10W-射频同轴衰减器
射频电路调试测试流程
射频电路调试测试流程（准备阶段）射频电路的调试作为通信整机研发工作中的重要一环，工作量非常大，几乎所有电路都需要调试，为了提高效率，需要对调试环境、调试方法等进行规范。
环境准备如下1、防静电佩戴“静电手环”，并良好接地，若着化纤、羊毛、羽绒服装，外层需加穿防静电服，或防辐射服；小功率、低电压、高频率、小封装的器件均ESD敏感，最容易被ESD击穿的射频器件：RF开关，其次是LNA；所有仪器，开机使用前必须将机壳良好接地；2、电源稳压电源接入负载前，先校准输出电压，电压等于负载的额定电压；3、仪器保护为安全起见：只要射频功率大于20dBm，射频信号源（30dBm）、频谱分析仪(27dBm)、信号源分析仪（23dBm）输入端必须级联同轴衰减器，一般情况下，5W 5dB衰减器为常态配置，若测试功放模块需根据实际输出功率大小配置合适的衰减器；4、仪器设置射频信号源：Keysight输出功率<13dBm，R&S输出功率<18dBm，若超出，输出功率可能小于显示值，需实测并进行补偿；频谱分析仪：屏幕显示的有效动态范围，FSV约70dB，FSW约80dB；仪器的线性输入功率<-3dBm，超出会恶化待测IM3（ACLR）、谐波，应选择合适的内部/外部衰减值；矢量网络分析仪：仪器的IF带宽决定噪声，测无源器件的带外抑制，应适当降低IF带宽；调测任何电路，必须保证输出功率<P1dB-3dB，一般设扫描功率=-20dBm；特别注意矢量网络分析仪的扫描功率，同一电路，同一设置；矢量网络分析仪使用正确的校准参数；5、工具准备恒温烙铁、热风枪；线缆检查柔性同轴电缆最容易损坏的部位：与连接器相连处，使用前先检查；半柔同轴电缆最容易损坏的部位：外导体有裂痕，使用前先检查；电路连接方式馈电6、电流、电压测定从限流电阻采样，计算V/R得到电流值；电压测试点靠近电源输入端、输出端；直流馈电导线需根据实际工作电流进行合理选择。
衰减器基础知识
衰减器基础知识衰减器基础知识同轴衰减器、射频衰减器、衰减器、高功率衰减器衰减器，射频微波中简单的一个附件之一，要说哪个射频实验室没有，估计大家都不相信，当然，衰减器的大用户是用来衰减功率或者保护后级。
衰减器按照组成类型来分的话，主要有同轴、波导、PIN二极管等多种形式。
同轴衰减器以吸收式也就是我们的衰减片为主。
所以在衰减器厂商中能把衰减片做好可是一门绝活，据称一般不外传。
衰减片先不表IC衰减器，同轴衰减器从应用类型来分，可以分为固定衰减器、手动可调衰减器、可编程衰减器等。
在这里要多叨叨一句，如果是可编程衰减器，分为“make before break n （先合后断）和a break before make” （先断后合）两种。
如果想衰减值之间无中断地切换的话，应该选择“make before break”类型，否则可能会出现开关切换时的开路状态哈！衰减器的主要射频指标1）频率范围：这个不用说，大家都明口，还是和其它器件一样，越高频越难做。
一般6G以下除了比较高的功率外，我们倾向于认为国产品牌己经做的不错了。
2）承载功率：这个很讲究。
衰减器基础知识大家看指标书的时候请务必看一下，标出的一般都是25°C下连续波功率。
所以大家在遇到脉冲功率的时候，请务必换算一下脉冲占空比哦。
这里请大家注意哦，如果是同轴衰减器的话，因为是无源功率器件，需要考虑一个温度系数，单位为dB/°C,表征随着温度变化标称衰减值的变化量：一般随着温度的升高，承载功率是线性下降的。
所以如果衰减器的应用环境是室外的高温环境的话，请一定记得提高承载功率，否则衰减器烧毁估计就是妥妥的To3)衰减值既然作为衰减器，衰减值当然是重要的了。
一般我们常见到的是3,6, 10, 20, 30,40, 50dB。
所以如果亲想要一个2. 5dB的精密衰减器,这八成就得订做了。
4)VSWR作为一个无源器件，衰减器的VSWR重要性可是刚刚的。
10W-射频同轴负载
同轴终端（负载）：
●频率范围：DC-26.5GHz
●应用于民用、军事、航天、空间技术等●低插损、高隔离度、高功率
●可按客户要求定制生产
10W 同轴终端（负载）指标参数：
10W 同轴终端（负载）规格尺寸：
5W同轴终端（负载）实物图
50W同轴终端（负载）实物图
关于同轴终端小知识：
高可靠K型射频同轴负载（终端），是实现微波信号传输路径的终端阻抗匹配、同轴线传输能量的完全吸收的精密微波无源器件，由连接螺母、垫圈、卡簧、绝缘支撑组件、壳体、四片金属箔电阻、焊锡和压盖等装配而成，可接收从低频直至40GHz高频的微波信号，实现信号的大部分吸收，既保证了信号的阻抗匹配，又大大减少空置端口信号泄露、系统间的相互干扰。
同传统的K型负载相比，本发明结构新颖，具有高可靠、宽频带、低驻波、超小型等特点，性能优良，应用前景广泛。
优译主要生产：
同轴隔离器、嵌入式（带线）隔离器、宽带隔离器、双节隔离器、表面封装（SMT）隔离器、微带（基片）隔离器、波导隔离器、高功率隔离器、同轴环形器、嵌入式（带线）环形器、宽带环形器、双节环形器、表面封装（SMT）环形器、微带（基片）环形器、波导环形器、高功率环形器、同轴衰减器、同轴终端（负载）、滤波器、放大器、功分器、电桥、定向耦合器、波导同轴转换、双工器/三工器等微波通讯产品，更多产品可参考优译官网：。
射频知识
射频知识———基本概念和术语一、基础知识1、功率/电平（dBm）：放大器的输出能力，一般单位为w、mw、dBm注：dBm是取1mw作基准值，以分贝表示的绝对功率电平。
换算公式：电平（dBm）=10lgw5W → 10lg5000=37dBm10W → 10lg10000=40dBm20W → 10lg20000=43dBm从上不难看出，功率每增加一倍，电平值增加3dBm2、增益（dB）：即放大倍数，单位可表示为分贝（dB）。
即：dB=10lgA（A为功率放大倍数）3、插损：当某一器件或部件接入传输电路后所增加的衰减，单位用dB表示。
4、选择性：衡量工作频带内的增益及带外辐射的抑制能力。
