光刻胶实验报告

光刻胶实验报告
光刻胶实验报告

重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂 正性光致抗蚀剂的制备与性质

摘要:本文关于制备一种正性光致抗蚀剂——重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂及其成像性质的研究。重氮萘醌磺酸酯采用2,4,4’-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化得到,产量 1.59g ,产率91.4% ;并用红外光谱和熔点仪对产物进行了表征。重氮萘醌磺酯感光剂与酚醛树脂和乙二醇配胶并均匀铺在铝板上,在紫外下曝光,稀碱水洗涤显影。成像试验得到的结果是:最佳曝光时间为90S ,分辨率为10um ,网点保留情况下限为10%,上限小于90%。

关键词:重氮萘醌磺酸酯 重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂 制备 性质 正性光致抗蚀剂

在半导体器件和集成电路制造中,要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层,是运用感光性树脂材料在控制光照(主要是UV 光)下,短时间内发生化学反应,使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化;再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光化学腐蚀法”,也称为“光刻法”;这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”(又称光刻胶)。

按成像机理不同,光致抗蚀剂可分为两类:(1)负性光致抗蚀剂:紫外光照射下,光刻胶中光照部分发生交联反应,溶解度变小,用适当溶剂把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像。(2)正性光致抗蚀剂:紫外光照射下,光刻胶的光照部分发生分解,溶解度增大,用适当溶剂把光照部分显影除去,即形成与掩膜一致的图像。

20世纪30年代, 德国卡勒公司的Oskar S üss 发现了重氮萘醌系光化合物。由于其具有感光范围宽, 从i-线(感光波长: 365nm)到g-线(感光波长: 436nm) 都有较高的分光感度,尤其是与线形酚醛树脂或酚树脂配合, 具有稀碱水显影, 显影宽容度高, 操作方便,储存稳定性好等优点,使得重氮萘醌系感光材料在20世纪60年代后广泛应用于印刷PS 版感光剂及集成电路加工光致抗蚀剂。至今仍普遍使用的g-线和i-线光致抗蚀剂都主要采用重氮萘醌系感光体系。

重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂体系正性光致抗蚀剂的成像原理:感光涂层受紫外光照射后,曝光区的重氮萘醌磺酸酯发生光解,放出N 2形成烯酮,烯酮遇水形成茚酸而易溶于稀碱水。由此通过稀碱水显影便得到了在未曝光区抗蚀膜保留的正型图形。

本实验采用2,3,4-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化,合成感光化合物。之后再与线性酚醛树脂—BTB24配合,溶于乙二醇乙醚,再加入少量添加剂,制得酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂。将其涂布于铝版基上,烘干,曝光,显影。

O

N 2

SO 2Ar

hv C

SO 2O

-N 2

1.实验部分

1.1 仪器与试剂

1.1.1主要仪器

常用玻璃仪器(100ml单口瓶,19#滴液漏斗,量筒,烧杯),黑色塑料袋,81-2型恒温磁力搅拌器(上海司乐仪器厂),电子天平,循环水泵,干燥箱;SGW X-4显微熔点仪(上海精密科学仪器有限公司);AVATAR360型傅里叶红外光谱仪(美国Nicolet公司),KBr 压片;SC-1B型匀胶台(北京创威纳科技有限公司)BP-2B型烘胶台(北京创威纳科技有限公司);碘镓灯,PS版测试条,光学显微镜。

1.1.2 试剂(除特别说明,均为分析纯)

2,1,4--重氮萘醌磺酰氯,2,4,4’-三羟基二苯甲酮,丙酮,三乙胺,乙二醇乙醚,染料,硅酸钠,氯化氨,盐酸,去离子水

1.2 重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备

1.2.1感光剂——重氮萘醌磺酸酯的制备

称取2,1,4-重氮萘醌磺酰氯1.35g(0.005mol)、三羟基二苯甲酮0.56g (0.0025mol)于100mL单口烧瓶中,再加入15mL丙酮,室温下搅拌使其溶解,再加入1.5mL水。装上衡压漏斗,逐渐滴入与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯等当量的三乙胺(0.53g,过量5%,溶于5mL丙酮),滴加时间持续0.5h左右。滴加完毕后,用薄层色谱观察反应进行的情况,继续搅拌反应,再用薄层色谱观察反应进行的情况,至酰氯基本反应完。反应结束后,将反应溶液搅拌下倒入100毫升蒸馏水中,加入适量氯化氨固体并溶解,促使反应产物析出,过滤,产物少量水洗三遍,40-50o C干燥至恒重,得到黄色固体。整个实验过程需要在黄光下或避光下进行。

