绝缘栅型场效应管
绝缘栅场效应管（IGFET）的基本知识
绝缘栅场效应管（IGFET）的基本知识绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识1.增强型NMOS管s：Source 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在P型衬底扩散上2个N 区，P型表⾯加S i O2绝缘层，在N 区加铝线引出电极。
2.增强型PMOS管在N型衬底上扩散上2个P 区，P型表⾯加S i O2绝缘层，在⼆个P 区加铝线引出电极。
PMOS与NMOS管的⼯作原理完全相同，只是电流和电压⽅向不同。
3.增强型NMOS管的⼯作原理正常⼯作时外加电源电压的配置：(1)V GS=0, V DS=0：漏源间是两个背靠背串联的PN结，所以d-s间不可能有电流流过，即i D≈0。
(2)当V GS＞0，V DS=0时：d-s之间便开始形成导电沟道。
开始形成导电沟道所需的最⼩电压称为开启电压V GS(th)(习惯上常表⽰为V T)。
沟道形成过程作如下解释：此时，在栅极与衬底之间产⽣⼀个垂直电场(⽅向为由栅极指向衬底)，它使漏-源之间的P型硅表⾯感应出电⼦层(反型层)使两个N 区沟通，形成N型导电沟道。
如果，此时再加上V DS电压，将会产⽣漏极电流i D。
当V GS＝0时没有导电沟道，⽽当V GS增强到＞V T时才形成沟道，所以称为增强型MOS 管。
并且V GS越⼤，感应电⼦层越厚，导电沟道越厚，等效沟道电阻越⼩，i D越⼤。
(3)当V GS>VT，V DS>0后，漏-源电压V DS产⽣横向电场：由于沟道电阻的存在，i D沿沟道⽅向所产⽣的电压降使沟道上的电场产⽣不均匀分布。
近s端电压差较⾼，为V GS；近d端电压差较低，为V GD＝V GS-V DS，所以沟道的形状呈楔形分布。
1)当V DS较⼩时：V DS对导电沟道的影响不⼤，沟道主要受V GS控制，所以V GS为定值时，沟道电阻保持不变，i D随V DS增加⽽线性增加。
此时，栅漏间的电压⼤于开启电压，沟道尚未夹断，。
绝缘栅型场效应管之图解
绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解N 沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他MOS 管符号绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 漏源之间有导电沟道，在VDS 作用下iD 。
1.结构和符号（以在一块浓度较低的 覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
N 沟道增强型为例）P 型硅上扩散两个浓度较高的 P 衬底00 Qo在VDS 作用下无iD o 耗尽型：VGS=0时,N 型区作为漏极和源极，半导体表面DWSN 沟ifi 箭头问里 衬底斷开S 心1I衬底SN沟道衬底2.工作原理(以N沟道增强型为例)(1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS =0 ID =0VGS必须大于0管子才能工作。
(2) VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。
T|l戶-iHVosgTTId n -VGS 达到一定值时P 区表面将形成反型层把两侧的沟通，形成导电沟道。
VGS >A g 吸引电子7反型层7导电沟道 VGSf f 反型层变厚7 VDS ID ?⑶VGS> VT时而VDS较小时:VDS— ID tVT:开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGSVT = VGS —VDS V DS V GSV GS3. 特性曲线（以N 沟道增强型为例）场效应管的转移特性曲线动画g =丿着-1）2 Aa （j 是％卅=2齐・|【寸的//丫4. 其它类型MOS 管制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子， 所以即使在VGS=0时,N 区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。
4/D4-2-K 夹端轨迹\bs-6V壯严厲V s■ ■ _ _2y ;nI II I I ■2 4 6 8 iO 12（1） N 沟道耗尽型: 由于正离子的作用，PN 结 衬底-4 JVbs=5I ! ^GSg其它类型MOS 管（2） P 沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当 VGS < 0时管子才能工作。
绝缘栅电力场效应晶体管文字符号
绝缘栅电力场效应晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种半导体器件，可以控制大电流和大电压。
它结合了绝缘栅双极晶体管（IGCT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的优点，具有低导通压降、高开关速度和高开关频率等特点。
IGBT在现代电力、电子、汽车、工业控制等领域得到了广泛应用。
从外观上看，绝缘栅电力场效应晶体管的文字符号为IGBT，它的排列和形状是一个有特定规则的图案，在电子元件的标注中起到了非常重要的作用。
在电路设计和电子设备制造过程中，正确识别和使用IGBT的文字符号至关重要。
文字符号包含了大量的信息，如器件类型、封装形式、性能等，对于制定电路方案、进行元器件选型和进行电路调试都有着十分重要的作用。
IGBT的文字符号通常包含多个英文字母和数字，每个字母和数字都代表了不同的信息。
在解读IGBT的文字符号时，需要了解每个字母和数字的含义，才能准确地识别出器件的型号和性能参数。
IGBT的文字符号一般包括以下几个部分：1. 器件类型：第一个字母代表了器件的类型，如IGBT、普通整流桥、集成晶体管等。
2. 频率特性：在文字符号中的第一个数字表示了器件的频率特性，比如高频IGBT、中频IGBT、低频IGBT等。