-3dB带宽即增益下降3dB时的带宽，-40dB、-60dB同理。
5、驻波比（回波损耗）：行驻波状态时，波腹电压与波节电压之比（VSWR）附：驻波比——回波损耗对照表：SWR 1.2 1.25 1.30 1.35 1.40 1.50回波损耗（dB）21 19 17.6 16.6 15.6 14.06、三阶交调：若存在两个正弦信号ω1和ω2 由于非线性作用将产生许多互调分量，其中的2ω1-ω2和2ω2-ω1两个频率分量称为三阶交调分量，其功率P3和信号ω1或ω2的功率之比称三阶交调系数M3。
即M3 =10lg P3/P1 （dBc）7、噪声系数：一般定义为输出信噪比与输入信噪比的比值，实际使用中化为分贝来计算。
单位用dB。
8、耦合度：耦合端口与输入端口的功率比, 单位用dB。
9、隔离度：本振或信号泄露到其他端口的功率与原有功率之比，单位dB。
10、天线增益（dB）：指天线将发射功率往某一指定方向集中辐射的能力。
一般把天线的最大辐射方向上的场强E与理想各向同性天线均匀辐射场场强E0相比，以功率密度增加的倍数定义为增益。
Ga=E2/ E0211、天线方向图：是天线辐射出的电磁波在自由空间存在的范围。
方向图宽度一般是指主瓣宽度即从最大值下降一半时两点所张的夹角。
有线电视系统用射频同轴连接器技术要求和测量方法
有线电视系统用射频同轴连接器技术要求和测量方法1 范围本标准规定了有线电视系统用射频同轴连接器（5MHz～1000MHz）的技术要求和测量方法。
对于能够确保同样测量不确定度的任何等效方法也可以采用。
有争议时应以本标准为准。
本标准适用于有线电视系统用射频同轴连接器（5MHz～1000MHz）的研发、生产、验收和应用。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB 5465.2-1996 电气设备用图形符号GY/T 135-1998 有线电视系统物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆入网技术条件和测量方法3 技术要求3.1 一般要求部件的外观应整洁，表面不应有明显凹痕、划伤、裂纹、毛刺和变形；镀涂层不应起泡、龟裂和脱落；金属件不应有锈蚀和机械损伤。
连接器的型号或者标志代号要清楚,参见附录A。
连接器使用、操作应灵活可靠。
说明功能的文字符号和图形符号标志应完整、正确、清晰、牢固，图形符号应符合GB 5465.2-1996的有关规定。
一般要求用目测法和（或）手感法进行检测。
3.2 技术指标要求有线电视系统用射频同轴连接器的技术指标要求见表1。
对插入损耗、反射损耗、屏蔽衰减规定了I类和II类两级指标。
1GY/T 217—20062表1 有线电视系统用射频同轴连接器技术指标要求 序号 项目 技术指标1 工作频率范围 5MHz～1000MHz5MHz～300MHz ≤0.05dBI类300MHz～1000MHz ≤0.1dB5MHz～300MHz ≤0.08dB2 插入损耗II类300MHz～1000MHz ≤0.18dB5MHz～300MHz ≥28dBI类300MHz～1000MHz ≥26dB5MHz～300MHz ≥22dB3 反射损耗II类300MHz～1000MHz ≥20dBI类 ≥100dB4 屏蔽衰减II类 ≥90dB内导体 ≤10mΩ5 接触电阻外导体 ≤5mΩ6 绝缘电阻 ≥1000MΩ7 耐电压 1500V(50Hz) 1min 注：对于配接电缆尺寸为-5、-7并且接头形式为头的射频同轴连接器，其内导体接触电阻不作要求。
射频电路调试测试流程
射频电路调试测试流程（准备阶段）射频电路的调试作为通信整机研发工作中的重要一环，工作量非常大，几乎所有电路都需要调试，为了提高效率，需要对调试环境、调试方法等进行规范。
环境准备如下1、防静电佩戴“静电手环”，并良好接地，若着化纤、羊毛、羽绒服装，外层需加穿防静电服，或防辐射服；小功率、低电压、高频率、小封装的器件均ESD敏感，最容易被ESD击穿的射频器件：RF开关，其次是LNA；所有仪器，开机使用前必须将机壳良好接地；2、电源稳压电源接入负载前，先校准输出电压，电压等于负载的额定电压；3、仪器保护为安全起见：只要射频功率大于20dBm，射频信号源（30dBm）、频谱分析仪(27dBm)、信号源分析仪（23dBm）输入端必须级联同轴衰减器，一般情况下，5W 5dB衰减器为常态配置，若测试功放模块需根据实际输出功率大小配置合适的衰减器；4、仪器设置射频信号源：Keysight输出功率<13dBm，R&S输出功率<18dBm，若超出，输出功率可能小于显示值，需实测并进行补偿；频谱分析仪：屏幕显示的有效动态范围，FSV约70dB，FSW约80dB；仪器的线性输入功率<-3dBm，超出会恶化待测IM3（ACLR）、谐波，应选择合适的内部/外部衰减值；矢量网络分析仪：仪器的IF带宽决定噪声，测无源器件的带外抑制，应适当降低IF带宽；调测任何电路，必须保证输出功率<P1dB-3dB，一般设扫描功率=-20dBm；特别注意矢量网络分析仪的扫描功率，同一电路，同一设置；矢量网络分析仪使用正确的校准参数；5、工具准备恒温烙铁、热风枪；线缆检查柔性同轴电缆最容易损坏的部位：与连接器相连处，使用前先检查；半柔同轴电缆最容易损坏的部位：外导体有裂痕，使用前先检查；电路连接方式馈电6、电流、电压测定从限流电阻采样，计算V/R得到电流值；电压测试点靠近电源输入端、输出端；直流馈电导线需根据实际工作电流进行合理选择。
衰减器设计
Lumped-components
Ctrl+R旋转 器件
Simulation-S_param
练习：设计10dB П型同阻式（Z1=Z2=50Ω）固定衰减器。
A 1010 1 Rs Z 0 2 1 R p1 R p 2 Z 0 1
3. T型异阻式
A 1010 R 2 Z1 Z 2 p 1 a 1 Rs1 Z1 Rp 1 Rs 2 Z 2 a 1 R p 1 1 Z1 Z 2 s 2 1 1 a 1 1 R p1 Z 1 R s 1 1 1 a 1 1 R p 2 Z 1 R 2 s
