镍铜合金靶材
金属靶材的详细介绍
金属靶材的详细介绍
金属靶材是一种用于物理镀膜和化学气相沉积等薄膜制备工艺的重要材料。
金属靶材通常由高纯度金属制成，具有均匀、致密、无气孔和纯净的特点，可用于制备高质量的薄膜。
金属靶材广泛应用于半导体、显示器、太阳能电池、光学器件等行业。
常见的金属靶材包括铜、银、金、铝、镍、钛等，以及其合金或化合物靶材。
金属靶材的制备通常采用真空冶炼、高纯度溶剂重结晶等工艺，以确保材料的纯度和均匀性。
制备好的靶材通常具有高密度、细致的晶粒、低含氧量和低杂质含量。
金属靶材的形状和尺寸可以根据不同的工艺需求进行定制。
常见的形状包括圆盘状、方板状、线状等。
其尺寸可以从几毫米到数百毫米不等。
金属靶材在工艺中起到重要的作用。
当金属靶材暴露在反应室中，通过高能粒子轰击靶材表面，金属原子会被剥离并沉积在基底材料上，形成所需的薄膜。
这种过程中，靶材的纯度和均匀性会直接影响薄膜的质量和性能。
总的来说，金属靶材作为一种重要的材料，在薄膜制备过程中起着关键作用。
其高纯度、均匀性和致密性可以保证薄膜的质量，并且能够在不同领域的应用中发挥出色的性能。
集成电路中的nicr合金靶材
集成电路中的nicr合金靶材
集成电路中的NICR合金靶材是一种用于制造电阻器的材料。
NICR合金是一种由镍和铬组成的合金，通常还包含少量的铁和其他
金属元素。
这种合金具有高电阻率和较高的熔点，使其成为制造电
阻器的理想材料之一。
在集成电路中，NICR合金靶材通常用于制造薄膜电阻器。
通过
物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等技术，将NICR合金
材料沉积在集成电路芯片表面，然后通过光刻和蚀刻等工艺形成所
需的电阻器结构。
这些电阻器可用于调节电路中的电阻值，起到限流、分压等作用。
NICR合金靶材在集成电路制造中具有重要作用，因为它们能够
提供稳定的电阻特性和良好的制程可控性。
此外，NICR合金还具有
较高的抗氧化性能和稳定的温度特性，使其在集成电路中能够长时
间稳定地工作。
总的来说，NICR合金靶材在集成电路制造中扮演着重要的角色，其优良的电阻特性和稳定性使其成为制造电阻器的理想材料之一。
通过合理的工艺和制造技术，NICR合金靶材能够为集成电路的性能提供可靠的支持。
镍铬合金靶材
镍概况（Survey）：镍是化学元素之一，化学符号为Ni，原子序数为28，具磁性，银白色过渡金属。
性状（Character）：在自然界中以硅酸镍矿或硫、砷、镍化合物形式存在。
性坚韧，有磁性和良好的可塑性，在空气中不被氧化，溶于硝酸。
物理性质（Physical property）：物质状态: 固态（具磁性）熔点: 1728 K（1455 °C）沸点: 3186 K（2913 °C）摩尔体积: 6.59³10-6m3/mol汽化热: 370.4 kJ/mol熔化热: 17.47 kJ/mol蒸气压: 237 帕（1726K）声速: 4970 m/s（293.15K）原子性质（Atomic properties）：原子量: 58.6934 原子量单位原子半径（计算值）: 135（149）pm共价半径: 121 pm范德华半径: 163 pm价电子排布: [氩]3d84s2电子在每能级的排布: 2，8，16，2氧化价（氧化物）: 1，2，3，4（弱碱性）晶体结构: 面心立方晶格名称规格尺寸纯度镍丝（Ni）Φ0.2—1.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+%99.9999% 99.9999+%Φ1.0—3.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+%99.9999% 99.9999+%Φ3.0—6.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+%99.9999% 99.9999+%镍片（Ni）50*50*（0.2-1.5）mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%100*100*（0.2-1.5）mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%200*250*（0.2-1.5）mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%镍棒（Ni）Φ（10-152.4）*1000mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ25.4*1000mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ50.8*500mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ76.2*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ101.6*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ127*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ152.4*