浙大模电1篇2章习题解答
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压①图1 ① 图2C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是B。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
浙江大学 模电课件 1-2
2020/5/24
• 三、三极管电路的基本组态
❖放大系统的组成
➢输入信号源 ➢输出负载 ➢供电电源
❖三种基本组态
➢共 基 极（CB），共基组态 ➢共发射极（CE），共射组态 ➢共集电极（CC），共集组态
➢放大电路
❖区分依据
➢一极连接输入端； ➢一极连接输出端； ➢第三极作为输入、输出的公共端； ➢“公共的极”即为组态形式。
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❖共基组态
➢共基直流电流放大倍数
✓E区自由电子到达C极形成的电流 与E极电流之比
ICN /IE, 0.95 ~0.995
➢输入：E极 ➢输出：C极 ➢公共端：B极
IE IC IB IC IE ICBO IB (1 )IE ICBO
一定条件下，输入/输出电流成线性关系，三极管是一种电流控制器件。
集成电子技术基础教程
第一篇 电子器件基础
2020/5/24
1.2.4 双极型三极管 1.1.4 双极型三极管的伏安特性及其模型
• 一、双极型三极管的基本结构
❖简称：晶体管、三极管 ❖内部参与导电有自由电子、空穴两种极性载流子：
双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT） ❖分类：
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❖共基—共射电流放大倍数的关系
➢共基：
α IC IE IB (1 α )IE
➢共射：
β IC IB IE (1 β )IB
,
1
1
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❖共集组态
➢输入：B极 ➢输出：E极 ➢公共端：C极
IE IB IC (1 β )I B I CEO (1 β )I B
发射区
基区
集电结 （Jc）
浙大模电2篇2章习题解答
第二篇第2章习题题2.2.1对于放大电路的性能指标，回答下列问题：（1）已知某放大电路第一级的电压增益为40dB ，第二级为20dB ，总的电压增益为多少dB ？（2）某放大电路在负载开路时输出电压为4V ，接入Ωk 3的负载电阻后输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻为多少？（3）为了测量某CE 放大电路的输出电阻，是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻？解：（1）总电压增益的分贝是二级放放大器分贝数相加，即60dB 。
（2）接入3KΩ电阻后，在内阻上产生了1V 的压降。
所以有430×+=R R R L L 1310=×=L R R KΩ。
（3）不可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻。
题2.2.2有一CE 放大电路如图题2.2.2所示。
试回答下列问题：（1）写出该电路电压放大倍数v A ̇、输入电阻i R 和输出电阻oR 的表达式。
（2）若换用β值较小的三极管，则静态工作点BQ I 、CEQ V 将如何变化？电压放大倍数v A ̇、输入电阻i R 和输出电阻oR 将如何变化？（3）若该电路在室温下工作正常，但将它放入60˚C 的恒温箱中，发现输出波形失真，且幅度增大，这时电路产生了饱和失真还是截止失真？其主要原因是什么？图题2.2.2解：（1）这是一个典型的共射放大电路，其电压放大倍数的表达式为：beL C v r R R A //β−=̇；输入电阻：b be i R r R //=；输出电阻：C o R R ≈（2）当晶体三极管的β值变小时，基极电流不变，但集电极电流变小，V CEQ 变大；be r 电阻变大（EQT bb be I V r r )1('β++=），所以电压放大倍数下降；输入电阻增加；输出电阻不变。
（3）该失真是饱和失真，因为T 上升后，集电极电流增加，集电极和发射极之间电压下降即工作点上移（向饱和方向），因此在同样的输入信号下，输出信号将首先出现饱和失真。
模拟电路1习题及解答
8. 稳压二极管电路如图所示，稳压二极管的参数为：UZ＝8V，IZmin＝5mA，
PZM＝240mW，限流电阻R＝390，负载电阻RL＝510，输入电压UI＝17V。
（1）求输出电压Uo及稳压管电流IDZ；
（2）若UI增加20%，RL开路，分析稳压二极管是否安全。
（1）Uo＝8V，IDZ＝7.4mA
5
1. 二极管电路如图所示，设二极管的导通电压UD(on)＝0.7V，试求出各电路 的输出电压Uo。
3kΩ R
3kΩ R
6V
3kΩ R Uo
6V
3kΩ R Uo
6V
Uo
6V
Uo
12V
12V
（a）
（b）
（c）
（d）
（a）二极管导通，输出电压Uo＝6－0.7＝5.3V （b）二极管截止，输出电压Uo＝0 （c）二极管截止，输出电压Uo＝12V （d）二极管导通，输出电压Uo＝6＋0.7＝6.7V
（e）β＝121，α＝0.992， iB＝6μA
16
12. 某双极型晶体管，共射放大倍数β的范围为110≤β≤180。试求对应的共基 放大倍数α的范围。如果基极电流为iB＝50µA，试求集电极电流iC的范围。
iE iC iB
iC iB
iE 1 iB
iC iE
iC 1 iE
1
D
I1
VDD1 4V
I2 R
VDD2
12V
Io RL 1kΩ Uo
R＝1kΩ，二极管截止。I1＝0，I2＝－6mA，Io＝6mA，Uo＝6V R＝5kΩ，二极管导通。I1＝1.56mA，I2＝－1.74mA，Io＝3.3mA，Uo＝3.3V
9