1.2.2配胶

称取0.7g上述制得的感光剂、1.4g BTB-24酚醛树脂和10mL乙二醇乙醚,于100ml棕色瓶中,再加入少量染料,搅拌溶解2h,用滤纸过滤,得到粗滤的感光胶,备用。

1.3 重氮萘醌磺酸酯的表征

1.3.1重氮萘醌磺酸酯的熔点测定

取少量重氮萘醌磺酸酯于一洁净的载玻片上,盖上盖玻片,至于熔点仪上并将熔点仪调制加热状态。通过显微镜观察,记录重氮萘醌磺酸酯融化的温度。

1.3.2重氮萘醌磺酸酯的红外光谱的测定

取少量重氮萘醌磺酸酯于玛瑙研钵中,加入约3药匙的KBr,充分研磨。将研磨后的混合物取适量放入模具中压片,取出样品的薄片置于红外光谱仪中扫描得到其红外光谱图。1.4 光致抗蚀剂的性质——成像试验

1.4.1 匀胶

将铝版基放置到匀胶机上,开启真空吸紧,将上述所得感光溶液倒于铝版基或硅片上,控制匀胶转速800转/分钟、匀胶时间15s。

1.4.2 烘胶

涂好感光胶的版基转移到烘胶台上,在110o C烘干2分钟以除去溶剂。

1.4.3 曝光

将干燥好的版基转移到曝光机上,把PS版测试条覆到胶面上,其余裸露部分用黑纸覆盖,抽真空,分别曝光60s、90s、120s。

1.4.4 显影

在适当浓度(2-4%)硅酸钠溶液中显影至灰梯尺洗净3段,约20-40s。显影完的版基用水冲洗,得到正型测试条图像。光学显微镜下观察并记录下分辨率,观察并记录网点保留情况。

2 结果与讨论

2.1重氮萘醌磺酸酯的产率

实验中获得的重氮萘醌磺酸酯为黄色粉末状固体,产量 1.59g,产率91.4%.

原因分析:刚开始加的三乙胺量不足,后来又补加了1ml,三乙胺稍有过量,从而产物颜色不是很纯的黄色;实验过程中多次转移固体造成了损失,同时由最后TLC板情况可以判断反应并未进行完全。

改进建议:实验中,2,1,4-重氮萘醌磺酰氯难以反应完全会造成之后实验的一系列不理想现象的出现,其中,加长反应时间是解决反应不完全的方法之一;同时,控制反应进行过程中反应体系的pH略偏碱也是一个重要因素,因为2,4,4’-三羟基二苯甲酮与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化反应需要在碱性条件下进行,但pH过高时产物不稳定,会分解,为了保证酯化反应的进行,应在反应过程中同时测pH,将pH值控制在合理范围,使产物产量高。在产物后处理时,先用去离子水洗,再用1%-2%的稀盐酸洗,最后用碳酸钠溶液将PH 值调至7,得到较为纯净的酯化产物。当然引入金属离子会影响光刻胶的性能,所以要适量。2.2重氮萘醌磺酸酯熔点的测定

没有测到熔点,到200 ℃左右玻片上物质碳化了。测熔点心得:(1)制片的样品要少且不能压得太紧太实太密,样品也不能太分散;(2)观察要仔细,这是一个很难观察到的过程,如果看到样品某一块晶莹透明,说明样品已经在熔化,记录温度和熔化完全的温度即为熔点。

2.3重氮萘醌磺酸酯的红外光谱

为了证实本实验制得了重氮萘醌磺酸酯,采用了红外光谱对产物进行表征。

产物所得光谱图与二苯甲酮标准产物对比。

二苯甲酮标准图谱

(1)由重氮萘醌磺酸酯红外光谱可以看到2145 cm-1 左右 -C=N=N 出现了单尖峰(1, 2-重氮萘醌-4-磺酸酯),说明三羟基二苯甲酮有部分被磺酰氯酯化;(2)与羰基吸收峰强度相比,酯化后羟基吸收峰的强度明显减弱,进一步说明羟基已经被酯化;(3)理论上来说,重氮萘醌磺酸酯3400 cm -1的-OH 特征吸收峰应该减弱,但本实验得到的感光剂谱图增强,原因是因为磺酸酯不够干燥,含有少量的水。 2.4重氮萘醌磺酸酯的成像实验 2.4.1 不同t 曝光下的成像效果

曝光时间为60s ,此时曝光不足,

“2白3显”,阴影部分的图像无法清晰显出;曝光时间为90s ,“3白4显”,非阴影部分及阴影部分的图像都可以清晰显出;曝光时间为120s ,此时曝光过度,“4白5显”,非阴影部分的图像会在显影时溶解在显影液中。最佳曝光时间为非阴影部分及阴影部分的图像都可以清晰显出的时间。根据“三白四显”的理想曝光效果,再比较曝光时间分别为60s 、90s 和120s 的铝板基可知,当曝光时间为90s 时曝光效果最好。 2.4.2 最佳t 曝光下的显影效果