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%镍粒（Ni）1-10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ2*10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ3*3mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ3*10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ6*6mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%Φ6*12mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%镍块（Ni）10-100mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%99.9999% 99.9999+%镍粉（Ni）0.5-75um 99.5% 99.9% 99.95% 99.99%铬概况（Survey）：铬是一种化学元素。
靶材
简介
材质分类
镍靶Ni、钛靶Ti、锌靶Zn、铬靶Cr、镁靶Mg、铌靶Nb、锡靶Sn、铝靶Al、铟靶In、铁靶Fe、锆铝靶ZrAl、 钛铝靶TiAl、锆靶Zr、铝硅靶AlSi、硅靶Si、铜靶Cu、钽靶Ta、锗靶Ge、银靶Ag、钴靶Co、金靶Au、钆靶Gd、 镧靶La、钇靶Y、铈靶Ce、不锈钢靶、镍铬靶NiCr、铪靶Hf、钼靶Mo、铁镍靶FeNi、钨靶、W等。
平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材 的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用 铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易 得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度 快．且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l。但是靶材制作困难，这是因为 氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的 93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂， Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。 而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯 阻率达到8．1×10n-cm，接近纯的ITO薄膜的电阻率。FPD和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽度甚至可以 达到3133_，为了提高靶材的利用率，开发了不同形状的ITO靶材，如圆柱形等。2000年，国家发展计划委员会、 科学技术部在《当前优先发展的信息产业重点领域指南》中，ITO大型靶材也列入其中。
有色行业专题系列研究之——靶材：国内需求高增、国产替代加速，蓄势待发
万联证券证券研究报告|有色金属国内需求高增、国产替代加速，蓄势待发强于大市（维持）——有色行业专题系列研究之——靶材日期：2021年01月22日[Table_Summary] 行业核心观点：有色行业涉及的金属品种及代表性的金属材料众多，产业链涵盖资源开发、冶炼和加工各个环节，产品广泛用于工业、新能源、电子、军工各个领域，周期各有差异、结构多点开花,且当前处于新一轮景气上行周期，完全具备乘时乘势基础。
系列专题着力能源金属及相关金属材料，本篇聚焦靶材，望有助于诸君！投资要点：⚫ 高纯金属制备，镀膜实现导电或阻挡功能：靶材是制备功能薄膜的原材料，以99.95%以上高纯金属为原料制备，用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域，实现导电或阻挡等功能。
其中，半导体领域对纯度和技艺要求最高，5N5以上。
靶材种类繁多，客户需求非标，定制属性明显。
当前趋势是高溅射率、晶粒晶向控制、大尺寸、以及高纯金属。
⚫ 中期较高增长、当前景气上行，国产替代加速：需求端，我们测算，国内靶材市场到2023年接近300亿元，面板和半导体领域受益于全球消费增长和中国份额提升，市场分别达200/50亿元量级，光伏领域则随着HJT 电池降本应用潜在需求可期，3年总需求CAGR 达9.7%较快增长；就目前而言，面板和半导体行业景气度周期上行，在线办公+5G+传统汽车消费复苏等因素持续发力，这一趋势预计未来1-2年可维持，目前相关靶材企业开工率接近满产。
供给端，全球市场依然由霍尼韦尔等企业寡占，但国内企业已经打通半导体靶材国产替代技术基础，有研新材、江丰电子进入全球主流芯片代工企业；国内四五家面板靶材企业进入京东方，国产替代整体从1到N 呈加速态势。
⚫ 国内公司着力面板和半导体领域，纵横向皆有拓展：江丰电子业务领域涉及半导体和平板显示，投资加码市场最大平板显示领域，对高纯金属原料也有拓展；阿石创靶材以平板显示用为主，亦在投资加码显示靶材；有研新材作为国有企业，专注半导体靶材及高纯金属原料，着力攻克国产替代技术难题；隆华科技靶材业务来自收购，目前用于平板显示领域。
