脉冲激光沉积PPT课件

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图5-1 脉冲激光沉积系统示意图(a)与. 光路系统(b)、沉积系统实物图(c)5 5
典型的PLD装置如图5-2所示。一束激光经透镜聚焦后投射 到靶上,使被照射区域的物质烧蚀,烧蚀物择优沿着靶的法 线方向传输,形成一个看起来象羽毛状的发光团──羽辉,最 后烧蚀物沉积到前方的衬底上形成一层薄膜。
在沉积的过程中,通常在真空腔中充入一定压强的某种气 体,如淀积氧化物时往往充入氧气,以改善薄膜的性能。
Chapter 5
脉冲激光沉积 Pulsed Laser Deposition (PLD)
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化学气相沉积
脉冲激光沉积
分子束外延
薄膜制备方法
溅射
溶胶凝胶法
超声喷雾热解
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脉冲激光沉积
5.1 脉冲激光沉积概述 5.2 PLD的基本原理 5.3 颗粒物的抑制 5.4 PLD技术的主要应用
• 脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,简称 PLD)法制备薄膜,将脉冲激光器产生的高功率 脉冲激光聚焦于靶材表面,使其表面产生高温及 烧蚀,并进一步产生高温高压等离子( T>104K), 等离子体定向局域膨胀在衬底上沉积成膜。
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5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
烧蚀粒子在空间经过一段时间的运动到达衬底表面,然 后在衬底上成核、长大形成薄膜。为了提高薄膜的质量必须 对衬底加温,一般要几百度。这一阶段中,有几种现象对薄 膜的生长不利,其一是从靶材表面喷射出的高速运动粒子对 已成膜的反溅射作用,其二是易挥发元素的挥发损失,其三 是液滴的存在导致薄膜上产生颗粒物。
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5.1 脉冲激光沉积概述
• PLD • 发展过程 • PLD的优点 • 待解决的问题
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PLD
b
脉冲沉积系统一般由脉冲激光器,
光路系统(光阑扫描器,会聚透
镜,激光窗等),沉积系统(真
空室,抽真空泵,充气系统,靶
材,基片加热器),辅助设备
(测控装置,监控装置,电机冷
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却系统)等组成。如图5-1所示。
图5-2 典型.的PLD示意图
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发展过程
• 1960年,世界上第一台红宝石激光器问世不久,就产生了 激光镀膜的概念,也开始了激光与物质相互作用的研究。
• 1965年,第一次用红宝石激光沉积光学薄膜,取得一定的 成功,但是效果并不理想。总有较多的微滴,影响薄膜质 量。
• 20世纪70年代中期。电子Q开关的应用,短脉冲激光应运 而生,使PLD技术取得较大进展。
备薄膜的均匀性较差。 • (3) 某些材料靶膜成分并不一致。对于多组元化合物薄膜,
如果某些种阳离子具有较高的蒸气压,则在高温下无法保 证薄膜的等化学计量比生长。
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5.2 PLD的基本原理
•PLD是一种真空物理沉积方法,当一束强的脉冲激光照射到 靶材上时,靶表面材料就会被激光所加热、熔化、气化直至 变为等离子体,然后等离子体(通常是在气氛气体中)从靶 向衬底传输,最后输运到衬底上的烧蚀物在衬底上凝聚、成 核至形成薄膜。 •整个PLD过程可分为三个阶段: (1)激光与靶的作用阶段 (2)等离子体的膨胀 (3)到达衬底上的烧蚀物 在衬底上的成膜阶段。
致表面和表面附近的物质温度持续上升,直到蒸发开始,在
PLD常用的功率密度下,蒸气的温度可以很高,足够使相当多
的原子被激发和离化,于是蒸气开始吸收激光辐射,导致在靶
表面出现等离子体。最终结果是在靶表面附近形成复杂的层状
结构,如图5-4所示
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图5-5 激光烧蚀靶材表面的结构示意图(2)
等离子体是由大量自由电子和离子及少量未电离的气体分子 和原子组成,且在整体上表现为近似于电中性的电离气体。
• 1987年,美国贝尔实验室的Dijkkamp等首次成功制备出 高温超导薄膜YBa2Cu3O7-X(钇钡铜氧)薄膜。从而使 PLD技术迅速发展。
.源自文库
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PLD的优点
• (1) 采用高光子能量和高能量密度的紫外脉冲激光作为产 生等离子体的能源,因而无污染又易于控制
• (2) 烧蚀物粒子能量高,可精确控制化学计量,实现靶膜 成分接近一致,简化了控制膜组分的工作,特别适合制备 具有复杂成分和高熔点的薄膜
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解决方案
•使用高致密度的靶材,同时选用靶材吸收高的激光波长。因
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图5-3 脉冲激光沉积装置图 10
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5.2.1 激光与靶的相互作用
当激光辐射在不透明的凝
聚态物质上被吸收时,被
照射表面的一个薄层被加
热,结果使表面温度升高,
同时对物质的内层进行热
传导,使被加热层的厚度
增加。由于热传导引起的
热输运随时间而减慢,因
图5-4 激光烧蚀靶材表面的结构示意图(1)
此热传导不能使足够的热 量进入物质内部,这将导
等离子体=自由电子+带正电的离子+未电离原子或分子,为 物质的第四态。
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5.2.2 等离子体膨胀
等离子体膨胀过程是指高能激光脉冲溅射产生的烧蚀物, 离化为高温高密的等离子体后,大致经历等温和绝热膨胀两 个过程,从靶材表面输运到衬底的过程。
图5-6 等离子体羽辉外形随时间的演化
脉冲 宽度
激光作用结束后
激光作用时间
图5-7. 等离子体膨胀过程中温度随时间演化1规3 律 13
等离子体在空间的输运
靶材表面的高温(可达20000K)和高密度((1016--1021)/cm3)的等 离子体
在靶面法线方向的高温和压力梯度
等温膨胀发射(激光作用时)和绝热膨胀发射(激 光终止后)
等离子体区
等离子体羽辉
沿靶面法线 方向轴向约 束性
• (3) 生长过程中可原位引入多种气体,可以在反应气氛中 制膜,这为控制薄膜组分提供了另一条途径
• (4) 多靶材组件变换灵便,容易制备多层膜及异质结 • (5) 工艺简单,灵活性大,可制备的薄膜种类多 • (6) 可用激光对薄膜进行多种处理等
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待解决的问题
• (1) 不易于制备大面积的膜。 • (2) 在薄膜表面存在微米-亚微米尺度的颗粒物污染,所制
图5-8 成膜过程
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5.3 颗粒物的抑制
在5.1一节中提到,颗粒物是限制PLD技术获得广泛应用 的主要因素之一,是PLD技术得以商业化应用迫切需要解决 的难题。颗粒物的大小和多少强烈依赖于沉积参数,如激光 波长、激光能量、脉冲重复频率、衬底温度、气氛种类与压 强以及衬底与靶材的距离等。
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