3. 最大工作电压：第二个数字代表了IGBT的最大工作电压。
4. 最大工作电流：最后一个数字表示了IGBT的最大工作电流。
以IGBT模块为例，其文字符号可能是这样的：IGBT100A1200V，其中"A"代表了100A的额定电流，"1200V"代表了1200V的最大工作电压。
通过解读IGBT的文字符号，可以清楚地了解器件的类型、频率特性、最大工作电压和最大工作电流等重要参数，有利于正确选择器件、设计电路和进行设备维护。
IGBT的文字符号是非常重要的，它包含了丰富的信息，能够帮助工程师们准确识别器件、选择器件、设计电路，保证电子设备的正常运行。
结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别
•结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别(1)从包装上辨别由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特别要求。
(2)用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R谴k”档或“R?00”档测G、S管脚间的阻值，若正、反向电阻都很大近乎不导通，则此管为绝缘栅型管；若电阻值呈PN结的正、反向阻值，此管为结型管。
2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R?k或R?00档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都相同(均为几千欧)时，该两极分别为D、S极(在使用时，这两极可互换)，余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。
=======================场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判断结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
详细办法：将万用表拨在R?k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔顺次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当涌现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，等于正向电阻，判断为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不呈现上述情形，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册表明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管（Insulated-GateField-EffectTransistor，IGFET）也称为绝缘介质场效应晶体管，是一种场效应晶体管，具有线性特征，它使用了加入了一个带有外部驱动器的可控场栅。
IGFET 包括金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），极化金属氧化物场效应晶体管（PMOSFET）和准分立双极型（JFET）场效应晶体管。
这些晶体管的操作或依赖较小的电场，作出反应，它们是基于场栅的控制，而不是电流。
它们有很多优点，例如有很小的电场驱动和能耗，以及宽的通行范围和高的集电极电压利用率，它们也有很小的磁耦合和抗漏电能力（EMI）影响。
绝缘栅场效应管的工作原理绝缘栅场效应管（IGFET）是由一个晶体管和一个控制电极组成的，它在工作时受到一种较小的外加电场的作用，由控制电极控制，从而控制了晶体管的电流通过。
它有三个端口，栅极（G），源极（S）和漏极（D）。
当隔离场介电层（它在栅极和晶体管的源极/漏极之间）被电场作用激活，电流就会从源极进入漏极，即由此产生管的当量电路效果，从而实现将外加的小电场控制的输入信号转换为输出电流的功能。
绝缘栅场效应管的应用绝缘栅场效应管（IGFET）在许多电子电路中都有广泛的应用，其中最常见的是开关模式，用于将输入信号转换为输出相应的开关状态。
它们还可用于模拟应用，例如控制放大器，滤波器和电源管理等。
在微处理器和其他综合电路中，它们用作开关和驱动器。
此外，绝缘栅场效应管还可以用于制作高功率放大器，电动机驱动器和电源控制器等。
绝缘栅场效应管的发展绝缘栅场效应管（IGFET）被发明于1960年，它有着可充电量子井层结构，更高效率，更低漏电流等诸多优点，使其在微电子领域取得了巨大成功。
随着技术的进步，新型绝缘栅器件不仅可以提高集电极电压利用率，而且可以在更高的温度和频率范围内工作，因此可以将这类器件应用于更多的工程领域。
未来，绝缘栅场效应管将成为集成电路中更可靠、抗漏电、节能的控制元件。
场效应管及其放大电路(5)
氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简
称MOS场效应管。
源极S 栅极G 漏极D
金属电极
SiO2绝缘层
符号： D
G
P型硅衬底
高掺杂N区
S 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电
阻很高，最高可达1014 。
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(2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型
当UGS UGS(th）后，场效 应管才形成导电沟道，
开始导通，若漏–源之间 加上一定的电压UDS，则 有漏极电流ID产生。在 一定的UDS下漏极电流ID 的大小与栅源电压UGS有 关。所以，场效应管是
一种电压控制电流的器
件。
–ED +
S
EG
–UG+S G
D
N+
N+
P型硅衬底
N型导电沟道