铜合金靶材料
铜合金靶材料
铜合金靶材料是一种用于制备铜薄膜的原材料，广泛应用于电子、通信、汽车、航空航天等领域。
根据不同的用途和性能要求，铜合金靶材可分为多种类型，如纯铜靶材、高纯铜靶材、铜镍合金靶材、铜钴合金靶材等。
纯铜靶材是指纯度较高的铜材料，通常采用电解法制备，具有纯度高、杂质含量低、结晶组织均匀等特点。
纯铜靶材主要用于制备导电薄膜、抗电磁干扰屏蔽膜等。
高纯铜靶材是指纯度更高的铜材料，其杂质含量极低，具有更好的导电性能和机械性能。
高纯铜靶材主要用于制备高温、高强度、高导电性能的铜薄膜。
铜镍合金靶材是一种以铜和镍为主要成分的合金材料，具有优良的机械性能、导电性能和耐腐蚀性能。
铜镍合金靶材广泛应用于制备电子元件、集成电路、太阳能电池等领域的铜薄膜。
铜钴合金靶材是一种以铜和钴为主要成分的合金材料，具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性等特点。
铜钴合金靶材主要用于制备硬质薄膜、耐磨薄膜等。
在制备铜合金靶材时，需要采用先进的制备技术，如真空熔炼技术、真空浇注技术、激光打标技术等，以保证材料的纯度、组织结构和表面质量。
同时，在制备过程中还需要严格控制工艺参数，如熔炼温度、浇注速度、冷却速度等，以保证制备出的铜合金靶材具有优良的性能和稳定性。
磁控溅射用金属及合金靶材
磁控溅射用金属及合金靶材
磁控溅射是一种新型的物理气相沉积方式，它利用电子枪系统将电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。
在磁控溅射中，金属及合金靶材的选择和使用是至关重要的。
常见的金属及合金靶材包括高纯度金属靶材（如铝、铜、钛等）、高熔点金属靶材（如钨、钼等）、贵金属靶材（如金、银等）以及各种合金靶材（如不锈钢、镍合金等）。
这些靶材的纯度和质量对沉积膜层的性能有着重要影响。
一般来说，高纯度靶材可以获得高纯度的沉积膜层，而合金靶材则可以获得具有特定性能的合金膜层。
在选择金属及合金靶材时，需要考虑以下因素：
1. 纯度：靶材的纯度对沉积膜层的纯度和质量有着重要影响。
一般来说，高纯度靶材可以获得高纯度的沉积膜层。
2. 密度：靶材的密度对沉积膜层的致密性和硬度有着重要影响。
一般来说，高密度靶材可以获得高致密性和硬度的沉积膜层。
3. 晶粒结构：靶材的晶粒结构对沉积膜层的结晶度和力学性能有着重要影响。
一般来说，粗晶粒靶材可以获得粗晶粒的沉积膜层，而细晶粒靶材则可以获得细晶粒的沉积膜层。
4. 抗腐蚀性：靶材的抗腐蚀性对沉积膜层的耐腐蚀性和使用寿命有着重要影响。
一般来说，耐腐蚀性好的靶材可以获得耐腐蚀性好的沉积膜层。
5. 成本：不同种类和质量的靶材成本差异较大，因此在选择靶材时需
要考虑成本因素。
总之，在选择磁控溅射用金属及合金靶材时，需要根据具体的应用需求和工艺条件进行综合考虑，选择合适的靶材以获得最佳的沉积膜层性能。
磁控溅射镀膜靶材料
磁控溅射镀膜靶材料磁控溅射镀膜技术作为一种重要的表面修饰方法，在电子、光电、材料等领域有着广泛的应用。
而作为磁控溅射镀膜技术的核心材料——靶材，其选择和使用直接关系到溅射膜层的质量和性能。
本文将介绍磁控溅射镀膜靶材料的分类、常见材料及其特点，并讨论靶材的制备工艺和质量控制方法，旨在为磁控溅射镀膜相关科研和工业应用提供指导。
首先，磁控溅射镀膜靶材料可以按照化学性质和物理性质进行分类。
从化学性质上看，主要分为金属靶材、合金靶材和化合物靶材等。
金属靶材主要包括铜、铝、钛等，合金靶材常见的有镍铬合金、钴铬合金等，化合物靶材则包括氮化物、氧化物等。
从物理性质上看，靶材可以分为导体靶材和绝缘体靶材。
常见的磁控溅射镀膜靶材包括铝、铜、钛等金属靶材。
这些材料具有较高的导电性和良好的热稳定性，可以在真空环境下长时间稳定地发挥作用。
另外，氮化铝、二氧化硅等绝缘体靶材也广泛应用于磁控溅射镀膜领域。
绝缘体靶材的使用可以改变溅射过程中的离子束能量分布，提高溅射膜层的质量和均匀性。
靶材的制备工艺对镀膜质量及性能起着至关重要的作用。
首先，靶材的制备要求其成分纯净，无杂质。
通常采用电弧熔炼、电子束熔炼等方法制备金属靶材；而化合物靶材的制备则需要采用化学气相沉积、固相反应等特殊工艺。
其次，制备过程中要确保靶材的均匀性，避免出现微观或宏观缺陷。
同时，靶材的密度和结构也需要进行严格控制，以确保其在溅射过程中的稳定性和利用率。
为了保证磁控溅射镀膜的质量，还需要对靶材进行质量控制。
首先，靶材的表面需要进行表面处理，以去除氧化物和杂质，提高溅射效率。
其次，靶材的形状和尺寸需要进行严格控制，以确保靶材与阴极的匹配度和镀膜的均匀性。
最后，溅射过程中需要监测靶材的损耗情况，及时更换和调整靶材，以保证膜层的一致性和稳定性。
综上所述，磁控溅射镀膜靶材是影响溅射膜层质量和性能的重要因素。
不同的靶材具有不同的特点和适用范围，其制备和质量控制工艺也需要注意。
靶材简介介绍
面临国际竞争压力，国内企业 需要提高自身竞争力
环保和能源消耗问题成为行业 发展的挑战
靶材在未来的应用和发展方向
半导体、平板显示、太阳能等领域需求将持续增长
高性能、高纯度、高精度靶材将成为发展方向
3D打印等新兴技术将对靶材产业产生影响