5. 二极管电路如图所示，D1、D2为硅二极管，即二极管的导通电压UD(on)＝ 0.7V，已知ui＝10sinωt (V)，画出输出电压波形。
杭州电子科技大学模电实验课后答案
电压， U BE 0.7V 为三极管基极与发射极的正向工作电压， Ic 为 集电极工作电流， 设为 50
mA ， β为三极管电流放大倍数设为 50，将数据代入公式即可求出 Rb ； Rb 取值过小，导致
流过三极管基极电流过大，超过 I b max 烧坏三极管；甚至超过运放的输出短路电流
I os
（uA741 为 40mA ），烧坏运放。 Rb 取值过大时，三极管不能工作在饱和区而造成红色发光
平滑， 上方较陡峭。 根据指针式万用表内部工作原理可知，用万用表的小量程测量时，
对应
串接到测量电路中的电阻小， 流过二极管的电流大， 对应工作在输入特性曲线中较陡峭的上
方，所测的电阻值小。用万用表的较大量程测量时，对应串接到测量电路中的电阻较大，流 过二极管的电流较小，对应工作在输入特性曲线中较平滑的下方，所测的电阻值大。
R×1Ω档和 R×10Ω档量程测量二极管的正向
电阻值时， 对应串接到测量电路中的电阻小， 流过二极管的电流大。 若流过二极管的电流大
于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。
2．用指针式万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值，其结果不同，为什么？ 答：由本实验所测的二极管输入 （伏安） 特性曲线是一条非线性的特性曲线，曲线的下方较
9.4 三极管的判断及共发射极放大电路
1．能否用数字万用表测量图 9.4.3 所示放大电路的电压增益及幅频特性，为什么？
答：一般的数字万用表的频率范围不够宽，通常不超过
100KHz 。测量中频的电压增益时可
以使用数字万用表， 但要注意测得的是电压有效值， 而测量幅频特性时不能使用， 因为高频
特性会受到数字万用表的制约。
( RL / /Rc ) rbe
浙江大学城市学院模电习题及答案1
诚信应考 考出水平 考出风格浙大城市学院期末试卷课程名称：《模拟电子技术基础》开课单位：信电分院 ；考试形式：闭卷；考试时间： 年 月 日；所需时间：120分钟题 序 第1题 第2题 第3题 第4题 第5题第6题 第7题 第8题 得分总得分参考答案及评分标准 评阅人签名****************************************************************************得分一．填空题（本大题共 5 题，每题 4 分，共 20 分）1．半导体器件中有二种载流子，分别是 自由电子 和 空穴 ；掺杂半导体可分为P 型和N 型两种，其中对于N 型半导体中的多数载流子是 自由电子 ，它由本征半导体掺入 五 价元素形成。
2．双极型晶体管是由两个PN 结紧密排列组成的，它可以分为两种类型，即 NPN 和 PNP 。
双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式，它由晶体管的PN 结偏置决定。
当晶体管工作在放大模式时，要求晶体管的发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。
3．场效应晶体管的转移特性曲线()GS D v i ~如图1-3所示。
试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N 沟道耗尽型MOSFET ，它对应的开启（阈值）电压()th G S V = -1V 。
②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P 沟道结型场效应管 ，它对应的电流DSS I = 2mA 。
（注：DSS I 为()off G S G D G S V V V ==且0时的漏极电流）。
4．图1-4为某多级放大电路，其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗如图中所示，则多级放大器的总增益i o V v v A = = A V1A V2A V3 ，输入阻抗i R = R i1 ，输出阻抗o R = R o3 。
多级放大电路年级：_____________ 专业：_____________________ 班级：_________________ 学号：_______________ 姓名：__________________ …………………………………………………………..装………………….订…………………..线………………………………………………………0 1 1-1 ①2 23 D /图 1-3mAi D /Vv GS /②的通频带总是比组成它的每一级的通频带要 窄 （宽 或 窄）。
模电书后习题参考答案
《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I1.5 Ω1210＝R h 6KW ⋅＝W 1.6 F 2C μ= J 1046-⨯＝W1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝c V 0V 1＝d V 6V ＝e V(b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ； 闭合： 3.6V ＝A V 1.19 0.4A ＝I 10V ＝ab U 0V ＝ac U1.20 (a) 27V ＝U A I 3-= (b) 60W ＝P (c) 74W min ＝P第二章2.1 (a) Ω2.5 (b) Ω1.6 (c) Ω2.67 (d) Ω5 2.2 Ω5k ＝R 2.3 Ω81.25＝R2.4 (1)400V 2＝u (2) 4V 36=V (3)滑线变阻器、电流表均将被烧毁(电流过大)2.5 3V ＝U 2.6 A 2-=I2.7 (a) A 4=I (b) A 6.1=I 2.8 (a) A 9.0=I (b) A 4=I2.9 (a) 2V =V (b) 20V 1=V 6V 2=V2.10 (a) 7V =u A i 3= (b) 