在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变 为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。
输出电阻
ri RG ( RG1 // RG2) rO RD
RG是为了提 高输入电阻ri 而设置的。
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由于晶体管的输出特性具有恒流输出特性，漏
源电阻(即场效晶体管的输出电阻)：
rds
ID/mA
ΔU DS ΔI D
uGS C
rds是很高的，在共源极放 大电路中，漏级电阻RD与 管子的输出电阻rds并联。
增尽强 型型 ：： 当当UGUS＝GS＝0时0时，，存没在有导导电电沟沟道道，，IDI0D＝。0。耗
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3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数
绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性
绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。
它的输入电阻可高达1015W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。
场效应管也称为MOS管，按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。
在本文只简单介绍后一种场效应晶体管。
绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。
每种又有增强型和耗尽型两类。
下面简单介绍它们的工作原理。
1、增强型绝缘栅场效应管2、图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，称为漏极D和源极S如图6-38(a)所示。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极，称为栅极G。
另外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
它的栅极与其他电极间是绝缘的。
图6-38(b)所示是它的符号。
其箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。
图6-38 N沟道增强型场效应管场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。
从图6-39(a)可以看出，漏极D和源极S之间被P型存底隔开，则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。
当栅-源电压UGS=0时，即使加上漏-源电压UDS，而且不论UDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流ID≈0。
若在栅-源极间加上正向电压，即UGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。
当UGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图6-39(b)所示。
绝缘栅型场效应管
场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。 其作用有放大、开关、可变电阻。
特点：输入电阻很大；便于集成
分类：结型（N沟道、P沟道） 绝缘栅型 增强型（N沟道、P沟道） 耗尽型（N沟道、P沟道）
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1.1 基本结构和工作原理
1. 基本结构
N沟道增强型
导电 沟道
源极 栅极 漏极
ID
转移特性曲线
夹断电压
UGS
Uoff 0
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不论栅—源电压正、负或0都能控制漏极 电流，但一般工作在负栅—源电压状态
ID
输出特性曲线
UGS>0
UGS=0
UGS<0
0
U DS
14
P沟道绝缘栅场效应管的工作原理和特性 与N沟道场效应管完全相同，两者只是在工 作时所加电压的极性不同，当然，产生电流 的方向也不同。
漏源极电压U DS的关系曲线
Ⅰ区：UDS较小时
可变电阻区 Ⅰ
Ⅱ 恒流区
I相D随当U于DS的一增个加可而变增电加阻，ID
Ⅱ区：UDS较大时
I化D只，随UGUSG一S的定变时化，而相变 当于一个压控恒流源
0
UGS=5V UGS=4V UGS=3V
U DS
12
❖耗尽型N沟道MOS管的特性曲线
反向电耗压尽才型能的夹M断OS。管UGS=0时就有导电沟道，加
S GD
UGS较小时， 导电沟道相当 于电阻将D-S 连接起来， U阻G越S越小大。此电
N
N
P
10
1.2 增强型N沟道MOS管的特性曲线
1. 转移特性
当压漏UG源S的间关电系压曲U线DS。保持一定值时，漏极电流ID与栅源极电
绝缘栅型场效应管
绝缘栅型场效应管在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。
但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。
如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可提高到。
根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。
它也有N沟道和P 沟道两类，每类按结构不同又分为增强型和耗尽型。
一、增强型MOS管1．结构与符号图Z0125是N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号。