例子：测衰减器在30MHz-3198MHz的插损、驻波和回损。
（1）按《菜单》按钮，选择扫频方案1。 （2）在主菜单下设置初始频率（30MHz）、频率间隔（39.6MHz）和终止频率 (3198MHz)。 （3）在主菜单下按〖↓〗键将光标移到《测:A B》下, 按〖→〗或〖←〗键使A下为 《插损》,B下空白。 （4）接法如下图，为了衰减器能直接对接以减小测试误差，可先将两个衰减器对接 起来，再通过双阴与接到A口的电缆接上，然后按【执行】键完成直通校正。
3 衰减器的主要用途
(1)控制功率电平: 在微波超外差接收机中对本振输出 功率进行控制,获得最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳 接收效果。在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动 态范围。 (2) 去耦元件: 作为振荡器与负载之间的去耦合元件。 (3) 相对标准: 作为比较功率电平的相对标准。 (4) 用于雷达抗干扰中的跳变衰减器: 是一种衰减量能 突变的可变衰减器,平时不引入衰减,遇到外界干扰时, 突然加大衰减。
射频衰减器命名规则
射频衰减器命名规则射频衰减器是一种用于减小射频信号强度的电子器件。
它广泛应用于通信系统、雷达系统、无线电设备等领域，用于调节信号的强度和衰减系数，以保证信号传输的稳定性和可靠性。
在设计和命名射频衰减器时，需要遵循一定的规则和命名约定。
射频衰减器的命名通常以"A"开头，表示Attenuator（衰减器）的缩写。
在"A"后面，可以根据衰减器的特性、结构或应用领域添加相应的字母、数字或符号，以便区分不同类型的衰减器。
以下是一些常见的射频衰减器命名规则及其解释：1. 固定衰减器（Fixed Attenuator）：以“FA”开头。
固定衰减器是一种固定衰减系数的衰减器，通常用于限制信号的强度，防止过载和损坏设备。
例如，FA10表示一个固定衰减系数为10 dB的衰减器。
2. 可调衰减器（Variable Attenuator）：以“VA”开头。
可调衰减器是一种可以调节衰减系数的衰减器，通常用于根据需要调整信号的强度。
例如，VA0-20表示一个可调衰减范围为0到20 dB的衰减器。
3. 反射衰减器（Reflective Attenuator）：以“RA”开头。
反射衰减器是一种在信号输入和输出端口之间引入反射损耗的衰减器，用于减小信号的反射和干扰。
例如，RA20表示一个引入20 dB反射损耗的反射衰减器。
4. 各向同性衰减器（Isotropic Attenuator）：以“IA”开头。
各向同性衰减器是一种在不同方向上具有相同衰减特性的衰减器，用于均匀地减小信号强度。
例如，IA5表示一个具有5 dB衰减的各向同性衰减器。
5. 微波衰减器（Microwave Attenuator）：以“MA”开头。
微波衰减器是一种用于微波频段的衰减器，通常工作在高频率和宽频带范围内。
例如，MA-10-6G表示一个工作频率为6 GHz，衰减系数为10 dB的微波衰减器。
除了以上命名规则外，还可以根据衰减器的结构、材料或制造工艺进行命名。
射频信号在同轴电缆上的损耗
射频信号在同轴电缆上的损耗全文共四篇示例，供您参考第一篇示例：射频（Radio Frequency，RF）信号在通信系统中起着至关重要的作用，它被用于传输无线电信号、数据和其他信号。
在传输过程中，射频信号经常需要通过电缆传输，其中同轴电缆是应用非常广泛的一种传输介质。
在实际应用中，我们常常关注射频信号在同轴电缆中的损耗问题。
本文将深入探讨射频信号在同轴电缆上的损耗原因、影响因素以及相关衡量和优化方法。
同轴电缆作为一种传输介质，具有内、外两层导体之间靠绝缘介质隔离的结构。
在传输射频信号的过程中，同轴电缆损耗可以主要分为两部分：传导损耗和介质损耗。
传导损耗是电磁波在导体中传输时由于电阻而产生的能量损耗，而介质损耗则是由于绝缘材料本身的介质损耗角正切值引起的，这两者共同导致了射频信号在同轴电缆中的损耗。
以下将从几个方面对射频信号在同轴电缆上的损耗进行详细探讨。
射频信号在同轴电缆中的传导损耗。
同轴电缆的传导损耗与电缆的导体材料、导体的形状、电缆的长度和工作频率等因素有关。
在高频率下，传导损耗主要来源于导体本身的电阻，在传输过程中不断地将电能转换为热能而损失。
合理选择导体材料、增加导体直径、减小电缆长度，以及降低工作频率，都可以有效地减小传导损耗。
介质损耗也是射频信号在同轴电缆中的重要损耗因素。
介质损耗主要来自绝缘材料本身的特性，包括介电常数和介电损耗正切。
在同轴电缆中，绝缘材料的选择对介质损耗至关重要。
通常情况下，我们应尽量选择介电常数较小、介电损耗正切较小的绝缘材料，以减小射频信号的介质损耗。
信号的衰减也是射频信号在同轴电缆上的损耗问题。
衰减是信号功率在传输过程中的减小。
射频信号在同轴电缆中的衰减主要受到传导损耗和介质损耗的影响。
通常情况下，我们可以通过增加发射功率、降低工作频率或者选择质量更好的同轴电缆来降低信号的衰减。
为了准确衡量射频信号在同轴电缆中的损耗情况，我们需要了解相关的参数和度量方法。
衰减指标是衡量射频信号在同轴电缆中损耗的重要参数，衰减值表示信号在传输过程中的减小量。
射频电缆在 18ghz 频段的传输损耗典型值
射频电缆在18ghz 频段的传输损耗典型值射频电缆在不同频段的传输损耗是一个重要的参数，它直接影响到无线通信的可靠性和性能。
在本文中，我们将关注射频电缆在18GHz频段的传输损耗典型值，并逐步回答相关问题。
什么是射频电缆的传输损耗？射频电缆的传输损耗是指信号在电缆中传输过程中损失的能量。
传输损耗通常以单位电缆长度的衰减表示，常用单位是分贝每米（dB/m）。
为什么需要关注射频电缆的传输损耗？在无线通信系统中，射频电缆连接了天线和无线设备之间的传输路径。
它起到传输射频信号的重要作用。
传输损耗的大小直接影响信号强度和质量。