曝光时间为90s 时曝光效果最好。以下四幅图是感度为90s 时记录的一些图像。由图可知,该感光板分辨率为12μ,网点保留情况下限为10%,保留上限不到90%。

2.4.3曝光实验的一些反思:

(1)制得感光剂在铝板上曝光显影后表面较脏,有明显“留底”现象,可能原因是感光剂不纯或显影时间不足。由于产物磺酸酯为土黄色,说明三乙胺有点过量。三乙胺易与酚羟基反应生成三乙胺的酚盐,被包夹在分子内部,空间阻碍效应使其不易被洗脱。酚盐在溶剂中的溶解度小,曝光显影后导致“留底”现象。

(2)感光剂配置是的BP 比也会影响成像效果。当成膜树脂、感光剂、有机溶剂和实验操作 条件均相同时,BP 比越高,感光剂相对含量越低,感光度越高,但是由于感光剂含量低,促溶性能降低,因此显影速度越慢。

(3)感光剂的制备 、感光胶的配制 、匀胶速度、烘胶时间 、曝光量 、显影液浓度和显影时间 都会影响成像效果。

(4)实验应保证抽真空的时间。抽真空时间越长,真空度越好,掩膜与铝板基接触越充分,避免图像发虚的情况。

(5)自制感光剂分辨率和网点保留情况均偏大,不符合印刷行业的要求。可以考虑对光刻胶制备是原料和方法进行一定的改进。

3.结论

1.合成了重氮萘醌磺酸酯感光剂,由于合成的方法操作粗糙且所用原料和仪器等原因,所合成的感光剂不能有效地应用于印刷行业正性光致抗蚀剂。

2.感光胶最好的感光度为90S ,分辨率为10μm ,网点保留情况下限为10%,上限小于90%。

参考文献:

【1】王力元.综合设计实验讲义;

【2】周芳宇,邹应全.用于LCD 的重氮萘醌系正性抗蚀剂的研究.数字成像技术及影像材料

科学. 2006;

【3】喻小琦. LCD 正型光致抗蚀剂感光树脂的研制. 2006,6(33) 【4】衷红钦,周立锋.液晶显示器用正性光刻胶研究.市场研讨会论文

【5】王力元,徐娜.含2,1,4-重氮萘醌磺酸酚酯的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂组合物.

发明专利申请书的说明.2011

光刻胶前期调研报告

目录 目录 (1) 一、什么是光刻胶 (3) 二、光刻胶的分类 (3) 三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3) 四、光刻胶的发展及应用 (6) 五、国内光刻胶的现状和应用 (8) 六、相关技术资料 (9) 1.液态光成像阻焊油墨(供借鉴) (9) 2.UV可剥性涂料(供借鉴) (9) 3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质(供借鉴) (10) 4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质(供借鉴) (10) 5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究(供借鉴) (11) 6.酚醛感光材料的研究材料(供借鉴) (12) 7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13) 8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13) 9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14) 10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14) 七、市场上的产品介绍 (14) 1.北京恒业中远化工有限公司 (15) 聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15) 双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂(环化橡胶类负型光致抗蚀剂) (15) 聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15) 邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15) 2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16) 3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16) 4.苏州锐材半导体有限公司 (17) 5.国外G,H,I线光刻胶 (17) 6.瑞士SU-8光刻胶 (17) 八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)

九、初步方案(待深入分析) (18) 1.丙烯酸基光刻胶 (18) 2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18) 3.聚酯类类负性光刻胶 (19) 4.环化橡胶类负性光刻胶 (19) 5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)

KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案

KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案 进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率的限制,双栅极蚀刻光刻胶由之前通用的i-line (波长365nm)改成KrF(波长248nm)。另一方面,为减少栅极氧化层(Gate Oxide)去除后对硅表面的损伤,业界普遍将栅极氧化层湿法蚀刻药剂由蚀刻率较快的BOE (DHF+NH4F)改为DHF,导致蚀刻率极大的降低,从而导致湿法蚀刻工艺时间成几倍增加。而KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物(polymer)等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落(melt and peeling),在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面,从而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性最终影响器件良率。 又由于目前业界栅极氧化层湿法蚀刻普遍采用在酸槽(wet bench)中的成套工艺,即在同一个酸槽设备里连续经过去氧化层,去光刻胶和去polymer的工艺流程,最后得到清洁的wafer表面,即使在中间过程(去氧化层)中出现光刻胶脱落残留而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性,但由于栅极氧化层通常很薄(50~60A)不会形成色差,所以很难检查得到。