它是在一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，在两个N+区之间的硅表面上制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，然后在SiO2和两个N型区表面上分别引出三个电极，称为源极s、栅极g和漏极d。
在其图形符号中，箭头表示漏极电流的实际方向。
2．工作原理绝缘栅场效应管的导电机理是，利用U GS控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流I D。
若U G S＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，U GS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
图Z0125中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压U GS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。
同时在电场作用下，P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面，并被空穴所俘获而形成负离子，组成不可移动的空间电荷层（称耗尽层又叫受主离子层）。
U G S愈大，电场排斥硅表面层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且U GS愈大，电场愈强；当U GS增大到某一栅源电压值V T（叫临界电压或开启电压）时，则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后，就会吸引少数载流子-电子，继而在表面层内形成电子的积累，从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。
什么是IGBT
什么是IGBT?IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。
应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。
如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。
基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。
如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。
最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)；空穴电流(双极)。
关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。
在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。
绝缘栅型场效应管
绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管（InsulatedGateField-EffectTransistor，简称IGFET）是一种半导体开关元件，它可以在电路中扮演十分重要的角色。
这种元件的原理是：当在一个特定的绝缘栅上施加一个电压，就可以产生一个电场，从而改变半导体材料的电导率，即“场效应”。
IGFET的最大优点是：可使用低电压穿透半导体，它在很多应用中占据十分重要的地位；IGFET也可以在电路中接收低电压输入信号，并通过绝缘栅将多种电压级别的输出信号传输到其它的电路，以达到增强电路的复杂性的目的。
IGFET的基本结构是由外壳、内护、半导体材料三部分组成，其中半导体材料在绝缘栅上面施加电压可以产生电场，从而改变半导体材料的电导率。
绝缘栅是IGFET的一个重要部分，它是一种可以容纳空气、水或半导体（如硅、砷化镓、碲化镓）的透明网格，直接将电场作用于半导体材料上，产生改变半导体材料电导率的效果。
IGFET 的另一个重要部分是控制电压，控制电压的功能是控制绝缘栅上的电场的大小，从而改变材料的电导率，从而实现IGFET的打开和关闭状态。
由于IGFET的器件结构简单，以及其外护的简单性，因此其体积小，质量轻，生产成本低，而且激活和关闭时间短。
因此，IGFET在电子设备、自动控制、模拟电子、汽车电子、交换机、电源供应器等领域得到了广泛应用。
此外，IGFET还在通信、放大、检测、测量等领域被广泛应用，其中最重要的功能之一是它可以替代电感或电容。
IGFET在某些特殊的环境中能够提供更高的性能，由此也使它成为许多高科技应用的首选元件。
IGFET可以通过使用低电压的电路来防止意外的结构损坏，而且可以有效的利用能量，进行更有效的处理，从而节省计算机的能耗。
此外，IGFET的可靠性非常高，而且IGFET能提供高可靠性，这使得它尤其适合在可靠性要求高的系统中使用，如航空宇航，医疗和电力系统等，这是它与其他类型的半导体元件的一个重要优势。
结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别
•结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别(1)从包装上辨别由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特别要求。
(2)用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R谴k”档或“R?00”档测G、S管脚间的阻值，若正、反向电阻都很大近乎不导通，则此管为绝缘栅型管；若电阻值呈PN结的正、反向阻值，此管为结型管。
2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R?k或R?00档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都相同(均为几千欧)时，该两极分别为D、S极(在使用时，这两极可互换)，余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。