较大的传输损耗可能导致信号衰减，增加噪声干扰，甚至降低通信距离。
18GHz频段的射频电缆传输损耗典型值是多少？射频电缆的传输损耗与频段有关。
频段越高，损耗通常越大。
对于18GHz 频段，在市场上常见的射频电缆类型是同轴电缆、微带线和双平行线等。
我们将逐一介绍它们的传输损耗。
同轴电缆是一种常用的射频传输介质，它由内导体、绝缘层、外导体和护套组成。
同轴电缆的传输损耗随着频率增加而增加。
在18GHz频段，同轴电缆的典型传输损耗为10-15dB/m。
微带线是一种在电路板上制作的射频传输线路，它由金属箔、介质层和地线组成。
微带线的传输损耗也随着频率增加而增加。
在18GHz频段，微带线的典型传输损耗为8-12dB/m。
双平行线是一种由两条平行的导线组成的射频传输线路。
它的传输损耗与频率无关，通常比同轴电缆和微带线的损耗要小。
在18GHz频段，双平行线的典型传输损耗为3-8dB/m。
需要注意的是，射频电缆的传输损耗不仅受到频率的影响，还与电缆的长度、材料、几何结构和制造工艺等因素有关。
因此，上述数值仅作为参考，实际应用中可能会有所不同。
如何降低射频电缆的传输损耗？为了降低射频电缆的传输损耗，可以采取以下措施：1. 选择合适的射频电缆类型：不同类型的射频电缆具有不同的传输损耗特性。
根据实际需求选择最合适的电缆类型，可以有效降低传输损耗。
2功率衰减器
2. 交流信号作用下的阻抗特性
频率较低时，正向导电，反向截止， 具有整流特 性。 频率较高时，正半周来不及复合，负半周不能完 全抽空，I区总有一定的载流子维持导通。
RF&MW
3. PIN二极管的特性 (1) 直流反偏时，对微波信号呈现很高的阻抗，
正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流（低频）功 率控制微波信号的通断，用作开关、 数字移相等。
A 10
（4-8）
RF&MW
2. П型异阻式
10 1 Z 1Z 2 Rs 2 1 1 1 1 R p1 Z 1 Rs 1 1 1 1 1 R p2 Z 1 Rs 2
i j 2 Z 0Y D 2 j 1 Z Y 0 D
移动
单片
吸收 薄片 转动
吸 收 薄 片 (刀 形 ) 轴
双片
(a )
(b )
图 4-11 吸收式衰减器结构示意图 (a) 固定式； (b) 可变式
RF&MW
2. 极化吸收式衰减器
圆柱波导旋转的角度θ可以用精密传动系统测量 并显示出来，角度的变化也就是极化面的变化。 极化衰减器的衰减量为 A=20 lg (cosθ) （4-10）
7 7 .1 1
1
R p2
1 1 1 Z 1 Rs 2
2 0 7 .4 5
RF&MW
步骤二: 利用ADS仿真。
图4-7 Π型同阻式固定衰减器电路图
RF&MW
图4-8 仿真结果
RF&MW
4.3 分布参数衰减器
同轴固定衰减器
1-20
7/16
DTS10G
10
1
DC-18 1.15-1.35 10,20,30,40
N,SMA
1-21
DTS10GH
10
10,20,30,40,50,60,
1
DC-18 1.15-1.35
N,SMA,TNC
1-22
70,80,90
DTS25
25
1
DC-4 1.10-1.20 1-9,10,20,30,40,50 N,SMA,TNC,BNC 1-23
产品型号
频率范围(GHz)
平均功率(W)
衰减量 (dB)
订购前请确认衰减器的主要参数，包括平均功率，衰减值，频率范围，连接器形式和外形尺寸（有多种外形尺 寸时）。如果您有特殊要求，也请告诉我们，以方便我们提供符合您需要的产品。
1-1 上海市田州路 99 号 13 号楼 3 层 ◆ 电话:021-54451395, 54451398 ◆ 传真:021-64958230
SMA
1-8
SMA(M,F) 1-9
SMA(M,F)
SMAKF
2
0.5
DC-18 1.15-1.35 1-9,10,20,30
SMA(M,M)
1-10
SMAGH
3
0.5
DC-18 1.15-1.35 40,50,60,70,80,90 N,SMA,TNC
1-11
SMA5
5
0.5
DC-18 1.15-1.40
上海华湘计算机通讯工程有限公司
同轴固定衰减器
◇ DC-26.5GHz, 1W-10kW ◇ 衰减值平坦，高精度 ◇ 可靠性高，重复性好 ◇ 抗脉冲，抗烧毁能力强 ◇ 可提供低三阶交调产品
射频衰减器的类型及作用介绍
射频衰减器的类型及作用介绍在RF电路中，更高的信号电平通常是一件好事。
它们可以提高信噪比（SNR），减少内部电路元件噪声和外部信号噪声引起的问题。
结果，更高的信号电平通常简化了RF电路设计的许多挑战。
然而，在许多系统中，RF信号不可避免地具有跨越30,40或更多dB的宽动态范围;一些设计必须处理范围超过100 dB的信号。
示例包括雷达或远程无线，甚至是短距离LAN，其中一个或两个链路节点正在移动并且存在障碍物和干扰。
如果系统设计为使用较低级别的信号正常工作，则可能没有更高功率信号的余量（RF，功率和信号电平通常密切相关）。
结果是过载，饱和甚至可能损坏敏感的模拟组件，如前端放大器。
即使没有永久性损坏，只要信号链的元件被“最大化”，系统就无法正常工作。
在这些情况下，组件可能需要相对较长的时间才能摆脱饱和状态连锁再次可行。
在其他情况下，衰减器将一个点的信号的最大值与链中另一个级的更大限制的最大值匹配。
由于这些原因，通常需要管理和衰减信号电平。
通过已知或可控量，这是射频衰减器发挥作用的地方。
有三种类型的RF衰减器：1）固定值衰减器，提供一个或两个dB，或10 dB，20 dB或更多dB的值。
2 ）电压可变或电压控制衰减器，其中模拟电压设置在连续可变范围内的衰减水平，例如在0 dB和30 dB之间或0 dB和60 dB之间。
3）数字化受控衰减器或数字步进衰减器（DSA），其中多位代码在0 dB至32或64 dB的范围内以离散步长建立衰减，例如，以1或2 dB/位的步长;有些产品提供小至0.25 dB的步长。
（请注意，还有机械控制的衰减器，用户可通过旋钮设置衰减。