42V =u A i 1.1-= 2.11 60V =u2.12 4V ＝a u ； 2.5V ＝b u ；2V ＝c u2.13 14V -＝U ；A 3-=I2.14 (a) A I 8.1= 121.6W -＝P (b) A I 1= 12W -＝P 2.15 52W 2＝P ；78W 3＝P 2.163.75A 2.17 4V ＝oc U ；Ω1＝i R2.18 Ω4＝R2.19 (a) A I 3= (b) mA I 33.1= (c) mA I 5.1=2.20 Ω10＝R ； 35.1W ＝P 2.21 A I 5.2=；Ω20＝i R 2.22 (a)Ω6＝i R (b)Ω7.5＝i R2.23 (a) A I 6.4-= 9.2W -＝P (b) A I 5.22-= 12.5W 10-＝P2.24 (a) 8V ＝U A I 1= (b)28V ＝U A I 5.0= 2.25 7.2V ＝U ； A I 4.1= 2.26 A I 4=2.27 1V 0＝U 、A I 01.00=；Ω=100R ；Ω50＝d R 2.28 A i 88.3= 2.29 3V ＝u ；A i 21=2.30 A )1cos 01.0(+t 2.31 Ω1＝ab R 2.32 Ω8＝ab R 2.33 b2.34 5V 1-＝U ； 3V 2-＝U ；5V 3＝U 2.35 10V ＝ab U第三章3.1 (a)6V )0(＝+u A 2.0)0(=+i (b) 20V )0(＝+u A i m 10)0(=+(c) 8V )0(-+＝u A 2)0(=+i 3.2 (a)A 05.0)0(=+L i 0V )0(＝+C u1000A/S d d 0L -＝－t iV/S 105d d 40C ⨯＝－tu(b)A i L 5)0(=+ 17V )0(＝+C u4.5A/S d d 0L ＝－tiV/S 0d d 0C＝－tu3.3 ① 45V )0()0(＝+-=C C u u A i C 0)0(=- A i m 45.0)0(C =+② mA i i L L 15)0()0(==+- 0V )0(＝-L u 45V )0(＝+L u ③ 换路时L i 、C u 不会跃变；C i 、L u 会跃变 3.4 19.5V ；6V3.5 V e 20-2⨯=u mA e 10-2⨯=i 3.6 (a) ms t 1= (b) s 2.4μ=t3.7 (a) V e 4)(-2t ⨯＝t u ；mA e t i t 204.0)(-⨯=(b) V e3)(-111t⨯＝t u ；mA e t i t 11167.0)(-⨯-=(c) V e 3)(-6t⨯＝t u ；A et i t)1(5.0)(6--⨯=3.8 (a) )V e 1(9)(4103.3C t t u ⨯--=； (b) )V e 1(12)(-0.1t -⨯＝t u C 3.9 )mA e 75.05.0()(208tt i -+-=3.10 A et i tL 101)(--=；V e 20)(-10t ⨯＝t u L ；V e 1020)(-10t ⨯+＝t u 3.11 A et i t)1(10)(500--=3.12 V e 761)(-t-＝t u C 3.13 )V e8.12.2()(5105tt u ⨯-+=3.14 V e 821)(-5t+＝t u C 3.15 A et i tL 45005.02.0)(-⨯+-=3.16 A e t i t -⨯+=3.05.0)(3.17 (a) ）－（）（＝3)2()1()(t t t t t f εεεε----+(b) )1()1()(--+t t t t t f εε）（＝ (c) )2()42()1()22()(--+-+-+t t t t t t f εεε）（＝ (d) ]3)1()[3()]1(1)[1()(）－（）（＝t t t t t t t f εεεε--+-+--++ 3.18 V )1(565.0)(48.0t C e t t u --⨯）（＝ε3.19 ① V )1(2)(9o t e t t u --⨯）（＝ε ②V )1(210)()2(9o ---⨯-t e t t u ）（＝ε 3.20 A )5.01()(）（＝t e t i t ε--3.21 V )e 80e 100(5-4C t t u --= A )e 8e 10(5-4:L t t i --= 3.22 临界阻尼情况；过阻尼情况3.23 V ]100e )10001(100[1000C ++-=-t t u ；A e 1001000tt i -＝3.24 A/S 5.23.25 V 810)(5t C e t u --＝ 3.26 V 2)(5.1te t u -⨯＝第四章4.2 mA )12031400(cos 20︒+=t i 4.3 U V 33m U ＝； mA I 152＝4.4 A 63101︒∠=∙I A )63(cos 210)(1︒+=t t i ωA 117102︒∠=∙I A )117(c o s 210)(2︒+=t t i ωA 117103︒-∠=∙I A )117(c o s 210)(3︒-=t t i ω A 63104︒-∠=∙I A )63(cos 210)(4︒-=t t i ω4.5 V )37(cos 50︒+=t u ω4.6 A 7=I ；A5.3'=I4.7 Ω2.76k ＝R4.8 Ω4＝R ；0.24H ＝L 4.9 V 113=U ；A 38.0=I 4.10 Ω5＝R ；0.1F ＝C4.11 读数为A 5；()Ω-=j1612Z ；()j0.0403.0+=Y S4.12 (a)阻容串联：Ω5＝R ；0.058F ＝C (b)阻感串联Ω=3R ，H 3.29=L4.13 Ω10＝R ；172.2mH ＝L 4.14 A )1171000(cos 48.0)(︒+=t t i ab4.15 A )7.291000(cos 75.1)(1︒+=t t i ；A )3.561000(cos 92.3)(2︒+=t t i 4.16 A 728.15︒-∠=∙I4.17 A 41.1=I ；Ω14.1＝R ；Ω=1.14C X ； Ω=07.7L X 4.18 视在功率A)V (447⋅=S 有功功率W)(400=P 无功功率var)(200=Q功率因数89.0cos =ϕ4.19 Ω+=)7j 22(Z W)(8.2=P 89.0cos =ϕ 4.20 ()Ω-=j2010L Z ； 0.005W max =P 4.21 j)V 3(10A +=V ；W 300=S ；ar Q v 300=4.22 ① Hz f 5o 103.2⨯＝；433=Q ②A5.1o ＝I ；6495V ==C L U U4.23 Ω14.1＝R ；H 67.0=L ；F 0.17μ=C ；20=Q 4.24 V 18=U4.25 断开时：V 3111=U ；V 2202=U 闭合时：V 01=U ；V 2202=U 4.26 A 1.4＝I4.27 (a) V cos 1t u = V c o s 25.02t u -= (b) V sin 21t u =，V sin 5.02t u =(c) )V 0.252(21-t te eu +-=- )V 25.05.0(22t t e e u ---=4.28 H 0628.0=M4.29 V )143cos(2215oc ︒-=t u 4.30 62.0=K ︒∠=∙7652.1I 4.32 mH 86.52=M4.33 星形：相电流与线电流相等：A 1.5322A ︒-∠=∙I ，A 1.17322B ︒-∠=∙IA 9.6622C ︒∠=∙I ； W 8688=P三角形：相电流：A 1.5338B'A'︒-∠=∙I ，A 1.17338C'B'︒-∠=∙I ，A 9.6638A'C'︒∠=∙I 线电流：A 1.5366A ︒-∠=∙I ，A 1.17366B ︒-∠=∙I ，A 9.6666C ︒∠=∙IW 26064=P4.34 ︒-∠=∙1.3744A I ，A 1.15722B ︒-∠=∙I ，A 9.8222C ︒∠=∙I ，W 23232=P 4.35 不可； A 022A ︒∠=∙I ，A 3022B ︒-∠=∙I ， A 3022B ︒∠=∙I ，︒∠=∙01.60N I 4.36 A :0A 1A :5.77A 2A :10A 3A :5.77A 4.37 TtU U ∆⋅=m T t U U ∆⋅=m av4.38 123V =U A 11=I 273.5W =P4.39 V 3.131，A 93.1， A 86.1 4.40 V )45(cos 55)(2︒-+=t t u ω4.41 V )455.1cos(2)1.532cos(25.0)(R ︒-+︒-+=t t t u ，W 75.3375.0S1=+=P 4.42 0.8mA 1， V 4.67， .82W 0 4.43 A 12C =I 4.44 ︒∠=∙9.3625oc U 4.45 ]Re[2A A *∙∙I U 4.46 V 17 4.47 5W ＝P 4.48 A 02︒∠=∙I第五章5.5 (a)⎩⎨⎧-=->=-≤3V V 3V 3o o u u u u u ii i (b) ⎩⎨⎧=>=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3(c)⎩⎨⎧=>=≤3V V 3 V 3o o u u u u u i i i (d) ⎩⎨⎧=≥=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3 (e) ⎩⎨⎧=-≥-=-≤i i i u u u u u o oV 33VV 35.9 “与”门5.14 利用二极管5.15 ① V 6o ＝U ；A 6L m I ＝；A 24Z m I ＝② V 4.2o ＝U ；A 48L m I ＝；A 0Z m I ＝ ③ 增大R 的阻值5.16 4.65V4.65V 4.65V V 65.44.65V V 65.4o o o -=≥-=≤≤-=-≤u u u u u u u i i i i第六章6.3 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 6.4 ① C E B ② 40 ③ PNP 6.5 15；100；306.6 增大；下降；左移；上升；增大 6.7 截止；饱和；饱和 6.9 D 6.10 Ω1k o ＝R6.11 ① (a)截止失真 (b)饱和失真6.12 ①9V CC ＝V ；Ω1k E ＝R ；12V CEQ ＝U ；Ω2k L ＝R ②截止失真；4V opp ＝U 6.13 ①2mA CQ ＝I ； 5.4V CEQ -＝U ②0V CQ ＝U ；截止 ③7.3V CQ ＝U ；饱和④Ω455k B1＝R ⑤45.1u -＝A6.15 1mA EQ ＝I ；9.5V CEQ ＝U ；83u ＝A ；Ω29i ＝R ；Ω1k .2o ＝R 6.16 44u -＝A ；减小；增大 6.17 饱和失真；增大B1R 或减小B2R6.19 ①Ω19.2k 2＝R ②mV sin 580o t u ω-＝ ③Ω8.3k i ＝R ；Ω44o ＝R6.20 ①1T 共射；2T 共射；3T 共集 ②2mA C1Q ＝I ；3mA C2Q ＝I ；4mA C3Q ＝I ；Ω31k B1＝R ③568u ＝A ④Ω1.2k i ＝R ；Ω48o ＝R6.21 ①W 125.10max o =P ② 2.5W CM ＝P ；38V (BR)CEO ＝U ； 1.125A CM ＝I 6.22 ①W 9max o =P ② 1.8W CM ＝P ③V U CEO BR 24)(>6.23 ①18V min CC ＝V ② 1.125A CM ＝I ；36V (BR)CEO ＝U ③12.89W V ＝P④2W CM ＝P ⑤12.7V ＝U 6.24 ①5V C ＝U ；调整1R 或3R ②调整2R ，使其增大 ③烧毁三极管 6.25 ① 3.5W o ＝P ②W 5V ＝P ③0.75W T2T1=P P ＝ 6.26 分别处于击穿区、饱和区、非饱和区6.28 ①1mA DQ ＝I ②Ω2k S1＝R ③Ω6k max S2＝R④)310(2u S