在栅极氧化层湿法蚀刻开发过程中,我们加入中间过程缺陷检测步骤,即在DHF去氧化层后的缺陷检测,结果发现大量的光刻胶脱落残留现象。 根据实验数据和材质特性,我们从不同层面进一步分析了产生光刻胶残留缺陷的机理。一方面是KrF光刻胶本身所具有的疏水性。光酸(PAG)在曝光的作用下产生助剂(Inhibitor),然后助剂经过烘焙产生可溶物最后被溶剂溶解,非曝光的部分也就是最终留下来的光刻胶将被当作湿法刻蚀的非蚀刻区阻挡层。最终这层作为阻挡层的KrF光刻胶含有甲基自由基等而形成疏水性。这种疏水性不利于被酸液浸泡后生成的光刻胶脱落残留的溶解。如前所述,KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落,在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面。

光刻胶的发展及应用

Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期 F i n e and Specialty Che m ica ls2006年8月21日市场资讯 光刻胶的发展及应用 郑金红* (北京化学试剂研究所,北京100022) 摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。 关键词:集成电路;光刻胶;感光剂 D evelop m ent T rends and M arket of Photoresist Z HENG J in hong (Be iji ng Instit u te o f Che m ica l R eagents,Be iji ng100022,Chi na) Abstrac t:The deve l op m ent course and app licati on o f photoresist i n Chi na and abroad we re i ntroduced.The m arket sta t us and head i ng d irec tion o f pho toresist in Ch i na and abroad w ere also analyzed.T he research f o cuses and deve l op m ent trends of pho t o res i st i n Ch i na w ere descri bed. K ey word s:i n teg ra ted c ircuit;photoresist;photosensiti zer 光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。 现代微电子(集成电路)工业按照摩尔定律在不断发展,即集成电路(I C)的集成度每18个月翻一番;芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加1 5倍,芯片中的晶体管数增加约4倍,即每过3年便有一代新的集成电路产品问世。现在世界集成电路水平已由微米级(1 0 m)、亚微米级(1 0~0 35 m)、深亚微米级(0 35 m以下)进入到纳米级(90~65nm)阶段,对光刻胶分辨率等性能的要求不断提高。因为光刻胶的可分辨线宽 =k /NA,因此缩短曝光波长和提高透镜的开口数(NA)可提高光刻胶的分辨率。光刻技术随着集成电路的发展,也经历了从g线(436nm)光刻,i线(365nm)光刻,到深紫外248nm光刻,及目前的193nm光刻的发展历程,相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。随着曝光波长变化,光刻胶的组成与结构也不断地变化,使光刻胶的综合性能满足集成工艺制程的要求。 表1为光刻技术与集成电路发展的关系,其中光刻技术的变更决定了光刻胶的发展趋势。 1 国外光刻胶发展历程及应用 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300~ 450nm)光刻胶、深紫外(160~280n m)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根据曝 24 *收稿日期:2006 07 19 作者简介:郑金红(1967 ),女,北京化学试剂研究所有机室主任,教授级高工,主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作。

光刻胶知识简介

光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶:正胶和负胶。 光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中;感光剂是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。

国外光刻胶及助剂的发展趋势

应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺,借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程,不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中,硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里,光刻费用飞速上涨,其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用,一个典型的例子是,在一个价格在50万欧元(合65万美元)的90nm 的光掩膜技术中,其光刻机花费是1000万欧元(合 1300万美元)。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中,常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍,这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率,可以用于微小精细的电路,同时,正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类,对于光致抗蚀技术来说,集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小,因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案,其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围,但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物,用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系,主要包括感光物质(PAC )、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时,其溶解度发生了改变:负型光刻蚀剂变为不溶,正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型,一种是二元体系:大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物;另外一种是一元体系:缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合,醋酸酯选择性地转换成酚醛,以及将其与其他反应性单体的化合,可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年,使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来,感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以,光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性,以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且,其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂,而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下,化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域,由于辐照源的匮乏,势必导致一种催化的东西产生,通常为中子源。在曝光的加热处理后,催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应,这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期:2009-04-23 作者简介:王雪珍(1983-),女,主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12

光刻胶可行性研究报告范文

光刻胶可行性研究报告范文 第一章光刻胶项目概要 第二章光刻胶项目背景及可行性 第三章光刻胶项目选址用地规划及土建工程 第四章光刻胶项目总图布置方案 第五章光刻胶项目规划方案 第六章光刻胶项目环境保护 第七章光刻胶项目能源消费及节能分析 第八章光刻胶项目建设期及实施进度计划 第九章光刻胶项目投资估算 第十章光刻胶项目融资方案 第十一章光刻胶项目经济效益分析 第十二章光刻胶项目社会效益评价 第十三章光刻胶项目综合评价及投资建议