这些衰减器几乎只用于测试环境或高功率一次性设计。
）可控衰减器是可变增益放大器（VGA）的补充，它可以增强信号以匹配链中的组件范围。
对于需要额外灵活性的设计，甚至还有可用的VGA，它们可以跨越增益和衰减，例如-10到+40 dB;在内部，这些是由可变衰减器（电压或数字控制）与增益模块串联构建的。
一种X频段多通道10 W瓦片收发组件设计
doi :10.3969/j.issn.1001-893x.2021.06.019引用格式:刘侨,宫振慧,贾双.一种X 频段多通道10W 瓦片收发组件设计[J].电讯技术,2021,61(6):776-779.[LIU Qiao,GONG Zhenhui,JIA Shuang.Design of an X -band multi -channel 10W tile transceiver module[J].Telecommunication Engineering,2021,61(6):776-779.]一种X 频段多通道10W 瓦片收发组件设计∗刘㊀侨∗∗,宫振慧,贾㊀双(中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所,江苏无锡214063)摘㊀要:根据机载雷达需求,设计了一种16通道㊁高集成度的瓦片组件㊂组件频率覆盖整个X 频段,每个通道均可实现低噪声接收㊁大功率发射以及数控衰减和移相功能㊂在设计过程中对垂直互联进行研究,采用椭圆形同轴结构在不牺牲射频传输性能的条件下解决了局部空间不足的难题㊂组件发射支路经由环行器输出到天线口,最终输出功率为10W 以上㊂通过合理布局以及射频走线设计,测试数据满足协议要求㊂组件结构件通过激光焊接实现气密,整个组件尺寸为66mm ˑ84mm ˑ12mm ㊂关键词:机载雷达;瓦片式收发组件;X 频段;椭圆形同轴结构;垂直互联开放科学(资源服务)标识码(OSID):微信扫描二维码听独家语音释文与作者在线交流享本刊专属服务中图分类号:TN802;TN957㊀㊀文献标志码:A㊀㊀文章编号:1001-893X (2021)06-0776-04Design of an X -band Multi -channel 10W Tile Transceiver ModuleLIU Qiao,GONG Zhenhui,JIA Shuang(AVIC Leihua Electronic Technology Research Institute,Wuxi 214063,China)Abstract :According to the requirements of airborne radar,a 16-channel,highly -integrated tile transceiver module is designed.The frequency of the module covers the entire X -band,and each channel can achieve low -noise reception,high -power transmission and digital attenuation and phase -shift functions.In the de-sign process,the vertical interconnection is studied,and the elliptical coaxial structure is used to solve the problem of insufficient local space without sacrificing radio frequency(RF)transmission performance.The module transmitting branch is output from the circulator to the antenne port,and the final output power is more than 10W.Through reasonable layout and optimization of RF design,test data meets protocol require-ments.The module structure is airtight by laser welding and the entire size is 66mm ˑ84mm ˑ12mm.Key words :airborne radar;tile transceiver module;X -band;elliptical coaxial structure;vertical intercon-nection;vertical interconnection0㊀引㊀言收发组件是相控阵雷达中的核心部件,成本占整套雷达的50%以上,主要完成小信号的接收和大信号的发射㊂为了满足现代雷达小型化需求,收发组件采用三维堆叠瓦片形式,较平面式收发组件缩小50%以上,无论是尺寸还是重量都有巨大的优势㊂根据报道,中国电科14所和55所的瓦片组件已经实现量产,功率均集中在瓦级,区别在于前者的组件内部没有环行器,后者的组件已经集成在一起㊂国㊃677㊃第61卷第6期2021年6月电讯技术Telecommunication EngineeringVol.61,No.6June,2021∗∗∗收稿日期:2020-07-22;修回日期:2020-08-12通信作者:421529981@外的瓦片组件报道较少,目前已知的雷神公司的瓦片组件已经交付使用,4通道输出功率不超过5W㊂本文给出了一种X 频段16通道㊁高密度收发组件的设计㊂组件输出功率为10W,6位移相和衰减,内部垂直互联部分采用椭圆同轴结构实现射频信号的低损传输㊂1㊀收发组件原理TR 组件收发分时工作,原理框图如图1所示㊂接收状态时小信号经由环行器㊁限幅器㊁低噪声放大器㊁多功能芯片㊁功分器进入后面的低功率处理单元;发射状态时小信号经由功分器㊁多功能芯片㊁驱动放大器㊁功率放大器和环行器输出到辐射器,最后由阵面将能量辐射出去㊂图1㊀TR 