光刻胶

粘滞 性/粘 度
粘附性，Adherence
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粘附 性 表面 张力
抗蚀 性
存储和 传送能 力
光刻胶与晶圆衬底之间的粘着强度。光刻胶的粘附性不足 会导致硅片表面的图形变形，同时要承受后续工艺的影响。
抗蚀性，Anti-etching
光刻胶必须保持一定粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬 底表面，这种性质被称为抗蚀性。
集成电路用光刻胶
2018.06
光刻胶组分
图形绘 制
溶剂
Solvent，使得光刻胶具有流动性、易挥发， 对于光刻胶的化学性质影响较低。
Resin/Polymer，惰性的聚合物，用于把光刻胶 中的不同材料聚在一起的粘合剂，给予光刻胶 机械和化学性质。 Photoactive Compound，光刻胶材料中的光敏成 分，对光能发生光化学反应。
树脂型聚合物
光引发剂
添加剂
Additive，控制光刻胶材料的化学物质，用来控 制和改变光刻胶材料的特定化学性质。
光刻胶分类
图形绘 制
在正性光刻中，正胶的曝光部分结构被破坏，被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模 版上图形相同。相反地，在负性光刻中，负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解，掩模 部分则会被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。
集成电路光刻胶国产化情况
图形绘 制
中国大陆本土光刻胶产品主要集中在低端产品，集成电路光刻胶市场份额不足5%。
从国内整体来看，目前市场主流的四种中高端光刻胶：g线、i线、KrF、ArF，我 国已经实现了其中g/i线的量产，并将逐步提升供货量；KrF已经通过认证，但还处 于攻坚阶段；ArF光刻胶乐观预计在2020年能有效突破并完成认证。
表面张力，Surface Tension
液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力。小 的表面张力，使光刻胶具有较好的流动性和覆盖能力。
存储和传送，Storage and Translation
光刻胶受能量（光和热）的影响，一旦存储超出温度范围， 负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
集成电路光刻胶基本情况
敏感度，Sensitivity
光刻胶上产生一个良好图形所需一定波长光的 最小能量值（或最小曝光量）。光刻胶的敏感 性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫 外光（EUV）等尤为重要。
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图形绘 制
粘滞性/黏度，Viscosity
衡量光刻胶流动特性的参数。黏滞性随着光刻胶中溶剂的挥 发减少而增加；粘滞性越低，光刻胶厚度就越均匀。
图形绘 制
光刻胶的质量和性能是影响集成电路、成品率以及可靠性的关键性因素。 光刻胶工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35%，在整个芯片工艺时长中占据40%-60%，是半导体 制造中的核心材料。 光刻胶产品约占集成电路制造材料总成本的4%。
2017年，全球半导体光刻胶销售额达到12.05亿美元的市场规模。从全球半导体光刻胶 分类市场份额占比来看，g/i线光刻胶市场份额占比为24.0%，KrF光刻胶市场份额占比 为22.0%，ArF/液浸ArF光刻胶市场份额占比为41.0%。
集成电路光刻胶基本情况
图形绘 制
为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体光刻胶通过不断缩短曝光波长的方式， 不断提高极限分辨率。 目前，世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线 （365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV(<13.5nm)线水平。 从市场看，g线和i线光刻胶的市场份额最大。随着未来功率半导体、传感器、LED市场的持续扩大， i线光刻胶市场将持续增长，而精细化需求的增加将推动KrF光刻胶的增长并逐渐替代i线光刻胶。 ArF光刻胶对应的IC制程节点最为先进，且随着双/多重曝光技术的使用，ArF光刻胶的市场将快速 成长。
半导体光刻胶分类
图形绘 制
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图形绘 制
分辨率，resolution
分辨 率
区别硅片表面相邻图形特征的能力，一般用关 键尺寸（CD）来衡量分辨率，形成的CD越小， 光刻胶的分辨率越好。
对比度，Contrast
对比 度
敏感 度
光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比 度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。