绿色生产和循环经济将成为行业发展的重要方向
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靶材生产设备与技术
靶材的分类
• 靶材主要分为金属靶材和非金属靶材两大类。其中，金属靶材包括铜、铝、铁、钴、镍等常见金属靶材，以及一些稀有金 属靶材如钨、钼等；非金属靶材则包括硅、锗、碳化硅等半导体材料，以及磷、砷、锑等非金属元素靶材。
靶材的主要应用领域
• 靶材的主要应用领域包括集成电路制造、显示面板制造、太 阳能电池制造等。在集成电路制造中，靶材主要用于制作金 属导线、互连线、电阻器等元件；在显示面板制造中，靶材 主要用于制作像素电极、彩色滤光片、液晶材料等元件；在 太阳能电池制造中，靶材主要用于制作电极、导线等元件。
化学气相沉积(CVD)
利用化学反应将气体转化为薄膜，沉积在基底材料上。
物理气相沉积(PVD)
利用物理方法将固体材料转化为薄膜，沉积在基底材料上。
热解法
利用高温分解有机物或聚合物，获得非金属薄膜。
靶材制造过程中的质量控制
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原材料控制
严格控制原材料的纯度、 成分、粒度等参数，确保 靶材质量的稳定性。
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靶材生产过程中的环保与安全问题
有害气体排放
靶材生产过程中会产生一些有害气体，如熔炼过程中的氧 化物气体、热处理过程中的燃烧废气等，需要采取相应措 施进行治理和排放。
废渣处理
靶材生产过程中会产生一些废渣，如熔炼过程中的炉渣、 表面处理过程中的研磨废料等，需要进行妥善处理和回收 利用。
磁控溅射用金属及合金靶材
磁控溅射用金属及合金靶材磁控溅射技术是一种常见的表面处理技术，用于在材料表面形成薄膜。
在磁控溅射过程中，金属或合金靶材被高能粒子轰击，从而使其释放出原子，形成薄膜。
磁控溅射用金属及合金靶材在这一过程中起着关键作用。
本文将介绍磁控溅射技术以及常见的金属靶材和合金靶材的应用。
一、磁控溅射技术概述磁控溅射技术是一种基于电火花放电原理的物理气相沉积技术。
在磁控溅射过程中，通过定向加速高能粒子轰击靶材，使靶材释放出原子、离子或中性原子，从而形成薄膜。
磁控溅射技术具有较高的薄膜质量、较好的附着力、较高的沉积速率等优点，因此被广泛应用于半导体、光电子、显示器件等工业领域。
二、常见的金属靶材1. 铜靶材铜靶材是磁控溅射技术中常见的一种金属靶材。
铜靶材具有导电性良好、热导率高、热膨胀系数低等特点，适用于制备导电薄膜，常见的应用包括电子器件、太阳能电池、触摸屏等。
2. 铝靶材铝靶材也是磁控溅射技术中常用的金属靶材之一。
铝靶材具有低密度、导热性好、可与多种材料形成合金等特点，常用于制备反射膜、保护膜等。
3. 钛靶材钛靶材在磁控溅射技术中应用广泛。
钛靶材具有良好的耐腐蚀性、低密度、高强度等特点，常用于制备防腐蚀膜、装饰膜等。
4. 铬靶材铬靶材是一种硬质金属靶材，具有高熔点、高硬度等特点，常用于制备耐腐蚀膜、阻隔膜等。
三、常见的合金靶材1. 铜铬合金靶材铜铬合金靶材是磁控溅射技术中常见的合金靶材之一。
铜铬合金具有低熔点、高硬度、抗氧化性好等特点，适用于制备硬质合金、陶瓷膜等。
2. 镍铁合金靶材镍铁合金靶材也是常用的合金靶材之一。
镍铁合金具有高磁导率、低热膨胀系数等特点，适用于制备磁性材料、磁存储膜等。
3. 钛铝合金靶材钛铝合金靶材具有低密度、高强度等特点，适用于制备耐磨膜、耐腐蚀膜等。
四、金属及合金靶材的制备技术金属及合金靶材的制备技术包括铸造、粉末冶金等方法。
铸造是一种常见的制备金属及合金靶材的方法，其步骤包括材料选取、熔化、浇铸、热处理等。
国内半导体靶基材
国内半导体靶基材
在国内，半导体制造过程中使用的靶材基本上属于高纯度金属或化合物材料，主要用于物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等工艺。
以下是一些常见的半导体靶基材料：
1.硅（Silicon）：作为半导体工业中最常用的材料之一，硅靶被
广泛应用于制造集成电路。
2.铜（Copper）：在先进的制程中，铜靶用于金属化层的沉积，
例如在多层金属工艺中。
3.铝（Aluminum）：用于制造金属线路，也是集成电路中常见的
金属材料。
4.钨（Tungsten）：用于制造高温电子器件和电极。
5.铂（Platinum）：用于某些特殊应用，如生物传感器制造。
6.钛（Titanium）：用于涂层和表面处理，增强材料的附着性能。
7.氧化铝（Aluminum Oxide）：用于制备绝缘层或薄膜。
8.氮化硅（Silicon Nitride）：用于绝缘膜的制备，通常用于CMOS
工艺。
这些靶基材料的选择取决于具体的应用和工艺需求。
半导体制造中使用的靶材通常需要高度纯净度，以确保薄膜的质量和性能。
在国内，有多家公司专门生产和供应半导体靶材，这些材料往往符合国际标准和行业规范。
镍铬合金靶
简介：靶材是制备薄膜的关键基础材料，传统的合金冶炼加工技术和粉末冶金技术是靶材制备加工的两种主要方法。
在镀膜行业中，Ni-Cr 系二元合金靶材和薄膜被广泛应用于耐磨、减磨、耐热和抗蚀等表面强化薄膜，以及低辐射( Low-E) 玻璃、微电子、磁记录、半导体和薄膜电阻等高端技术产业，热处理工艺显著影响合金的物相结构和显微组织。