R k kA +-＝ C ⑤2i 334S G R R R +＝；Ω10k o ＝R6.29 ①V 2GSQ -＝U ②0.22mA D Q ＝I ；V 8.9DSQ ＝U ③0.44mS m ＝g 6.30 beC L u 1)//(r g R R g A m m +-=β；G R R ＝i ；C R R =o6.31 Ebe L C m E D m R r R R R g R r R g A )1()//(1)])1(//([2be2u βββ++⋅+++=； 321i //G G G R R R R +＝；L C R R R //o =6.34 ①mA I Q C 11＝；V 10CE1Q ＝U ②10u -＝A ③Ω23k i ＝R ；Ω6k o ＝R 6.35 ①mA I I Q C Q C 5.021=＝、V7.921=Q CE Q CE U U ＝；mA I Q C 13=、V8.10CE3Q ＝UmA I Q C 5.04=、V 7.0CE4Q ＝U6.36 ①V 9.2O Q ＝U ②])1([2)//(111C2L u E be B R r R R R A ββ+++=第七章7.1 (a)电流并联负反馈 (b)电流串联负反馈 (c)电压串联负反馈 (d)电压并联负反馈 7.2 ①上负下正 ②电压串联负反馈7.4 (a)电压并联负反馈 (b)电压并联负反馈、正反馈 (c)电压并联负反馈 (d)电流串联负反馈 (e) 正反馈 (f)电流并联负反馈 7.5 (a) 13u R R A -= (b) 32u R R A -= 7.6 (a) 电压并联负反馈；BR R A Fud -= (b) 正反馈7.7 电压串联负反馈 )(121u E D ER R R R R F ++=7.8 电压串联负反馈 )1)()(1(6598917uf R R R R R R R A +++= 7.9 ①mA I C 12= ②mA I C 2.33= ③减小 C2R④应改为电压串联负反馈，f R 接至2b 、3b 接1c ⑤变动前10uf -＝A ；变动后11uf ＝A 7.10 2500；0.0967.11 31099.9-⨯；91；-9%7.12 ① 电压负反馈，F R 接在 3T 射级和 1T 射级之间 ② 电流负反馈，F R 接在 3T 集电极和 1T 基极之间7.13 ①V 71=Q C U ；V 7.01-=Q E U ②V 576.61=C u ；V 424.72=C u③ 3b 与1c 相连 ④Ω9k F ＝R7.14 ①V 522==C C U U ②1c 接运放反相端，2c 接运放同相端；③10uf ＝A ④1c 接运放同相端，2c 接运放反相端，F R 接1 b ；9uf -＝A 7.15 电压串联负反馈，254421o )()(R R R R R R u u i ++=第八章8.1 (a) V 45.0o =u (b) V 15.0o -=u (c) V 9.0o =u (d) V 15.0o =u 8.2 ① i u R R u 12o1-= ；i u R R R R Ru )(63612o +-= 8.3 ① i u R R R R R u )(63612o +-= 8.4 2500u -＝A 8.6 50084o +-=i u u 8.7 ① 44332211o i F i F i F i F u R Ru R R u R R u R R u ----=② )41212(4321o i i i i u u u u u +++-= (V 0V 15o ≤≤-u ) 8.8反相比例运算；40u -＝A ；V 6.58.9① f offoffi i i o ref R R V d R V u ])21([301o -=∑=+ ② 组成偏置电路，使电路由单极性输出变为双极性输出8.10 ① dt R t u R t u C t u i i ))()((12211o +⎰）＝－（ 8.11 ① 每个节点由3个支路构成，每个支路的电阻为2R② )2(321o ∑-=⋅=n i i i nf ref d RR V u③ V 10V 0O ≤≤U8.12 dtt du t u i )()(o1-＝；)(2)(o t u t u i ＝ 8.13 ① (a)反相比例运算器 (b)乘法器② (a) 23)(1124o R R S i S I R u I R u -＝ (b) )(21o i i S u u RI u ⋅-＝ 8.14 ① 带通 ② 高通 ③ 带阻 ④ 低通8.15 一阶有源高通滤波器； 二阶无源低通滤波器；二阶无源带阻滤波器； 二阶有源带通滤波器8.16 ① 30.8o ＝A ；200Hz o ＝f ；5＝Q ② 50o ＝A ；20Hz o ＝f ；5＝Q 8.17 ① 过零比较器 ② 单门限比较器 ③ 迟滞比较器 8.18 ①1A 、4A 为虚地； 2A 、3A 为虚短②1A 为反相加法器；2A 为电压跟随器；3A 为减法器；4A 为积分器；5A 为过零比较器 ③321o152.0i i i u u u u ---＝；4o2i u u ＝；)(2o1o2o3u u u -＝；t u U u C 2)0(3o o4--＝ ④ V 2.1o4＝u ；V 15o5-＝u8.19 ①1A 为积分器；2A 为迟滞比较器 ②ms 20 ③ms 808.20 实际是个窗口比较器；当时，或B A U u U u <>i i 输出为低电平；否则输出为高电平。
浙大模电1篇1章习题解答word资料20页
第一篇 第1章习题题1.1.1 有一电流控制电流源电路如图题1.1.1所示，图中i s I I β=，50=β，Ω=k R L 2。
当mA I i 1.0=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.1解：负载电阻R L 两端电压为：V k R I R I V L i L S O 1021.050=⨯⨯===β负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.2 有一电压控制电流源电路如图题1.1.2所示，图中i m s V g I =，V mA g m 5=，Ω=k R L 2。