第一章项目概要 一、项目名称及建设性质 (一)项目名称 光刻胶生产项目 (二)项目建设性质 本期工程项目属于新建工业项目,主要从事光刻胶项目投资及运营。 二、项目承办企业及项目负责人 某某有限责任公司 三、项目建设背景分析 中国的制造业正面临着第三次工业革命。第三次工业革命是由于人工智能、数字制造和工业机器人等基础技术的成熟和成本下降,以数字制造和智能制造为代表的现代制造技术对既有制造范式的改造以及基于现代制造技术的新型制造范式的出现,其核心特征是制造的数字化、智能化和网络化。 四、项目建设选址 “光刻胶投资建设项目”计划在某某省某某市某某县经济开发区实施,本期工程项目规划总用地面积120000.60 平方米(折合约180.00 亩),净用地面积119440.60 平方米(红线范围折合约179.16 亩)。该建设场址地理位置优越,交通便利,规划道路、电力、天然气、给排水、通讯等

公用设施条件完善,非常适宜本期工程项目建设。 五、项目占地及用地指标 1、本期工程项目拟申请有偿受让国有土地使用权,规划总用地面积120000.60 平方米(折合约180.00 亩),其中:代征公共用地面积560.00 平方米,净用地面积119440.60 平方米(红线范围折合约179.16 亩);本期工程项目建筑物基底占地面积85173.07 平方米;项目规划总建筑面积121960.77 平方米,其中:不计容建筑面积0.00 平方米,计容建筑面积121960.77 平方米;绿化面积8193.63 平方米,场区停车场和道路及场地硬化占地面积22756.14 平方米;土地综合利用面积119440.60 平方米,土地综合利用率100.00 %。 2、该项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照光刻胶行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合光刻胶制造经营的规划建设需要。 3、根据中华人民共和国国土资源部国土资发【2008】24号文及国土资发【2008】308号文的规定,某某县土地等别为九等,本期工程项目行业分类:光刻胶行业;根据谨慎测算,本期工程项目固定资产投资强度3024.77 万元/公顷>1259.00 万元/公顷,建筑容积率1.02 >0.80 ,建筑系数71.31 %>30.00 %,建设区域绿化覆盖率6.86 %<20.00 %,办公及生活服务设施用地所占比重4.80 %<7.00 %,各项用地技术指标均符合规定要

光刻胶大全之令狐文艳创作

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地) 令狐文艳 1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC,经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展,对微细图形加工技术的要求越来越高,为了适应亚微米微细图形加工的要求,国外先后开发了g线(436nm)、i线(365nm)、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀

剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达(Kodak)公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等;联合碳化学(UCC)公司的KTI系列;日本东京应化(Tok)公司的TPR、SVR、OSR、OMR;合成橡胶(JSR)公司的CIR、CBR系列;瑞翁(Zeon)公司的ZPN 系列;德国依默克(E.Merk)公司的Solect等。正性胶如:美国西帕来(Shipely)公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额(%)2000年收益2000年市场份额(%)Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他122.2 18.5 171.6 20.0 总计662.9 100.0 859.4 100.0

光刻胶项目立项报告

光刻胶项目立项报告 一、建设背景 全球光刻胶市场集中度高 光刻胶又称光致抗蚀剂,是由光引发剂(包括光增感剂、光致产 酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的 对光敏感的混合液体,利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工 艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作, 是微细加工技术的关键性材料。按应用领域分类,光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他。2017年,全球光刻胶下 游应用较为均衡,PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他占比 基本都在25%左右。 从以上概念及应用可知,光刻胶用于微小图形的加工,生产工艺 复杂,技术壁垒较高。其主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度,此外还有粘滞性黏度、粘附性等。其中分辨率描述形成的关键尺寸; 对比度描述光刻胶从曝光区到非曝光区的陡度;敏感度为光刻胶上产

生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。诸多技术参数限制 构成了光刻胶的技术壁垒。 同时,光刻胶质量直接影响下游产品的质量,下游企业对光刻胶 供货企业的质量及供货能力非常重视,通常采取认证采购的商业模式。伴随着高的采购成本与认证成本,光刻胶生产厂家与下游企业通常会 形成较为稳定的合作,这对新供应商涉足光刻胶行业设置了准入壁垒。 由于极高的行业壁垒,全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局,长年 被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额,行业集中度较高。其中,日本JSR、东京应化、日本信越 与富士电子材料市占率加和达到72%。 细分领域来看,在PCB光刻胶市场,PCB干膜光刻胶厂家主要有7家,分别为台湾长兴化学、台湾长春化工、日本旭化成、日本日立化成、美国杜邦、韩国KOLON、意大利莫顿公司,其中长兴化学、旭化成、日立化成三家所占市场份额已达80%以上;湿膜光刻胶主要生产厂家有台湾长春化工、日本三井化学、飞凯材料等;光成像阻焊油墨的主要 生产商有日本太阳油墨、TAMURA制作所、欧洲HUNGTSUMAN、中国台湾 永胜泰、无锡广信油墨(台资)等公司,共占据市场80%以上份额,其中日本太阳油墨一家独大,几乎占据全球60%份额。