Ni-Cr 系合金的微观组织和微区成分对热处理工艺较为敏感，在1000 ～ 1200 ℃的范围内，BCC 相中Ni 元素的原子含量从5%变为30%。
提出了适宜的均匀化热处理工艺，以便获得组织和成分比较均匀的高品质Ni-Cr 系合金靶材。
当Ni 元素的原子含量在20%～ 70%时，均匀化热处理在1200 ～ 1300 ℃之间比较适宜，而均匀化退火时间随退火温度的选取高低而不同，在2 ～ 24 h 的范围内变动。
基于随机级联碰撞理论和蒙特卡洛方法，对离子束溅射中入射离子与Ni-Cr 系合金靶材固体之间的相互作用进行模拟的结果表明，由于Ni 和Cr 的原子表面能较为接近，Ni-Cr 系合金靶材的溅射产物成分与靶材成分不发生明显偏差，有利于靶成分的选择和薄膜成分的控制。
均匀化退火时间随退火温度的选取大小不同，在2 ～ 24 h 范围内变动，通常，在保证组织和成分均匀性的前提下，热处理温度越高，需要的热处理时间越短; 另一方面，为了防止晶粒过分长大，实际热处理时终了阶段的时效温度不宜选取得过高。
镍铬合金膜具有高的电阻率，低的电阻温度系数。
较高的灵敏系数且对温度依赖小等特点，因此常用于制备薄膜电阻应变计。
尽管镍铬膜具有如此多的优异特性，但在实际应用中还存在诸多问题：(1)膜与基体的结合力问题。
研究发现当薄膜的厚度较大时，薄膜会由于内应力过大而与基体发生脱落。
严重影响薄膜应变计的应用；2)镍铬薄膜具有较大的电阻温度系数，不宜于在温度变化剧烈的环境下测量应变，如何减小薄膜的电阻温度系数，拓展测量的温度范围一直是我们研究的重要课题；3)扩宽薄膜的应变范围，使在尽量宽的应变范围内薄膜的电阻相对变化与应变呈线性关系；(4)镍铬合金薄膜在高温下对外界应力的测量没有实现铁镍合金一种在弱磁场中具有高磁导率和低矫顽力的低频软磁材料。
铜镍锰合金靶材
铜镍锰合金靶材一、引言铜镍锰合金靶材是一种高纯度的材料，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于半导体、薄膜材料、太阳能电池等领域。
随着科技的不断进步和应用领域的扩大，铜镍锰合金靶材的需求量也在不断增加。
本文将从铜镍锰合金靶材的制备、性能以及应用等方面进行详细介绍。
二、制备方法1.真空电弧熔炼法真空电弧熔炼法是一种常见的制备铜镍锰合金靶材的方法。
该方法利用高温下的真空环境，在铜、镍、锰原料中施加高压电弧，使其蒸发并沉积在基板上形成薄膜。
该方法可以得到高纯度的铜镍锰合金靶材，并且具有较好的均匀性和致密性。
2.溅射法溅射法是一种利用离子轰击或者电子轰击使目标表面原子蒸发并沉积在基板上形成薄膜的方法。
该方法可以通过调节溅射功率、气体流量和沉积时间等参数来控制薄膜的成分和厚度。
同时，该方法还可以通过多种离子源或者电子源来实现多元合金的制备。
3.化学气相沉积法化学气相沉积法是一种利用化学反应使原料气体在基板表面形成薄膜的方法。
该方法可以通过调节反应温度、压力和原料比例等参数来控制薄膜的成分和厚度。
同时，该方法还可以实现多元合金的制备，并且具有较好的均匀性和致密性。
三、性能表征1.组织结构铜镍锰合金靶材具有致密均匀的组织结构，其晶粒尺寸一般在微米级别。
同时，由于不同原料之间具有良好的相容性，因此合金中不存在明显的界面或者夹杂物。
2.物理性能铜镍锰合金靶材具有优异的物理性能，如高熔点、良好的导电性和热导率等。
其中，导电性能是其最为突出的特点之一，其导电性能可达到纯铜材料的90%以上。
3.化学性能铜镍锰合金靶材具有优异的化学稳定性和抗腐蚀性能，可以在多种酸、碱和氧化剂环境下保持稳定。
同时，铜镍锰合金靶材还具有一定的氧化还原性能，可用于一些电化学反应中。
四、应用领域1.半导体领域铜镍锰合金靶材是半导体制备中不可或缺的材料之一。
其可以用于制备各种功能薄膜，如透明导电薄膜、磁性薄膜等。
此外，铜镍锰合金靶材还可以用于制备太阳能电池、液晶显示器等器件。
镍磷合金靶材
镍磷合金靶材镍磷合金靶材一、引言靶材是一种材料，在科学研究、工程设计和工业生产中发挥着重要的作用。
镍磷合金靶材作为一种重要的靶材，具有优异的性能和广泛的应用领域。
本文将介绍镍磷合金靶材的基本概念、制备方法、性能和应用等方面的内容，以期为相关领域的研究和应用提供参考。
二、基本概念镍磷合金靶材是由镍和磷两种元素组成的合金材料。
镍是一种具有良好电导率、热导率和机械性能的金属，而磷是一种重要的非金属元素，能够使合金材料具有高温强度、耐腐蚀性和低熔点等特点。
因此，镍磷合金靶材在电子器件、化学传感器、能源存储材料和表面涂层等领域有着广泛的应用。
三、制备方法镍磷合金靶材的制备方法主要包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法和热解法等几种。
其中，物理气相沉积法是最常用的制备方法之一。
该方法通过在合金材料表面加热，使其蒸发成气态，然后在基板上冷凝成薄膜。
这种方法具有制备工艺简单、成本低廉的特点，适用于大规模生产。
化学气相沉积法是另一种常用的制备方法。
该方法通过在反应室中供应金属和非金属原料气体，使其在高温下发生化学反应生成合金薄膜。
溅射法是利用高能粒子轰击靶材表面，使其表面的原子释放出来并被沉积在基板上形成薄膜。
热解法是将合金材料加热至高温，使其分解成单质元素，并在基板上重新组装成合金薄膜。
四、性能镍磷合金靶材具有许多优异的性能。
首先，它具有良好的电导率和热导率，使其在电子器件和热管理领域有着广泛的应用。