当V V i 0.1=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.2解：电阻阻端的电压为：V V mA R V g R I V L i m L S O 1021/5=⨯⨯===负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.3 电路如图题1.1.3所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。
设二极管D 的导通压降V D =0.7 V ，求出D 导通时电流I D 的大小。
（1）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 2 k Ω，R 2= 3 k Ω；（2）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1=R 2= 3 k Ω；（3）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 3 k Ω，R 2= 2 k Ω。
图题1.1.3解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求出流过二极管的电流。
二极管开路后流过R 1和R 2的电流：mA R R V V I CC CC 4.25122121==++=，则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=，由于二极管两端开路电压大于0.7V ，所以二极管导电,导电后，二极管二端压降为0.7V 。
模电习题与答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA10mV 5001011io r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子线路线性部分第一二章习题解答
《模拟电子技术基础》习题参考答案： 第一章 半导体器件基础1-9 解： （a ）二极管导通，U AG =12V 。
（b ）二极管导通，U AG =6V 。
（c ）二极管截止，U AG =6V 。
（d ）二极管截止，U AG =-6V 。
（e ）二极管导通VD 2，二极管VD 1截止，U AG =-6V 。
（f ）二极管VD 1 、VD 2均截止，U AG =12V 。
1-17解：A 管为：NPN 硅管，E 、B 、C 三个电极分别为③3V 、②3.6V 、①9V 。
B 管为：PNP 锗管，E 、B 、C 三个电极分别为①－5V 、③－5.3V 、②－10V 。
1-18 解： （a ）三极管处于放大区 （b ）三极管处于截止区 （c ）三极管处于饱和区（d ）三极管处于放大区 （e ）三极管处于放大区 （f ）三极管处于放大区（g ）三极管处于放大区 （h ）三极管处于饱和区1-19 解： （a ）场效应管的类型为绝缘栅型N 型沟道耗尽型。
其夹断电压U P =-4V ，饱和漏极电流I DSS =5mA（b ）场效应管的类型为绝缘栅型N 型沟道增强型。
其开启电压U T =2V 。
（c ）场效应管的类型为绝缘栅型P 型沟道增强型。
其开启电压U T =-2V 。
（d ）场效应管的类型为结型P 型沟道耗尽型。
其夹断电压U P =3V ，饱和漏极电流I DSS =-4mA 。
《模拟电子技术基础》习题参考答案 第二章 基本放大电路2-4 分析图题2-4所示各电路能否正常工作，并说明理由。
解：（a ）电路不能正常工作，对PNP 型管而言，电源Vcc 、电容C b 、C 1、C 2的极性均不正确。
（b ）电路不能正常工作，电容C 1、C 2的极性均不正确。
（c ）电路不能正常工作，电容C 1、C 2的极性均不正确。
（d ）电路不能正常工作，电容C b 将输入短路，不能保证输入信号顺利地传送到三极管的基极—发射极之间使基极电流产生变化。
浙江大学模电答案
浙江大学模电答案第2章习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V ，用于电话机通话时的直流电源。
话机内部电路对电压有极性的要求。
话机电路中有一个导向电路，如题2-1图所示。
外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。
试说明其工作原理。
答：当外线与话机引线相接时，如果话机引线的上端接正、下端接负，则电源正端经过D 1，话机内的其他电路、D 4到电源负端，形成电流回路，此时二极管D 1、D 4正向导通，D 2、D 3截止。
如果话机引线的下端接正、上端接负，则电源正端经过D 2、话机内的其他电路、D 3到电源负端，形成电流回路。
由此或见，无论话机引线的上端接正还是下端接正，对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求，这就是导向电路所起的作用。
2-2 已知硅和锗PN 结的反向饱和电流分别为10-14A 和10-8A 。
若外加电压为0.25V 、0.45V 、0.65V 时，试求室温下各电流I ，并指出电压增加0.2V 时，电流增加的倍数。
解：根据式（1-2-4） ()1/-=Tv v S e I I ，室温时mV V T 26≈对于硅PN 结：A I S 1410-=，则电压增加0.2V 时电流增加的倍数为倍219126/20026/2.0≈=mVmv mVV ee对于锗PN 结，A I S810-=，则电压增加0.2V 时电流同样增加2191倍。
2-3 在室温时锗二极管和硅二极管的反向饱和电流分别为1μA 和0.5pA ，若两个二极管均通过1mA 正向电流，试求它们的管压降分别为多少。