=======================场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判断结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
详细办法：将万用表拨在R?k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔顺次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当涌现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，等于正向电阻，判断为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不呈现上述情形，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册表明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
结型场效应管和绝缘栅型场效应管地区别
•结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别(1)从包装上辨别由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特别要求。
(2)用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R谴k”档或“R?00”档测G、S管脚间的阻值，若正、反向电阻都很大近乎不导通，则此管为绝缘栅型管；若电阻值呈PN结的正、反向阻值，此管为结型管。
2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R?k或R?00档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都相同(均为几千欧)时，该两极分别为D、S极(在使用时，这两极可互换)，余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。
=======================场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判断结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
详细办法：将万用表拨在R?k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔顺次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当涌现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，等于正向电阻，判断为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不呈现上述情形，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册表明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
绝缘栅场效应三极管的工作原理
双极型三极管
场效应三极管
较大
较小
受温度影响较大
较小，可有零温度系数点
几十到几千欧姆
几兆欧姆以上
不受静电影响
易受静电影响
不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成
例：用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。
g
P
P
漏极d-集电极c
源极s-射极e
N
P型半导体两端各引出一 个电极－－源极
s 结型场效应管的结构
(2) 结型场效应管的工作原理
在N沟道场效应管中起导电作用的是沟道中的多子－电子，在P沟 道场效应管中起导电作用的是沟道中的多子－空穴，在一个场效应 管中只有一种极性的多数载流子参与导电，因此场效应管称为单极 型三极管。
⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。
伏安特性曲线
各类场效应管的特性曲线
N 沟 道 增
绝强 缘型
栅
场P
效沟
应
道 增
管强
型
N 沟 道 耗 尽
绝型
缘
栅
场P 效沟
应 管
道 耗 尽
型
N 沟 道 耗 尽
结型
型
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
场
效
应
P 沟
管道
耗
尽
型
1.4.5 双极型和场效应型三极管的比较
d
S为源极，相当于e。
b
g s
N沟道增强型 MOSFET结构示意图
当VGS=0V时，漏源之间相当于两个背靠背的 二极管，在D、S之 间加上电压不会在D、S间形成电流。
场效应管分类与特点
场效应管分类与特点
第一条：场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分呀！就像苹果和香蕉都是水果但却不一样。
结型场效应管呢，就好比是一辆老汽车，虽然技术不那么新了，但可靠得很呐！它在一些特定的电路里可好用啦，比如在某些小功率放大电路中，那真是稳定发挥呀。
第二条：哎呀，绝缘栅型场效应管那可牛了！这里面又分成增强型和耗尽型呢。
增强型就像是一支潜力股，一旦给它机会，它就能爆发超强的力量。
比如在那些对性能要求高高的电路里，它就能大显身手！耗尽型则像个经验丰富的老手，一直默默奉献着。
第三条：嘿，你们知道吗，场效应管的特点那可不少！它的输入阻抗高得吓人，就如同是一座坚固的城堡，外界干扰很难攻进来呀。
这意味着啥？意味着信号传输更准确呀，不会被杂讯干扰，多棒啊！