光刻胶大全

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地) 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC,经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展,对微细图形加工技术的要求越来越高,为了适应亚微米微细图形加工的要求,国外先后开发了g线(436nm)、i线(365nm)、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达(Kodak)公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等;联合碳化学(UCC)公司的KTI系列;日本东京应化(Tok)公司的TPR、SVR、OSR、OMR;合成橡胶(JSR)公司的CIR、CBR 系列;瑞翁(Zeon)公司的ZPN系列;德国依默克(E.Merk)公司的Solect等。正性胶如:美国西帕来(Shipely)公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额(%) 2000年收益 2000年市场份额(%) Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前,国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm~0.18μm的深紫外正型光刻胶,主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利

光刻胶的制备与表征实验报告

一种适用于193nm 光刻胶的硫鎓盐光产酸剂的制备与性质 X X X X X X 摘要:制备了一种阳离子含有萘基,阴离子分别为对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫鎓盐。它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的溶解性。测定了此类光产酸剂在水溶液及聚乙二醇固体膜层中的紫外吸收特性。结果表明阴离子不含苯基时,在193nm 处有很好的透明性。考察了其在低压汞灯照射下的光解性质,在254nm 附近的吸收峰随光解进行迅速减弱。此类光产酸剂适用于氟化氩激光(193nm )等的化学增幅型光致抗蚀剂。 关键词:光产酸剂 193nm 光致抗蚀剂 化学增幅 硫鎓盐 光产酸剂(photoacid generator, PAG )是各类化学增幅抗蚀剂的关键组分之一。 无论g 线(436 nm )、i 线(365nm )、氟化氪激光(248 nm )、氟化氩激光(193nm)以及采用更短波长光源的抗蚀剂,为了提高感度,无一例外地采取了化学增幅的方法,从而也就必须使 用光产酸源,甚至使用酸致产酸的酸增殖剂[1],以实现光照产酸后的化学增幅放大作用。更具 体地讲,所产生的酸导致抗蚀剂膜层中的物质发生种种化学反应,从而使光照部分与非光照部分溶解反差增大,实现显影成像。氟化氩激光光致抗蚀剂初期所用的光产酸剂主要为三苯基硫鎓盐或带有取代基的三苯基硫鎓盐,二苯基碘鎓盐或带有取代基的二苯基碘鎓盐,但这些鎓盐化合物在光照前后对193nm 光的吸收均较大,其产酸效率不像在248nm 光致抗蚀剂中 那样高,并导致成像质量下降,分辨率难以提高[2 3]。针对上述缺点,Shigeyuki Iwasa [4]等人 开发了不含苯环的丁酮-2-基戊硫环硫鎓盐化合物,配伍离子为CF 3SO 3—或C 4F 9SO 3—,它在193 nm 处透明度和感度都很好,且热稳定性高。Hiroyuki Ishii [5]等人提出产酸源透明度的改善是提 高193 nm 光致抗蚀剂性质的关键因素之一,他们用分子轨道计算法估算产酸源的透明度。结果表明多环芳香体系在1 93 nm 处有好的透明性,合成了1-烷氧基4-锍基萘鎓盐化合物。用此光产酸剂在聚甲基丙烯酸酯体系中进行光刻蚀成像,获得了高质量的图像。根据文献统计, 以往硫鎓盐的研究开发工作最多,不过近期也开始有一些新的体系的报道[6]。例如N-羟基琥 珀酰亚胺对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯,N-三氟甲烷磺酰氧萘二甲酰亚胺、二硝基苄基对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯和α-羟甲基安息香对甲苯磺酸酯或其它磺酸酯等。 以往的工作多集中在各种光产酸剂实际用于光致抗蚀剂的成像效果评价上,有关光产酸剂的合成及性质研究的报道相对较少。为了解光产酸剂结构与其性质间的关系以及为ArF 激 光(193nm)光致抗蚀剂的研制选择适用的光产酸剂, 我们参考文献[7]的方法合成了已有报道的 以下结构的硫鎓盐光产酸剂[8,9]: 其特点是硫鎓盐阳离子中不含苯基但含有萘基和羰基。其配伍阴离子分别为:对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸。 S +C H 2O RSO 3 -