组件原理框图多功能芯片由开关㊁移相器㊁衰减器和放大器组成㊂由于组件分时工作,这些器件可以收发共用㊂一般衰减和移相位数为6位,在接收和发射态完成信号的快速变换,实现波束控制等功能㊂TR 组件主要指标要求输出功率10W,噪声系数小于3.5dB,移相均方小于5ʎ,衰减均方小于1dB㊂一个集合口,16个收发通道㊂天线口使用环行器实现收发切换,同时散热面紧贴集合口㊂2㊀收发组件设计2.1㊀收发电路设计组件的三维爆炸图如图2所示㊂TR 组件散热面紧贴集合口,功率放大器需焊接在散热面上(图2中部件1上部)㊂低噪声放大器和环行器紧靠天线口(图2中部件5位置),保证噪声系数能满足指标要求㊂整个组件输入输出口的接插件均为玻璃烧结结构,同时结构件通过激光焊接来保证整个组件气密性㊂图2㊀组件三维爆炸图TR 组件一致性非常重要,包括相位以及幅度的一致性㊂电路版图尽量对称设计,同时在链路上设计调相器以及固定衰减器,通过微调来保证每个通道的一致性㊂本设计接收链路增益为20dB,发射链路增益为28dB,链路内置了衰减器,实际局部增益更大㊂功放芯片热耗很大,若热量没法及时导出,功放的功率以及效率都会下降,严重情况下会烧毁芯片㊂在电路设计中,功放需要直接贴在散热面上;同时多功能芯片和低噪声放大器芯片间容易串扰,需要做好隔离㊂组件由两块电路板组成,分别为多功能功分发射板以及环行接收板,均为射频电路压合板,板间通过毛纽扣实现垂直互联,布局如图3所示㊂图3㊀多功能功分发射板环行接收板多功能功分发射板紧贴散热冷板,大功率功放焊接在这块冷板上,如图4中A3所示㊂考虑信号屏蔽,射频电路采用带状线形式,电路局部挖腔,芯片均下沉在腔体内避免信号出现串扰㊂其中多功能芯片A1和驱放A2设计在一个腔体内,功放则在另一个单独的腔体内㊂㊃777㊃第61卷刘侨,宫振慧,贾双:一种X 频段多通道10W 瓦片收发组件设计第6期图4㊀A 区域内芯片分布图在图5中,B1为功分器裸片,尺寸很小,带内插损为0.5dB,隔离度大于22dB㊂功分器粘接在小腔体内,通过金丝键合方式与带状线相连㊂图5㊀B 区域内芯片分布图接收环行板器件布局在图6中给出,主要由环行器和低噪放组成㊂D1㊁D2㊁D3分别为环行器㊁限幅器㊁低噪放,D4为天线口㊂芯片通过导电胶粘接在小腔体内,环行器粘接在结构件上,通过金丝键合与带状线相连㊂射频走线为了凑相位导致折弯较多,保证组件每个通道的相位一致性㊂图6㊀D 区域内芯片分布图2.2㊀垂直互联设计垂直互联框架具体形式如图7所示,内置垂直互联同轴,同时在每个通道位置 凹 型挖槽,给芯片预留空间同时也能起到通道间的隔离作用㊂图7㊀垂直互联框架组件垂直互联采用毛纽扣加介质柱的同轴形式来实现㊂介质采用聚四氟乙烯,不仅体积小,还可以保证良好的微波传输性能㊂毛纽扣直径为0.508mm,压缩状态下会膨胀10%,仿真模型如图8所示㊂图8㊀毛纽扣垂直过渡模型带状线到毛纽扣之间的过渡由于空间紧凑,介质柱采用椭圆结构,与一般的圆形同轴相比,在某个方向上尺寸减小,但是在另一个方向会变大较多,具体尺寸较随意,只需要保证是50Ω的特性阻抗就行㊂通过HFSS 软件建模仿真,仿真结果表明其性能很好,整个频段内S 11和S 22均在-40dB 以下㊂3㊀结构工艺实现X 频段收发组件两层印制材料均为微波多层板㊂兼顾热膨胀系数的匹配㊁导热性㊁激光焊接性能㊁重量等方面的要求,收发组件结构件材料选择如㊃877㊃ 电讯技术㊀㊀㊀㊀2021年表1所示㊂表1㊀组件结构件材料选型结构件材料多功能功分发射板盖板CE11(Al50Si50)环行接收板盖板CE17(Al73Si27)为满足组件产品气密性要求,产品对外接口SMP㊁SSMP 接头㊁15芯矩形插座均采用玻璃烧结的密封器件,并采用回流焊工艺实现气密;结构件间采用激光焊工艺实现气密,即多功能功分发射板盖板及环行接收板盖板进行激光焊接实现密封㊂整个工艺设计主要涵盖射频基板大面积接地互连㊁元件及连接器的组装与焊接㊁芯片共晶焊接㊁芯片环氧粘接㊁芯片键合互连㊁板间垂直互联㊁激光密封焊接及三防处理等㊂射频基板可采用成熟的共晶烧结工艺,进行电路板与组件盒体间的焊接;可采用共晶焊接的工艺,实现高功率芯片与钼铜载体互联,构成高功放芯片组件的部件,实现良好散热的效果;片式阻容元件㊁接插件均采用成熟的再流焊接的工艺方法与多层板及盒体互联;高功放芯片组件采用低温焊膏焊接至盒体;其余芯片及部件均采用导电胶进行胶接;芯片㊁微带板等之间互联采用金丝或金带的引线键合工艺;盒体整体密封采用激光焊接,满足国军标气密性要求;最后进行整体组件的 三防 及打标处理,保证产品的长期高可靠使用的要求㊂组件实物如图9所示,上下两个15芯接插件,分别为供电和控制接口㊂一个集合口采用SMP 接插件,16个天线口采用SSMP 接插件㊂整个组件尺寸为66mm ˑ84mm ˑ12mm㊂图9㊀TR 组件实物图4㊀实测结果组件的效率受发射输出功率影响很大㊂组件内部GaN 功放的输出功率为42dBm,毛纽扣损耗为0.5dB,环行器在X 频段的中心频点损耗为0.6dB,两个边带会恶化到0.8dB,实测结果见表2㊂表2㊀TR 组件实测结果测试项目指标要求测试数据接收增益/dB ȡ20ȡ20发射功率/dBm ȡ40ȡ40噪声系数/dB ɤ3.5ɤ3.2移相均方/(ʎ)ɤ5ɤ4衰减均方/dB ɤ1.0ɤ0.7组件效率(10%占空比)/%ȡ22ȡ24质量/g ɤ150140测试条件在实验室进行,仪器主要为是德科技的矢量网络分析仪N5244A㊁信号源E8257D 和功率计N1911A 等㊂组件测试数据均为最差指标㊂组件输出功率为10W,噪声系数优于3.2dB,同时均方也满足系统要求㊂组件质量140g,满足指标要求㊂5㊀结㊀论组件尺寸较小,同时内置了环行隔离组件,整个组件内部芯片的布局就显得尤为关键㊂组件测试结果良好,可以满足系统的使用要求㊂但是在装配以及测试过程中,毛纽扣的报废率有点高,这个问题还有待研究和改进㊂参考文献:[1]㊀胡明春,周志鹏,严伟.相控阵雷达收发组件技术[M].