第四条：还有呢，场效应管的噪声小得不得了！这就像是在图书馆里一样安静。
在一些对噪声要求特别严格的场合，它可太合适了，简直是不二之选。
第五条：哇塞，场效应管的温度稳定性也超好诶！不管环境温度怎么变，它都能稳稳地工作，像个坚定的战士。
就说在那些温度变化大的环境中，它依然能可靠运行，多厉害呀！
第六条：哈哈，场效应管的开关速度也很快哦！就像闪电一样迅速。
在那些需要快速切换的电路里，它能瞬间完成任务，这效率，杠杠的！
第七条：总之啊，场效应管的分类和特点可太重要啦！它在电子世界里就像是一个个各具特色的英雄，在不同的领域发挥着自己的专长。
我们可得好好了解它们，才能让它们更好地为我们服务呀！
我的观点结论：场效应管真的是电子领域中不可或缺的重要元件，了解它的分类与特点对我们深入学习电子技术意义重大。
IGBT
IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。 这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿 问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。 通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：
IGBT阻断与闩锁
当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个 层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个 区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压 降高的原因。 当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N 漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。
工作特性-方法
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压 BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的 特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on) 特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的 能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
IGBT
IGBT
Hale Waihona Puke IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高 输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流 较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上 两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变 流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
绝缘栅型场效应管
4.3 场效应管 放大电路
一、FET的直流偏置及静态分析 的直流偏置及静态分析
1. 直流偏置电路 （2）解析法 ） 已知V 已知 P ，由
VGS = VG − VS =
VDS = VDD
Rg2
Rg1 + Rg2 - ID (Rd + R )
VDD − I D R
v GS 2 i D = I DSS (1 − ) VP
（3）输入电阻 ）
Ri ≈ Rg3 + ( Rg1 // Rg2 )
4.3 场效应管 放大电路
（4）输出电阻
ɺ ɺ ɺ I T = I R − gmVgs
ɺ VT ɺ − gmVgs = R
ɺ ɺ Vgs = − VT
Ro的电路图 求Ro的电路图
所以
ɺ VT 1 1 Ro = ɺ = = R // 1 IT gm + gm R
2. 静态工作点的确定 (a)自偏压 自偏压 （1）图解法 ） 画出N 画出N沟道场效应管的转移 特性，对于自偏压方式， 特性，对于自偏压方式，栅源回 路直流负载线方程为 vGS = - iDR 在转移特性坐标上画出该负载线 方程如图所示。分别求出JFET的工作 方程如图所示。分别求出 的工作 点为Q 耗尽型MOSFET的工作点 点为 1点，耗尽型 的工作点 而与增强型MOSFET转移特 为Q2点，而与增强型 转移特 性则无交点。 性则无交点。
4.3 场效应管 放大电路
4.3 场效应管放大电路
直流偏置电路 静态工作点
一、FET的直流偏置及静态分析 的直流偏置及静态分析
二、FET放大电路的小信号模型分析法 放大电路的小信号模型分析法
FET小信号模型 小信号模型 动态指标分析 三种基本放大电路的性能比较
增强型绝缘栅场效应管工作原理
增强型绝缘栅场效应管工作原理好嘞，今天咱们就聊聊增强型绝缘栅场效应管，或者叫IGFET，听起来很复杂，其实就是个小玩意儿，跟咱们的生活息息相关。
想象一下，IGFET就像是电路里的一个聪明小管家，负责调控电流的流动，帮我们实现各种电器的功能。
说到这，大家一定会问，电流不是自己会流动的吗？那是不过有时候你得让它听话，别乱跑。
就像调皮的小孩子，得有个大人管着。
IGFET的工作原理就像这个大人，给电流制定规则，让它乖乖待在该待的地方。
增强型绝缘栅场效应管的名字听起来挺吓人的，其实就像个长得特别好看的超能力者，能控制电流的流动。
它有个栅极、源极和漏极。
栅极就像是电流的开关，有了它，电流才能乖乖地流动；源极和漏极则是电流的进出口。
你想想，源极就像是大河的源头，漏极就是它流出的地方。
要是没有栅极的“指挥”，电流就像失去了方向的小船，乱窜得厉害。
增强型的意思就是，当你给栅极施加一个正电压时，它就会把原本是绝缘状态的区域变成导电状态，电流开始流动。
其实这个过程就像是打开了一扇大门，让电流们一拥而入，简直热闹非凡。