半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器,以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机(超声波清洗器)利用空化效应,短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净,超声波清洗机对清洗器件的养护,提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统,有效提高了清洗效率;设置时间控制装置,清洗方便;具有频率自动跟踪功能,清洗效果稳定;多种机型、结构设计,适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件,医疗设备、精密偶件、化纤行业(喷丝板过滤芯)等的清洗;对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡,涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点:不锈钢加强结构,耐酸耐碱;特种胶工艺连接,运行安全;使用IGBT 模块,性能稳定;专业电源设计,性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一,通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备,去离子水有毒,不可食用。 净化设备主要产品:水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室:运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时,旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上,而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动,并产生化学反应,工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除,即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工,人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起,发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制,可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石,接到电源的阴极,被抛光的工件(如模具)接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发 单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠氮醌类化合

光刻胶 液晶显示材料生产工艺流程

光刻胶 photoresist 又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增 感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液 体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化 反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合 性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部 分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。 光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制 版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学 反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照 后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不 可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这 种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的 电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为 三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生 成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚 合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠 氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由 油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。③光交联型,采 用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其 分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成 一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典 型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限 制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率 以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更 短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外 (<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀 胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1□m以下。 LCD生产线工艺及材料简介 LCD生产线工艺及材料简介 LCD为英文Liquid Crystal Display的缩写,即液晶显示器,是一种数字显示技术,可以通过液晶和彩色过滤器过滤光源,在平面面板上产生图象。当前LCD液晶显示器正处于发展的鼎盛时代,技术发展非常迅速,已由最初的TN-LCD(扭曲向列相),发展到STN-LCD (超扭曲向列相),再到当前的TFT-LCD(薄膜晶体管)。LCD现已发展成为技术密集、资金密集型的高新技术产业。液晶显示器主要由ITO导电玻璃、液晶、偏光片、封接材料(边框胶)、导电胶、取向层、衬垫料等组成。液晶显示器制造工艺流程就是这些材料的加工和组合过程。