北京:国防工业出版社,2010.[2]㊀刘卫强,巨景超,郭超.Ku 频段多通道瓦片式T /R 组件的设计[J].现代导航,2019(2):136-141.[3]㊀张慧锋,季帅,严少敏.小型化Ku 频段瓦片式TR 组件设计[J].中国西部科技,2015(5):45-47.[4]㊀王立发.一种X 频段瓦片式T /R 组件的设计与实现[J].信息与电脑,2017(8):183-185.[5]㊀赵怡,桂进乐,李骦.等.一种瓦片式T /R 组件的研制[C]/2019年全国微波毫米波会议论文集(下册).广州:中国电子学会,2019:750-752.[6]㊀严伟,吴金财,郑伟.三维微波多芯片组件垂直微波互联技术[J].微波学报,2012,28(5):1-6.[7]㊀徐利,王子良,胡进.等.基于毛纽扣的LTCC 微波模块垂直互连技术[J].固体电子学研究与进展,2013(12):538-541.[8]㊀张之光,徐正,刘骁,等.一种用于瓦片式T /R 组件的垂直互联方式[J].科学技术与工程,2013(4):3104-3108.作者简介:刘㊀侨㊀男,1986年生于江苏无锡,2011年获工学硕士学位,现为工程师,主要研究方向为TR 组件㊂宫振慧㊀男,1988年生于山东莱阳,2016年获工学硕士学位,现为助理工程师,主要研究方向为TR 组件㊂贾㊀双㊀女,1987年生于河北唐山,2014年获工学硕士学位,现为助理工程师,主要研究方向为TR 组件㊂㊃977㊃第61卷刘侨,宫振慧,贾双:一种X 频段多通道10W 瓦片收发组件设计第6期。
衰减器系列产品介绍_因络通讯
系列衰减器厂家---因络通讯深圳市因络通讯技术有限公司专注于卫星导航信号测试、无线通讯产品测试、射频微波器件等相关产品的研发、生产及销售，公司秉承“品质第一，客户至上”的经营理念，视品质为企业的生命线，以服务为核心竞争力，为业内厂家及科研机构等提供最科学最合理最具性价比的测试解决方案，在节约测试成本的同时提高生产测试效率，超越客户的期望。
借着北斗产业的契机，依托精干的研发市场团队、珠三角区域得天独厚的电子产业配套政策措施及开放的市场环境，公司致力于发展成为卫星导航及无线通讯业内最具影响力的供应商及服务商。
公司主营产品有GPS\北斗\GLONASS信号转发器、低噪放大器、功分器、衰减器、隔直器、终端负载、天线、同轴开关、高频连接器、射频电缆线、手机测试探针等系列产品。
公司衰减器目前主要分为SMA衰减器、N型低功率衰减器、N型大功率衰减器、按键步进衰减器、31dB电控衰减器。
SMA衰减器系列：型号INLO-ATS-(3/6/10/15/20/30)-2阻抗50Ω频率范围DC-6.0GHz 驻波比≤1.20功率2W温度特征-55℃至+125℃三阶互调≤-120dBc衰减值3/6/10/15/20/30dB衰减精度1-10±0.5dB 15-30±1dBN型低功率衰减器系列：型号INLO-ATN(3/6/10/15/20/30)-2频率范围（GHz）DC-3.0功率（W）2衰减值（dB）3/6/10/15/20/30衰减精度（dB）1-10dB±0.5dB；15-30dB±1dB 驻波比（VSWR）≤1.20阻抗（Ω）50接头类型N-F三阶互调（dBc）≤-120工作温度（°C）-55°C to+125°CN型大功率衰减器系列：型号INLO-ATN(3/6/10/15/20/30)-(5/10/20/25/50/100/200/300)频率范围（GHz）DC-3.0功率（W）5/10/20/25/50/100/200/300衰减值（dB）3/6/10/15/20/30衰减精度（dB）1-10dB±0.5dB；15-30dB±1dB驻波比（VSWR）≤1.20阻抗（Ω）50接头类型N-F三阶互调（dBc）≤-120工作温度（°C）-55°C to+125°C按键步进衰减器系列：按键步进衰减器按衰减值可以分为30dB、60dB和90dB三种，每种又分别有N型母头与SMA母头两种。
Agilent 8490G 同轴衰减器
Agilent 8490G同轴衰减器技术概览主要技术指标l提供最大的频率范围，从直流到67 G Hzl直到67 G Hz具有1.45的低SWR，将测量不确定度降至最低l出色的衰减精度能够改善测量的置信度Agilent 8490G系列产品是一套精密的同轴固定衰减器，其性能被精确测定直到67 G Hz。
这些衰减器利用了1.85 m m的同轴连接器，从直流到67 G Hz都展现出优良的SWR和精度性能。
8490 G系列衰减器拥有3、6、10、20、30和40 d B的衰减值。
Agilent 8490 G系列1.85 m m同轴固定衰减器和低频同轴固定衰减器－Agilent 8490 D、8491和8493系列一样都经过细心地进行组装和测试。
这些衰减器的测试在安捷伦的精密网络分析仪上进行，以保证整个频率范围的全部技术指标。
应用坚固、可靠和体积小使这类衰减器适合于工作台和系统级使用。
由于它们的高精度和低SWR故特别适合将灵敏功率计的范围扩展到进行高功率测量。
高精度和低SWR也使这些衰减器适用于诸如作为校准标准件和射频替代测量等场合。
由于这些衰减器具有直流到67 G Hz的宽频率范围和合理的成本，故一些常规应用，如降低输入到灵敏元件和仪器系统的功率电平等，也是这类衰减器的最适宜应用。
技术指标技术指标描述了在0℃至+55℃的温度范围内（除非另有说明）衰减器的的保证性能。
补充特性和典型特性用来提供典型但非保证的性能参数。
技术指标表示为“典型值”、“额定值”或“近似值”。