你看，这个小家伙真是了不起，不但能控制电流的开关，还能调节流量，真是如虎添翼。
想象一下，在咱们的家电中，它可能正在默默无闻地工作，让电视机、冰箱、空调都能正常运转。
咱们再说说它的优点。
这玩意儿不仅效率高，耗电还少，真的是环保小能手。
与传统的电流控制器相比，IGFET的响应速度快得让人咋舌，几乎是瞬间就能调节电流大小。
就好比你一声令下，立马就有人来帮你办事，真是省时省力。
此外，IGFET的输入阻抗高，意味着它对外界的干扰不敏感，这就好比在喧嚣的市场中，你依然能听到自己内心的声音，稳得一批。
再来聊聊应用场景，这个小家伙可不止是用在家电上，汽车、手机、电脑，处处都有它的身影。
咱们的手机充电器里，有IGFET在默默地为电流护航。
你一插上充电器，电流就开始乖乖流动，真的是高效又省心。
想象一下，要是没有它，充电器就像个没有头脑的傻瓜，根本不知道该怎么给手机充电，大家可就得等到天荒地老了。
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绝缘栅型场效应管
绝缘栅型场效应管(Insulated Gate Field Effect Transistor，IGFET)的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。
又因为栅极为金属铝，故又称为MOS(Metal-Oxide-Semicondutor)管。
a. N沟道增强型MOS管结构示意图
b. 符号
(符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。
)
与结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种。
因此MOS管分为四种类型：N沟道增强型、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。
(凡栅-源电压U GS为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡栅-源电压U GS为零漏极电流部位零的管子均属于耗尽型管。
)
一、N沟道增强型MOS管
N沟道增强型MOS管结构和符号如上图所示，它一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两上高掺杂的N+ 区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体之上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g。
通常衬底与源极接在一起使用。
这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。
当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
1、工作原理
①栅-源电压U GS的控制作用
①当U GS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极
管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。
②当U DS=0且U GS＞0V时(由于SiO2的存在，栅极电流为零，但是栅极金属层将聚集正电荷)→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥(使之剩下不能移动的负离子区)→耗尽层。
③再增加U GS →纵向电场↑→耗尽层增宽→将P区少子电子聚集到P区表面(耗尽层与绝缘层之间) →形成一个N型薄层，称为反型层，整个反型层就构成漏-源之间的导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流i d。
使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压U GS(th)。
U GS越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。
N沟道增强型MOS管的基本特性：
U GS＜U GS(th)，管子截止，
U GS ＞U GS(th)，管子导通。
U GS越大，沟道越宽，在相同的漏源电压U GS 作用下，漏极电流I D越大。
②漏-源电压U DS对漏极电流I d的控制作用
当U GS ＞U GS(th)，且固定为某一值时，来分析漏-源电压U DS对漏极电流I d的影响。
(a) U DS=0时，i d=0。
（截止区）
(b) U DS↑→i d↑；同时沟道靠漏区变窄，U DS的增大使i d线性增大。
（可变电阻区）
(c) 当U DS增加到使U GD= U GS(th) [即U DS= U GS—U GS(th)]时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断。
(d) U DS再增加，预夹断区加长，U DS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，i d基本不变。
（恒流区）
a、U DS >U GS —U GS(th)
b、U DS = U GS —U GS(th)
c、U DS >U GS —U GS(th)
2、特性曲线和电流方程
二、N沟道耗尽型MOS管
在SiO2中预埋了大量的金属正离子，在P型衬底表面形成反型层（N型）。
∴在U GS＝0时，即漏-源之间存在导电沟道，当U DS＞0时，则有I D通过。
∴当U GS＞0时，沟道增宽，i D进一步增加。
∴当U GS＜0时，沟道变窄，i D减小。
而当U GS从零减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间的导电沟道消失，i D=0.此时的U GS称为夹断电压U GS(off)。
与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽层MOS管的夹断电压U GS(off)也为负值。