质损耗因数tgδ成正比，所以可以用tgδ来表征介质损耗的大小，工程上都是通过测量计算tgδ值来表示介损的大小.4、高压介质损耗测量仪：简称介损仪,是指采用电桥原理，应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。
一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。
5、外施：使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。
6、内施：使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验,直接得到测量结果的方法.7、正接线:用于测量不接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于地电位。
8、反接线：用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位,他与外壳之间承受全部试验电压。
9、常用介损仪的分类：现常用介损测试仪有西林型和M型两种。
QS1和KD9000属于西林型.10、常用抗干扰方法：目前介质损耗测量中常见抗干扰方法有以下几种：倒相法、移相法、变频法和移相跟踪抗干扰法等.11、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）CX：±（1%C+1pF）加号前表示为相对误差，加号后表示为绝对误差。