半导体二极管分类

半导体二极管

整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大，因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .

例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A

正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：> 20A 最高温度：>150C

例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A

正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C

注：桥式整流器以此此类推。

彩电用高频高压硅整流堆：

例：2DGL20 反向工作电压：>20KV正向电流：> 5MA

正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：<1.2us 检波二极管：

一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。

例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA 反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA

截止频率：〉100MHZ 零偏压电容：《1PF

检波效率：》65% 反向电流：《200 UA

例：2AP30C 反向工作电压：〉10V 正向电流：〉2M A

反向峰值击穿电压：〉20V 最大整流电流：〉5MA 截止频率：〉400MHZ

零偏压电容：《0.6PF 反向电流：》50 UA

开关二极管：

二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr 定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。

2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。

例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：《4PF 反向恢复时间：〈3ns 额定功率：30mw

FR151-158常用于高频整流，升压，有些厂阻尼二极管：

主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。

2CN2最高反向工作电压：400-800V正向电流：>2A

正向压降：<1V反向恢复时间：〈2ns 浪涌电流：5 0A

最高结温：175C 反向电流：5 ua

FR100-107最高反向工作电压：25-1000V正向电流：> 1A

正向压降：<1.3V反向恢复时间：〈0.85ns 浪涌电流：50A

家叫做快速恢复二极管。反向工作电压：1

00-1000V正向电流：>1.5A

正向压降：<0.65V反向恢复时间：〈0.7ns

反向电流：5ua

最高结温：175C反向电流：5ua

稳压二极管：

稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增，但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。

由于稳压二极管的击穿机理上的区别，一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿，7V以上属于雪崩击穿，5-6V两者兼而有之。小于5伏时，具有负温度系数，大于7伏时，具有正温度系数，在5-6伏时，温度系数则接近0。

2CW76功率：<0.25W工作电流：<20ma 结温：< 150C

漏电流：0.1u电压：11.5-12.5V 动态电阻1 8ohm(5ma)

压降：<1V温度系数：9*10（-4/C

2DW60功率：<1W工作电流：<6ma 结温：<150 C

漏电流：0.5u电压135-155V 动态电阻700o hm(3ma)

压降<1V温度系数：12*10（-4/C 瞬变电压抑制二极管：

瞬变电压抑制二极管简称为TVP管（transient-volta ge-suppressor）他是在稳压管的工艺基础上发展起来的，主要应用于对电压的快速过压保护，TVP管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：500W，1000W,1500W,500 0W。每类按照其标称电压分为35种，最小击穿电压为8.2V，最大为200V.

TVP管在瞬间高能量冲击时，能以极高的速度从高阻改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子的电压钳位在一个预定的数值上，钳位时间仅仅10（-12）秒。

例：TVP500-534,峰值功率：500W 击穿电压：8.2-200 V 测试电流：1ma 最大钳位电压：12.5-287V最大峰值脉冲电流：40A 反向变位电压：6.63-162.0V 反向电流：200-5ua 温度系数： 0.065-0.108%/C

注：反向变位电压的含义为：TVP管在不击穿的条件下所能承受的最大反向电压，即当TVP管加上该电压后，反向漏电流不大于其允许值。

变容二极管：

变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压

变化的特性制成。

在零偏压时，结电容最大，临近击穿时，结电容最小。两者之比则为其结电容变化比。从导通曲线可以看出，结电容变化呈现非线性。

变容二极管一般总是接在谐振回路使用，以取代传统的可变电容，因此必须要有足够的Q值，显然，随着频率的升高，Q降低，因此定义为Q =1时为截止频率。使用时必须低于截止频率。

常用变容二极管因其结构的独特性，参数离散性较大，使用应逐个挑选。

例：2CC120 最高反向工作电压：30V反向电流：0.1ua

给定偏压下的结电容3v,18-20pf 10v,7-8.5pf

电容比>6 击穿电压35v 优值Q>120 串联

电阻1.5ohm

电容温度系数<5*10(-4) 最高结温：125C 双基极二极管：

双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。他只有一个PN结，所以又称为单结晶体管。双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器，定时电压读出电路，具有频率易调，温度特性好的优点。

分压比：当发射极开路时，基极B1,B2之间相当于一个电阻,其值为RB1,RB2之和，若加一个电压，则俩电阻间相当于一个分压器。

例：BT33A 分压比：0.3-0.55 基极间电阻：3-6kohm

E-B间反向电流：<1ua饱和压降：<5v 峰点电流：< 2UA

谷点电流：<1.5UA 谷点电压： <3.5V调制电流：8 -40ma

耗屏功率： 400mw 最高结温：150C

二极管分类

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二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

一、根据构造分类

半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：

1、点接触型二极管

点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因