其次，镍磷合金靶材具有良好的机械性能和磁性能，适用于制备各种高强度和高磁感应强度的材料。
此外，镍磷合金靶材还具有良好的耐腐蚀性和低熔点，使其能够有效地抵抗各种腐蚀介质和高温环境的侵蚀。
五、应用镍磷合金靶材在各个领域都有着广泛的应用。
在电子器件领域，镍磷合金靶材可用于制备导电薄膜、金属线路和电极等。
在化学传感器领域，镍磷合金靶材可用于制备气体传感器、湿度传感器和温度传感器等。
在能源存储材料领域，镍磷合金靶材可用于制备锂离子电池和超级电容器等。
靶材行业价格表
种 类
多弧靶 报价( 报价(元) 纯 度 比 例
平面参考 密度( cm³) 密度(g/cm³) 单价（ 单价（元）
红铜） 背板（红铜）
钛-Ti 铬-Cr 锆-Zr 镍-Ni 锡-Sn 铜-Cu 铝-Al 硅-Si 铟-In 石墨 铌-Nb 钽-Ta 金-Au 银-Ag 钼-Mo 钢 钨-W 不锈钢
ITO 五氧化三钛 一氧化硅 二氧化硅
5500 1100 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 时价 560元/kg 550元/kg 3200元/kg 130元/kg 200元/kg 10元/个
密度7.2 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒 颗粒
/ / / / / / 4N
/ / /
95:5/97:3/90:10
7.2 7.14 8.9 8.9
5500 60-70 70 65
VV
(压扎工艺）
/
合金
种 类 比例 单价（ 单价（元/kg） 背板（铜） kg） 背板（
陶瓷靶
种 类 单价（ 单价（元/kg） kg）
钛铝
1150 1250 1350
180 1200 680-720 900 / / / / 5600
2N-3N 3N
/ / / /
4.5 7.2 6.4 8.9 7.75 8.9 2.7 2.42 7.3 2.62
220-250 620-720 380 380 300 160 VV
4N
/ 无氧铜 / /
350-430 5600 350 1380 2300-2500 市场价 市场价 870 市场价 950 80 95
靶材行业市场分析
VS
退出壁垒
由于靶材行业的特殊性，企业在进入该行 业后，需要面临较大的退出成本，如固定 资产投资、技术转让费用等；同时，企业 在退出该行业后，可能会面临技术保密、 商业机密泄露等风险。
04
靶材行业发展趋势
技术创新推动行业发展
靶材制备技术不断进步
随着科技的不断进步，靶材的制备技术也在不断革新，如真空熔炼、粉末冶金 、物理气相沉积等技术的改进，提高了靶材的质量和性能。
技术优势
拥有先进的合成技术和独特的生 产工艺，产品具有优异的性能和 加工特性
新兴靶材企业案例
案例二：某新兴靶材企业F 成立时间：XXXX年 总部地点：XX国家
新兴靶材企业案例
主要产品
纳米级金属氧化物靶材等
市场份额
新兴市场，正在积极开拓市场份额
技术优势
专注于纳米技术领域，产品具有高附加值和广泛应用 前景
新材料的应用
新型材料的出现和应用，如高纯度金属、陶瓷等，为靶材的制备提供了更多的 选择，推动了靶材行业的发展。
环保政策对行业的影响
环保标准提高
随着全球环保意识的提高，各国政府纷纷出台更为严格的环保法规和标准，对靶 材行业提出了更高的要求。
环保技术的推广
为了满足环保法规和标准，靶材企业需要不断推广和应用环保技术，如废气、废 水处理技术等，这将对行业的发展产生积极的影响。
靶材行业市场分析
汇报人： 2023-12-31
目录
• 靶材行业概述 • 靶材市场现状 • 靶材行业竞争格局 • 靶材行业发展趋势 • 靶材行业风险与机遇 • 靶材行业案例研究
01
靶材行业概述
靶材定义与特性
靶材定义
靶材是指用于制造薄膜、涂层、镀层 等材料的原材料，通过物理或化学气 相沉积、溅射、离子注入等工艺，将 靶材转化为所需的薄膜或涂层。
镀膜靶材的材料种类
镀膜靶材的材料种类镀膜靶材是用于物理气相沉积或溅射技术制备薄膜材料的关键材料，其质量和性能直接影响到薄膜的结构、性能和应用。
因此，合适的镀膜靶材材料对于制备高质量薄膜非常重要。
目前，广泛使用的镀膜靶材材料种类众多，主要包括金属、合金、半导体、氧化物和复合材料等五大类。
一、金属靶材金属靶材是应用最为广泛的一类镀膜靶材，是通过在气氛中电子轰击效应下进行沉积制备薄膜。
金属靶材制备薄膜的优势在于其良好的导电性、热稳定性和良好的焊接性。
金属靶材种类繁多，按其化学性质可分为黄金族元素、贵金属、反应性金属和碱金属等。
常用的金属靶材包括铜、铝、铬、钛、锌、铁、银等。
二、合金靶材合金靶材是将两种或两种以上不同金属通过熔融混合或电子束胁迫制成的一种复合材料。
合金靶材不仅具有单一金属靶材的特点，而且可以获得具有更高机械强度、硬度、热稳定性以及更好的耐腐蚀性能。
常用的合金靶材有钼铜合金、镍铬合金、铟锡合金等。
三、半导体靶材半导体靶材是通过掺杂和其他工艺制备的一类靶材，用于生长半导体材料和薄膜。
半导体靶材含有掺杂剂，可以被用于沉积纳米材料、薄膜材料和磁性材料。
常用的半导体靶材有硅、锗、氮化铝等。
四、氧化物靶材氧化物靶材是由金属与氧元素按一定比例通过固相反应、溶胶-凝胶法等制备的多种复合材料。
氧化物靶材具有良好的生物相容性、抗氧化性和防腐蚀性能等。