2021年光刻胶介绍模板

````4. 光刻胶 欧阳光明(2021.03.07) 光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同的材料按一定比例配制而成。其中树脂是粘合剂(Binder),感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物,它在光刻胶内的含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用。 4.1 光刻胶的分类 ⑴负胶 1.特点 ·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像液; ·而未曝光部分溶于现像液; ·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于特征尺寸小于3um的制作中。 2.分类(按感光性树脂的化学结构分类) 常用的负胶主要有以下两类: ·聚肉桂酸酯类光刻胶 这类光刻胶的特点,是在感光性树脂分子的侧链上带有肉 桂酸基感光性官 能团。如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。

·聚烃类—双叠氮类光刻胶 这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂(主 要是环化橡胶)、 双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂配制而成。 3.感光机理 ①肉桂酸酯类光刻胶 KPR胶和OSR胶的感光性树脂分子结构如下:在紫外线作用下,它们侧链上的肉桂酰官能团里的炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间的交联,转变为不溶于现像液的物质。KPR胶的光化学交联反应式如下: 这类光刻胶中的高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘的温度与时间。 ②聚烃类—双叠氮类光刻胶 这类光刻胶的光化学反应机理与前者不同,在紫外线作 用下,环化橡胶 分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂的双叠氮化合物参加才能发生交联反应。交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它和聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构的不溶性物质。其光化学反应工程如下: 首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应: 双叠氮交联剂分解后生成的双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)和炭氢取代反应,机理如下:

光刻胶实验报告

综合实验报告 题目:重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质 院系:化学学院 年级:2011级 指导老师:王力元 姓名:姚宁 学号:201111014918

摘要:本文关于制备一种正性光致抗蚀剂——重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂及其成像性质的研究。重氮萘醌磺酸酯采用2,4,4’-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化得到,产量 1.43g,产率82.6% ;并用红外光谱和熔点仪对产物进行了表征。重氮萘醌磺酯感光剂与酚醛树脂和乙二醇配胶并均匀铺在铝板上,在紫外下曝光,稀碱水洗涤显影。成像试验得到的结果是:最佳曝光时间为90S,分辨率为12um。 关键词:重氮萘醌磺酸酯重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂光化学腐蚀法感光化合物负性光致抗蚀剂正性光致抗蚀剂 正文: 实验目的: 1. 初步了解光致抗蚀剂的概念 2. 了解酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂的成像原理 3. 学习重氮萘醌磺酸酯的制备方法 4. 学习匀胶机、烘胶台、碘镓灯的使用方法 5. 学习抗蚀剂曝光、显影等评价方法。 实验原理: 在半导体器件和集成电路制造中,要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层,是运用感光性树脂材料在控制光照(主要是UV光)下,短时间内发生化学反应,使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化;再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光化学腐蚀法”,也称为“光刻法”。这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”(又称光刻胶)。 按成像机理不同,光致抗蚀剂可分为负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂:(1)负性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶中光照部分发生交联反应,溶解度变小,用适当溶剂即可把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像,因此称为负性光致抗蚀剂。(2)正性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶的光照部分发生分解,溶解度增大,用适当溶剂可以把光照部分显影除去,即形成与掩膜一致的图像,因此称为正性光致抗蚀剂。如图1所示。

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项 前段时间一些使用我司光刻胶的客户反映,在使用光刻胶过程中存在这样,那样的问题,后来进一步了解,发现客户对光刻胶的使用过程中存在或多或少的容易忽视的地方,从而造成光刻效果不理想;下面我就简单的介绍一下光刻胶在应用过程中的一些注意事项。 1、保存: 光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的,除了有温度的要求外,对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。一般使用 棕色的玻璃瓶包装,再套上黑色塑料袋,光刻胶确实是在半 年内使用为好。过期后最好同厂家沟通进行调换,因为只有 生产商知道里面的组分,才能进行产品的重新调整。还有就 是光敏组分是广谱接受光反应的,并不是仅仅紫外光能够使 其失效,只是其它波长光需要的时间长而已。 2、光刻胶的涂布温度: 光刻胶涂布温度一般要和你的室温相同,原因是与室温相同可以最大减少光刻胶的温度波动,从而减少工艺波动。而 净化间室温一般是23度,所以一般为23度,一般在旋涂的 情况下,高于会中间厚,低于会中间薄。同时涂布前,wafer 也需要冷板,保证每次涂布wafer的温度一致。 3、涂布时湿度的控制: 现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起,很多时候都只考虑此段的洁净度,而疏忽了该段的湿 度控制,使得光刻胶涂覆的良品率比较低,在显影时光刻 胶脱落严重,起不到保护阻蚀的效果。

4、涂胶后产品的放置时间的控制 在生产设备出现故障等特殊情况下,涂完光刻胶的产品需要保留,保留的时间一般不超过8 小时,曝光前如已被感(即 胶膜已失效),不能作为正品,需返工处理。 5、前烘温度和时间的控制 前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发,使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。曝光时,掩模 版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜,同 时只有光刻胶干净、在曝光时,光刻胶才能充分地和光发生 反应。同时注意前烘的温度不能过高,过高会造成光刻胶膜 的碳化,从而影响光刻效果。一般情况下,前烘的温度取值 比后烘坚膜温度稍低一些,时间稍短一些。 6、显影条件的控制 显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中,温度和时间直接影响的速度,若显 影时间不足或温度低,则感光部位的光刻胶不能够完全溶解, 留有一层光刻胶,在刻蚀时,这层胶会对膜面进行保护作用, 使应该刻蚀的膜留下来。若显影时间过长或温度过高,显影 时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。使图案的边 缘变差,再严重会使光刻胶大量脱落,形成脱胶。 以上几点就是客户在使用光刻胶过程中容易忽视的地方,希望在今后使用过程中能引起重视,以便取得良好的光刻效果。

光刻技术及其应用的状况和未来发展

光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,一方面在过去的几十年中发挥了重大作用;另一方面,随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫,备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样,上世纪基本上3~5年修正一次,而进入本世纪后,基本上每年都有修正和新的版本出现,这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示,是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点,新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开,大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此,正确把握光刻技术发展的主流十分重要,不仅可以节省时间和金钱,同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间,因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知,电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小",这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率,即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度,以满足产业发展的需求;另一方面,光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响,这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下,具有较低的COO和COC。因此,光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中,以光子为基础的光刻技术种类很多,但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就,而且是目前产业中使用最多的技术,特别是前两种技术,在半导体工业的进步中,起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350~450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线,特别是波长为365nm的i线为光源,配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等,可为0.35~0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障,在目前任何一家FAB中,此类设备和技术会占整个光刻技术至少50%的份额;同时,还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面,有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等,如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面,ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主,分辨率覆盖0.5~0.25μm:NIKON以提供前工程的1:5步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主,分辨率覆盖0.8~0.35μm和2~0.8μm;CANON以提供前工程的1:4步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主,分辨率也覆盖0.8~0.35μm和1~0.8μm;ULTRATECH以提供低端前工程的1:5步进重复系统和特殊用途(先进封装/MEMS/,薄膜磁头等等)的1:1步进重复系统为主;而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l:1接触/接近式系统和特殊用途(先进封装/MEMS/HDI等等)的1:1接触/接近式系为主。另外,在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术

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