频率范围直流到67 G Hz阻抗（额定值）50Ω连接器 1.85 m m功率（最大值） 1 W，平均值衰减（dB）=插入损耗衰减数据不确定度（dB）选件最小（GHz）最大（GHz）最大（GHz）最大（GHz）（GHz）0至670至26.526.5至5050至670.4至678490G 003 2.5 3.9 4.4 4.8±0.38490G 006 5.4 6.97.47.8±0.38490G 0109.410.911.111.3±0.38490G 02019.221.321.521.7±0.38490G 03029.231.331.531.7±0.38490G 04038.042.542.542.5±0.6SWR（最大）回波损耗（dB）衰减（GHz）（GHz）（GHz）（GHz）（GHz）（GHz）选件0至26.526.5至5050至670至26.526.5至5050至678490G-003 1.15 1.25 1.4523.119.114.78490G-006 1.15 1.25 1.4523.119.114.78490G-010 1.15 1.25 1.4523.119.114.78490G-020 1.15 1.25 1.4523.119.114.78490G-030 1.15 1.25 1.4523.119.114.78490G-040 1.10 1.15 1.2526.423.119.123环境技术指标8490G 的设计完全符合安捷伦科技公司的产品工作环境技术指标。
N型低功率同轴衰减器技术规格
深圳市因络通讯技术有限公司N型低功率同轴衰减器 N型低功率同轴衰减器技术规格
1、特点：
本系列同轴衰减器采用氮化铝电阻片及无铅工艺设计制造，接头符合MIL-C-39012标准。
产品具有精度高，寿命长，无毒环保等特点。
2、应用：
本系列衰减器可用于各种测试，终端匹配等。
如果功放的测试调节功分耦合端口匹配等。
3、安装使用：
本品的安装应避免直接雨淋，散热片应垂直方向安装，散热器周围应有足够通风空间以利散热。
4、技术参数：
型号INLO-ATN(3/6/10/15/20/30)-2
频率范围（GHz）DC-3.0
功率（W） 2
衰减值（dB）3/6/10/15/20/30
衰减精度（dB）1-10dB±0.5dB；15-30dB±1dB
驻波比（VSWR）≤1.20
阻抗（O）50
接头类型N-F
三阶互调（dBc）≤-120
工作温度（°C）-55°C to +125°C
４、型号及对应外观尺寸图（单位：ｍｍ）： 。
同轴环形器-射频环形器参数表
同轴环形器射频环形器参数表关键词: 环行器、射频环行器、同轴环行器、带线（嵌入式）环行器、宽带环行器、双节环行器、表面封装环行器、微波环行器、波导环行器、高功率环行器、射频环形器、微波环形器、低频环形器同轴环行器∙频率范围12MHz到20GHz,高达2000W功率.∙应用于民用,军事,航天,空间技术等.∙低插损,高隔离器,高功率.∙可按客户要求订制生产.低频率12MHz至1300MHz,包括FM,VHF,UHF等700MHz至20GHz,包括GSM,CDMA,WCDMA,LTE,L.S.C.X波段等同轴环形器接头形式（N、SMA公母头均可定制）常见频率环形器实物图关于环行器的应用1、作为隔离器使用当三端口环行器的一个端口在匹配的负载端接时，它可以用作隔离器使用，因为信号可以在其余端口之间仅在一个方向上行进。
隔离器用于屏蔽其输入侧的设备免受其输出侧的条件的影响；例如，以防止微波源由失配的负载失谐。
2、作为双工器使用在雷达中，环形器被用作一种类型的双工器，以将信号从发射机路由到天线以及从天线到接收机，而不允许信号直接从发射机到达接收机，来自发射机的信号被直接送到天线发射出去；同样来自天线的接收信号也会直接进入到接收机。
只要环行器有足够的隔离度，那么发射机的信号就不会进入接收机。
为了提高收发隔离度，可以适当增加环行器的级数。
3、作为反射放大器使用反射放大器是一种利用诸如隧道二极管和耿氏二极管的负微分电阻二极管的微波放大器电路。
负差分电阻二极管可以放大信号，并且通常在微波频率下比两端口器件表现更好。
然而，由于二极管是单端口（两端）器件，需要非互易分量来将输出放大信号与输入-输入信号分离。
通过使用具有连接到一个端口的信号输入的3端口环行器，连接到第二个的偏置二极管，连接到第三个的输出负载，输出和输入可以被断开。
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10W 射频同轴衰减器
同轴衰减器、射频衰减器、高频衰减器、高功率衰减器、同轴终端、同轴负载
同轴衰减器：
● 频率范围0至26.5GHz,高达2000W 功率 ● 应用于民用,军事,航天,空间技术等 ● 低插损,高隔离度,高功率 ● 可按客户要求订制生产
10W 固定同轴衰减器指标参数：
DC-3GHz 、DC-6GHz 同轴衰减器具体指标参数：
10W同轴衰减器规格尺寸：
10W同轴衰减器实物图：
100W同轴衰减器实物图：
关于同轴衰减器的概述：
衰减器是在指定的频率范围内，一种用以引入一预定衰减的电路。
一般以所引入衰减的分贝数及其特性阻抗的欧姆数来标明。
在有线电视系统里广泛使用衰减器以便满足多端口对电平的要求。
如放大器的输入端、输出端电平的控制、分支衰减量的控制。
衰减器有无源衰减器和有源衰减器两种。
有源衰减器与其他热敏元件相配合组成可变衰减器，装置在放大器内用于自动增益或斜率控制电路中。
无源衰减器有固定同轴衰减器和可调衰减器。
衰减器是由电阻性材料构成。
通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式，由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。
通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。
如果是大功率衰减器，体积肯定要加大，关键就是散热设计。
优译主要生产：
同轴隔离器、嵌入式（带线）隔离器、宽带隔离器、双节隔离器、表面封装（SMT）隔离器、微带（基片）隔离器、波导隔离器、高功率隔离器、同轴环形器、嵌入式（带线）环形器、宽带环形器、双节环形器、表面封装（SMT）环形器、微带（基片）环形器、波导环形器、高功率环形器、同轴衰减器、同轴终端（负载）、滤波器、放大器、功分器、电桥、定向耦合器、波导同轴转换、双工器/三工器等微波通讯产品，更多产品可参考优译官网：。