常用的氧化物靶材包括氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化铟和氧化锡等。
五、复合材料靶材复合材料靶材是由两种或以上不同材料的机械混合、化学反应等方式制备的多相复合材料。
复合材料靶材具有良好的热稳定性、弹性变形、防腐蚀性和导电性能优良等特点。
常用的复合材料靶材包括碳纳米管复合材料、铜碳复合材料等。
总之，镀膜靶材的种类很多，根据不同的应用需求和制备技术，可以选用合适的靶材材料来制备高质量的薄膜。
随着新材料的发展和应用的不断拓展，未来镀膜靶材种类和应用范围还将继续扩大和深化。
mtd靶材成分
mtd靶材成分【原创实用版】目录1.靶材的定义与作用2.MTD 靶材的含义3.MTD 靶材的成分及其特点4.MTD 靶材的应用领域5.我国在 MTD 靶材研究方面的发展正文靶材是溅射薄膜制备过程中的一种关键材料，它在薄膜制备过程中承担着被溅射的角色。
靶材的成分和性能直接影响到溅射薄膜的性能，因此靶材的研究和选择在薄膜制备中具有重要意义。
MTD 靶材是一种金属靶材，其全称为金属靶材设计。
它是一种具有特定元素配比的金属合金，通过精确控制元素配比和微观结构，可以实现对薄膜性能的调控。
MTD 靶材具有高纯度、高密度、良好的晶体结构和优异的力学性能，因此在溅射薄膜制备中得到了广泛应用。
MTD 靶材的成分主要包括金属元素和非金属元素。
金属元素主要包括铜、铝、钛、镍等，非金属元素主要包括硅、碳、氮等。
这些元素的配比决定了 MTD 靶材的性能，如硬度、导电性、耐腐蚀性等。
此外，MTD 靶材的微观结构也会影响其性能，如晶粒尺寸、相结构等。
MTD 靶材广泛应用于溅射薄膜制备，如太阳能电池、触控面板、电子器件等领域。
以太阳能电池为例，通过使用 MTD 靶材可以制备出具有高光电转换效率的薄膜，从而提高太阳能电池的性能。
我国在 MTD 靶材研究方面取得了显著成果。
近年来，我国科研人员在 MTD 靶材的设计、制备和应用等方面进行了深入研究，并取得了一系列专利和技术成果。
此外，我国还积极参与国际合作，与国外科研机构和企业进行技术交流和合作，共同推动 MTD 靶材的研究和发展。
总之，MTD 靶材是一种具有高性能的金属靶材，其成分和微观结构对溅射薄膜的性能具有重要影响。
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镍
概况（Survey）：
镍是化学元素之一，化学符号为Ni，原子序数为28，具磁性，银白色过渡金属。
性状（Character）：
在自然界中以硅酸镍矿或硫、砷、镍化合物形式存在。
性坚韧，有磁性和良好的可塑性，在空气中不被氧化，溶于硝酸。
物理性质（Physical property）：
物质状态: 固态（具磁性）
熔点: 1728 K（1455 °C）
沸点: 3186 K（2913 °C）
摩尔体积: 6.59³10-6m3/mol
汽化热: 370.4 kJ/mol
熔化热: 17.47 kJ/mol
蒸气压: 237 帕（1726K）
声速: 4970 m/s（293.15K）原子性质（Atomic properties）：
原子量: 58.6934 原子量单位
原子半径（计算值）: 135（149）pm
共价半径: 121 pm
范德华半径: 163 pm
价电子排布: [氩]3d84s2
电子在每能级的排布: 2，8，16，2
氧化价（氧化物）: 1，2，3，4（弱碱性）晶体结构: 面心立方晶格
名称规格尺寸纯度
镍丝（Ni）Φ0.2—1.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+%
99.9999% 99.9999+%
Φ1.0—3.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+%
99.9999% 99.9999+%
Φ3.0—6.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+%
99.9999% 99.9999+%
镍片（Ni）50*50*（0.2-1.5）mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
100*100*（0.2-1.5）mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
200*250*（0.2-1.5）mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
镍棒（Ni）Φ（10-152.4）*1000mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ25.4*1000mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ50.8*500mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ76.2*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ101.6*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ127*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ152.4*200mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