解：根据二极管的伏安特性 ()1/-≈TV V S e I I当V ＞＞V T 时 TV V S e I I /≈ 则STI I V V e =/SI I T V v ln=∴若锗二极管的A I S μ1=， mA I 1=，则VmV V 18.010ln 026.0ln263101063==?=--若硅二极管的PA I S 5.0=，mA I 1=，则()V mV V 557.0102ln 026.0ln2695.010123≈?=?=--?2-4 两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A 和2×10-15A ，若定义二极管电流I=0.1mA 时所需施加的电压为导通电压，试求各V D （on ）。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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第一篇 第2章习题题 1.2.1 有二个晶体管，一个200=β，A I CEO μ200=；另一个50=β，A I CEO μ10=，其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？解： 选β=50，I CEO =10μA 的管子较稳定。
穿透电流大，电流放大系数也大的管子稳定性较差。
题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V V X 9=，V V Y 6=，V V Z 7.6=；乙管V V X 9-=，V V Y 6-=，V V Z 2.6-=。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极和集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？ 解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极； 乙管为PNP 型锗管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题1.2.3 从图题1.2.3所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1）是锗管还是硅管？ （2）是NPN 型还是PNP 型？（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且V V V V E C CE 7.0>-=；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
]图题1.2.3解：该题中的锗管还是硅管，看V BE 是0.7V 还是0.3V ，0.7V 是硅管，0.3V 左右是锗管，也可以看第二个英文字母，如果第二个字母是D 、C 则通常为硅管，如果第二个字母是A 、则为锗管。
第三个英文是高频管还是低频管，还是开关管或是大功率管。
（G 是高频管、K 是开关管、X 是低频管、D 是大功率管），据此有：(a) NPN 硅管，工作在饱和状态； (b) PNP 锗管，工作在放大状态； (c) PNP 锗管，管子的b-e 结已开路； (d) NPN 硅管，工作在放大状态； (e) PNP 锗管，工作在截止状态； (f) PNP 锗管，工作在放大状态； (g) NPN 硅管，工作在放大状态； (h) PNP 硅管，工作在临界饱和状态。
题1.2.4 图题1.2.4所示电路中，设晶体管的50=β，V V BE 7.0=。
（1）试估算开关S 分别接通A 、B 、C 时的B I 、C I 、CE V ，并说明管子处于什么工作状态。
（2）当开关S 置于B 时，若用内阻为10 k Ω的直流电压表分别测量BE V 和CE V ，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？（3）在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的V V CE 7.0=），c R 的值不应小于多少？图题1.2.4解： (1) S 接A 点；143.01007.015≈-=B I mA ，1.7143.050=⨯==B C I I βmA ， 5.2015-=-=C C CE R I V V ，说明管子已经饱和了。
I C 和V CE 应重新计算如下：94.215=-≈CCESC R V I mA, V C E ≈0.3V 。
S 接B 点时：6.285007.015≈-=B I μA ， 43.10286.050=⨯==BC I I βmA ，85.715=-=C C CE R I V V ，管子处于放大状态。
S 接C 点时：发射极反偏，所以，I B ≈0，I C ≈0，V CE =15V ，管子截止。
图1.2.5(2) 不能够测得实际数值。
测V BE 时由于0.7V V 294.01050010'<=+=CC B V V ，会引起三极管截止；测V CE 时集电极的等效电源为V 1010510'=+=CC CC V V ，等效电阻为Ω=ΩΩ= 3.33k //10k k 5'cR ，由图解法可知所测电压值偏小。
(3) R C 不应小于2kΩ。
题1.2.5 在图题1.2.5所示电路中，已知Ω=k R 31，Ω=k R 122，Ω=k R c 5.1，Ω=500e R ，V V CC 20=，3DG4的30=β。
（1）试计算BQ I 、CQ I 和CEQ V ；（2）如果换上一只60=β的同类型管子，估算放大电路是否能工作在放大状态？（3）如果温度由10˚C 升至50˚C ，试说明C V （对地）将如何变化（增加、不变或减少）？图题1.2.5解：(1) I CQ ≈6.39mA ，I BQ ≈0.21mA ，V CEQ ≈7.12V ；(2) 能工作在放大状态；(3) 温度上升，I C 上升，集电极电流增加，集电极电位V C 将减小。
题1.2.6 设图题1.2.6（a ）~（d ）所示电路中的三极管均为硅管，V V CES 3.0=，50=β，试计算标明在各电路中的电压和电流的大小。
图题1.2.6解： (a) 这是一个开关电路，当输入为5V 时，三极管已处于饱和状态，V CE ≈0.3V ；当输入电压为0V 时，三极管处于截止状态，V CE ≈5.7V(b) 根据电路，稳压管击穿后三极管发射极电阻上的压降为6V ，发射极电流为I C ≈I E =6mA ，则二只电阻上就降了12V ，所以管子已处于饱和了。