镍粒（Ni）1-10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ2*10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ3*3mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ3*10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ6*6mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
Φ6*12mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
镍块（Ni）10-100mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+%
99.9999% 99.9999+%
镍粉（Ni）0.5-75um 99.5% 99.9% 99.95% 99.99%
铜
概况（Survey）：
铜是一种化学元素，它的化学符号是Cu，
它的原子序数是29，是一种过渡金属。
性状（Character）：
纯铜是一种坚韧、柔软、富有延展性的紫红色而有光泽的金属，又被称为紫铜。
铜靶
物理性质（Physical property）：
密度（接近室温）：8.96 g²cm−3
熔点时液体密度：8.92 g²cm−3
熔点：1357.77 K，1084.62 °C，1984.32 °F 沸点：2835 K，2562 °C，4643 °F
熔化热：13.26 kJ²mol−1
汽化热：300.4 kJ²mol−1
比热容：24.440 J²mol−1²K−1原子性质（Atomic properties）：
氧化态：+1、+2、+3、+4
电负性：1.90（鲍林标度）
原子半径：128 pm
共价半径：132±4 pm
范德华半径：140 pm
铜丝（Cu）Φ0.2—1.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ1.0—3.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999%
99.9999+%
Φ3.0—6.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999%
99.9999+%
铜片（Cu）50*50*(0.2-1.5)mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
100*100*(0.2-1.5)mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
200*250*(0.2-1.5)mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
铜棒（Cu）Φ（10-152.4）*1000mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
Φ25.4*1000mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
Φ50.8*500mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
Φ76.2*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
Φ101.6*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
Φ127*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
Φ152.4*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999%
99.9999+%
铜粒（Cu）1-10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ2*10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*3mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*10mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*6mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*12mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
铜块（Cu）10-100mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
铜粉（Cu）0.5-75um
99.5% 99.9% 99.95% 99.99%。