(c) 电路选用了PNP 管，将基极回路用戴维宁定理定律等效后（求基极开路电压，求基极等效电阻），求出I B 和I C 后，即可求得V CE ＝-4.8V 。
(d) 这是一只复合管形成的电路，可以求得V C ＝-10.8V 。
题1.2.7 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.2.7(a)~(d)所示。
（1）说明图(a)~(d)曲线对应于何种类型的场效应管。
（2）根据图中曲线粗略地估计：开启电压T V 、夹断电压P V 和饱和漏极电流DSSI 或DO I 的数值。
图题1.2.7解：该题应该注意V T 、V P 、I DSS 、I DO 的定义。
（V T 使NMOS 管形成导电沟道所需的电压、V P 耗尽型使漏极电路为0时的栅源电压、I DSS 耗尽型管子VGS 电压为0时的漏极电流、2倍V T 电压时的漏极电流）。
图(a)：增强型N 沟道MOS 管，V GS(th)≈3V ，I DO ≈3mA ； 图(b )：增强型P 沟道MOS 管，V GS(th)≈-2V ，I DO ≈2mA ； 图(c)：耗尽型型P 沟道MOS 管，V GS(off)≈2V ，I DSS ≈2mA ； 图(d)：耗尽型型N 沟道MOS 管，V GS(off)≈-3V ，I DSS ≈3mA 。
题1.2.8 场效应管的漏极特性曲线同图题1.2.7(a)~(d)所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线()GS D v f i =。
解： 在漏极特性曲线上，取某一V DS 下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了V GS 和I D 的大小，如此逐点作出，连接成曲线，就是该管子的转移特性了，针对4种特性曲线的转移特性分别如图1.3.2所示。
图1.3.2题1.2.9 图题1.2.9所示为场效应管的转移特性曲线。
试问： （1）DSS I 、P V 值为多大？（2）根据给定曲线，估算当mA i D 5.1=和mA i D 9.3=时，m g 约为多少？ （3）根据m g 的定义：GSDm v d i d g =，计算V v GS 1-=和V v GS 3-=时相对应的m g 值。
解： (1) I DSS =5.5mA ，V GS(off)=-5V ；(2) I D =1.5mA 时，g m ≈0.88ms ，I D =3.9mA 时，g m ≈1.76ms ； (3) v GS =-1V 时，g m ≈0.88ms ，v GS =-3V 时，g m ≈1.76ms 。
图题1.2.9题1.2.10 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.2.10(a)和(b)所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并粗略估计V P 或V T 值，以及V v DS 5=时的I DSS 或I DO 值。
解： 图(a)：耗尽型PMOS 管，V GS(off)=3V ；当V DS =5V 时，I DSS =2mA ；图(b)：增强型PMOS 管，V GS(th)=-4V ；当V DS =5V 时，I DO ≈1.8mA 。
题1.2.11 某MOS 场效应管的漏极特性如图题1.2.11所示。
试画出V v DS 9=时的转移特性曲线，并定性分析跨导m g 与D i 的关系。
解： 在V DS =9V 处作一垂直线，与各V GS 下的输出特性曲线相交，各交点决定了V GS 和I D ，从而逐点描绘转移特性曲线，如图1.3.5所示。
从转移特性曲线的某一点作切线，可得g m 的大小。
图题 1.2.10图题1.2.11图1.3.5题 1.2.12 由P 沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.2.12(a)、(b)中。
在V V I 10-=，Ω=k R 10，Ω=k R d 5，GS V 分别为0 V 、1 V 、2 V 、3 V 时，求电路输出V O 值各为多少？图题1.2.12解： 当V I = 10V ，R=10k Ω，R d =5k Ω时，场效应管工作在可变电阻区上。
当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，R DS 分别为0.83k Ω、1k Ω、1.25k Ω、1.67k Ω。
而输出电压为I d DS dDS O V R R R R R V +++=所以当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，相应的输出电压分别为3.68V 、3.75V 、3.84V 、4.0V 。
题1.2.13 总结各种类型FET 的偏置条件：（1）说明场效应管处于可变电阻区、恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指DS v 、GS v 和D i ）。
（2）为保证工作于放大区，DS v 和GS v 的极性应如何设置？[在题表1.2.13(a)和题表1.2.13(b)中打“√”]。
解：(1) 可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，V DS ＜V GS-V GS(th)，I D 随V DS 增加而较快增加。
恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，V DS ＞V GS -V GS(th)，V GS ＞V GS(th)，I D 基本不随V DS 增加而增大。
截止区：场效应管的沟道被完全夹断，V GS ＜V GS(th)，I D =0，V DS =V DD 。
(注：指增强型NMOS 管，其它类型只要注意电源极性，同样可以给出)。